電力電子技術(shù)及答案1

1、模擬題（1）填空題（每小空1分，共13分）1. 正弦脈寬調(diào)制（SPWM技術(shù)運(yùn)用于電壓型逆變電路中， 當(dāng)改變_ 調(diào)制比可改變逆變器輸出電壓幅值；改變_調(diào)制波頻率可改變逆變器輸出電壓頻率；改 變載波頻率可改變開(kāi)關(guān)管的工作頻率。2將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能又饋送回交流電網(wǎng)的逆變電路 稱為有源逆變器。3. 晶閘管變流器主電路要求角發(fā)電路的觸發(fā)脈沖應(yīng)具有一定的寬度，且前沿盡可能 陡。4. 電流型逆變器中間直流環(huán)節(jié)以 電感貯能。5. 在PWM斬波器中，電壓比較器兩個(gè)輸入端信號(hào)分別是三角波信號(hào)和直流信號(hào)6 .三相半波可控整流電路中的三個(gè)晶閘管的觸發(fā)脈沖相位 按相序依次互差 120°。7. 在實(shí)際應(yīng)用

2、中，雙向晶閘管常采用_I +和 皿-兩種觸發(fā)方式。8. 控制角a與逆變角B之間的關(guān)系為B二刀-a<二、單項(xiàng)選擇題（每小題2分，共30分。從每小題的四個(gè)備選選答案，選出一個(gè)正確答案，并將正確答案的號(hào)碼填在題干后 面的括號(hào)內(nèi)。）1 .在型號(hào)為KP10-12G中，數(shù)字10表示（B ）。A. 額定電壓10VB.額定電流10AC.額定電壓1000VD.額定電流1000A2.下列電路中，不可以實(shí)現(xiàn)有源逆變的有（B ）。A.三相半波可控整流電路B.三相橋式半控整流電路C.單相橋式可控整流電路D.單相全波可控整 流 電 路 外 接 續(xù) 流 二 極 管3. 整流變壓器漏抗對(duì)電路的影響有（A ）。A.整流裝

3、置的功率因數(shù)降低B.輸出電壓脈動(dòng)減小C.電流變化緩和D.引起相間短路4. 功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱 為（B ）一次擊穿二次擊穿臨界飽和反向截止5 .逆導(dǎo)晶閘管是將大功率二極管與何種器件集成在一個(gè)管芯上而成（B ）大功率三極管逆阻型晶閘管雙向晶閘管可關(guān)斷晶閘管6. 已經(jīng)導(dǎo)通了的晶閘管可被關(guān)斷的條件是流過(guò)晶閘管的電流（A ）減小至維持電流I h以下減小至擎住電流II以下減小至門(mén)極觸發(fā)電流I g以下減小至5A以下7. 單相半波可控整流電路中，晶閘管可能承受的反向峰值電壓為（B ） U2 '2U2 2.2U26U28. 單相半控橋電感性負(fù)載電路中，在負(fù)載兩端并聯(lián)

4、一個(gè)續(xù)流二極 管的目的是（D ）增加晶閘管的導(dǎo)電能力抑制溫漂增加輸出電壓穩(wěn)定性防止失控現(xiàn)象的產(chǎn)生9. 三相全控橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài)，輸出電壓平均值 Ud的表達(dá)式是（A ）Ud=- 2.34U 2cos BU=1.17U2COSBUb= 2.34U 2cos BU=-0.9U2COS 310. 若減小SPW逆變器輸出電壓基波幅值，可采用的控制方法是 （C ）減小三角波頻率減小三角波幅度減小輸入正弦控制電壓幅值減小輸入正弦控制電壓頻率11. 當(dāng)晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不論門(mén)極加何種極性觸發(fā)電 壓，管子都將工作在（ B ）A.導(dǎo)通狀態(tài) B.關(guān)斷狀態(tài)C.飽和狀態(tài) D.不定12. 單相半波可

