邢臺IGBT項目申報材料（參考模板）

1、CMC·泓域咨詢 /邢臺IGBT項目申報材料邢臺IGBT項目申報材料xxx集團有限公司目錄第一章 項目概況11一、 項目名稱及建設性質11二、 項目承辦單位11三、 項目定位及建設理由12四、 實施創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略，培育高質量趕超發(fā)展新引擎13五、 報告編制說明15六、 項目建設選址17七、 項目生產規(guī)模17八、 建筑物建設規(guī)模17九、 環(huán)境影響18十、 原輔材料及設備18十一、 項目總投資及資金構成18十二、 資金籌措方案18十三、 項目預期經濟效益規(guī)劃目標19十四、 項目建設進度規(guī)劃19主要經濟指標一覽表20第二章 行業(yè)發(fā)展分析22一、 IGBT結構不斷升級，協同第三代半導體技術

2、創(chuàng)新22二、 國內IGBT模塊百億級市場空間，占全球40%以上26三、 家電行業(yè)是IGBT器件的穩(wěn)定市場27第三章 項目建設背景及必要性分析29一、 制造工藝正從8英寸晶圓朝向12英寸升級迭代29二、 新能源汽車的電力系統中，功率IGBT價值占比達達52%30三、 推進區(qū)域協調發(fā)展和新型城鎮(zhèn)化取得新成效32四、 IGBT是新能源車動力系統核心中的核心35五、 IGBT技術發(fā)展歷程及趨勢37六、 新能源發(fā)電為IGBT帶來持續(xù)發(fā)展動力40第四章 項目建設單位說明41一、 公司基本信息41二、 公司簡介41三、 公司競爭優(yōu)勢42四、 公司主要財務數據43公司合并資產負債表主要數據43公司合并利潤表主

3、要數據43五、 核心人員介紹44六、 經營宗旨45七、 公司發(fā)展規(guī)劃45第五章 建筑工程方案48一、 項目工程設計總體要求48二、 建設方案50三、 建筑工程建設指標50建筑工程投資一覽表51第六章 項目選址分析53一、 項目選址原則53二、 建設區(qū)基本情況53三、 積極融入國內國際雙循環(huán)新發(fā)展格局59四、 以新發(fā)展理念為引領，加快構建現代化產業(yè)新體系61五、 集聚高質量趕超發(fā)展新動力63第七章 建設方案與產品規(guī)劃67一、 建設規(guī)模及主要建設內容67二、 產品規(guī)劃方案及生產綱領68產品規(guī)劃方案一覽表68第八章 法人治理70一、 股東權利及義務70二、 董事73三、 高級管理人員77四、 監(jiān)事8

4、0第九章 運營模式分析82一、 公司經營宗旨82二、 公司的目標、主要職責82三、 各部門職責及權限83四、 財務會計制度86五、 新能源汽車：IGBT是核心零部件，單車價值量達到上千人民幣93六、 國內IGBT企業(yè)實現0-1突破，緊抓缺貨朝下國產化機遇96七、 IGBT供貨周期與價格均有增長，供不應求難以緩解97八、 晶圓產能持續(xù)緊缺，IGBT供不應求或延續(xù)較長時間98第十章 SWOT分析99一、 優(yōu)勢分析（S）99二、 劣勢分析（W）100三、 機會分析（O）101四、 威脅分析（T）101第十一章 節(jié)能可行性分析107一、 項目節(jié)能概述107二、 能源消費種類和數量分析108能耗分析一覽

5、表108三、 項目節(jié)能措施109四、 節(jié)能綜合評價110第十二章 勞動安全分析112一、 編制依據112二、 防范措施114三、 預期效果評價120第十三章 項目環(huán)境影響分析121一、 編制依據121二、 建設期大氣環(huán)境影響分析121三、 建設期水環(huán)境影響分析122四、 建設期固體廢棄物環(huán)境影響分析123五、 建設期聲環(huán)境影響分析124六、 環(huán)境管理分析124七、 結論126八、 建議127第十四章 組織機構及人力資源配置128一、 人力資源配置128勞動定員一覽表128二、 員工技能培訓128第十五章 工藝技術及設備選型131一、 企業(yè)技術研發(fā)分析131二、 項目技術工藝分析133三、 質量

6、管理134四、 設備選型方案135主要設備購置一覽表136第十六章 投資方案137一、 投資估算的編制說明137二、 建設投資估算137建設投資估算表139三、 建設期利息139建設期利息估算表139四、 流動資金140流動資金估算表141五、 項目總投資142總投資及構成一覽表142六、 資金籌措與投資計劃143項目投資計劃與資金籌措一覽表143第十七章 經濟收益分析145一、 基本假設及基礎參數選取145二、 經濟評價財務測算145營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表145綜合總成本費用估算表147利潤及利潤分配表149三、 項目盈利能力分析149項目投資現金流量表151四、 財務生存能力分

7、析152五、 償債能力分析152借款還本付息計劃表154六、 經濟評價結論154第十八章 項目招標、投標分析155一、 項目招標依據155二、 項目招標范圍155三、 招標要求155四、 招標組織方式158五、 招標信息發(fā)布161第十九章 項目綜合評價說明162第二十章 補充表格164主要經濟指標一覽表164建設投資估算表165建設期利息估算表166固定資產投資估算表167流動資金估算表167總投資及構成一覽表168項目投資計劃與資金籌措一覽表169營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表170綜合總成本費用估算表171固定資產折舊費估算表172無形資產和其他資產攤銷估算表172利潤及利潤分配表17

8、3項目投資現金流量表174借款還本付息計劃表175建筑工程投資一覽表176項目實施進度計劃一覽表177主要設備購置一覽表178能耗分析一覽表178報告說明新為能源車的快速發(fā)展為IITGBT帶來廣闊的增量市場。新能源車的加速能力、最高時速、能源效率主要看車規(guī)級功率器件的性能。硅基IGBT作為主導型功率器件，在新能源車中應用于電動控制系統、車載空調系統、充電樁逆變器三個子系統中，約占整車成本的7%-10%，是除電池以外成本第二高的元件，也是決定整車能源效率的關鍵器件。根據中汽協數據，2021年6月新能源車產銷分別為24.8萬輛、25.6萬輛，環(huán)比+14.3%、+17.7%，同比增長1.3倍和1.4

