【圖文】集成電路制造工藝原理(精)_第1頁
【圖文】集成電路制造工藝原理(精)_第2頁
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文檔簡介

1、集成電路制造工藝原理引言集成電路制造工藝流程錄 像引言工藝原理課程采用講課與使用多媒體課 件計(jì)算機(jī)教學(xué)相結(jié)合。工藝多媒體教學(xué)系統(tǒng)中的工藝模擬程序, 使學(xué)生通過交互式的模擬界面(與實(shí) 際設(shè)備類似)，進(jìn)行工藝設(shè)備操作模擬, 了解設(shè)備結(jié)構(gòu)原理和操作使用。以微電子所北方基地CMOS工藝為背景，錄 制了全套工藝線錄象，購置美國斯坦福大 學(xué)的CMOS IC制造工藝錄象帶。學(xué)生可以 觀看這些錄象，了解IC生產(chǎn)車間的實(shí)況。組織參觀參觀超凈車間(?)A.課程教學(xué)計(jì)劃(26)第一章 外延及CAD-4學(xué)時(shí)第二章 氧化、擴(kuò)散及離子注入一8學(xué)時(shí)第三章光刻-4學(xué)時(shí)第五章金屬化、封裝與可靠性一2學(xué)時(shí)第六章N阱CMOS工藝流

2、程一一2學(xué)時(shí) 第七章 硅器件制造的關(guān)鍵工藝一4學(xué)時(shí)B.多媒體計(jì)算機(jī)上機(jī)實(shí)驗(yàn)5X3學(xué)時(shí)=12學(xué)時(shí)周一下午1:304:30(9.18,9.25,10.9,10.16, 10.25)氧化、擴(kuò)散及離子注入原理氧化、擴(kuò)散及離子注入工藝模擬外延、CVD第四章刻蝕2學(xué)時(shí)光刻、刻蝕原理及設(shè)備濺射工藝原理及微電子制造流程案例參考書目(1)莊同曾等，集成電路制造原理與 實(shí)踐,電子工業(yè)出版社，1987年門月(2)美K.A.杰克遜等，半導(dǎo)體 工藝,科學(xué)出版社，1999年6月(3)集成電路制造工藝多媒體教學(xué)系統(tǒng) 講義(校內(nèi))上機(jī)步驟1.網(wǎng)上令居-Gwlab-cai-server 2-2. setup文件夾(setup.exe)-3. mcai文件

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