5、控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角a的最大移相 范圍是（D）A.90 °B.120 °C.150°D.180°13. 單相全控橋式整流大電感負(fù)載電路中，控制角a的移相范圍 是（A ）A.0 °90°B.0180°C.90 °180°D.18036014. 在大電感負(fù)載三相全控橋中，當(dāng)a =90°時(shí)，整流電路的輸出 是 （ B ）A.U2B.02D.1.732U215. 單結(jié)晶體管同步振蕩觸發(fā)電路中，改變Re能實(shí)現(xiàn)（A ）A.移相B.同步C.增大脈沖寬度D.增大脈沖幅值模擬題2電力電子技術(shù)試卷答案一、

6、填空（每空1分，36分）1、請(qǐng)?jiān)谡_的空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱：電力晶體管GTR ;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場(chǎng)效應(yīng)晶體 管MOSFET ;絕緣柵雙極型晶體管IGBT _; IGBT 是 MOSFE1和GTR 的復(fù)合管。2、 晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是 要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率 _、觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高和觸發(fā)脈沖要與晶閘管陽(yáng)極電壓同步。3、多個(gè)晶閘管相并聯(lián)時(shí)必須考慮 _均流_的問(wèn)題，解決的方法是串專用均流電抗器。4、在電流型逆變器中，輸出電壓波形為 正弦波 輸出電流波形為方波?。5、 型號(hào)為KS100-8的元件表示 雙向晶閘管晶閘管、它的額定電壓為 800 伏、額定有效電流為100 。6、180&#

7、176;導(dǎo)電型三相橋式逆變電路，晶閘管換相是在 同一橋 臂上的上、下二個(gè)元件之間進(jìn)行；而 120。導(dǎo)電型三相橋式逆變 電路，晶閘管換相是在不同橋臂上的元件之間進(jìn)行的。7、當(dāng)溫度降低時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流會(huì) 增加_、正反向漏電流會(huì)下降當(dāng)溫度升高時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流會(huì) 下降正反向漏電流會(huì) 增加_。&在有環(huán)流逆變系統(tǒng)中，環(huán)流指的是只流經(jīng) _?逆變電源 、 逆變橋 而不流經(jīng) 負(fù)載 的電流。環(huán)流可在電路中加 電抗器 來(lái)限制。為了減小環(huán)流一 般米控用控制角a 大于 B的工作方式。9、 常用的過(guò)電流保護(hù)措施有 快速熔斷器？、串進(jìn)線電抗器、 接入直流快速開(kāi)關(guān)_、控制快速移相使輸出電壓下降。 （寫(xiě)出四種

8、即可）10、 雙向晶閘管的觸發(fā)方式有 I +、_1 -、皿+、_ 皿- 四種。二、判斷題，（每題1分，10分）（對(duì)"、錯(cuò)X）1、在半控橋整流帶大電感負(fù)載不加續(xù)流二極管電路中，電路出故障時(shí)會(huì)出現(xiàn)失控現(xiàn)象。（ V ）2、在用兩組反并聯(lián)晶閘管的可逆系統(tǒng)，使直流電動(dòng)機(jī)實(shí)現(xiàn)四象限運(yùn)行時(shí)，其中一組逆變器工作在整流狀態(tài)，那么另一組就工作在 逆變狀態(tài)。（ X ）3、 晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，必須注意均流問(wèn)題。（ X ）4、 逆變角太大會(huì)造成逆變失敗。（ X ）5、 并聯(lián)諧振逆變器必須是略呈電容性電路。（ V ）6、 給晶閘管加上正向陽(yáng)極電壓它就會(huì)導(dǎo)通。（ X ）7、有源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能送

9、給負(fù)載。 （ X8 在單相全控橋整流電路中，晶閘管的額定電壓應(yīng)取U2。（ X ）9、在三相半波可控整流電路中，電路輸出電壓波形的脈動(dòng)頻率為 300Hn （ X10、變頻調(diào)速實(shí)際上是改變電動(dòng)機(jī)內(nèi)旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的速度達(dá)到改變輸出轉(zhuǎn)速的目的。？（ V三、選擇題（每題3分，15分）1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差 _ A 度。A 180°,B、60°, c、360°,D、120°2、 a為C度時(shí)，三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載輸出的電壓波形，處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A, 0 度， B , 60 度， C , 30 度， D, 120 度，3、

