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1、第四章 側(cè)向測(cè)井和微電阻率測(cè)井第4章 側(cè)向測(cè)井和微電阻率測(cè)井4.1: 4.1: 側(cè)向測(cè)井實(shí)現(xiàn)原理側(cè)向測(cè)井實(shí)現(xiàn)原理4.24.2:側(cè)向測(cè)井曲線運(yùn)用:側(cè)向測(cè)井曲線運(yùn)用4.3: 4.3: 微電阻率測(cè)井實(shí)現(xiàn)原理微電阻率測(cè)井實(shí)現(xiàn)原理4.4 4.4 微電阻率測(cè)井資料運(yùn)用微電阻率測(cè)井資料運(yùn)用側(cè)向測(cè)井(Rt、Ri) 深、淺三側(cè)向測(cè)井 深、淺七側(cè)向測(cè)井 深、淺雙側(cè)向測(cè)井微電阻率測(cè)井(Rxo) 微側(cè)向 臨近側(cè)向 微球形聚焦測(cè)井4.1 4.1 側(cè)向測(cè)井側(cè)向測(cè)井 在高礦化度泥漿的鉆井中或高電阻率剖面井在高礦化度泥漿的鉆井中或高電阻率剖面井中進(jìn)展普通電阻率測(cè)井時(shí)中進(jìn)展普通電阻率測(cè)井時(shí), ,由于井的分流作用由于井的分流作用

2、大大, ,所丈量的視電阻率曲線變化平緩所丈量的視電阻率曲線變化平緩, ,幾乎無(wú)法幾乎無(wú)法分辨巖層分辨巖層, ,更無(wú)法確定巖層的電阻率更無(wú)法確定巖層的電阻率. .因此在電因此在電極上添加聚焦電極迫使供電電極發(fā)出的電流側(cè)極上添加聚焦電極迫使供電電極發(fā)出的電流側(cè)向地流入地層從而減小井的分流作用和圍巖的向地流入地層從而減小井的分流作用和圍巖的影響影響, ,提高縱向分辨才干提高縱向分辨才干, ,這種測(cè)井叫側(cè)向測(cè)井這種測(cè)井叫側(cè)向測(cè)井又稱為聚焦測(cè)井又稱為聚焦測(cè)井 為了求地層徑向各帶電阻率設(shè)計(jì)各種側(cè)向測(cè)井為了求地層徑向各帶電阻率設(shè)計(jì)各種側(cè)向測(cè)井. . 如三側(cè)向如三側(cè)向 七側(cè)向七側(cè)向 雙側(cè)向雙側(cè)向 微側(cè)向等等微

3、側(cè)向等等. .一 三側(cè)向測(cè)井三電極測(cè)井 三電極側(cè)向測(cè)井簡(jiǎn)稱為三側(cè)向三電極側(cè)向測(cè)井簡(jiǎn)稱為三側(cè)向.為為了測(cè)準(zhǔn)確浸透層井段侵入帶和原了測(cè)準(zhǔn)確浸透層井段侵入帶和原狀地層電阻率設(shè)計(jì)深狀地層電阻率設(shè)計(jì)深/淺三側(cè)向淺三側(cè)向,兩種電極系探測(cè)深度不同但丈量?jī)煞N電極系探測(cè)深度不同但丈量原理一樣原理一樣. 1 電極系電極系:(如圖如圖) (1) 深三側(cè)向深三側(cè)向 主電極主電極:A0; 屏蔽電極屏蔽電極:A1 A2 (2) 淺三側(cè)向淺三側(cè)向 主電極主電極:A0; 屏蔽電極屏蔽電極:A1 A2 回路電極回路電極:B1 B22 2 丈量原理丈量原理主電極的中點(diǎn)的變化,因此記錄點(diǎn)為層電阻率反映主電極中點(diǎn)附近地,記錄電位差的

4、電極測(cè)量主電極中點(diǎn)與對(duì)比,使發(fā)出屏蔽電流,屏蔽電極發(fā)出主電流主電極aaAAAsRIUKRUNUUUIIA000210二二 七側(cè)向測(cè)井七側(cè)向測(cè)井 1 1 電極系電極系:(:(如圖如圖) )(1)(1)深七側(cè)向深七側(cè)向 主電極主電極:A0;:A0; 監(jiān)視電極監(jiān)視電極: : 屏蔽電極屏蔽電極:A1 A2:A1 A2(2)(2)淺七側(cè)向淺七側(cè)向 主電極主電極:A0;:A0; 監(jiān)視電極監(jiān)視電極: : 屏蔽電極屏蔽電極:A1 A2:A1 A2 回路電極回路電極:B1 B2:B1 B22121,MMMM2121,MMMM2丈量原理丈量原理)(記錄電位,測(cè)量電極使,屏蔽電極發(fā)出屏蔽電流恒定),發(fā)出主電流主電極

