MOS管和IGBT模塊的測試方法

1、如有你有幫助，請購買下載，謝謝！MO潴和IGBT模塊的測試方法MO潸（MOSFET的測試方法：場效應管，如果已知型號與管腳，用萬用電表測G （柵極）和S （源極） 之間,G與D （漏極）之間沒有PN吉電阻，說明該管子已壞.用萬用電 表的RX 1kQ檔，其表棒分別接在場效應管的S極和D極上，然后用手 碰觸管子和G極,若表針不動，說明管子不好；若表針有較大幅度的擺 動 , 說明管子可用.另外 :1 、結型場效應管和絕緣柵型場效應管的區(qū)別（ 1）從包裝上區(qū)分由于絕緣柵型場效應管的柵極易被擊穿損壞, 所以管腳之間一般都是短路的或是用金屬箔包裹的; 而結型場效應管在包裝上無特殊要求.（ 2）用指針式萬用

2、表的電阻檔測量用萬用表的“ RX lk”檔或“RX 100”檔測G S管腳間的阻值結的正、反向阻值, 此管為結型管.2、用萬用表電阻檔判別結型場效應管管腳一般用RX 1k或RX 100檔進行測量，測量時,任選兩管腳，測正、反向 電阻，阻值都相同（均為幾千歐）時，該兩極分別為D S極（在使用 時 , 這兩極可互換）, 余下的一極為由于絕緣柵型場效應管在測量時易損壞, 所以不使用此方法進行管腳識別 , 一般以查手冊為宜.簡單方法檢測IGBT模塊的好壞:l 、判斷極性首先將萬用表撥在 RX 1K。擋，用萬用表測量時， 若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此

3、極為柵極（G ）。其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C ） ：黑表筆接的為發(fā)射極（E ）。2、判斷好壞將萬用表撥在 RX 10KQ檔，用黑表筆接IGBT的集電極（ C ） ，紅表筆接IGBT 的發(fā)時極（ E ） ，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G ）和集電極（C ），這時工GBT 被觸發(fā)導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站們指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極（G ）和發(fā)射極（E ） ，這時 IGBT 被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷 IGBT 是好的。3 、注意事項任何

4、指針式萬用表鈴可用于檢測IGBT 。注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在 RX IOK擋，因RX IKQ檔以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷 IGBT 的好壞。 此方法同樣也可以用護檢測功率場效應晶體管（P MOSFET）的好壞。以兩單元為例:用模擬萬用表測量靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔 ,測量黑表筆接1 端子、 紅表筆接2 端子, 顯示電阻應為無窮大表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1 端子,顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右 .若符合上述情況表明此IGBT 的兩個單元沒有明顯的

5、故障.動態(tài)測試 : 把萬用表的檔位放在乘10K 檔 ,用黑表筆接4端子 ,紅表筆接 5 端子,此時黑表筆接3 端子紅表筆接1 端子 , 此時電阻應為300-400 毆 ,把表筆對調也有大約300-400毆的電阻表明此IGBT 單元是完好的 .用同樣的方法測試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT 也是完好的.將萬用表撥在RX 10KQ擋，用黑表筆接IGBT的漏極（D）,紅表筆接 IGBT 的源極 （ S） ， 此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極（G）和漏極（D）,這時IGBT被觸發(fā)導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及

6、一下源極（S）和柵極（G）,這時IGBT被阻 斷，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的。注意：若進第二次測量時，應短接一下源極（S）和柵極（G）。高頻加熱機全稱“高頻感應加熱機”，又名高頻感應加熱設備、高頻感應加熱裝置、高頻加熱電源、高頻電源、高頻焊接機、高周波感應加熱機、高周波感應加熱器（焊接器）等，另外還有中頻感應加熱設備、超高頻感應加熱設備，應用范圍十分廣泛。高頻大電流流向被繞制成環(huán)狀或其它形狀的加熱線圈（通常是用紫銅管制作）。由此在線圈內產(chǎn)生極性瞬間變化的強磁束，將金屬等被加熱物質放置在線圈內，磁束就會貫通整個被加熱物質，在被加熱物質內部與加熱電流相反的方向產(chǎn)生很大的渦

