金屬表面硅烷化防護(hù)處理及其研究現(xiàn)狀[1]

1、第26卷第1期2006年2月中國(guó)腐蝕與防護(hù)學(xué)報(bào)JournalofChineseSocietyforCorrosionandProtectionVol 26No 1Feb 2006金屬表面硅烷化防護(hù)處理及其研究現(xiàn)狀劉亻京胡吉明1 張鑒清1,2 曹楚南1,2(1 浙江大學(xué)化學(xué)系杭州310027;2 中國(guó)科學(xué)院金屬研究所金屬腐蝕與防護(hù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室沈陽(yáng)110016)摘要:綜述了一種新型的金屬表面防護(hù)處理技術(shù) 硅烷化處理的研究現(xiàn)狀.對(duì)硅烷膜的制備工藝、表征及膜覆蓋電極的性能進(jìn)行了詳細(xì)介紹.文中也同時(shí)探討了硅烷溶液的水解與失效問(wèn)題,這兩個(gè)基礎(chǔ)問(wèn)題的研究有助于了解金屬表面硅烷膜的形成,并對(duì)制備工藝的優(yōu)化起

2、到?jīng)Q定性作用.最后還介紹了更具發(fā)展?jié)摿Φ碾姵练e制備硅烷膜技術(shù)并提出了展望.關(guān)鍵詞:硅烷 防腐蝕 工藝 水解與失效中圖分類號(hào):TG178 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1005-4537(2006)01-0059-061前言硅烷水解:-Si OR +H2O -Si-OH+R OH硅醇在金屬表面吸附:-Si OH+Me-OH Me O Si-+H2O(2)硅醇在金屬表面交聯(lián)形成具有空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的保護(hù)膜:-Si OH+HO Si- -Si O-Si +H2O(3)表1列出了一些商用硅烷的結(jié)構(gòu)及其用于金屬表面防護(hù)處理技術(shù)的研究文獻(xiàn).可知,對(duì)不同硅烷處定稿日期:2005-04-08基金項(xiàng)目:國(guó)家自然科學(xué)基金

3、重大項(xiàng)目(50499336),國(guó)家自然科學(xué)基金(50571090)及浙江省自然科學(xué)基金(Y404295)作者簡(jiǎn)介:劉亻京,男,1986年生,在讀研究生,研究方向?yàn)殡娀瘜W(xué)與金1,2理各種不同金屬及合金的工藝、一些工藝參數(shù)對(duì)處理件耐蝕性的影響1理263025、金屬表面硅烷膜的形成機(jī)11,1921,2632和結(jié)構(gòu)表征1,4,642等問(wèn)題已有大量研究,而對(duì)硅烷試劑的水解與失效研究2,31,33雖已取得一些成果,但還有待于進(jìn)一步探索.本文對(duì)上述問(wèn)題及其研究現(xiàn)狀將做詳細(xì)介紹.2硅烷化處理工藝2 1常規(guī)制備工藝12,13:(1),是通過(guò)將金屬片作為工作電極電解硅烷溶液從而實(shí)現(xiàn)硅烷在其表面吸附,其溶液制備和固

4、化等工藝與傳統(tǒng)方法相同.11,1416,實(shí)現(xiàn)一次性制備兩類硅烷膜,結(jié)果顯示17,18復(fù)合膜的性能具有協(xié)同效應(yīng).此外,Que等人還研究了硅烷涂層與其他無(wú)機(jī)涂層的結(jié)合應(yīng)用.值得一提的是,VanOoij研究組開(kāi)發(fā)出在硅烷膜中復(fù)合納米顆粒(SiO2、Al2O325等),以提高膜的耐蝕性.60中國(guó)腐蝕與防護(hù)學(xué)報(bào)Table1Structureofsomecommercialsilanes第26卷silanebis-1,2-triethoxysilylethane(BTSE)bis-1,2-trimethoxysilylpropylamine(BTSPA)bis-1,2-triethoxysilylprop