9、倍，2021年1-6月，新能源車產銷分別達到121.5萬輛和120.6萬輛，同比增長均為2.0倍，新能源車的快速發(fā)展為IGBT帶來廣闊的市場空間。根據謹慎財務估算，項目總投資23178.34萬元，其中：建設投資19024.30萬元，占項目總投資的82.08%；建設期利息213.00萬元，占項目總投資的0.92%；流動資金3941.04萬元，占項目總投資的17.00%。項目正常運營每年營業(yè)收入48100.00萬元，綜合總成本費用38250.92萬元，凈利潤7206.81萬元，財務內部收益率24.26%，財務凈現值11507.66萬元，全部投資回收期5.23年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財

10、務凈現值良好，投資回收期合理。IGBT是現代電力電子器件中的主導型器件，被譽為電力電子行業(yè)里的“CPU”。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品。IGBT作為工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件，能夠根據信號指令來調節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的，被稱為現代電力電子行業(yè)里的“CPU”，廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等眾多領域。綜上所述，本項目能夠充分利用現有設施，屬于投資合理、見效快、回報高項目；擬

11、建項目交通條件好；供電供水條件好，因而其建設條件有明顯優(yōu)勢。項目符合國家產業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略思想，有利于行業(yè)結構調整。本期項目是基于公開的產業(yè)信息、市場分析、技術方案等信息，并依托行業(yè)分析模型而進行的模板化設計，其數據參數符合行業(yè)基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學習參考模板用途。第一章 項目概況一、 項目名稱及建設性質（一）項目名稱邢臺IGBT項目（二）項目建設性質本項目屬于擴建項目二、 項目承辦單位（一）項目承辦單位名稱xxx集團有限公司（二）項目聯系人朱xx（三）項目建設單位概況公司依據公司法等法律法規(guī)、規(guī)范性文件及公司章程的有關規(guī)定，制定并由股東大會審議通過了董事會議事規(guī)則，董事會議事規(guī)則

12、對董事會的職權、召集、提案、出席、議事、表決、決議及會議記錄等進行了規(guī)范。 經過多年的發(fā)展，公司擁有雄厚的技術實力，豐富的生產經營管理經驗和可靠的產品質量保證體系，綜合實力進一步增強。公司將繼續(xù)提升供應鏈構建與管理、新技術新工藝新材料應用研發(fā)。集團成立至今，始終堅持以人為本、質量第一、自主創(chuàng)新、持續(xù)改進，以技術領先求發(fā)展的方針。公司滿懷信心，發(fā)揚“正直、誠信、務實、創(chuàng)新”的企業(yè)精神和“追求卓越，回報社會” 的企業(yè)宗旨，以優(yōu)良的產品服務、可靠的質量、一流的服務為客戶提供更多更好的優(yōu)質產品及服務。展望未來，公司將圍繞企業(yè)發(fā)展目標的實現，在“夢想、責任、忠誠、一流”核心價值觀的指引下，圍繞業(yè)務體系、

13、管控體系和人才隊伍體系重塑，推動體制機制改革和管理及業(yè)務模式的創(chuàng)新，加強團隊能力建設，提升核心競爭力，努力把公司打造成為國內一流的供應鏈管理平臺。三、 項目定位及建設理由汽車三化（電動化、網聯化、智能化）趨勢將帶動汽車半導體需求大幅增長。根據國務院辦公廳2020年發(fā)布新能源汽車產業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2021-2035年），新能源汽車已成為全球汽車產業(yè)轉型發(fā)展的主要方向和促進世界經濟持續(xù)增長的重要引擎，過去10年中國新能源汽車已經從0到1突破，有望迎來1到N的加速發(fā)展段，而電動化、網聯化、智能化也成為汽車產業(yè)的發(fā)展趨勢，其中半導體在三化發(fā)展中起到至關重要的作用，是汽車三化發(fā)展的核心支撐，隨著三化的發(fā)展有

14、望帶動汽車半導體需求大幅度增長。四、 實施創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略，培育高質量趕超發(fā)展新引擎堅持創(chuàng)新在現代化建設全局中的核心地位，強化創(chuàng)新、創(chuàng)業(yè)、創(chuàng)投、創(chuàng)客“四創(chuàng)聯動”，促進眾創(chuàng)、眾包、眾扶、眾籌“四眾發(fā)展”，統籌抓好創(chuàng)新主體、創(chuàng)新基礎、創(chuàng)新資源、創(chuàng)新環(huán)境，提升自主創(chuàng)新能力，培育高質量趕超發(fā)展新引擎，加快建設創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)活力之城。（一）積極打造創(chuàng)新協同高地充分發(fā)揮邢東新區(qū)和邢臺經濟開發(fā)區(qū)的區(qū)域空間優(yōu)勢，高標準謀劃建設創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)載體，打造全市創(chuàng)新驅動發(fā)展“雙引擎”。圍繞現代商貿、金融服務、科技教育、生命健康、創(chuàng)意時尚、文化演藝等領域，打造創(chuàng)客街區(qū)、創(chuàng)投街區(qū)、創(chuàng)業(yè)孵化街區(qū)等創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)社區(qū)，布局創(chuàng)業(yè)園、微總部、創(chuàng)客

