第六章pn結(jié)

1、施洪龍電話：68930256半導(dǎo)體物理地址：中央民族大學(xué)1#東配樓目錄第一章 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)第二章 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷第三章 載流子的統(tǒng)計(jì)分布第四章 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性第五章 非平衡載流子第六章 pn結(jié)第七章 金屬和半導(dǎo)體的接觸第八章 半導(dǎo)體異質(zhì)節(jié)第九章 半導(dǎo)體中的光電現(xiàn)象第十章 半導(dǎo)體中的熱電形狀第十一章 半導(dǎo)體中的磁-光效應(yīng)u pn結(jié)及其能帶圖u pn結(jié)的電壓電流特性u(píng) pn結(jié)電容u pn結(jié)擊穿第六章 pn 結(jié)第六章 pn 結(jié)n型半導(dǎo)體中載流子的濃度和運(yùn)動(dòng)特征p型半導(dǎo)體中載流子的濃度和運(yùn)動(dòng)特征p型半導(dǎo)體+n型半導(dǎo)體=？pn結(jié)是晶體管、集成電路的基礎(chǔ)，了解和掌握pn結(jié)的形狀具有很重要的意義

2、第六章 pn 結(jié)n型把p型和n型半導(dǎo)體通過各種工藝生長起來，兩者的交界處就是pn結(jié)合金法：在n型單晶硅上放一粒金屬鋁(p)，鋁與硅合金化后在其界面上形成pn結(jié)。雜質(zhì)分布特點(diǎn)：施主雜質(zhì)均勻地分布在n型區(qū)；受主雜質(zhì)均勻地分布在p型區(qū)；界面上雜質(zhì)濃度發(fā)生突變。第六章 pn 結(jié)n型把p型和n型半導(dǎo)體通過各種工藝生長起來，兩者的交界處就是pn結(jié)擴(kuò)散法：在n型單晶硅上通過氧化、光刻、擴(kuò)散等工藝制備pn結(jié)。通常為線性緩變結(jié)第六章 pn 結(jié)線性緩變結(jié)：低表面濃度的深擴(kuò)散。突變結(jié)：合金結(jié)合和高表面濃度的淺擴(kuò)散pn結(jié)空間電荷區(qū)：p型區(qū)的空穴濃度較高，n型區(qū)的電子濃度較高。當(dāng)兩者接觸時(shí)，n型區(qū)的電子向p區(qū)擴(kuò)散，p型

3、區(qū)的空穴向n區(qū)擴(kuò)散。n區(qū)的電子向p區(qū)擴(kuò)散，施主雜質(zhì)被電離成正電中心；p區(qū)的空穴向n區(qū)擴(kuò)散，受主雜質(zhì)被電離成負(fù)電中心。隨著擴(kuò)散的進(jìn)行，電離中心濃度逐漸增大。電離中心濃度增強(qiáng)，使得內(nèi)建電場(chǎng)強(qiáng)度增大。在內(nèi)建電場(chǎng)下載流子做漂移運(yùn)動(dòng)。載流子的擴(kuò)散與漂移最終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。neeeephhhh擴(kuò)散擴(kuò)散-+電離中心濃度梯度形成的電場(chǎng)內(nèi)建電場(chǎng)第六章 pn 結(jié)空間電荷區(qū)：neeeephhhh擴(kuò)散擴(kuò)散-+電離中心濃度梯度形成的電場(chǎng)內(nèi)建電場(chǎng)pn結(jié)形成時(shí)因電荷的擴(kuò)散，使施主和受主雜質(zhì)被電離，形成空間電荷，該區(qū)域稱為空間電荷區(qū)。隨著載流子的擴(kuò)散，內(nèi)建電場(chǎng)由無逐漸增大，平衡時(shí)達(dá)到最大值。此時(shí)，擴(kuò)散了多少的載流子就有多少的電

4、離中心參與形成內(nèi)建電場(chǎng)。第六章 pn 結(jié)p型半導(dǎo)體EcEvEAn型半導(dǎo)體EcEvEDEFpEFnEi當(dāng)兩塊半導(dǎo)體結(jié)合形成pn結(jié)時(shí)，電子將從高能級(jí)的n區(qū)向低能級(jí)的p區(qū)流動(dòng)；空穴從p區(qū)流向n區(qū)。e電子空穴的相對(duì)移動(dòng)，使得EFn相對(duì)降低，而EFp相對(duì)抬高。當(dāng)Efn=Efp時(shí)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。EcEvEDEFnEFpEcEvEAEi+qVD-qVD第六章 pn 結(jié)電子從高濃度到低濃度擴(kuò)散，其(n區(qū))電勢(shì)能降低；對(duì)于p區(qū)電子的電勢(shì)能增大，即引起能帶的整體上下移動(dòng)。EcEvEDEFnEFpEcEvEAEi+qVD-qVDneeeephhhh擴(kuò)散擴(kuò)散-+電離中心濃度梯度形成的電場(chǎng)內(nèi)建電場(chǎng)載流子擴(kuò)散的結(jié)果是使雜質(zhì)