5、yltetrasulfide(BTSPS) -aminopropyltriethoxysilane( -APS) -ureidopropyltriethoxysilane( -UPS) -glycidoxypropyltrimethoxysilane( -GPS)vinyltriethoxysilane(VS)methyltrimethoxysilane(MS)propyltrimethoxysilane(PS)structure(H5C2O)3Si-CH2CH2-Si(OC2H5)3(H5C2O)3Si-(CH2)3-NH-(CH2)3-Si(OC2H5)3(H5C2O)3Si-(CH2)3

6、-S4-(CH2)3-Si(OC2H5)3(H5C2O)3Si-(CH2)3-NH2(H5C2O)3Si-(CH2)3-NH-CO-NH2CH2OCHCH2-O-(CH2)3-Si(OCH3)3(H5C2O)3Si-CH=CH2CH3-Si(OCH3)3CH3CH2CH2-Si(OCH3)3ref 1,3,455,6787,9810112 1 1制備工藝對(duì)硅烷膜性能的影響 從工藝流程看,影響金屬表面硅烷化處理效果的主要因素包括硅烷種類、濃度、硅烷溶液pH值、溶劑成分、水解時(shí)間與溫度,以及硅烷膜的固化溫度、固化時(shí)間等.其中硅烷溶液pH值、溶劑成分、硅烷濃度、水解時(shí)間與溫度主要與硅烷溶液的水解與失

7、效反應(yīng)有關(guān),而固化溫度和固化時(shí)間主要影響硅醇在金屬表面的成膜.硅烷試劑的選擇是金屬表面硅烷化處理需要面對(duì)的首要問(wèn)題,含不同官能團(tuán)的硅烷處理金屬可能會(huì)帶來(lái)不同的效果.一般認(rèn)為BTSE等無(wú)官能團(tuán)硅烷膜對(duì)金屬的保護(hù)效果較好,而APTMS等含有機(jī)官能團(tuán)的硅烷膜能增強(qiáng)金屬基體與有機(jī)涂層的結(jié)合力,適于和有機(jī)涂層結(jié)合使用19.另外,同種硅烷試劑在不同金屬表面的形成機(jī)制與性能也不盡相同.例如,研究發(fā)現(xiàn)BTSPS能顯著提高鋁及鎂的耐蝕性,卻不能用于鍍鋅鋼鐵的表面處理中.pH值主要通過(guò)影響硅烷溶液的水解與縮聚反應(yīng)速率,進(jìn)而影響硅烷膜的性能.較一致的認(rèn)為酸性和堿性條件下均有利于硅烷的水解反應(yīng)33,35,而堿性條件似

8、乎更能促進(jìn)縮聚反應(yīng)的進(jìn)行35.因此,合理的pH值選取應(yīng)考慮抑制硅烷溶液縮聚反應(yīng)的發(fā)生3,同時(shí)使硅烷溶液有合適的水解速率.根據(jù)這一原則,摸索出了一些防護(hù)用硅烷溶液的最佳pH值范圍:BTSE(45)4,1915高會(huì)促進(jìn)硅烷溶液的絮凝而使其失效21,因此需同時(shí)考慮處理件的耐蝕性和溶液的穩(wěn)定性.水含量除了影響硅烷的水解與縮聚外,還影響其溶解性,而醇溶劑除了對(duì)硅烷分子起到助溶和分散作用外,還可抑制硅烷的水解,起到調(diào)節(jié)水解速率的作用.固化是金屬表面硅烷處理工藝的一個(gè)重要環(huán)節(jié),未經(jīng)固化處理的硅烷膜幾乎沒(méi)有耐蝕性1.與固化相關(guān)的工藝參數(shù)有固化溫度和固化時(shí)間.一般認(rèn)為固化溫度太低所得硅烷膜結(jié)構(gòu)疏松且含水較多,而