15、空間等多元化創(chuàng)業(yè)服務載體，建設一批便利化、專業(yè)化、全要素、開放式的眾創(chuàng)空間。吸引國內外著名高校和科研機構建設中試基地、產學研基地、產業(yè)化中心、研發(fā)中心等各類創(chuàng)新載體，加快發(fā)展虛擬大學園、大學科創(chuàng)園、留學生創(chuàng)業(yè)園等多元化創(chuàng)新平臺。（二）提升企業(yè)技術創(chuàng)新能力努力培育一批創(chuàng)新型領軍企業(yè)，鼓勵行業(yè)龍頭企業(yè)通過并購重組、資源整合和引進戰(zhàn)略投資者等途徑整合創(chuàng)新資源，發(fā)展成為具有國際競爭力的創(chuàng)新型領軍企業(yè)；深入開展科技型中小企業(yè)成長行動，完善科技型中小企業(yè)綜合服務體系，支持中小企業(yè)開展專項技術突破和專利技術購買，引導企業(yè)走“專精特新”發(fā)展道路，打造一批創(chuàng)新能力強、市場占有率高、品牌價值高的科技“小巨人”企業(yè)

16、、獨角獸企業(yè)。（三）激發(fā)人才創(chuàng)新創(chuàng)造活力實施“人才強市”戰(zhàn)略，開展創(chuàng)新人才快速引育計劃，全力引進領軍型創(chuàng)新團隊和人才。持續(xù)實施大學生人才引進計劃，完善邢臺籍人才回邢就業(yè)相關政策，吸引在外地工作的邢臺籍公務員及事業(yè)單位工作人員回邢發(fā)展。培養(yǎng)壯大適用型人才隊伍，推動高技能人才培養(yǎng)，調整優(yōu)化邢臺學院、邢臺職業(yè)技術學院、邢臺醫(yī)學高等?？茖W校、河北機電職業(yè)技術學院、邢臺現代職業(yè)學校、邢臺技師學院、邢臺應用職業(yè)技術學院等學校專業(yè)設置和學科建設，加強企業(yè)與院校定向合作培養(yǎng)，推動校企合作辦學和新型學徒制人才培養(yǎng)，分層次、多渠道、有針對性地培養(yǎng)一批復合型、應用型高技能人才。大力弘揚科學精神和工匠精神，營造崇尚創(chuàng)

17、新的社會氛圍。（四）完善科技創(chuàng)新體制機制推進科技計劃體系改革，建立市級科技計劃聯席會議制度，改進科技項目組織管理方式，實行“揭榜掛帥”等制度，給予創(chuàng)新領軍人才更大技術路線決定權和經費使用權。加快科技管理職能轉變，整合財政科研投入，支持企業(yè)擴大研發(fā)投入，不斷提高全社會研發(fā)支出占生產總值比重。推進軍民融合發(fā)展，努力實現區(qū)域創(chuàng)新和軍民創(chuàng)新“雙協同”。五、 報告編制說明（一）報告編制依據1、國家經濟和社會發(fā)展的長期規(guī)劃，部門與地區(qū)規(guī)劃，經濟建設的指導方針、任務、產業(yè)政策、投資政策和技術經濟政策以及國家和地方法規(guī)等；2、經過批準的項目建議書和在項目建議書批準后簽訂的意向性協議等；3、當地的擬建廠址的自然

18、、經濟、社會等基礎資料；4、有關國家、地區(qū)和行業(yè)的工程技術、經濟方面的法令、法規(guī)、標準定額資料等；5、由國家頒布的建設項目可行性研究及經濟評價的有關規(guī)定；6、相關市場調研報告等。（二）報告編制原則為實現產業(yè)高質量發(fā)展的目標，報告確定按如下原則編制：1、認真貫徹國家和地方產業(yè)發(fā)展的總體思路：資源綜合利用、節(jié)約能源、提高社會效益和經濟效益。2、嚴格執(zhí)行國家、地方及主管部門制定的環(huán)保、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防和節(jié)能設計規(guī)定、規(guī)范及標準。3、積極采用新工藝、新技術，在保證產品質量的同時，力求節(jié)能降耗。4、堅持可持續(xù)發(fā)展原則。（二） 報告主要內容投資必要性：主要根據市場調查及分析預測的結果，以及有關的產業(yè)政策

19、等因素，論證項目投資建設的必要性；技術的可行性：主要從事項目實施的技術角度，合理設計技術方案，并進行比選和評價；財務可行性：主要從項目及投資者的角度,設計合理財務方案,從企業(yè)理財的角度進行資本預算，評價項目的財務盈利能力，進行投資決策，并從融資主體的角度評價股東投資收益、現金流量計劃及債務清償能力；組織可行性：制定合理的項目實施進度計劃、設計合理組織機構、選擇經驗豐富的管理人員、建立良好的協作關系、制定合適的培訓計劃等，保證項目順利執(zhí)行；經濟可行性：主要是從資源配置的角度衡量項目的價值，評價項目在實現區(qū)域經濟發(fā)展目標、有效配置經濟資源、增加供應、創(chuàng)造就業(yè)、改善環(huán)境、提高人民生活等方面的效益；風

20、險因素及對策：主要是對項目的市場風險、技術風險、財務風險、組織風險、法律風險、經濟及社會風險等因素進行評價，制定規(guī)避風險的對策，為項目全過程的風險管理提供依據。六、 項目建設選址本期項目選址位于xx（以最終選址方案為準），占地面積約64.00畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。七、 項目生產規(guī)模項目建成后，形成年產xxx個IGBT的生產能力。八、 建筑物建設規(guī)模本期項目建筑面積72578.45，其中：生產工程47226.92，倉儲工程10472.88，行政辦公及生活服務設施7684.74，公共工程7193.91。九、 環(huán)境

21、影響本項目的建設符合國家政策，各種污染物采取治理措施后對周圍環(huán)境影響較小，從環(huán)保角度分析，本項目的建設是可行的。十、 原輔材料及設備（一）項目主要原輔材料該項目主要原輔材料包括xx、xx、xxx等。（二）主要設備主要設備包括：xx、xx、xxx等。十一、 項目總投資及資金構成（一）項目總投資構成分析本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據謹慎財務估算，項目總投資23178.34萬元，其中：建設投資19024.30萬元，占項目總投資的82.08%；建設期利息213.00萬元，占項目總投資的0.92%；流動資金3941.04萬元，占項目總投資的17.00%。（二）建設投資構成本期項目