7、電流，由于被加熱物質內的電阻產(chǎn)生焦耳熱，使物質自身的溫度迅速上升，這就是感應加熱的原理。感應加熱設備就是利用電磁感應原理，使工件在交變磁場中產(chǎn)生感應電流，利用感應電流通過工件所產(chǎn)生的熱效應使工件表面、內孔、局部或整體加熱的一種大功率電加熱設備。（一）鍛造、軋制類1 、各種麻類的熱軋2 、標準件、緊固件的執(zhí)鐓。如高強度螺栓、螺帽等。3 、釬鋼、釬具的回火、鍛造、擠壓等的加熱。4 、不銹鋼制品退火、退熱。（二）熱處理類1 、 各種五金工具、手工工具的熱處理。如鉗子、 扳手、 旋具、 錘子、斧頭等。2 、各種汽車配件、摩托車配件的高頻淬火處理。如：曲軸、連桿、活塞銷、曲柄銷、鏈輪、凸輪軸、氣門、各種

8、搖臂軸；變速箱內各種齒輪、花鍵思、傳動半軸叉等高頻淬火處理。3 、各種電動工具上的齒輪、軸等的高頻淬火處理。4 、 各種液壓元件、氣動元件的高頻淬火的熱處理。如柱塞泵的柱塞、轉子泵的轉子；各種閥門上的換向軸、齒輪泵的齒輪等的淬火處理。5 、金屬零件的熱處理。如各種齒輪、鏈輪、各種軸、花鍵軸、銷等的高頻淬火處理。6 、機床行業(yè)的機床床面導軌的淬火處理。熱處理 零件淬火齒輪淬火 不銹鋼退火等。（三）主要技術參數(shù)輸出功率：202000kW 20750kW （帶淬火變壓器）輸出頻率：2.5500kHz淬火深度：0.310mm最高使用溫度：1250c 輸出電壓：20100 0V一、 高頻感應加熱的原理感

9、應加熱是利用導體在高頻磁場作用下產(chǎn)生的感應電流（渦流損耗、。以及導體內磁場的作用（磁滯損耗 ）引起導體自身發(fā)熱而進行加熱的。、感應加熱系統(tǒng)的構成感應加熱系統(tǒng)田高頻電源（高頻發(fā)生器 ）、導線、變壓器、感應器組成。其工作步驟是由高頻電源把普通電源（220v/50hz）變成高壓高頻低電流輸出，（其頻率的高低根據(jù)加熱對象而定，就其包材而言，一般頻率應在 480kHz左右。）通過變壓 器把高壓、 高頻低電流變成低壓高頻大電流。 感應器通過低壓高頻大電流后在感應器周圍形成較強的高頻磁場。一般電流越大 .磁場強度越高。全晶體管高頻感應加熱設備1 高頻感應加熱設備現(xiàn)狀高頻感應加熱設備在我省已得到廣泛應用，設各

10、頻率范圍在20-450 kHz,高頻功率 最大可達400 kWo我省的高頻感應加熱設備主要應用于金屬熱處理、淬火、透熱、熔煉、釬焊、 直縫鋼管焊接、電真空器件去氣加熱、半 導體材料煉制、塑料熱合、烘烤和提純等?，F(xiàn)在我省使用的高頻感應加熱設備都是以大功率真空管（發(fā)射電子管）為核心構成單級自激振蕩器，把高壓直流電能量轉換成高頻交流電能量，它們的電子管板極轉換效率一般在75 環(huán)左右，設備的整機總效率一般在50 絨以下，水和電能的消耗非常大。自 70 年代中期后，對高頻設備也進行了一系列改進，如:（1）用節(jié)能型牡鎢煙絲電子管代替老式純鎢燈絲系列電子管，如FV-911 代替FV-433 FV-431,F

