微電子工程研究所

1、微電子工程研究所(一)研究所date:95-9-16N255700 表面技術(shù)分析任課老課：陳建瑞(3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩、博)二度空間晶格構(gòu)造低能量電子繞射之原理與應(yīng)用、高能量電子繞射之原理與應(yīng)用、二次離子質(zhì)譜儀之原理與應(yīng)用分子束磊成長(zhǎng)簡(jiǎn)介。N270400 表面科學(xué)任課老課：陳建瑞(3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩、博)表面科學(xué)簡(jiǎn)介、超高真空系統(tǒng)吸附與脫附、歐傑電子能譜儀之原理與應(yīng)用、X-光電子能譜儀之原理與應(yīng)用。N278800 半導(dǎo)體光學(xué)任課老師：蔡宗祐(3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩博)Electromagnetics in semiconductors，Band structure in semicond

2、uctors，Optical processes in semiconductors，Semiconductor lasers，Light propagation，Optical Wareguide，Photonic band gap (PBG theory)N250310-20 電子元件物理 任課老師：莊文魁 （6學(xué)分、開授學(xué)期：碩一上下） 課程內(nèi)容包括：1. Electromagnetic wave propagation in dielectric and conductive media。2. Transmission lines theory。3. S parameters, ref

3、lections/transmissions, impedances, gains, and Smith chart。4. Metal-semiconductor junctions and heterojunctions。5. Metal-semiconductor field effect transistor (MESFET)。6. Introduction to high electron mobility transistors (HEMTs) and heterojunction bipolar transistors (HBTs)。7. HEMT device physics,

4、models, and circuit applications。8. HBT device physics, models, and circuit applications    。N258200 ULSI元件物理任課老課：陳志方(3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩、博)讓學(xué)生對(duì)MOSFET元件物理能有所了解。1. MOS capacitor; 2. Long channel MOSFET; 3. Short channel MOSFET;4. Reliability of MOSFET; 5. Device scaling N250300 極大型積體電路工程任

5、課老課：方炎坤(3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩、博)本課程是針對(duì)ULSI製作技術(shù)如Clean Room技術(shù)，晶圓Clean 技術(shù)，薄膜成長(zhǎng)，磊晶成長(zhǎng)，氧化，擴(kuò)散，離子佈植，蝕刻術(shù)，乾蝕，金屬佈置，製程模擬，元件檢測(cè)技術(shù)作系統(tǒng)性之介紹，分析，與應(yīng)用於各種高精度高技術(shù)之元件，或光電產(chǎn)品之製作。N250500 基本VLSI設(shè)計(jì)任課老課：方炎坤(3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩、博)本課目是針對(duì)將來(lái)有志於從事VLSI製程技術(shù)者所開的課。著重於計(jì)算機(jī)輔助基本設(shè)計(jì)理論探討與方法之介紹，MOS線路設(shè)計(jì)程序，VLSI線路設(shè)計(jì)觀念，次系統(tǒng)佈局與設(shè)計(jì)，大系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與佈局，電腦輔助設(shè)計(jì)工具安裝之使用與簡(jiǎn)介，各種設(shè)計(jì)規(guī)範(fàn)之訂定原理，希

6、望VLSI製程技術(shù)者借著這課程的訓(xùn)練也能熟習(xí)VLSI設(shè)計(jì)理念，以便與CAD設(shè)計(jì)者互相溝通，互通有無(wú)，使VLSI之製作與設(shè)計(jì)更見精確精密。N254800 超大型積體電路製程整合 任課老師：方炎坤 （3學(xué)分、開授學(xué)期：碩一下） 課程內(nèi)容包括：1. Process integration for VLSI & ULSI2. Isolation technologies for integrated circuits3. Contact technology & Local interconnection for ULSI & VLSI4. Multilevel interco

7、nnect technology for VLSI & ULSI5. MOS devices & NMOS process integration6. CMOS process integration7. Bipolar & BiCMOS process integration8. Semiconductor memory process integration9. Process simulation10. Fabrication integrationN256100 積體電路之可靠性 任課老師：陳志方 （3學(xué)分、開授學(xué)期：碩博 下） 課程內(nèi)容包括：。2.Hot Ca

8、rrier effects。3.Gate oxide reliability。5.AC reliability。6.Reliability Simulation。N257600 半導(dǎo)體傳輸現(xiàn)象任課老師：王永和 (3學(xué)分、開授學(xué)期：碩博 下)課程內(nèi)容包括：1.Carrier scattering。2.The Boltzmann transport equation。3.Low-field transport。4.Balance equation。5.Monte-Carlo simulation。6.High-field transport in bulk semiconductor。7.Carr

9、ier transport in devices。N25A000 功率半導(dǎo)體元件概論任課老師：王水進(jìn) (3學(xué)分、開授學(xué)期：碩博 上)建立學(xué)生於功率半導(dǎo)體元件操作原理與模擬設(shè)計(jì)相關(guān)觀念與能力。課程內(nèi)容包括：1. 功率半導(dǎo)體元件簡(jiǎn)介。2. 功率半導(dǎo)體元件所用材料之特性要求。3. 崩潰電壓、順向壓降、導(dǎo)通電阻、與改善方法。4. 功率半導(dǎo)體元件操作速率與元件設(shè)計(jì) 。5. 功率整流器與功率白光LED。6. 功率電晶體(BJT與MOSFET)。7. 功率絕緣閘電晶體(IGBT)(PIC)。N265300 化合物半導(dǎo)體元件任課老師：許渭州 (3學(xué)分、開授學(xué)期：碩博 下)課程內(nèi)容包括：1.化合物磊晶系統(tǒng)介紹。