9、固化溫度過(guò)高則可能改變膜的交聯(lián)狀態(tài),甚至導(dǎo)致在基體與硅烷膜間形成新的物相,使硅烷膜耐蝕性下降21.Franquet等人1研究了固化時(shí)間對(duì)硅烷膜耐蝕性的影響,發(fā)現(xiàn)隨著時(shí)間的延長(zhǎng),膜的厚度先減小后趨于不變,耐蝕性則先增加后趨于恒定.硅烷膜的性能是上述各因素共同作用的結(jié)果,研究各處理?xiàng)l件對(duì)硅烷膜結(jié)構(gòu)性能的影響規(guī)律有助于得到更高效的硅烷化處理工藝,同時(shí)也為硅烷成膜機(jī)理和動(dòng)力學(xué)研究提供有用的信息.2 1 2硅烷膜的表征與防護(hù)機(jī)制 通過(guò)對(duì)硅烷膜進(jìn)行表征得到膜的空間結(jié)構(gòu)狀態(tài)及硅醇分子在金屬表面的吸附機(jī)制與成膜動(dòng)力學(xué),同時(shí)通過(guò)膜覆蓋金屬電極在腐蝕介質(zhì)中耐蝕性及腐蝕行為的測(cè)試,進(jìn)而得到硅烷膜的防護(hù)機(jī)制,是硅烷化

10、處理中的重要研究?jī)?nèi)容.上述工作借助于一些表面分析與電化學(xué)測(cè)試來(lái)完成.Bertelsen等測(cè)試了鋁合金表面 -GPS膜的反射紅外光譜(RAIR)并對(duì)各譜峰對(duì)應(yīng)的化學(xué)鍵進(jìn)行了分析,指出硅烷膜中含有-OH、-CH2-、C=O、Si-OH、Si-O-Si等基團(tuán).徐溢等32也用同樣方法研究了鋁表面硅烷膜,提出硅烷與金屬表面之間是以化學(xué)鍵結(jié)合,膜的厚度只在一定時(shí)間內(nèi)增.9、BTSPS(66 5)24,對(duì)于功能性硅烷膜的制備pH值的適用范圍則可以更寬一些,如 -APS(411)19,BTSPA(3 59 5)5.另外在選取pH值時(shí),還應(yīng)考慮金屬基體在溶液中的穩(wěn)定性,例如對(duì)Al及Zn基金屬而言,溶液pH值就不

11、能太大.一般認(rèn)為硅烷膜的厚度隨硅烷溶液濃度升高而20,1期劉 亻京等:金屬表面硅烷化防護(hù)處理及其研究現(xiàn)狀 61單、不破壞樣品等優(yōu)點(diǎn),適于原位檢測(cè)硅烷膜的變化,缺點(diǎn)是僅能給出某些化學(xué)鍵的半定量信息.通過(guò)X射線光電子能譜(XPS)譜峰對(duì)應(yīng)的結(jié)合能可以確定一些基團(tuán),同時(shí)通過(guò)峰面積積分和相關(guān)計(jì)算又能定量得到硅醇在金屬表面的表面分?jǐn)?shù)(百分含量).Harun等11報(bào)道了經(jīng)幾種常用硅烷處理的鋼材表面XPS測(cè)試中結(jié)合能與基團(tuán)的關(guān)系并對(duì)峰面積作了積分.Abel等7研究了硅烷在鋁表面的吸附,并根據(jù)XPS測(cè)量結(jié)果提出溶劑中水含量減少會(huì)降低硅烷在鋁表面的有效吸附,以及各種硅烷膜漂洗方法對(duì)膜厚度的影響.Subraman

12、ian等19利用RAIR、XPS等方法研究了氨基對(duì)鐵表面硅烷膜形成的影響,提出硅烷膜表面存在-NH3會(huì)吸引具有侵蝕性的Cl-,且使膜的導(dǎo)電性增加,會(huì)降低膜的耐蝕性.橢圓光譜(SE)和紅外橢圓光譜(IRSE)技術(shù)是研究硅烷膜厚度十分有效的方法.Franquet等1,4,20,32分別利用SE和IRSE研究了硅烷溶液濃度、pH值、溫度以及金屬在硅烷溶液中的浸泡時(shí)間、固化等因素對(duì)硅烷膜厚度的影響并對(duì)兩種方法的結(jié)果作了對(duì)比.IRSE的優(yōu)點(diǎn)是能同時(shí)得到膜的化學(xué)結(jié)構(gòu)和形態(tài)信息.飛行時(shí)間 二次離子質(zhì)譜(TOF-SIMS)是一種新型表面分析技術(shù),目前應(yīng)用于硅醇與金屬的吸附成膜研究.Bexell等26用該技術(shù)研