11、V-89F 管等 ;<2）采用高壓硅堆整流代替充汞閘流管整流 ;(3)采用大功率雙向可控硅結合微機調壓代替原閘流管調壓;(4)根據(jù)各自工藝條件重新更改振蕩回路，選擇合理的振蕩頻率。這樣，經(jīng)過一系列改造后，使我省的高頻設備整機總電效率有一定的提高，在節(jié)能方面有一定的效果，但由于振蕩電子管這個耗電最大的器件未能改掉，所以在節(jié)能方面，并不是特別顯著。2 全晶體蒼高頻感應加熱設備電子技術的發(fā)展，可謂日新月異。80 年代初，日本首先改進半導體生產(chǎn)工藝，開發(fā)生產(chǎn)出場控電力電子器件 大功率靜電感應晶體管 (SIT ) ,并設計制成換流橋式的，把直流電能量轉換成高頻電能量的全晶體管化高頻感應加熱設備，隨

12、后美國、西德等發(fā)達國家 也迅速研制，使之很快就商品化了。2. 1大功率靜電感應晶體管(SIT)的特點 大功率靜電感應晶體管(SIT)是一種大 功率電力電子器件，它的符號與三極管相同，作用也相似，但它主要用在大功率換流或導通的控制場合，它具有以下幾個特點:(1)具有 “正導通 ”特性，在正柵壓為"0 V”時，SIT處于導通狀態(tài)，而在加上負柵壓時，則將處于關斷狀態(tài);(2)開關速度快，可用于高頻段;(3)是高輸入阻抗的電壓控制型器件，所以用較小的驅動功率就能控制較大的功率;(4)SIT 元件是高耐壓大電流型器件;(5)電流的負溫度系數(shù)不會使電流集中，從而有利于并聯(lián)驅動，因此可運用于大功率裝

13、置。目前，靜電感應晶體管SIT)的單管功耗有 1kW 和 3kW 級的電力電子器件，供組裝高頻逆變設備.2 . 2 全晶體管高頻感應加熱設備主電路由靜電感應晶體管SIT 組裝的高頻感應加熱設備主回路如附圖所示，主電路由3部份組成 :(1)直流電源部份:該部份是把工頻三相交流電轉換為直流電，并控制下面幾部份。該部份主要由三相晶閘管(SCR)可調電路和直流電抗器La與電解電容Ca組成的直流濾波 器組成，調整三相晶閘管整流電路的直流輸出電壓，可調節(jié)該設備的輸出功率。輸入電壓為工頻3p380V ,最大直流電壓可達500 V以上，輸出直流可以100100%連續(xù)可調。C2)逆變部份:該部份把直流交換為高頻

14、交流，并控制后面部份，這部份由電壓型單相全橋電路構成，使用1kW 或 3kW 級功耗的SIT作為逆變橋的開關器件，使用同一級功耗的SIT器件組成電路時，設備的功率越大，頻率越高，每一橋臂上并聯(lián)的 SIT器件 愈多;R- Co和D.為緩沖電路，當SIT開始 關斷而產(chǎn)生浪涌電壓，超過這些電路中的直流電壓時，二級管D,導通，而電容器Co吸收該浪涌能量，使逆變橋中的SIT 器件安全運行。SIT元件的導通或關斷是由設備上所配備的微機和專用程序控制觸發(fā)信號，控制其 導通或關斷。(3)負載回路部份:該部份的功能是把高頻功率輸向被加熱的金屬工件上，負載回路是由諧振回路、電流互感器和加熱線圈組成，該電路中的串聯(lián)

