華東交通大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(論文)模版

1、本科畢業(yè)設(shè)計（論文）格式模板本彩頁封面僅為電子稿樣本，文本裝訂時請以班為單位到教材科領(lǐng)取紙質(zhì)封面及資料袋后再裝訂畢業(yè)設(shè)計（論文）誠信聲明本人鄭重聲明：所呈交的畢業(yè)設(shè)計（論文）是我個人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行的研究工作及取得的研究成果。就我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表和撰寫的研究成果，也不包含為獲得華東交通大學(xué)或其他教育機構(gòu)的學(xué)位或證書所使用過的材料。如在文中涉及抄襲或剽竊行為，本人愿承擔(dān)由此而造成的一切后果及責(zé)任。本人簽名_ 導(dǎo)師簽名_年 月 日華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計（論文）任務(wù)書姓名學(xué)號畢業(yè)屆別專業(yè)畢業(yè)設(shè)計（論文）題目指導(dǎo)教師學(xué) 歷職 稱具體要求：進度安排： 指

2、導(dǎo)教師簽字： 年 月 日教研室意見： 教研室主任簽字： 年 月 日題目發(fā)出日期設(shè)計（論文）起止時間附注：華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計（論文）開題報告書課題名稱課題來源課題類型導(dǎo) 師學(xué)生姓名學(xué) 號專 業(yè)開題報告內(nèi)容： 方法及預(yù)期目的： 指導(dǎo)教師簽名： 日期：課題類型：（1）A工程設(shè)計；B技術(shù)開發(fā)；C軟件工程；D理論研究； （2）X真實課題；Y模擬課題；Z虛擬課題 （1）、（2）均要填，如AY、BX等。華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(論文)評閱書(1)姓名學(xué)號專業(yè)畢業(yè)設(shè)計(論文)題目指導(dǎo)教師評語：得分指導(dǎo)教師簽字：年 月 日評閱人評語：得分評閱人簽字：年 月 日等級華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(論文)評閱書(2)姓名學(xué)號專

3、業(yè)畢業(yè)設(shè)計(論文)題目答辯小組評語：等級 組長簽字：年 月 日答辯委員會意見： 等級 答辯委員會主任簽字：年 月 日（學(xué)院公章）注：答辯小組根據(jù)評閱人的評閱簽署意見、初步評定成績，交答辯委員會審定，蓋學(xué)院公章?！暗燃墶庇脙?yōu)、良、中、及、不及五級制（可按學(xué)院制定的畢業(yè)設(shè)計(論文)成績評定辦法評定最后成績）。華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計（論文）答辯記錄姓名學(xué)號畢業(yè)屆別專業(yè)題目答辯時間答辯組成員（簽字）：答辯記錄： 記錄人（簽字）： 年 月 日 答辯小組組長（簽字）：年 月 日附注：摘要中文摘要：獨占一頁；論文題目用小2號黑體字、居中頁眉：中文宋體，小五號，居中III-族氮化物及其高亮度藍光宋體，5號，對齊

4、居中LED外延片的MOCVD生長和性質(zhì)研究"摘要"用3號黑體字、居中專 業(yè)： 學(xué) 號：學(xué)生姓名： 指導(dǎo)教師： 摘要正文用小4號宋體字 寬禁帶III族氮化物半導(dǎo)體材料在短波長高亮度發(fā)光器件、短波長激光器、光探測器以及高頻和大功率電子器件等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。自1994年日本日亞化學(xué)工業(yè)公司率先在國際上突破了GaN基藍光LED外延材料生長技術(shù)以來，美、日等國十余家公司相繼報導(dǎo)掌握了這項關(guān)鍵技術(shù)，并分別實現(xiàn)了批量或小批量生產(chǎn)GaN基LED。盡管如此，這項高技術(shù)仍處于高度保密狀態(tài)，材料生長的關(guān)鍵思想及核心技術(shù)仍未公開，還無法從參考文獻及專利公報中獲取最重要的材料生長信息。本論文

5、就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長中的物理及化學(xué)問題，為生長可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科學(xué)依據(jù)。本文在自制常壓MOCVD和英國進口MOCVD系統(tǒng)上對III族氮化物的生長機理進行了研究，對材料的性能進行了表征。通過設(shè)計并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)，生長的藍光LED外延片質(zhì)量達到了目前國際上商品化的中高檔水平。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：1首次提出了采用偏離化學(xué)計量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長單晶膜的思想，并在GaN外延生長上得以實現(xiàn)。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結(jié)晶性能，使GaN基藍光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了GaN基藍光LED的反

6、向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。本文得到了國家863計劃、國家自然科學(xué)基金以及教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項目的資助。關(guān)鍵詞用小4號黑體字、居左頂格、單獨占行，關(guān)鍵詞之間用分號間隔 關(guān)鍵詞：氮化物； MOCVD； LED；盧瑟福背散射溝道；光致發(fā)光；光透射譜 - 31 -Abstract頁眉：外文Times New Roman字體，五號，居中的居中英文摘要：獨占一頁；論文題目用Times New Roman字體小2號加粗、居中Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness bl