22、建設投資19024.30萬元，包括工程費用、工程建設其他費用和預備費，其中：工程費用16440.62萬元，工程建設其他費用2097.02萬元，預備費486.66萬元。十二、 資金籌措方案本期項目總投資23178.34萬元，其中申請銀行長期貸款8693.87萬元，其余部分由企業(yè)自籌。十三、 項目預期經濟效益規(guī)劃目標（一）經濟效益目標值（正常經營年份）1、營業(yè)收入（SP）：48100.00萬元。2、綜合總成本費用（TC）：38250.92萬元。3、凈利潤（NP）：7206.81萬元。（二）經濟效益評價目標1、全部投資回收期（Pt）：5.23年。2、財務內部收益率：24.26%。3、財務凈現值：11

23、507.66萬元。十四、 項目建設進度規(guī)劃本期項目按照國家基本建設程序的有關法規(guī)和實施指南要求進行建設，本期項目建設期限規(guī)劃12個月。十四、項目綜合評價由上可見，無論是從產品還是市場來看，本項目設備較先進，其產品技術含量較高、企業(yè)利潤率高、市場銷售良好、盈利能力強，具有良好的社會效益及一定的抗風險能力，因而項目是可行的。主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積42667.00約64.00畝1.1總建筑面積72578.451.2基底面積24746.861.3投資強度萬元/畝282.082總投資萬元23178.342.1建設投資萬元19024.302.1.1工程費用萬元16440.622.

24、1.2其他費用萬元2097.022.1.3預備費萬元486.662.2建設期利息萬元213.002.3流動資金萬元3941.043資金籌措萬元23178.343.1自籌資金萬元14484.473.2銀行貸款萬元8693.874營業(yè)收入萬元48100.00正常運營年份5總成本費用萬元38250.92""6利潤總額萬元9609.08""7凈利潤萬元7206.81""8所得稅萬元2402.27""9增值稅萬元2000.07""10稅金及附加萬元240.00""11納稅總額萬元464

25、2.34""12工業(yè)增加值萬元15833.53""13盈虧平衡點萬元16758.61產值14回收期年5.2315內部收益率24.26%所得稅后16財務凈現值萬元11507.66所得稅后第二章 行業(yè)發(fā)展分析一、 IGBT結構不斷升級，協同第三代半導體技術創(chuàng)新IGBT是一個電路開關，透過開關控制改變電壓。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一個三端器件，也是重要的分立器件分支，屬于分立器件中的全控型器件，可以同時控制開通與關斷，具有自關斷的特征，即是一個非通即斷的開關。IGBT擁有柵極G（Gate）、

26、集電極C（Collector）和發(fā)射極E（Emitter），其開通和關斷由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定；在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通。IGBT結合了TMOSFET與與TBJT的優(yōu)勢。IGBT結合了MOSFET與BJT的優(yōu)點，既有MOSFET的開關速度快，輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，此外為了提升IGBT耐壓，減小拖尾電流，結構相對復雜。IGBT被各類下游市場廣泛使用，是電力電子領域較為理想的開關器件。IGBT工藝與設計難度高，產品生命周期長。IGB

27、T芯片結構分為正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。從80年代初到現在，IGBT正面技術從平面柵（Planar）迭代至溝槽柵(Trench)，并演變?yōu)槲喜郏∕icroPatternTrench）；背面技術從穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演變?yōu)閳鼋刂剐停‵S,FieldStop）。技術的迭代對改善IGBT的開關性能和提升通態(tài)降壓等性能上具有較大幫助，但是實現這些技術對于工藝有著相當高的要求，尤其是薄片工藝（8英寸以上的硅片當減薄至100200um后極易破碎）以及背面工藝（因正面金屬熔點的限制，

28、所以背面退火激活的難度大），這也是導致IGBT迭代速度較慢。此外，IGBT產品具有生命周期長的特點，以英飛凌IGBT產品為例，該產品已迭代至第七代，但其發(fā)布于2000年代初的第三代IGBT芯片技術在3300V、4500V、6500V等高壓應用領域依舊占據主導地位，其發(fā)布于2007年的第四代IGBT則依舊為目前使用最廣泛的IGBT芯片技術，其IGBT4產品的收入增長趨勢甚至持續(xù)到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散熱功能是IGBT未來發(fā)展趨勢。英飛凌作為全球IGBT龍頭企業(yè)，產品技術已成為本土廠商的對標。截至2021年，英飛凌產品已迭代至第七代。其中，第五代與第六代均屬于第四代的優(yōu)化版（第

29、五代屬于大功率版第四代，第六代屬于高頻版第四代）。IGBT器件需要承受高電壓和大電流，對于穩(wěn)定性、可靠性要求較高。未來，IGBT會朝著更小尺寸、更大晶圓、更薄厚度發(fā)展，并通過成本、功率密度、結溫、可靠性等方面的提升來實現整個芯片結束的進步。此外，IGBT模塊的未來趨勢也將朝著更高的熱導率材料、更厚的覆銅層、更好的集成散熱功能和更高的可靠性發(fā)展。第三代半導體物理特性相較于iSi在工作頻率、抗高溫和抗高壓具備較強的優(yōu)勢。半導體材料領域至今經歷了多個發(fā)展階段，相較而言，第三代半導體在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優(yōu)勢。第一代半導體材料主要包括硅（Si）和鍺（Ge），于20世紀40年代開始登上舞臺

30、，目前主要應用于大規(guī)模集成電路中。但硅材料的禁帶寬度窄、電子遷移率低，且屬于間接帶隙結構，在光電子器件和高頻高功率器件的應用上存在較大瓶頸，因此其性能已難以滿足高功率和高頻器件的需求。新材料推進新產品發(fā)展，高壓高頻領域適用SiC。碳化硅在絕緣破壞電場界強度為硅的10倍，因此SiC可以以低電阻、薄膜厚的漂移層實現高耐壓，意味著相同的耐壓產品SiC的面積會比Si還要小，比如900VSiC-MOSFET的面積是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的產品，SiC可以做到1700V以上且低導通電阻。Si為了改善高耐壓化所帶來的導通電阻增大主要采用IGBT結構，但由