15、諧振回路構成了電壓型逆變電路，電容器CT 和電感 LT 兩端各產(chǎn)生幾干伏以上的高頻電壓。高頻變流器次級側通常做成單匝，聯(lián)接著加熱線圈L ，巨大的高頻電流在L。周圍所產(chǎn)生，高頻磁通使金屬工件 迅速急劇發(fā)熱。3 全晶體管化高頻與電子管式高頻比較全晶體管化高頻感應加熱設備在如下幾個方面優(yōu)于電子管式高頻感應加熱設備。3. 1 工作模式得到徹底改變電子管高頻感應加熱設備需將工頻3p380 V 升高后，經(jīng)高壓整流器件變換成相應的直流高壓才能供給電子管工作，電子管板極內阻天，有大量功率損耗在板極上發(fā)熱，而且需要及時加水冷卻，同時還需把一部份功率反饋到柵極，并且要較大的燈絲加熱功率，這樣就有大量的電能損耗在轉

16、換之中。而晶體管高頻中的SIT 電力電子器件，只需較小的驅動功率來控制較大功率換流的產(chǎn)生，SIT元件正向導通壓降很小，損耗不大，并且采用直流500 V 的低壓工作狀態(tài)。電子管板極轉換效率最高為750o,SIT電力電子器件為 9200;全晶體管高頻省去了高壓整流變壓器、高壓硅堆;如果多管并用，能使熱量分散，只需加少量的水便可，30kW 以下小功率高頻可減去水冷卻，晶體管高頻整機總效率比電子管高頻要高200003.2 能源的節(jié)約電子管高頻電壓轉換次數(shù)多，電壓變化大，而全晶體管高頻電壓變化不大，在幾百伏內變動，不需多次變換電能，所以全晶體管高頻比同功率電子管高頻節(jié)電3000.節(jié)水83沁，如輸出為80

17、 kW 級(FV-911S)電子管高頻，振蕩工作時輸入功率為158 kW,用水3 1/s,而同樣的輸出功為80 kW的全晶體管高頻，振蕩工作時，輸入功率只需113 kW ,用水。.5 1/s,電子管還另需消耗2. 2 kW的燈絲加熱功率。3.3 設備一與維護全晶體管高頻體積只有電子管高頻的1/3,所以設備占地面積也只有1/3，晶體管高 !p 沒備潔構簡單.l 一作 1 卜常穩(wěn)定.故障少(據(jù)國內使用廠家介紹，使用2 年多沒有發(fā)現(xiàn)任何故障 )，維修費用低，省去了原電子管高'G r1 r i; " 1:需換的 1 ?電 r 管 （6',l loo kW 高頻為例），約7 0

18、00 元，水套 （2 年更換 1 只 ）約3 500元，每年1 次的整流變壓器檢修、濾油費約 m>o 七 .整個維修費1 年最少可節(jié)約1萬多元。因用水量減少，水泵也可根據(jù)需要改用較小功率的。3.4 國內外研制動態(tài)4. 1 國外產(chǎn)品情況目前在世界上只有少數(shù)幾個國家的大公司能制造全晶體管高頻，如日本的島田理化工業(yè)（株 ），富士電波機（株 ），電氣興業(yè)（株 ），美國的 ENI 公司，德國的FDF 公司， EMA公司等，產(chǎn)品規(guī)格已成系列化，如:日本的:T系列20-30 kHz 3-50 kW七種規(guī)格，A 系列 200-300 kHz 2,5,10 kW三種規(guī)格，SST 系歹U 20八”200 k

19、Hz 2.0, 30, 40kW 三種規(guī)格，20150 kHz 50200kW 六種規(guī)格，20100 kHz 300, 400kW 二種規(guī)格。美國的:STATITRON 系歹U 50八-300 kHz25 一 400 kW 八種規(guī)格西德的：ELOMAT TGI 系歹，j 50八-200 kHz15八-240 kW等規(guī)格，而且他們還在試制更高頻，更大功率的高頻設備，用途已不只是工業(yè).如廣播電臺，軍事通訊等。4. 2 國產(chǎn)化研制情況我國非常重視國際上這一電力電子器件技術的研究和應用，國家計委、科委、機電部已確定 SI T 元件和晶體管高頻的研制為“八五 ”國家重點科技攻關項目，具體布署了SIT器件