5、電離，形成內(nèi)建電場(chǎng)，其大小就是載流子電勢(shì)能的改變量。第六章 pn 結(jié)流過pn結(jié)的總電流密度為漂移電流和擴(kuò)散電流密度之和：費(fèi)米能級(jí)的改變=電勢(shì)能的改變第六章 pn 結(jié)準(zhǔn)費(fèi)密能級(jí)間的差異或梯度(又載流子濃度梯度引起)導(dǎo)致非平衡電流的產(chǎn)生。平衡時(shí)，pn結(jié)內(nèi)沒有電流。當(dāng)電流密度恒定時(shí)，載流子濃度高的地方，費(fèi)米面的位置變化小pn結(jié)在空間電荷區(qū)能帶發(fā)生彎曲，這是內(nèi)建電場(chǎng)引起的。電子從低勢(shì)能的n區(qū)向高勢(shì)能的p區(qū)運(yùn)動(dòng)時(shí)，必須爬過高坡，即pn結(jié)的勢(shì)壘；空間電荷區(qū)又稱勢(shì)壘區(qū)。第六章 pn 結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)ED對(duì)應(yīng)的電勢(shì)能qVD為pn結(jié)的勢(shì)壘高度。內(nèi)建電場(chǎng)由準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)差引起：非簡并態(tài)的載流子濃度為：相除取對(duì)數(shù)完全電離內(nèi)建

6、電勢(shì)差與pn結(jié)兩端的雜質(zhì)濃度、溫度和禁帶寬度有關(guān)。在一定溫度下，兩端雜質(zhì)濃度差越大，禁帶越寬，接觸電勢(shì)差越大。第六章 pn 結(jié)要想求出載流子的分布(濃度)，應(yīng)先計(jì)算出態(tài)密度。態(tài)密度分布函數(shù)第六章 pn 結(jié)類似的空穴濃度為：pn結(jié)中電子的濃度為：第六章 pn 結(jié)如果勢(shì)壘區(qū)內(nèi)的電勢(shì)能比n區(qū)的導(dǎo)帶底高0.1eV處的電子濃度為：假設(shè)勢(shì)壘高度為0.7eV，則此處空穴濃度為：在室溫附近，對(duì)于絕大部分勢(shì)壘區(qū)，其中雜質(zhì)雖然都已電離，但載流子濃度比起n和p區(qū)的多數(shù)載流子，其濃度要小得多，常稱為耗盡層。第六章 pn 結(jié)如果勢(shì)壘區(qū)內(nèi)的電勢(shì)能比n區(qū)的導(dǎo)帶底高0.1eV處的電子濃度為：假設(shè)勢(shì)壘高度為0.7eV，則此處空

7、穴濃度為：在室溫附近，對(duì)于絕大部分勢(shì)壘區(qū)，其中雜質(zhì)雖然都已電離，但載流子濃度比起n和p區(qū)的多數(shù)載流子，其濃度要小得多，常稱為耗盡層。第六章 pn 結(jié)外加正向電壓下，pn結(jié)勢(shì)壘的變化及載流子的運(yùn)動(dòng)Epn結(jié)加正向電壓V，由于勢(shì)壘兩側(cè)的載流子濃度很大，電阻很小，正向偏壓幾乎都降落在結(jié)區(qū)，削弱內(nèi)建電場(chǎng)(qVD-qV)；內(nèi)建電場(chǎng)(qVD-qV)減弱，打破了載流子擴(kuò)散與漂移的平衡態(tài)，使擴(kuò)散流起主導(dǎo)，存在凈擴(kuò)散電流。電子從n區(qū)擴(kuò)散到p區(qū)，成為p區(qū)的非平衡載流子，它們?cè)趐區(qū)邊擴(kuò)散邊被空穴復(fù)合。在p區(qū)經(jīng)過一定距離的擴(kuò)散后被全部復(fù)合，該區(qū)域?yàn)閿U(kuò)散區(qū)。在pn結(jié)兩端外加正向偏壓，使非平衡載流子注入半導(dǎo)體中，稱為非平衡