13、究了BTSE膜的表征,提出硅烷膜最外層結(jié)構(gòu)取決于金屬基體的種類,當(dāng)有醇作溶劑時(shí),醇上的烷氧基會(huì)與硅烷上的烷氧基發(fā)生相互取代,BTSE在金屬表面形成一層連續(xù)的膜,-OH、-OC2H5基團(tuán)朝外,其縮合主要經(jīng)過(guò)13個(gè)Si-O-Si橋,也有分子內(nèi)縮合發(fā)生.他們還研究了 -MPS和BTSE兩步處理Al、Zn等金屬和合金,發(fā)現(xiàn)兩步處理后膜的厚度反而小于單一BTSE膜,且 -MPS完全覆蓋在BTSE表面27.Quinton等2830結(jié)合XPS和TOF-SIMS測(cè)試發(fā)現(xiàn)了硅醇在Al、Fe表面的吸附不是單向過(guò)程,而是振蕩變化的.他們提出了硅烷在金屬表面可能的吸附機(jī)理,并觀察到浸泡時(shí)間30s35s時(shí), -APS質(zhì)

14、子化的氨基在金屬表面的吸附所占比例最高.TOF-SIMS能測(cè)量體系中各原子濃度隨時(shí)間的變化,適于研究硅醇的吸附成膜動(dòng)力學(xué)等.電化學(xué)方法是研究材料腐蝕和失效的最常用方法,目前研究硅烷膜的電化學(xué)方法主要有極化曲線和電化學(xué)阻抗譜等技術(shù).極化曲線測(cè)試表明硅烷膜在金屬表面僅起到物理阻擋層的作用而并未21,246,10,21+抗譜測(cè)試則可為研究硅烷膜耐腐蝕機(jī)理提供信息,同時(shí)還可為硅烷膜的耐蝕性提供無(wú)損、定量的評(píng)價(jià)方法.VanOoij等6提出了硅烷膜在金屬表面吸附的三種可能結(jié)構(gòu)并提出了相應(yīng)的電化學(xué)阻抗譜模型,認(rèn)為硅醇可能在金屬自身氧化膜表面形成多孔的膜,也可能在硅烷膜與金屬氧化膜之間還存在一個(gè) 未知相(un

15、knownphase) .本研究組認(rèn)為該未知相可能是測(cè)試介質(zhì)中侵蝕性Cl-在多孔硅烷膜下與基體形成的鹽膜層,并根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果提出了相應(yīng)的等效電路模型21.2 2硅烷膜的電化學(xué)沉積制備傳統(tǒng)的硅烷膜制備一般采用浸涂的方法,即將金屬試樣浸泡于經(jīng)一定時(shí)間水解后的硅烷/水/醇溶液中,幾十秒至幾十分鐘后取出吹干,再經(jīng)一定溫度一定時(shí)間固化即可.硅烷膜的電化學(xué)輔助制備則是金屬試樣在硅烷溶液浸泡過(guò)程中,在其表面施加一定的電位,從而提高硅烷膜的耐蝕性.1999年,Mandler等人12用電化學(xué)輔助技術(shù)在導(dǎo)電玻璃及金表面成功沉積了甲基三甲氧基硅烷(MS),2003年他們研究組又將該技術(shù)用于鋁表面的防護(hù)處理13,結(jié)果顯