5、0(0100111NMammsUIUKRMUUIIA三三 雙側(cè)向測(cè)井雙側(cè)向測(cè)井 三側(cè)向測(cè)井探測(cè)深度淺而七側(cè)向探測(cè)深度雖三側(cè)向測(cè)井探測(cè)深度淺而七側(cè)向探測(cè)深度雖然有所改良,但深淺七側(cè)向電極距不同然有所改良,但深淺七側(cè)向電極距不同, ,所測(cè)兩所測(cè)兩條視電阻率曲線受圍巖影響不同,給解釋任務(wù)帶條視電阻率曲線受圍巖影響不同,給解釋任務(wù)帶來(lái)一定的困難因此提出雙側(cè)向來(lái)一定的困難因此提出雙側(cè)向(8(8側(cè)向側(cè)向) )測(cè)井測(cè)井. . 1 1 雙側(cè)向測(cè)井電極系雙側(cè)向測(cè)井電極系 雙側(cè)向測(cè)井電極系是三雙側(cè)向測(cè)井電極系是三 七側(cè)向測(cè)井電極系結(jié)七側(cè)向測(cè)井電極系結(jié)合的產(chǎn)物合的產(chǎn)物 主電極主電極:A0; 監(jiān)視電極監(jiān)視電極: 屏蔽

6、電極屏蔽電極:2121,MMMM2121,AAAA 深雙側(cè)向深雙側(cè)向: :電極電極 作為作為屏蔽電極屏蔽電極 淺雙側(cè)向淺雙側(cè)向: :電極電極 作為作為回路電極回路電極22, AA22, AA1 1 雙側(cè)向測(cè)井電極系雙側(cè)向測(cè)井電極系 雙側(cè)向測(cè)井電極系是三雙側(cè)向測(cè)井電極系是三 七側(cè)七側(cè)向測(cè)井電極系結(jié)合的產(chǎn)物向測(cè)井電極系結(jié)合的產(chǎn)物 2 2 丈量原理丈量原理01221110012121(/,IUKRUUaUUIAAIAAIAMaMMAA,記錄常數(shù)),使發(fā)出屏蔽電流,屏蔽電極發(fā)出屏蔽電流,屏蔽電極發(fā)出主電流主電極4.2 4.2 側(cè)向測(cè)井曲線運(yùn)用側(cè)向測(cè)井曲線運(yùn)用1 1 曲線特點(diǎn)曲線特點(diǎn) 2 2 側(cè)向測(cè)井曲

7、線運(yùn)用側(cè)向測(cè)井曲線運(yùn)用(1)(1)識(shí)別巖性識(shí)別巖性; ;(2)(2)確定地層真電阻率確定地層真電阻率; ;(3)(3)判別油水層判別油水層; ;(2)確定地層真電阻率確定地層真電阻率; 雙側(cè)向測(cè)井環(huán)境校正雙側(cè)向測(cè)井環(huán)境校正 雙側(cè)向測(cè)得的視電阻率遭到電極系特性和介質(zhì)電雙側(cè)向測(cè)得的視電阻率遭到電極系特性和介質(zhì)電阻率的影響,不同的電極系對(duì)阻率的影響,不同的電極系對(duì)RaRa影響也不同,因此,必需影響也不同,因此,必需結(jié)合本地域的地質(zhì)特點(diǎn)層厚變化、油水層電阻率、巖性、結(jié)合本地域的地質(zhì)特點(diǎn)層厚變化、油水層電阻率、巖性、侵入等選擇適當(dāng)?shù)碾姌O系,并進(jìn)展適當(dāng)?shù)囊曤娮杪是€侵入等選擇適當(dāng)?shù)碾姌O系,并進(jìn)展適當(dāng)?shù)囊曤?/p>

8、阻率曲線校正,以提供相對(duì)準(zhǔn)確的原狀地層電阻率、沖洗帶電阻率校正,以提供相對(duì)準(zhǔn)確的原狀地層電阻率、沖洗帶電阻率以及侵入半徑等參數(shù)。對(duì)于雙側(cè)向視電阻率的影響校正通以及侵入半徑等參數(shù)。對(duì)于雙側(cè)向視電阻率的影響校正通常包括井眼、圍巖和侵入校正。常包括井眼、圍巖和侵入校正。1101001000100000.50.60.70.80.91.01.11.21.31.41.52220181614108126RLLDc / RLLDRLLD / Rm1100.00.51.01.52.02.5RLLD/RS1050010050205210.50.20.10.020.010.005RLLDc/RLLDH/m0.40.