31、于其存在開關損耗大產生發(fā)熱、高頻驅動受到限制等問題，所以需借由改變材料提升產品性能。SiC在MOSFET的結構就可實現高耐壓，因此可同時實現高耐壓、低導通電阻、高速，即使在1200V或更高的擊穿電壓下也可以制造高速MOSFET結構。SiCMTOSFET具備一定優(yōu)勢，但成本較高。就器件類型而言，SiCMOSFET與SiMOSFET相似。但是，SiC是一種寬帶隙（WBG）材料，其特性允許這些器件在與IGBT相同的高功率水平下運行，同時仍然能夠以高頻率進行開關。這些特性可轉化為系統優(yōu)勢，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的熱耗散。然而，受制于制造成本和產品良率影響，SiC產品價格較高。由于Si越是

32、高耐壓的組件、每單位面積的導通電阻變高(以耐壓的約22.5倍增加)，因此600V以上的電壓則主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少數載子之正孔于漂移層內，比MOSFET可降低導通電阻，另一方面由于少數載子的累積，斷開時產生尾電流、造成開關的損耗。SiC由于漂移層的電阻比Si組件低，不須使用傳導度調變，可用高速組件構造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻，可實現開關損耗的大幅削減與冷卻器的小型化。SiC在制造和應用方面又面臨很高的技術要求，因此SiCMosfet價格較SiIGBT高。根據功率器件的特性，不同功率器件的應用領域各有不同。雖然IGBT結合了MOSFET與BJT的優(yōu)勢，但三者根據各自

33、的器件性能優(yōu)勢，都有適合的應用領域。BJT更強調工作功率，MOSFET更強調工作頻率，IGBT則是工作功率與頻率兼具。BJT因其成本優(yōu)勢，常被用于低功率低頻率應用市場，MOSFET適用于中功率高頻率應用市場，IGBT適用于高功率中頻率應用市場。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面將繼續(xù)發(fā)展，因此在較長一段時間內仍會是汽車電動化的主流器件。SiC組件具有高壓、高頻和高效率的優(yōu)勢，在縮小體積的同時提高了效率，相關產品則主要用于高壓高頻領域。部分IGBT廠商已開始布局SiC產業(yè)。SiC具有較大發(fā)展?jié)摿?，已吸引多家功率器件廠商進行布局。英飛凌于2018年收購德國廠商Siltectra，彌補自身晶體

34、切割工藝，又于2018年12月與Cree簽署長期協議，保證自身光伏逆變器和新能源汽車領域的產品供應，旗下CoolSiC系列產品已走入量產。2019年，意法半導體與Cree簽署價值2.5億美元的長單協議，且收購了瑞典SiC晶圓廠商NorstelAB，以滿足汽車和工業(yè)客戶對MOSFET與二極管的需求。2021年，意法半導體宣布造出8英寸SiC晶圓。此外，斯達半導、華潤微、等本土廠商也已在SiC領域布局。二、 國內IGBT模塊百億級市場空間，占全球40%以上根據英飛凌年報，2019年英飛凌模塊產品全球市占率35.6%，斯達半導2.5%，英飛凌IGBT器件產品市占率32.5%，士蘭微2.2%。2019

35、年斯達半導IGBT模塊營業(yè)收入7.6億元，士蘭微IGBT器件營業(yè)收入約1億元，由此可推算2019年全球IGBT模塊市場規(guī)模約300億元，IGBT器件市場規(guī)模約45億元。根據ASMC研究顯示，全球IGBT市場規(guī)模預計在2022年達到60億美元，全球IGBT市場規(guī)模在未來幾年時間仍將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長的勢頭。根據中國產業(yè)信息網和頭豹研究院數據整理，2014年，我國IGBT行業(yè)市場規(guī)模為79.8億元，預測到2020年，我國IGBT行業(yè)將實現197.7億元的收入，年復合增長率達16.32%。預計到2023年中國IGBT行業(yè)整體市場規(guī)模有望達到290.8億元，市場前景廣闊。根據Yole預測，2024年我國

36、行業(yè)IGBT產量預期達到0.78億只，需求量達到1.96億只，仍存在巨大供需缺口。IGBT市場長期被英飛凌、富士電機等海外公司壟斷，英飛凌占據絕對領先的地位。2019年英飛凌模塊產品全球市占率35.6%，器件產品全球市占率32.5%，IGBT模塊領域國內斯達半導是唯一進入前十的企業(yè)，市占率2.5%，IGBT器件領域國內士蘭微是唯一進入前十的企業(yè)，市占率2.2%。國內產品供需不平衡，“國產替代”將是未來IGBT行業(yè)發(fā)展的主要方向。三、 家電行業(yè)是IGBT器件的穩(wěn)定市場變頻空調、冰箱、洗衣機的核心控制部件是變頻控制器，它承擔了電機驅動、PFC功率校正以及相關執(zhí)行器件的變頻控制功能。而變頻控制器很重

37、要的一環(huán)就是IPM模塊，IPM將功率器件芯片（IGBT+FRD或高壓MOSFET）、控制IC和無源元件等這些元器件高密度貼裝封裝在一起，通過IPM，MCU就能直接高效地控制驅動電機，配合白家電實現低能耗、小尺寸、輕重量及高可靠性的要求。中國作為全球最大的家電市場和生產基地，IPM的應用潛力十分強勁。以空調行業(yè)為例，根據產業(yè)在線的數據，2020年我國變頻空調銷量達7485萬臺，同比增長10.02%，并且未來變頻空調有望在空調市場進一步滲透，面向變頻空調應用的IGBT的市場空間將十分廣闊。同時，作為變頻白色家電的另外兩大市場，變頻冰箱和變頻洗衣機市場增速顯著。2020年，中國變頻冰箱銷量為2507