16、示采用電化學(xué)輔助沉積制備的硅烷膜耐蝕性較傳統(tǒng)浸涂法有顯著提高.遺憾的是,上述工作中研究者們選取的硅烷種類四甲氧基硅烷(TEOS)、苯基三甲氧基硅烷(PTMS)等并不是常見(jiàn)的防護(hù)用硅烷試劑.最近,我們首次通過(guò)電化學(xué)輔助技術(shù)在鋁合金表面制備了一系列金屬表面防護(hù)常用的硅烷膜.Mandler等人12,13認(rèn)為,在金屬表面施加陰極電位后電極表面局部溶液的pH值升高,有利于硅醇縮聚反應(yīng)的進(jìn)行,從而促進(jìn)硅醇在金屬表面縮聚形成交聯(lián)聚合產(chǎn)物-Si-O-Si-n,提高了金屬的耐蝕性,由于其改變的只是金屬表面小部分溶液的pH值,因而不會(huì)影響本體溶液的穩(wěn)定性,克服了處理液pH值升高導(dǎo)致其產(chǎn)生絮凝而失效的缺點(diǎn).最近,我

17、們研究了電化學(xué)技術(shù)在鋁合金表面制備BTSE硅烷膜工藝,發(fā)現(xiàn)在陰極電位下沉積得到該種膜的耐蝕性得到明顯提高,而在陽(yáng)極電位下沉積后合金的耐蝕性甚至比未沉積硅烷膜的裸基體還差.得到了BTSE在鋁合金表面沉積的最佳電位為-0 8V(vsSCE),且在沉積過(guò)程中電極的電化學(xué)行為具有振蕩現(xiàn)象22.作為金屬表面硅烷化處理的一種新技術(shù),硅烷膜的電化學(xué)輔助制備具有重要的學(xué)術(shù)價(jià)值和應(yīng)用前,22,2362中國(guó)腐蝕與防護(hù)學(xué)報(bào)第26卷硅烷膜的表征,可以更深入的探討電化學(xué)輔助沉積機(jī)理,如施加電位及改變電位波形對(duì)硅烷膜結(jié)構(gòu)及耐蝕性的影響等.其次,通過(guò)膜耐蝕性測(cè)試及與有機(jī)涂層結(jié)合力測(cè)試,可以對(duì)制備工藝中溶液參數(shù)與電化學(xué)參數(shù)進(jìn)

18、行優(yōu)化,得到性能更好的硅烷膜.此外,傳統(tǒng)浸涂工藝很難對(duì)硅烷膜的結(jié)構(gòu)性能進(jìn)行控制,而通過(guò)對(duì)沉積過(guò)程電化學(xué)參數(shù)的調(diào)節(jié),則可以實(shí)現(xiàn)硅烷膜的可控制備.目前對(duì)電化學(xué)輔助沉積硅烷膜的研究報(bào)道還較少.以上方法中,較為成功的是Kozerski等人采用的LC-ICP-AES聯(lián)用技術(shù)33.由于液相色譜C18反相柱能很好的分離硅烷水解的各中間產(chǎn)物,而等離子體原子發(fā)射光譜檢測(cè)器則能對(duì)其進(jìn)行良好的定量分析.他們測(cè)定了pH值在6 979 00、一定離子強(qiáng)度下 -APS和 -GPS水解中間產(chǎn)物濃度隨時(shí)間的變化,并用非線性回歸方法擬合得到了相應(yīng)條件下各基元反應(yīng)的反應(yīng)速率常數(shù)(k).其結(jié)果證明硅烷的水解是單向連續(xù)反應(yīng)且第一步反

19、應(yīng)為速度控制步驟(RDS).3 2硅烷的失效硅烷的失效是硅烷水解產(chǎn)生硅醇的副反應(yīng),它消耗了溶液中的硅醇,因此硅烷用于表面處理時(shí)應(yīng)盡量避免失效的發(fā)生.一般認(rèn)為硅烷的失效主要包含酯化、縮合和去質(zhì)子化,其反應(yīng)方程式如下39:酯化(esterification):-Si-OH+ROH -Si-OR+H2O縮合(condensation):-Si-OH+HO-Si- -Si-O-Si-+H2O(8)去質(zhì)子化(deprotonation):-Si-OH+OH- SiO-+H2O(9)(7)3硅烷試劑的水解與失效硅烷水解生成硅醇是其在金屬表面成膜的前提,處理金屬時(shí)溶液中硅醇的濃度將直接影響處理件的耐蝕性20