8、載流子的電注入。第六章 pn 結(jié)外加反向直流電壓下，pn結(jié)勢(shì)壘的變化及載流子的運(yùn)動(dòng)pn結(jié)加反向電壓V，增強(qiáng)內(nèi)建電場(chǎng)(qVD+qV)，增強(qiáng)了載流子的漂移;En區(qū)邊界處擴(kuò)散過來的空穴被內(nèi)建電場(chǎng)驅(qū)趕回p區(qū)，p區(qū)邊界處擴(kuò)散過來的電子被驅(qū)趕回n區(qū)；結(jié)區(qū)內(nèi)的載流子被驅(qū)趕后由結(jié)區(qū)內(nèi)的少子補(bǔ)充，形成反向偏壓下的擴(kuò)散流，即少子的不斷抽取或吸取。在較大的反向偏壓下，邊界處的少子濃度趨于零，此時(shí)pn結(jié)的電流較小0.第六章 pn 結(jié)外加正向電壓下，pn結(jié)的能帶圖EFnEFpEcpEvpEcnEvnLpLnpn在正向偏壓下有非平衡載流子注入半導(dǎo)體中，使費(fèi)米能級(jí)發(fā)生劈裂：空穴擴(kuò)散區(qū)電子擴(kuò)散區(qū)在空穴擴(kuò)散區(qū)，電子濃度高，EF

9、n較高(平直)，非平衡載流子對(duì)其影響較小；空穴濃度小，影響大；靠近結(jié)區(qū)，空穴濃度增大，EFn和EFp逐漸發(fā)生劈裂；到結(jié)區(qū)邊界，空穴濃度最高，EF劈裂程度最大；Eq(VD-V)第六章 pn 結(jié)外加反電壓下，pn結(jié)的能帶圖EFnEFpEcpEvpEcnEvnLpLnpn在反向偏壓下，內(nèi)建電場(chǎng)增強(qiáng)，載流子的漂移電流增大，出現(xiàn)EF的劈裂：空穴擴(kuò)散區(qū)電子擴(kuò)散區(qū)Eq(VD+V)nEFnEFpphe第六章 pn 結(jié)理想pn結(jié)模型小注入：注入的少數(shù)載流子濃度比平衡多子濃度小得多；突變耗盡層：外加電壓直接降落在耗盡層上，耗盡層中的電荷是由電離中心的電荷組成，耗盡層外的半導(dǎo)體呈電中性；不考慮耗盡層中載流子的產(chǎn)生與

10、復(fù)合作用，即通過耗盡層的電子和空穴的電流是常數(shù)；滿足玻爾茲曼分布。第六章 pn 結(jié)理想pn結(jié)的電流電壓方程計(jì)算的基本步驟：計(jì)算勢(shì)壘邊界的非平衡載流子濃度；由擴(kuò)散連續(xù)性方程得到擴(kuò)散區(qū)中非平衡載流子的分布；由擴(kuò)散方程算出少子的電流密度；得到電流電壓方程。第六章 pn 結(jié)理想pn結(jié)的電流電壓方程計(jì)算的基本步驟：計(jì)算勢(shì)壘邊界的非平衡載流子濃度；p區(qū)的載流子濃度為：p區(qū)載流子濃度的乘積：邊界處多子p區(qū)平衡少子復(fù)合第六章 pn 結(jié)理想pn結(jié)的電流電壓方程計(jì)算的基本步驟： 計(jì)算勢(shì)壘邊界的非平衡載流子濃度：P區(qū)非平衡少子數(shù)：n區(qū)非平衡少子為：pn結(jié)中非平衡少子是由外加正向電壓引起電注入 由擴(kuò)散連續(xù)性方程得到擴(kuò)散區(qū)中非平衡載流子的分布：穩(wěn)態(tài)空穴擴(kuò)散區(qū)中非平衡少子的連續(xù)性方程：擴(kuò)散漂移第六章 pn 結(jié)理想pn結(jié)的電流電壓方程計(jì)算的基本步驟： 由擴(kuò)散連續(xù)性方程得到擴(kuò)散區(qū)中非平衡載流子的分布：穩(wěn)態(tài)空穴擴(kuò)散區(qū)中非平衡少子的連續(xù)性方程：小注入電場(chǎng)影響甚小通解第六章 pn 結(jié)理想pn結(jié)的電流電壓方程計(jì)算的基本步驟： 由擴(kuò)散連續(xù)