38、萬臺，同比增長26.38%，中國變頻洗衣機銷量為2627萬臺，同比增長0.91%。第三章 項目建設背景及必要性分析一、 制造工藝正從8英寸晶圓朝向12英寸升級迭代以特色工藝需要工藝與設計的積累，海外企業(yè)以MIDM為主。功率半導體主要以特色工藝為主，器件的技術迭代像邏輯、存儲芯片依靠尺寸的縮小，因此特色工藝的要求更多需要行業(yè)的積累與know-how，包括工藝、產品、服務、平臺等多個維度；功率器件產品性能與應用場景密切相關，導致平臺多、產品類型多，因此更注重工藝的成熟度和穩(wěn)定性，工藝平臺的多樣性。在這樣的背景下，由于IDM可以按需生產不同電性功能的功率器件，加速技術及應用積累，在深度及廣度上覆蓋客

39、戶不同的需求，因此IGBT海外的企業(yè)大多的生產模式以IDM為主，國內相比海外發(fā)展較晚，因此催生出Fabless找代工廠生產的模式，專業(yè)化分工加速對海外的追趕。代表IDM型IGBT廠商包括英飛凌、瑞薩、Vishay、羅姆、安森美、富士電機、士蘭微、華微電子等；Fabless型IGBT廠商包括斯達半導、新潔能、宏微科技等。IGBT代工廠則包括高塔、華虹、東部高科等廠商。IGBT主要采用成熟制程，目前生產大多以以88英寸晶圓為主。IGBT產品對產線工藝依賴性較強，目前國際IGBT大廠主要采用8英寸生產線。為進一步提升產品性能與可靠性，IGBT制造廠正積極布局可用于12英寸晶圓的相關工藝。英飛凌作為I

40、GBT龍頭企業(yè)，已于2018年推出以12英寸晶圓生產的IGBT器件。同時，斯達半導12英寸IGBT產能也已實現量產。未來，隨著各家IGBT廠商工藝的進步，IGBT產品也將轉向12英寸晶圓，并采用更先進的制程。IGBT需求增長擴廠計劃持續(xù)推進，朝向300mm（12英寸）晶圓發(fā)展。英飛凌2021年9月公告其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導體芯片工廠正式啟動運營，隨著數字化和電氣化進程的加快，公司預計未來幾年全球對功率半導體器件的需求將持續(xù)增長，因此當前正是新增產能的最好時機。2021年3月東芝公告準備開工建設300mm晶圓制造廠，由于功率器件是控制和降低汽車、工業(yè)和其他電氣設備功耗的重要

41、部件，公司預計電動汽車、工廠自動化和可再生能源領域的增長將繼續(xù)推動功率器件的需求增長。2020年12月士蘭微12英寸芯片生產線項目由廈門士蘭集科微電子有限公司負責實施運營，第一條12英寸產線，總投資70億元，工藝線寬90納米，計劃月產8萬片。本次投產的產線就是其中的一期項目，總投資50億元，規(guī)劃月產能4萬片；項目二期將繼續(xù)投資20億元，規(guī)劃新增月產能4萬片。第二條12英寸生產線預計總投資100億元，將建設工藝線寬65納米至90納米的12英寸特色工藝芯片生產線。二、 新能源汽車的電力系統中，功率IGBT價值占比達達52%新能源汽車核心三電系統（電池、電機、電控）。1）電池是新能源汽車的能量來源，

42、替換傳統燃油汽車的油箱；動力電池系統主要由電芯、電池管理系統等組成。2）電機負責將電能轉換為機械能，包含定子、轉子等；3）電控如同汽車的大腦，用來控制電機的啟動、暫停、轉速、扭矩等各項“動作”。三電系統需要大量的半導體產品包括功率半導體、模擬芯片、控制芯片等；隨著電動汽車的發(fā)展與普及，汽車半導體迎來快速發(fā)展期。電力系統主要分為四大類：DC/DC轉換器、電池管理系統(BMS)、逆變器、車載充電器。逆變器是汽車的關鍵部件，主要用到的半導體芯片為為IGBT。逆變器類似于燃油車的發(fā)動機管理系統EMS，決定著駕駛行為。無論電機是同步、異步還是無刷直流電機，逆變器始終以類似的方式運行，其設計應最大限度地減

43、少開關損耗并最大限度地提高熱效率。IGBT是電動汽車逆變器的核心電子器件，重要性類似電腦里的CPU。DC-DC。轉換器供電給汽車低壓電子系統。DC/DC變換器是新能源汽車必須配置的功能，類似燃油汽車中配置的低電壓發(fā)電機總成，其功能是給車載12V或24V低壓電池充電，并為整車提供全部的低壓供電。在新能源汽車中會配置一個DC/DC變換器作為能量傳遞部件，從車載動力電池取電，提高能源的利用率，給車載12V或24V低壓電池充電，并為整車提供全部的低壓電子系統供電。BMS電池管理系統是電動汽車中電池組的大腦。BMS可根據起動能力對充電狀態(tài)、健康狀態(tài)和功能狀態(tài)進行快速、可靠的監(jiān)測，以提供必要的信息。因此，

44、BMS能夠最大限度地降低因為電池意外失效而導致的汽車故障次數，從而盡可能地提升電池使用壽命和電池效率，并實現二氧化碳減排功能。OBC車載充電器主要功能是為電池充電。OBC的核心功能是整流電源輸入，并將其轉換為適合電池的充電電壓可能是400V或越來越多的800V。一個典型的OBC由多個級聯級組成，包括功率因數校正（PFC）、DC/DC轉換器、次級整流、輔助電源、控制及驅動電路。OBC具有多種功率等級，功率等級越高，充電時間就越短。最流行的OBC功率等級是3.3kW、6.6kW、11kW和22kW。新能源汽車動力系統中，器逆變器IGBT價值量比占比52%。在電動傳統系統中，主逆變器負責控制電動機，