10、2.化合物半導(dǎo)體之特性。3.Deep level transient spectroscopy原理。4.各種化合物微波元件。5.光積體電路。6.d-摻雜技術(shù)及應(yīng)用。7.藍(lán)光元件技術(shù)。8.各種化合物顯示器元件。N270500 光電元件物理任課老師：洪茂峰 (3學(xué)分、開授學(xué)期：碩博 上)課程內(nèi)容包括：1.Crystal structures。2.Electronic band structures of semiconductors。3.Material technology。4.Optical processes in semiconductors。5.Semiconductor lasers,

11、 electroptic modulators, photodetectors。N274100 電子構(gòu)裝技術(shù)任課老師：洪茂峰（3學(xué)分、開授學(xué)期：碩博 下）課程內(nèi)容包括：1.封裝設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。2.封裝電氣設(shè)計(jì)。3.材料性質(zhì)與界面現(xiàn)象。4.封裝機(jī)械設(shè)計(jì)。5.封裝的熱設(shè)計(jì)。N275400 高速元件 任課老師：劉文超 （3學(xué)分、開授學(xué)期：碩博 上） 課程內(nèi)容包括：1.Material properties。2.Resonant-tunneling devices。3.Real-space transfer devices。4.Heterojunction bipolar transistors。5.He

12、terostructure field-effect transistors。6.Hot-electron devices。7.Optoelectronic devices。N260300 化合物半導(dǎo)體工程任課老課：黃明聰(3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩、博)本課程係針對(duì)化合物半導(dǎo)體元件之研製技術(shù)，包括晶體成長(zhǎng)，LPE、VPE、MOCVD、MBZ、CBE及離子佈植技術(shù)予以介紹。另外就元件技術(shù)，包括歐姆性接觸，蝕刻，I-V、C-V特性測(cè)試；表面分析AES、ESCA、SIMS、FTIR、RBS等予以分析。N260500 積體光學(xué)任課老課：蘇炎坤(3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩、博)本課程係就積體光學(xué)之組成元件，包

13、括光導(dǎo)波器，F(xiàn)resnel lens、光源、光檢測(cè)器、調(diào)變?cè)㈦姽庑?yīng)、聲光效應(yīng)，磁光效應(yīng)等技術(shù)予以介紹，並就光電積體電路元件、技術(shù)予以講授。N25A200 光學(xué)導(dǎo)論任課老課：莊文魁(3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩、博/上)課程內(nèi)容包括：1. Optics as Electromagnetic Wave。2. Ray Optics。3.Diffraction。4. Gaussian beams。5. Physical Optics。N278100光電顯示器元件物理及技術(shù)任課老課：方炎坤(3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩、博/上)培訓(xùn)學(xué)生認(rèn)識(shí)及瞭解液晶平面顯示器，有機(jī)電激光發(fā)顯示器，電漿平面顯示器等重要光電顯示

14、器與相關(guān)材料的製程技術(shù)，及元件基本運(yùn)作原理。Q160100 光電半導(dǎo)體物理與元件任課老課：李清庭(3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩、博/上)課程內(nèi)容包括：1. Semiconductor physics。2. Photons in semiconductors。3. Light emitting diodes。4. Semiconductor optical amplifier。5 Photodetectors。N2736000 半導(dǎo)體光學(xué)任課老師：蔡宗祐 (3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩博)1.Review of basic Electromagnetics 2.Light propagation in me

15、dium (polarization)3.Boundary conditions, reflection and transmission 4.Transmission matrix5.Reflection spectrum of Multi-layers 6.Optical Waveguides Coupled-mode theory 7. Numerical Simulation methods (Finite difference method, BPM) 8. Gain and absorption in Semiconductors, Lasers, LEDQ160200 光纖元件之

16、物理特性專論任課老師：蔡宗祐 (3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩博)1.Fiber Communication System 2.Optical signal processing 3.Physics of Optical Devices such as Optical switch, modulator, WDM, OSA, Channel add-dropper, Power Splitter. 4.Student study report and presentation Q150200 半導(dǎo)體製程專論 任課老師：彭洞清 (3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩博)Q152500 光電顯示器元件物理及技術(shù)任課老師

17、：方炎坤 (3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩博)1. NANO-CMOS SCALING PROBLEM AND IMPLICATIONS2. CNOS DEVICE AND PROCESS TECHNOLOGY3. THEORY AND PRACTICES OF SUBWAVELENGTH OPTICAL LITHOGRAPY4. MIXED-SIGNAL CIRCUIT DESIGN5. ELECTROSTAIC DISCHARGE PROPECTION DESIGN6. INPUT/OUTPUT DESIGN7. DRAM8. SIGNAL INTERGRITY PROBLEMS IN ON-CH

18、IP INTERCONNECTS9. ULTRALOW POWER CIRCUIT DESIGN10. DESIGN FOR MANUFACTURABILITY11. DESIGN FOR VARIABILITYQ 奈米世代半導(dǎo)體製程概論任課老師：彭洞清 (3 學(xué)分、開授學(xué)期：碩博)L1(2/25) : IC 製程概論與先進(jìn)製程整合 L2(3/3) : 先進(jìn)元件設(shè)計(jì)概論L3(3/10) : 先進(jìn)微影製程簡(jiǎn)介 L4(3/17) : 先進(jìn)蝕刻製程簡(jiǎn)介L(zhǎng)5(3/24) : 先進(jìn)薄膜製程簡(jiǎn)介 L6(4/7) : 先進(jìn)擴(kuò)散製程簡(jiǎn)介L(zhǎng)7 (4/14) : Advanced Nano-meter Device Design ( Group A )L8 (4/21) : Advanced Nano-meter Device Design ( Group B )L9(4/28) : Foundry Process Integration Introduction- how to design the process ( Group A ) L10(5/5):Foundry Process Integration Introduction- how to design the process(Group B ) L1