7、ue LED wafers" ABSTRACT"用Times New Roman字體3號加粗、居中Abstract正文用Times New Roman字體小4號 GaN based - nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technol

8、ogies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary

9、 were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6×2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present t

10、he idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high tempe

11、rature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.T

12、his work was supported by 863 program in China.關(guān)鍵詞用Times New Roman小4號加粗、居左頂格、單獨占行，關(guān)鍵詞之間用分號間隔 Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption目錄頁眉：中文宋體，小五號，居中目錄"目錄"用小2號黑體字、居中摘要Abstract第一章 GaN基半導(dǎo)體材料及器件進展（多數(shù)文章為“緒論”）11 .1 III族氮化物材料及其器件的進展與應(yīng)用11. 2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)4

13、1. 3 摻雜和雜質(zhì)特性121. 4 氮化物材料的制備131. 5 氮化物器件191. 6 GaN基材料與其它材料的比較22目錄內(nèi)容最少列出第一級標(biāo)題（章）和第二級標(biāo)題（節(jié)）；前者用4號黑體字，后者用4號宋體字，第三級標(biāo)題用4號楷體字，居左頂格、單獨占行，每一級標(biāo)題后應(yīng)標(biāo)明起始頁碼1. 7 本論文工作的內(nèi)容與安排24第二章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝31 2. 1 MOCVD材料生長機理31 2. 2本論文氮化物生長所用的MOCVD設(shè)備32結(jié)論136參考文獻（References）138致謝150頁眉：奇數(shù)頁書寫“華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計（論文）”，用宋體小五號書寫華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計（論

14、文）節(jié)標(biāo)題：中文宋體，英文Times New Roman，四號居左第一章 GaN基半導(dǎo)體材料及器件進展1 .1 III族氮化物材料及其器件的進展與應(yīng)用正文文字：中文宋體，英文Times New Roman，小四，兩端對齊，段落首行左縮進2個漢字符。章標(biāo)題：中文宋體，英文Times New Roman，四號居中 在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進程中，材料永遠扮演著重要角色。在與現(xiàn)代科技成就息息相關(guān)的千萬種材料中，半導(dǎo)體材料的作用尤其如此。以Si為代表的第一代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計算機的發(fā)明。以GaAs為代表的第二代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)60年代，它們成為制作光電子器件的基

15、礎(chǔ)。III族氮化物半導(dǎo)體材料及器件研究歷時30余年，前20年進展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。由于III族氮化物特有的帶隙范圍，優(yōu)良的光、電性質(zhì)，優(yōu)異的材料機械和化學(xué)性能，使得它在短波長光電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。III族氮化物半導(dǎo)體材料已引起了國內(nèi)外眾多研究者的興趣。 表標(biāo)題置于表的上方，中文宋體，英文Times New Roman ，五號加粗居中，表序與表名文字之間空一個漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文Times New Roman，五號。12 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 表1-1 用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、Eg0、ac和

16、T0的值樣品類型實驗方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)ac (eV/K)T0 (K)參考文獻GaN/Al2O3光致發(fā)光-5.32´10-43.5035.08´10-4-99661GaN/Al2O3光致發(fā)光¾3.4897.32´10-470059GaN/Al2O3光致發(fā)光-4.0´10-4¾-7.2´10-460062GaN/Al2O3光吸收-4.5´10-43.471-9.3´10-477263偶數(shù)頁書寫“學(xué)生姓名：畢業(yè)（論文）論文的題目”，用宋體小五號書寫，居中張三：II

17、I-族氮化物及其高亮度藍光LED外延片的MOCVD生長和性質(zhì)研究加熱電阻氣流測溫元件測溫元件圖1-1 熱風(fēng)速計原理圖標(biāo)題置于圖的下方，中文宋體，英文Times New Roman ，五號加粗居中，圖序與圖名文字之間空一個漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文Times New Roman，五號。華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計（論文）第二章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝2.1 MOCVD材料生長機理轉(zhuǎn)換控制頻率信 號 源頻率控 制 器地址發(fā)生 器波形存儲 器轉(zhuǎn)換器濾波器頻率設(shè)置波形數(shù)據(jù)設(shè)置圖2-1 DDS方式AWG的工作流程張三：III-族氮化物及其高亮度藍光LED外延片的MOCVD生長和性質(zhì)研究標(biāo)題：中

18、文宋體，4號，居中；英文Times New Roman，4號，居中。參考文獻1 WellMultiple-modulator fraction-n dividerPUS Patent，50381171986-02-02參考文獻正文用5號宋體字，英文Times New Roman，5號2 Brian MillerA multiple modulator fractionl dividerJIEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-5833 萬心平，張厥盛集成鎖相環(huán)路原理、特性、應(yīng)用M北京：人民郵電出版社，1990302-3074 MilerFrequency synthesizersPUS Patent，46098811991-08-065 Candy J CA use of double-integretion in sigma-delta modulationJIEEE Trans Commun，1985，3