20、.硅烷的失效則是其應(yīng)用的一大障礙,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)一般硅烷水溶液體系在數(shù)天內(nèi)即發(fā)生肉眼能見(jiàn)的絮凝,某些甚至僅能穩(wěn)定一天.促進(jìn)水解并盡可能減少失效是研究者們所希望的.對(duì)硅烷的水解與失效機(jī)制研究主要集中在近些年,并取得了一些進(jìn)展.3 1硅烷的水解用于金屬表面防護(hù)處理的硅烷一般含有三個(gè)烷氧基(如 -APS、BTSE),研究表明該類硅烷試劑的水解一般分步進(jìn)行,其水解基元反應(yīng)如下33:R-Si(OR )3+H2O R-Si(OH)(OR )2(4)(5)R-Si(OH)2(OR )+H2O R-Si(OH)3(6)Satoshi等35用量子計(jì)算的方法研究了三烷氧基硅烷的水解反應(yīng),提出了各水解產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)模型和結(jié)構(gòu)

21、參數(shù).他們還提出了酸和堿對(duì)三烷氧基硅烷水解的影響機(jī)理及相應(yīng)的水解產(chǎn)物結(jié)構(gòu)的改變.由于硅烷的水解過(guò)程需要一定時(shí)間,圍繞其動(dòng)力學(xué)的研究便十分重要.而硅烷水解動(dòng)力學(xué)研究的關(guān)鍵問(wèn)題則是各中間產(chǎn)物的實(shí)時(shí)定量檢測(cè),對(duì)此人們嘗試了一些現(xiàn)代儀器分析方法并取得了一些成果,表2列出了硅烷水解的一些研究方法.Table2SometechniquesusedforsilanehydrolysisinvestigationtechniquesFTIRNMRsilanesTEOS -GPS-GPS、 -APS、3-methacry-loxypropyltrimethoxysilaneref 36379,342如何控制合理

22、的水解時(shí)間使得硅烷溶液中-Si-OH含量最高,以及如何降低硅烷的失效以提高硅烷試劑的利用率受到了廣泛關(guān)注.然而目前對(duì)硅烷失效的研究還只局限于單羥基硅醇及23個(gè)多羥基硅醇(表3).例如, ef k等39用29Si-NMR的方法研究了Me3SiOH在堿性乙醇-水溶液中的酯化、縮合和去質(zhì)子化反應(yīng)并得到了Me3SiOH在該條件下的酯化、縮合反應(yīng)平衡常數(shù),且指出了它們隨體系中水的摩爾分?jǐn)?shù)的變化規(guī)律.Satoshi等35用量子計(jì)算的方法研究了三羥基硅醇的縮合機(jī)理,提出了一水縮合、二水縮合及相應(yīng)的反應(yīng)物和產(chǎn)物分子結(jié)構(gòu)的變化.Britt等38則研究了硅烷在空氣-水界面上的水解與縮合.Beari等研究了三烷氧基

23、硅烷在稀的水溶液中的三分子縮合動(dòng)力學(xué).他們利用1H-NMR和29Si-NMR的方法,根據(jù)化學(xué)位移不同對(duì)體系中各物質(zhì)進(jìn)行定性,根據(jù)峰面積計(jì)算出它們的相對(duì)含量并觀察了各物質(zhì)含量隨時(shí)間的變化,但沒(méi)有得到相關(guān)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)參數(shù).總體來(lái)看,對(duì)硅醇酯化、縮合等反應(yīng)的熱力學(xué)研究已較完善,而相應(yīng)的動(dòng)力學(xué)研究較少,對(duì)硅醇縮聚及其在空間的交聯(lián)等方面的研究則幾乎是空白.還2R-Si(OH)(OR )2+H2O R-Si(OH)2(OR )FT-RamanSpectroscopy -GPS、 -APS1期劉 亻京等:金屬表面硅烷化防護(hù)處理及其研究現(xiàn)狀 63Table3Previousworksonesterificati