10、晶閘管觸發(fā)電路中，若改變 B 的大小，則輸出脈沖產(chǎn)生相位移動(dòng)，達(dá)到移相控制的目的。A、同步電壓， B、控制電壓，C、脈沖變壓器變比。4、 可實(shí)現(xiàn)有源逆變的電路為A 。A、三相半波可控整流電路，B、三相半控橋整流橋電路，C、單相全控橋接續(xù)流二極管電路，D、單相半控橋整流電路。5、在一般可逆電路中，最小逆變角B min選在下面那一種范圍合理A 。A、30o-35o,B、10o-15o,C、Oo-lOo,Oo。模擬題3一、填空（每空1分，36分）1、請(qǐng)?jiān)谡_的空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱：電力晶體管_GT _;可關(guān)斷晶閘管GTQ;功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管_MOSFET ；絕緣柵雙極型晶體管 _IGBT _； I

11、GBT是MOSFE>GTR_的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是_要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率 _、觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高和_觸發(fā)脈沖要與晶閘管陽(yáng)極電壓同步。3、多個(gè)晶閘管相并聯(lián)時(shí)必須考慮均流的問(wèn)題，解決的方法是 _ 串專用 均流電抗器。4、在電流型逆變器中，輸出電壓波形為 _正弦波 _，輸出電流波形為 方波。5、 型號(hào)為KS100-8的元件表示 雙向晶閘管_晶閘管、它的額定電壓為 800 _伏、額定有效電流為 _100A_。& 180°導(dǎo)電型三相橋式逆變電路，晶閘管換相是在 _同一橋臂上的上、下二個(gè)元件之間進(jìn)行；而120o導(dǎo)電型三相橋式逆變電路，晶閘管換相是在不同橋臂上的元

12、件之間進(jìn)行的。7、當(dāng)溫度降低時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流會(huì) 增加、正反向漏電流會(huì) 下降當(dāng)溫度升高時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流會(huì) 下降_、正反向漏電流會(huì)增加_。8、在有環(huán)流逆變系統(tǒng)中，環(huán)流指的是只流經(jīng) _逆變電源 、 逆變橋而不流經(jīng)_ 負(fù)載 _的電流。環(huán)流可在電路中加_ 電抗器 來(lái)限制。為了減小環(huán)流一般采控用控制角a大于B的工作方式。9、常用的過(guò)電流保護(hù)措施有 快速熔斷器_、串進(jìn)線電抗器、接入直流快速開(kāi)關(guān)_、控制快速移相使輸出電壓下降。（寫(xiě)出四種即可）10、 雙向晶閘管的觸發(fā)方式有 I +、_i -、川+、_ m-四種。二、判斷題,（每題1分，10分）（對(duì)V、錯(cuò)X）1、在半控橋整流帶大電感負(fù)載不加續(xù)流二極管電路

13、中，電路出故障時(shí)會(huì)出現(xiàn)失控現(xiàn)象。（V ）2、在用兩組反并聯(lián)晶閘管的可逆系統(tǒng)，使直流電動(dòng)機(jī)實(shí)現(xiàn)四象限運(yùn)行時(shí)，其 中一組逆變器工作在整流狀態(tài)，那么另一組就工作在逆變狀態(tài)。（ X ）3、晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，必須注意均流問(wèn)題。(X )4、逆變角太大會(huì)造成逆變失敗。（X)5、并聯(lián)諧振逆變器必須是略呈電容性電路。(V )6、給晶閘管加上正向陽(yáng)極電壓它就會(huì)導(dǎo)通。(X )7、 有源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能送給負(fù)載。（ X ）8、 在單相全控橋整流電路中，晶閘管的額定電壓應(yīng)取U2（ X ）9、 在三相半波可控整流電路中，電路輸出電壓波形的脈動(dòng)頻率為300Hz, （ X ）10、變頻調(diào)速實(shí)際上是改變電動(dòng)機(jī)