45、是汽車中的一個關鍵元器件，決定了駕駛行為和車輛的能源效率。并且，主逆變器還用于捕獲再生制動釋放的能量并將此能量回饋給電池，所以，車輛的最大行程與主逆變器的效率直接相關。三、 推進區(qū)域協調發(fā)展和新型城鎮(zhèn)化取得新成效立足建設京津冀世界級城市群支點城市，充分發(fā)揮國土空間規(guī)劃引領管控作用，深入落實重大國家戰(zhàn)略、區(qū)域協調發(fā)展戰(zhàn)略，主體功能區(qū)戰(zhàn)略，構建高質量趕超發(fā)展的國土空間布局和支撐體系，建成京津冀東南門戶城市、中高端制造業(yè)集聚城市和“三宜”“三清”智慧城市。（一）完善國土空間開發(fā)保護體系全面落實省國土空間規(guī)劃，推動總體規(guī)劃與國土空間規(guī)劃、專項規(guī)劃的有機銜接。立足資源稟賦和環(huán)境承載能力，強化全域、全要素

46、的配置與安排，科學劃定生態(tài)保護紅線、永久基本農田、城鎮(zhèn)開發(fā)邊界三條控制線，逐步形成城市化地區(qū)、農產品主產區(qū)、生態(tài)功能區(qū)三大空間格局，優(yōu)化重大基礎設施、重大生產力和公共資源布局。支持城市化地區(qū)高效聚集經濟和人口、保護基本農田和生態(tài)空間，支持農產品主產區(qū)增強農業(yè)生產能力，支持生態(tài)功能區(qū)把發(fā)展重點放到保護生態(tài)環(huán)境、提供生態(tài)產品上，支持生態(tài)功能區(qū)的人口逐步有序轉移。（二）統籌區(qū)域協調發(fā)展開創(chuàng)“西美中強東興”區(qū)域發(fā)展新局面，創(chuàng)新區(qū)域開發(fā)方式，優(yōu)化區(qū)域發(fā)展格局，促進東中西區(qū)域優(yōu)勢互補、良性互動，實現更高層次、更高質量的協調發(fā)展。強化中部核心引領，加快產業(yè)轉型升級，堅持“畝均論英雄”，大力引進高端產業(yè)發(fā)展要

47、素，打造全市高質量趕超發(fā)展的“領頭雁”。加速東部振興崛起，推動縣域特色產業(yè)專精特優(yōu)發(fā)展，積極拓展產業(yè)鏈、價值鏈、創(chuàng)新鏈，打造全市高質量趕超發(fā)展的“生力軍”。推動西部綠色發(fā)展，加強旅游資源整合，提升文化旅游、休閑度假業(yè)的知名度和影響力，打造中心城市的“大花園”“后花園”。（三）開展中心城市成長專項行動緊抓城市框架拉開機遇，重塑城市發(fā)展格局。加快市主城區(qū)和縣城建設，加速發(fā)展城市工業(yè)，大力培育發(fā)展樓宇經濟、電商經濟、夜間經濟、創(chuàng)意經濟、共享經濟、流量經濟等城市經濟新業(yè)態(tài)，不斷提高城市經濟在全市經濟中的比重。大力提高城市建設水平，突出抓好高鐵門戶、迎賓大道、城市地標、城市CBD、城市陽臺、城市綠道、文

48、化街區(qū)、步行街、未來社區(qū)、特色小鎮(zhèn)等十大城市標配建設，優(yōu)化城市功能，提升城市品質。爭創(chuàng)全國文明城市、國家衛(wèi)生城市、國家森林城市和國家生態(tài)園林城市，不斷提高中心城市競爭力、影響力、辨識度、知名度。積極創(chuàng)建新型智慧城市試點，打造具有邢臺特色、全省先進的智慧城市范例。推動寧晉、清河兩個副中心城市建設，支持威縣、寧晉等縣撤縣改市。（四）推進以人為核心的新型城鎮(zhèn)化統籌城市規(guī)劃建設管理，實施城市更新行動，加大老舊小區(qū)、老舊管網、棚戶區(qū)、城中村改造和社區(qū)建設力度。積極打造石邯邢、青銀、邢清三個城鎮(zhèn)發(fā)展帶，謀劃打造寧平高速沿線特色城鎮(zhèn)發(fā)展帶，構建“一主兩副三帶多節(jié)點”城鎮(zhèn)體系。增強城市防洪排澇能力，建設海綿城

49、市、韌性城市。推動縣城擴容提質，發(fā)展縣域經濟，壯大特色產業(yè)集群，規(guī)劃建設高質量發(fā)展的特色小鎮(zhèn)。堅持房子是用來住的、不是用來炒的定位，租購并舉，促進房地產市場平穩(wěn)健康發(fā)展。深化戶籍制度改革，落實財政轉移支付和城鎮(zhèn)新增建設用地規(guī)模與農業(yè)轉移人口市民化掛鉤政策，加快農業(yè)轉移人口市民化，提高城鎮(zhèn)化率。（五）推動城鄉(xiāng)融合發(fā)展加快城鄉(xiāng)基礎設施一體化，健全統一的規(guī)劃、建設、管護機制，構建城鄉(xiāng)快捷高效的交通網、市政網、信息網、服務網。促進城鄉(xiāng)基本公共服務均等化，加快公共服務向農村延伸、社會事業(yè)向農村覆蓋，推動城鄉(xiāng)標準統一、制度并軌。建立城市人才入鄉(xiāng)激勵機制，支持科研人員入鄉(xiāng)返鄉(xiāng)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)。健全適合農業(yè)農村特點的