24、on,condensationandde-protonationreactionsofsilanolsreactiontypeesterificationsolutionsfour-functionalsilanols+ethanolmonofunctionalsilanols+alcohols+dioxanecondensationmonofunctionalalkoxysilanes+alcohols+H+monofunctionalsilanols+dioxane+H+/OH-deprotonationtriphenylsilanol+H2Oref 4041424344oxidiseda

25、luminiumsubstratesJ.Inter.J.Adhes.&Adhes.,1998,18:1798VanOoijWJ,ZhuD,PrasadG.Silanebasedchromatereplace-mentsforcorrosioncontrol,paintadhesion,andrubberbondingJ.Surf.Eng.,2000,16:386totheirchemicalstructure:ananalyticalstudyof -APSsolutionsandfilmsJ.Prog.Org.Coat.,2001,41:23910TangN,VanOoijWJ,G

26、reckiG.ComparativeEISstudyofpre-treatmentperformanceincoatedmetalsJ.Prog.Org.Coat.,1997,30:25511HarunMK,LyonSB,MarshJA.Surfaceanalyticalstudyoffunc-tionalisedmildsteelforadhesionpromotionoforganiccoatingsJ.Prog.Org.Coat.,2003,46:21sol-gelfilmsonconductingsurfacesJ.Adv.Mater.,1999,11:384filmsonAlforc

27、orrosionprotectionJ.Corros.Sci.,2003,45:289314CondeA,Dur nA,DeDamboreneaJJ.Polymericsol-gelcoat-ingsasprotectivelayersofaluminiumalloysJ.Prog.Org.Coat.,2003,46:28815ZhuD,VanOoijWJ.EnhancedcorrosionresistanceofAA2024-T3andhot-dipgalvanizedsteelusingamixtureofbis-tr-iethoxysilylpropyltetrasulfideandbi

28、s-trimethoxysilylpropylamineJ.Electrochim.Acta,2004,49:111316ZhuD,VanOoijWJ.Corrosionprotectionofmetalsbywater-basedsilanemixturesofbis-trimethoxysilylpropylamineandvinyltriacetoxysilaneJ.Prog.Org.Coat.,2004,49:42basedonanorganic/inorganiccompositebysol-gelmethodJ.Mater.Lett.,2000,42:326coatingsviao

29、rganic/inorganiccompositesJ.Compos.Sci.Tech-nol.,2003,63:347corrosionrateofironcoatedwithfilmsoforganofunctionalsilanesJ.Corrosion,1998,54:204non-functionalorganosilanefilmscoatedonaluminiumstudiedbymeansofinfra-redspectroscopicellipsometryJ.ThinSolidFilms,2003,441:7621HuJM,LiuL,ZhangJT.Studiesofpro

30、tectivetreatmentonalu-miniumalloysbyBTSEsilaneagentJ.ActaMetall.Sin.,2004,40:1189(胡吉明,劉亻京,張金濤.鋁合金表面BTSE硅烷化處理研究J.金屬學(xué)報(bào),2004,40:1189)thecorrosionpropertiesofbis-1,2-triethoxysilylethanefilmsonaluminumalloyJ.Electrochim.Acta,inpress,LiuJSof-31嘗試采用在硅烷溶液中加入多羥基醇(如乙二醇、丙三醇等)以提高溶液的穩(wěn)定性,但制得硅烷膜的性能如何卻不得而知.4展望在硅烷化

31、處理工藝方面,人們正在探索進(jìn)一步提高處理效果的方法,新的處理方法如硅烷電沉積等將是未來(lái)研究的一個(gè)熱點(diǎn).另外在硅烷溶液中加入添加劑、硅烷復(fù)合涂層以及硅烷化處理與其他金屬表面處理方法結(jié)合使用也是金屬表面硅烷化處理研究的新方向.同時(shí),硅烷的水解與失效等基礎(chǔ)問(wèn)題也受到人們的關(guān)注.在水解動(dòng)力學(xué)研究方面,電化學(xué)分析是實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè)的最理想方法,其具有設(shè)備簡(jiǎn)單、數(shù)據(jù)采集方便、易實(shí)現(xiàn)與計(jì)算機(jī)的連接等優(yōu)點(diǎn).如果能建立一套硅烷水解的電化學(xué)檢測(cè)方法,有望得到硅烷在各種條件下的水解動(dòng)力學(xué)信息.另外高效的硅烷水解催化劑和失效抑制劑的開(kāi)發(fā)也將是硅烷化處理走向工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵所在.參考文獻(xiàn):luteaqueoussolutio