14、內(nèi)旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的速度達(dá)到改變輸出轉(zhuǎn)速的目的。（ V ）三、選擇題（每題3分，15分）1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差 A度。A 180°, B、60°， c、360°, D、120°2、 a為C度時(shí)，三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載輸出的電壓波形，處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A, 0 度,B，60 度, C，30 度, D，120 度,3、晶閘管觸發(fā)電路中，若改變 B 的大小，則輸出脈沖產(chǎn)生相位移動(dòng)，達(dá)到移相控制的目的。A、同步電壓，B、控制電壓，C、脈沖變壓器變比。4、 可實(shí)現(xiàn)有源逆變的電路為 A 。A、三相半波可控整流電路，B、三相半

15、控橋整流橋電路，C、單相全控橋接續(xù)流二極管電路，D、單相半控橋整流電路。5、在一般可逆電路中，最小逆變角Bmin選在下面那一種范圍合理A 。A、30o -35 o ， B、10o -15 o ，C、Oo -10 o ，D、0o。模擬題4一、填空題（每小題1分，共12分）1. 電流源型逆變器的輸出電流波形為 矩形波 。2. 三相半波可控整流電路中的三個(gè)晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差120°。3將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能又饋送回交流電網(wǎng)的逆變電路稱為 有源逆變器。4. 電流型逆變器中間直流環(huán)節(jié)以 電感貯能。5. 同一晶閘管，維持電流Ih與擎住電流IL在數(shù)值大小上有II =（24）Ih6

16、. 對(duì)于三相半波可控整流電路，換相重疊角的影響，將使用輸出電壓平均值 下降_。7. 晶閘管串聯(lián)時(shí)，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是靜態(tài)均壓昔施。8. 三相全控橋式變流電路交流側(cè)非線性壓敏電阻過(guò)電壓保護(hù)電路的連接方式有三角形和星形二種方式。9. 抑制過(guò)電壓的方法之一是用儲(chǔ)能元件吸收可能產(chǎn)生過(guò)電壓的能量,并用電阻將其消耗。10. 控制角a與逆變角B之間的關(guān)系為=孔-a_。11.SPWM有兩種調(diào)制方式：?jiǎn)螛O性和雙極性 調(diào)制。12.逆變器可分為無(wú)源逆變器和有源逆變器兩大類。二、單項(xiàng)選擇題（每小題1.5分，共27分。從每小題的四個(gè)備選選答案， 選出一個(gè)正確答案，并將正確答案的號(hào)碼填在題干后面的括號(hào)內(nèi)。）

17、級(jí)班）系（院1 . 在型號(hào)為 KP10-12G中，數(shù)字 12 表示 （C ）。A.額定電壓 12VB.額定電流 12AC.額定電壓 1200VD.額定電流 1200A2 .下列電路中，不可以實(shí)現(xiàn)有源逆變的有（B ）。A.三相半波可控整流電路 B.三相橋式半控整流電路 C.單相橋式可控整流電路D.單相全波可控整流電路外接續(xù)流二極管3. 整流變壓器漏抗對(duì)電路的影響有 （B ）。A.整流裝置的功率因數(shù)降低 B.輸出電壓脈動(dòng)減小C.電流變化緩和D.引起相間短路4功率晶體管GTF從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為（B）一次擊穿二次擊穿臨界飽和反向截止5 逆導(dǎo)晶閘管是將大功率二極管與何種器件集成在

18、一個(gè)管芯上而成（B ）大功率三極管逆阻型晶閘管雙向晶閘管可關(guān)斷晶閘管6. 已經(jīng)導(dǎo)通了的晶閘管可被關(guān)斷的條件是流過(guò)晶閘管的電流（）減小至維持電流1 H以下減小至擎住電流Il以下減小至門(mén)極觸發(fā)電流Ig以下 減小至5A以下7. 單相半波可控整流電路中，晶閘管可能承受的反向峰值電壓為（）U22U22 '刀26U 28. 單相半控橋電感性負(fù)載電路中，在負(fù)載兩端并聯(lián)一個(gè)續(xù)流二極管的目的是（ ）增加晶閘管的導(dǎo)電能力抑制溫漂增加輸出電壓穩(wěn)定性防止失控現(xiàn)象的產(chǎn)生9. 三相全控橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài)，輸出電壓平均值Ud的表達(dá)式是（.）Ud=- 2.34U 2C0SBU=1.17U2COS BUd=