9、60.8 1 12468101020401101000.521.51.31.150100Rt / RxoRt /RLLD3.421.51.00.80.40.2di / mRLLD/RxoRLLD/RLLS3X井環(huán)境校正結(jié)果井環(huán)境校正結(jié)果經(jīng)過(guò)校正后的經(jīng)過(guò)校正后的H2CH2C層層RtRt比深側(cè)向測(cè)井的電阻比深側(cè)向測(cè)井的電阻率高率高2M2M,由于環(huán)境校,由于環(huán)境校正采用每次校正一種正采用每次校正一種“影響要素的校正方影響要素的校正方式,決議了其環(huán)境校正式,決議了其環(huán)境校正的局限性和準(zhǔn)確性,它的局限性和準(zhǔn)確性,它只能在特定的地層厚度、只能在特定的地層厚度、泥漿電阻率、地層電阻泥漿電阻率、地層電阻率率R

10、tRt等要素下運(yùn)用,超等要素下運(yùn)用,超出特定范圍后沒(méi)有相應(yīng)出特定范圍后沒(méi)有相應(yīng)圖版進(jìn)展校正。因此,圖版進(jìn)展校正。因此,采用了電阻率二維反演采用了電阻率二維反演對(duì)測(cè)井環(huán)境影響進(jìn)展校對(duì)測(cè)井環(huán)境影響進(jìn)展校正。正。4.3 4.3 微電阻率測(cè)井測(cè)井微電阻率測(cè)井測(cè)井 為了提高縱向分辨率為了提高縱向分辨率, ,不漏掉薄層和求不漏掉薄層和求準(zhǔn)確目的層厚度準(zhǔn)確目的層厚度; ;直觀判別浸透層直觀判別浸透層; ;準(zhǔn)確準(zhǔn)確丈量沖洗帶電阻率等目的建立微電阻率丈量沖洗帶電阻率等目的建立微電阻率測(cè)井測(cè)井 微電阻率測(cè)井包括微電極微電阻率測(cè)井包括微電極 微側(cè)向微側(cè)向 臨臨近側(cè)向近側(cè)向 微球形聚焦測(cè)井微球形聚焦測(cè)井 1 1 丈量

11、原理丈量原理電極系如圖電極系如圖: :(1)(1)電極電極A M1 M2A M1 M2嵌在絕緣極板嵌在絕緣極板上使電極系貼井壁丈量上使電極系貼井壁丈量(2)(2)供電電極供電電極A A和丈量電極和丈量電極M1 M1 M2M2組成兩種不同類型的微電極組成兩種不同類型的微電極系系: :(A0.025 M1 0.025 M2)(A0.025 M1 0.025 M2)為微梯度電極系電極距為為微梯度電極系電極距為0.03750.0375米米; ;A0.05 M2A0.05 M2為微電位電極系電極為微電位電極系電極距為距為0.050.05米米 兩種電極系探測(cè)深度不同因兩種電極系探測(cè)深度不同因此前者此前者(

12、40mm)(40mm)反映泥餅電阻率反映泥餅電阻率后者后者(100mm)(100mm)反映沖洗帶電阻反映沖洗帶電阻率率一一 微電極測(cè)井微電極測(cè)井 2 2 微電極測(cè)井曲線微電極測(cè)井曲線 通常采用重疊法將微電通常采用重疊法將微電位和微梯度兩條曲線繪制位和微梯度兩條曲線繪制在成果圖上在成果圖上( (如圖如圖) )特點(diǎn)特點(diǎn): :在浸透層兩條曲線分開(kāi)在浸透層兩條曲線分開(kāi); ;在非浸透層兩條曲線根本在非浸透層兩條曲線根本重合在一同重合在一同 二二 微側(cè)向測(cè)井微側(cè)向測(cè)井1 1 電極系電極系(1)(1)把三個(gè)圓環(huán)電極放在極板上把三個(gè)圓環(huán)電極放在極板上; ;(2)(2)貼井壁丈量貼井壁丈量微電極受泥餅影響大微電

13、極受泥餅影響大, ,微側(cè)向微側(cè)向電極系受泥餅影響小電極系受泥餅影響小2 2 丈量原理丈量原理0100121(IUKRmllMUUIIAMmms記錄電位,測(cè)量電極使,屏蔽電極發(fā)出屏蔽電流恒定),發(fā)出主電流主電極 微側(cè)向探測(cè)深度約為微側(cè)向探測(cè)深度約為8 8厘米,泥餅分流作用厘米,泥餅分流作用減小主要反映沖洗帶電阻率減小主要反映沖洗帶電阻率 臨近側(cè)向探測(cè)臨近側(cè)向探測(cè)深度較小深度較小, ,當(dāng)泥當(dāng)泥餅較厚時(shí)泥餅餅較厚時(shí)泥餅影響明顯影響明顯, ,為添為添加探測(cè)深度設(shè)加探測(cè)深度設(shè)計(jì)臨近側(cè)向測(cè)計(jì)臨近側(cè)向測(cè)井井三三 臨近側(cè)向測(cè)井臨近側(cè)向測(cè)井1 1 電極系電極系 主主 電電 極極: A(: A(矩形矩形) ) 丈量電極丈量電極: M: M 輔助電極輔助電極: A1: A1 監(jiān)視電極監(jiān)視電極: M1,M2: M1,M2四四 微球形聚焦測(cè)井微球形聚焦測(cè)井 2

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