32、n:newaccountsonthedynamicstructuralmuta-bilityJ.J.Organomet.Chem.,2001,625:208alternativestochromatingJ.Surf.Eng.,1999,15:168thinsilanefilmsonaluminiumsurfacesbymeansofspectroscopicellipsometryJ.ThinSolidFilms,2001,384:375SundararajanGP,VanOoijWJ.Silanebasedpretreatmentsforau-tomotivesteelsJ.Surf.En

33、g.,2000,16:315bis-triethoxysilylpropyltetrasulfideonAl2024-T3substrates.64中國(guó)腐蝕與防護(hù)學(xué)報(bào)第26卷sionprotectionofDTMSfilmsonaluminumalloysJ.Chem.J.Chin.U.,inpress(胡吉明,劉亻京,張鑒清.鋁合金表面電化學(xué)沉積制備DTMS硅烷膜及其耐蝕性研究J.高等學(xué)?；瘜W(xué)學(xué)報(bào),待發(fā)表)-3-(triethoxysilyl)propyltetrasulfideinneutralsodiumchlo-ridesolution.Part1:corrosionofAA2024-

34、T3J.Corros.Sci.,2003,45:2177aschromatereplacementsforaluminiumalloysJ.Prog.Org.Coat.,2003,47:384silanefilmdepositedonAl,ZnandAl-43.4Zn-1.6Sialloy-coatedsteelJ.Surf.InterfaceAnal.,2001,31:212hydrolysedorganofunctionalandnon-organofunctionalsilanesde-positedonAl,ZnandAl-43.4Zn-1.6Sialloy-coatedsteelJ.

35、Surf.InterfaceAnal.,2003,35:880theadsorptionkineticsofpropyltrimethoxysilaneonironandalu-miniumoxidesurfacesJ.Surf.InterfaceAnal.,2000,30:2529QuintonJS,DastoorPC.Conformationaldynamicsof -APSontheironoxidesurface:anadsorptionkineticstudyusingXPSandTof-SIMSJ.Surf.InterfaceAnal.,2000,30:21onironandalu

36、miniumoxidesurfacesJ.Surf.InterfaceAnal.,1997,25:93131XuY,TangSY,TengY.Hydrolysisandcondensationofsilanea-gentformetallicsurfacetreatmentJ.J.ChongqingUniversity,2002,25(10):72(徐溢,唐守淵,滕毅.金屬表面處理用硅烷試劑的水解與縮聚J.重慶大學(xué)學(xué)報(bào),2002,25(10):72)32FranquetA,TerrynH,BertrandP.Useofopticalmethodstochar-acterizethinsilan

37、efilmscoatedonaluminiumJ.Surf.InterfaceAnal.,2002,34:25alkoxysilanehydrolysiskineticsusingliquidchromatographywithinductivelycoupledplasmaatomicemissionspectrometricdetectionandnon-linearregressionmodelingJ.Anal.Chim.Acta,2003,489:103ATR-FTIRspectroscopyasan insitu toolforfollowingthehydrolysisandco

38、ndensationofalkoxysilanesunderrichH2Ocond-itionsJ.Chem.Mater.,1998,10:3410ysisandcondensationoftheglycidoxypropyltrimethoxysilane/aminopropyltriethoxy-silanesystembymeansofFT-RamanspectroscopyJ.J.Non-cryst.Solids,1998,226:7638BrittDW,HladyV.Protonation,hydrolysisandcondensationofmono-andtrifunctionalsilanesattheair/waterinterfaceJ.Langmuir,1999,