50、農村金融體系，完善農業(yè)信貸擔保體系。四、 IGBT是新能源車動力系統核心中的核心新能源車的制動原理是利用電磁效應驅動電機轉動，IGBT優(yōu)異的開關特性可以實現交直流轉換、電壓轉換和頻率轉換幾個核心功能，電動車充電時，通過IGBT將外部電源轉變成直流電，并把外部220V電壓轉換成適當的電壓給電池組充電。電動車制動時，通過IGBT把直流電轉變成交流電機使用的交流電，同時精確調整電壓和頻率，驅動電動車運動。一臺車的加速能力、最高時速、能源效率主要看車規(guī)級功率器件的性能，硅基IGBT作為主導型功率器件，在新能源車中應用于電動控制系統、車載空調系統、充電樁逆變器三個子系統中，約占整車成本的7%-10%，是

51、除電池以外成本第二高的元件，也是決定整車能源效率的關鍵器件。新能車市場銷量：根據中汽協發(fā)布的數據統計，2019年新能源車新產銷分別完成124.2萬輛和120.6萬輛，其中絕大部分為純電動汽車，產銷為102萬輛和97.2萬輛，插電式混合動力汽車產銷為22.0萬輛和23.2萬輛，2020年國內新能源車銷量為136.7萬輛。2021年5月，新能源汽車產銷環(huán)比略增，同比繼續(xù)保持高速增長，產銷均為21.7萬輛，環(huán)比增長0.5%和5.4%，同比增長1.5倍和1.6倍。單臺新能源車用量：電動汽車單車IGBT的價格在A00級車的主控IGBT模塊價值量800-1000元，A級車1500左右，混動車在2000元左

52、右，再綜合空調、充電等部分，平均電動汽車單車IGBT價值量為1000-4000不等。根據Yole的統計，2016年全球電動車IGBT管用量約為9億美元，單車的IGBT管用量約為450美元。新能源車IGBT市場空間推算：據IDC預計，受政策推動等因素的影響，中國新能源汽車市場將在未來5年迎來強勁增長，2020年至2025年的年均復合增長率（CAGR）將達到36.1%，假設單臺車IGBT用量3000元左右來預估，至2025年，國內新能源車IGBT模塊市場規(guī)模為191億左右。五、 IGBT技術發(fā)展歷程及趨勢IGBT技術的整體發(fā)展趨勢是大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化、高可靠性。從20世紀8

53、0年代至今，IGBT芯片經歷了7代升級，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場截止型（FS-Trench），芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標經歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從600V提高到6500V以上。第一代：PT-IGBT，使用重摻雜的P+襯底作為起始層，在此之上依次生長N+buffer，N-base外延，最后在外延層表面形成原胞結構，由于體內晶體結構本身原因造成“負溫度系數”，各IGBT原胞通態(tài)壓降不一致，不利于并聯運行，第一代IGBT電流只有25A，且容量小速度低，目前已基本退出市場。第二代：改進版PT-IGBT，采用精細平面柵結構，增加一個“緩沖層”，在相同的擊穿

54、電壓下實現了更薄的晶片厚度，從而降低了IGBT導通電阻，降低了IGBT工作過程中的損耗，提高了IGBT的耐壓程度。第三代：Trench-IGBT，采用Trench結構，通過挖槽工藝去掉柵極下面的JFET區(qū)，把溝道從表面變到垂直面，基區(qū)的PIN效應增強，柵極附近載流子濃度增大，提高了電導調制效應減小了導通電阻，有效降低導通壓降及導通損耗。第四代：NPT-IGBT，使用低摻雜的N-襯底作為起始層，先在N-漂移區(qū)的正面做成MOS結構，然后從背面減薄到IGBT電壓規(guī)格需要的厚度，再從背面用離子注入工藝形成P+集電極，在截止時電場沒有貫穿N-漂移區(qū)，因此稱為NPT“非穿通”型IGBT?？梢跃珳实目刂平Y深

55、而控制發(fā)射效率，盡可能地增快載流子抽取速度來降低關斷損耗，保持基區(qū)原有的載流子壽命而不會影響穩(wěn)態(tài)功耗，同時具有正溫度系數特點。第五代：FS-IGBT，采用先進的薄片技術并且在薄片上形成電場終止層，大大的減小了芯片的總厚度，使得導通壓降和動態(tài)損耗都有大幅的下降，從而進一步降低IGBT工作中過程中的損耗。第六代：FS-Trench-IGBT，是在第五代基礎上改進溝槽柵結構，進一步增加芯片的電流導通能力，優(yōu)化芯片內的載流子濃度和分布，減小了芯片的綜合損耗。第七代：微溝槽柵-場截止型IGBT，溝槽密度更高，原胞間距也經過精心設計，并且優(yōu)化了寄生電容參數，從而實現5kv/us下的最佳開關性能?？傮w而言，

56、不同代際升級趨勢為升高耐壓成都，降低開關損耗，在結構上大體表現在以下兩方面：柵極結構方面：早期IGBT是平面柵結構，隨著Trench（干法刻槽）工藝的成熟，將平面型柵極結構變成垂直于芯片表面的溝槽型結構，IGBT的本質是通過控制柵極與發(fā)射級之間的電壓大小，從而實現對IGBT導通和截止狀態(tài)的控制。當柵極-發(fā)射級電壓0時，IGBT呈關斷狀態(tài)，當集電極-發(fā)射級電壓0且柵極-發(fā)射級電壓閾值電壓，IGBT呈導通狀態(tài)。溝槽型結構單元面積小、電流密度大、通態(tài)損耗降低約30%，擊穿電壓更高。縱向結構方面：早期是穿通型（PT）和非穿通型（NPT）結構。PTIGBT是最早商業(yè)化生產的IGBT，隨著使用應用中電壓等級越來越高，對NPT結構的基區(qū)寬帶要求越來越寬，又有了在高壓領域向穿通結構的回歸。六、 新能源發(fā)電為IGBT帶來持續(xù)發(fā)展動力目前新能源發(fā)電以光伏和風力發(fā)電為主，以光伏發(fā)電為例，在太陽光照射下太陽能電池陣列產生電能輸出直流電，但輸出的電能不符合電網要求，需通過逆變器將其整流