19、 2.34U 2COS B Ud=-0.9U 2COS B10. 若減小SPWI逆變器輸出電壓基波幅值，可采用的控制方法是（）減小三角波頻率減小三角波幅度減小輸入正弦控制電壓幅值減小輸入正弦控制電壓頻率11. 單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角a的最大移相范圍是（D ）A.90 °B.120 °C.150 °D.180 °12. 單相全控橋式整流大電感負(fù)載電路中，控制角a的移相范圍是 （ A ）A.0。90°B.0。180°C.90。180°D.180。360°13. 當(dāng)晶閘管串聯(lián)時(shí)，為實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)均壓，可在各個(gè)

20、晶閘管兩端并聯(lián)（D ）A. RB. LC. CD. RC14. 當(dāng)晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不論門(mén)極加何種極性觸發(fā)電壓，管子都將工作在（B ）A.導(dǎo)通狀態(tài)B.關(guān)斷狀態(tài)C.飽和狀態(tài)D.不定15. 三相半波可控整流電路的自然換相點(diǎn)是（B ）A. 交流相電壓的過(guò)零點(diǎn)B. 本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點(diǎn)處C. 比三相不控整流電路的自然換相點(diǎn)超前 30°D. 比三相不控整流電路的自然換相點(diǎn)滯后 60°16. 單結(jié)晶體管同步振蕩觸發(fā)電路中，改變 R能實(shí)現(xiàn)（A ）。A.移相B同步C.增大脈沖寬度D.增大脈沖幅值17. 在大電感負(fù)載三相全控橋中，當(dāng)a =90°時(shí)，整流電路的輸

21、出是（ B ）A.U2B.02D.1.732U218. 降壓斬波電路中，已知電源電壓Ud=16V,負(fù)載電壓Ub=12V,斬波周期T=4ms則開(kāi)通時(shí)間Tab=（）1ms2ms3ms4ms模擬5電力電子技術(shù)試題（第一章）一、 填空題1、普通晶閘管內(nèi)部有N 結(jié)，外部有三個(gè)電極，分別是 極極和極。1、兩個(gè)、陽(yáng)極A、陰極K門(mén)極G2、 晶閘管在其陽(yáng)極與陰極之間加上 電壓的同時(shí)，門(mén)極上加上 電壓，晶閘管就導(dǎo)通。2、正向、觸發(fā)。3、 、晶閘管的工作狀態(tài)有正向 狀態(tài)，正向狀態(tài)和反向狀態(tài)。3、阻斷、導(dǎo)通、阻斷。4、某半導(dǎo)體器件的型號(hào)為 KP50-7的，其中KP表示該器件的名稱為，50表示， 7表示。4、普通晶閘管

22、、額定電流 50A、額定電壓100V。5、只有當(dāng)陽(yáng)極電流小于 電流時(shí)，晶閘管才會(huì)由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止。5、維持電流。6當(dāng)增大晶閘管可控整流的控制角a,負(fù)載上得到的直流電壓平均值會(huì)。6、減小。7、 按負(fù)載的性質(zhì)不同，晶閘管可控整流電路的負(fù)載分為 性負(fù)載，性負(fù)載和負(fù)載三大類。7、電阻、電感、反電動(dòng)勢(shì)。8、當(dāng)晶閘管可控整流的負(fù)載為大電感負(fù)載時(shí)，負(fù)載兩端的直流電壓平均值會(huì)，解決的辦法就是在負(fù)載的兩端接一個(gè)。& 減小、并接、續(xù)流二極管。9、 工作于反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載的晶閘管在每一個(gè)周期中的導(dǎo)通角 、電流波形不連續(xù)、呈 狀、電流的平均值 。要求管子的額定電流值要些。9、小、脈沖、小、大。10、 單結(jié)晶體管的內(nèi)

23、部一共有 個(gè)PN結(jié)，外部一共有3個(gè)電極，它們分別是極、極和極。10、一個(gè)、發(fā)射極E、第一基極Bi、第二基極B2。11、當(dāng)單結(jié)晶體管的發(fā)射極電壓高于 電壓時(shí)就導(dǎo)通；低于電壓時(shí)就截止。11、峰點(diǎn)、谷點(diǎn)。12、 觸發(fā)電路送出的觸發(fā)脈沖信號(hào)必須與晶閘管陽(yáng)極電壓 ，保證在管子陽(yáng)極電壓每個(gè)正半周內(nèi)以相同的 被觸發(fā)，才能得到穩(wěn)定的直流電壓。12、同步、時(shí)刻。13、 晶體管觸發(fā)電路的同步電壓一般有 同步電壓和電壓。13、正弦波、鋸齒波。14、 正弦波觸發(fā)電路的同步移相一般都是采用 與一個(gè)或幾個(gè)的疊加，利用改變 的大小，來(lái)實(shí)現(xiàn)移相控制。14、正弦波同步電壓、控制電壓、控制電壓。15、 在晶閘管兩端并聯(lián)的 RC回

24、路是用來(lái)防止 損壞晶閘管的。15、關(guān)斷過(guò)電壓。16、為了防止雷電對(duì)晶閘管的損壞，可在整流變壓器的一次線圈兩端并接一個(gè)或。16、硒堆、壓敏電阻。16、用來(lái)保護(hù)晶閘管過(guò)電流的熔斷器叫。16、快速熔斷器。二、 判斷題 對(duì)的用V表示、錯(cuò)的用X表示（每小題 1分、共10分）1、普通晶閘管內(nèi)部有兩個(gè) PN結(jié)。（X）2、 普通晶閘管外部有三個(gè)電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。（X）3、型號(hào)為KP50-7的半導(dǎo)體器件，是一個(gè)額定電流為 50A的普通晶閘管。（）4、 只要讓加在晶閘管兩端的電壓減小為零，晶閘管就會(huì)關(guān)斷。（X）5、 只要給門(mén)極加上觸發(fā)電壓，晶閘管就導(dǎo)通。（X）6、晶閘管加上陽(yáng)極電壓后，不給門(mén)極加觸

25、發(fā)電壓，晶閘管也會(huì)導(dǎo)通(V)7、 加在晶閘管門(mén)極上的觸發(fā)電壓，最高不得超過(guò)100乂(X)8、單向半控橋可控整流電路中，兩只晶閘管采用的是“共陽(yáng)”接法。(X)9、 晶閘管采用“共陰”接法或“共陽(yáng)”接法都一樣。(X)10、增大晶閘管整流裝置的控制角a,輸出直流電壓的平均值會(huì)增大。(X)11 、 在觸發(fā)電路中采用脈沖變壓器可保障人員和設(shè)備的安全。(V)12、為防止“關(guān)斷過(guò)電壓”損壞晶閘管，可在管子兩端并接壓敏電阻。(X)13、 雷擊過(guò)電壓可以用 RC吸收回路來(lái)抑制。(X)14、 硒堆發(fā)生過(guò)電壓擊穿后就不能再使用了。(X)15、晶 閘 管 串 聯(lián) 使 用 須 采 取 “ 均 壓 措 施 ” 。(V)1

26、6、 為防止過(guò)電流，只須在晶閘管電路中接入快速熔斷器即可。(X)17、 快速熔斷器必須與其它過(guò)電流保護(hù)措施同時(shí)使用。(V)18、晶 閘 管 并 聯(lián) 使 用 須 采 取 “ 均 壓 措 施 ” 。(X)22、在電路中接入單結(jié)晶體管時(shí)，若把 b1、 b2 接反了，就會(huì)燒壞管子。X)23、單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路也可以用在雙向晶閘管電路中。V)24、單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路輸出的脈沖比較窄。25、單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路不能很好地滿足電感性或反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載的 要求。(V)三、 單項(xiàng)選擇題 把正確答案的番號(hào)填在括號(hào)內(nèi)(每小題 1 分，共 10 分)1、晶閘管內(nèi)部有(C ) PN結(jié)。A 一個(gè)，B二個(gè)，C三

27、個(gè)，D四個(gè)2、單結(jié)晶體管內(nèi)部有(A)個(gè)PN結(jié)。A 一個(gè)，B二個(gè)，C三個(gè)，D四個(gè)3、晶閘管可控整流電路中的控制角a減小，則輸出的電壓平均值會(huì)( B)。A 不變， B 增大， C 減小。4、單相半波可控整流電路輸出直流電壓的平均值等于整流前交流電壓的( )倍。A 1 ， B 0.5， C 0.45， D 0.9.5、單相橋式可控整流電路輸出直流電壓的平均值等于整流前交流電壓 的( )倍。A 1 ， B 0.5， C 0.45， D 0.9.7、為了讓晶閘管可控整流電感性負(fù)載電路正常工作，應(yīng)在電路中接入 ( B)。A 三極管， B 續(xù)流二極管， C 保險(xiǎn)絲。8、 晶閘管可整流電路中直流端的蓄電池或直

28、流電動(dòng)機(jī)應(yīng)該屬于(C)負(fù) 載。A 電阻性， B 電感性， C 反電動(dòng)勢(shì)。9、直流電動(dòng)機(jī)由晶閘管供電與由直流發(fā)電機(jī)供電相比較，其機(jī)械特性( C)。A 一樣， B 要硬一些， C 要軟一些。10、帶平衡電抗器的雙反星型可控整流電路適用于( A)負(fù)載。A 大電流， B 高電壓， C 電動(dòng)機(jī)。11、晶閘管在電路中的門(mén)極正向偏壓（B）愈好。A愈大，B 愈小， C 不變12、晶閘管兩端并聯(lián)一個(gè)RC電路的作用是（C ）。A分流，B降壓，C過(guò)電壓保護(hù)，D過(guò)電流保護(hù)。13、壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要是用來(lái)（C ）。A分流，B降壓，C過(guò)電壓保護(hù)，D過(guò)電流保護(hù)。14、 變壓器一次側(cè)接入壓敏電阻的目的是為了防止（

29、C）對(duì)晶閘管的損壞'A關(guān)斷過(guò)電壓， B 交流側(cè)操作過(guò)電壓，C 交流側(cè)浪涌。15、晶閘管變流裝置的功率因數(shù)比較（B ）。A高， B 低， C 好。16、晶閘管變流器接直流電動(dòng)機(jī)的拖動(dòng)系統(tǒng)中，當(dāng)電動(dòng)機(jī)在輕載狀況下， 電樞電流較小時(shí)，變流器輸出電流是（B）的。A連續(xù)，B斷續(xù)，C 不變。18、普通晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（ C）來(lái)表示的。A有效值 B最大賽值 C 平均值20、普通的單相半控橋可整流裝置中一共用了（ A）晶閘管。A 一只， B 二只， C 三只， D 四只。模擬六電力電子技術(shù)試題（第二章）一、 填空題1、觸發(fā)電路送出的觸發(fā)脈沖信號(hào)必須與晶閘管陽(yáng)極電壓 ，保證在管子陽(yáng)

30、極電壓每個(gè)正半周內(nèi)以相同的 被觸發(fā)，才能得到穩(wěn)定的直流電壓。1、同步、時(shí)刻。2、晶體管觸發(fā)電路的同步電壓一般有 同步電壓和電壓2、正弦波、鋸齒波。3、 正弦波觸發(fā)電路的同步移相一般都是采用 與一個(gè)或幾個(gè)的疊加，利用改變 的大小，來(lái)實(shí)現(xiàn)移相控制。3、正弦波同步電壓、控制電壓、控制電壓。4、 在晶閘管兩端并聯(lián)的RC回路是用來(lái)防止 損壞晶閘管的。4、關(guān)斷過(guò)電壓。5、為了防止雷電對(duì)晶閘管的損壞，可在整流變壓器的一次線圈兩端并接一個(gè)或。5、硒堆、壓敏電阻。6、 用來(lái)保護(hù)晶閘管過(guò)電流的熔斷器叫 。6快速熔斷器。7、 晶閘管整流裝置的功率因數(shù)定義為 側(cè)與之比。7、交流、有功功率、視在功率&晶閘管裝置

31、的容量愈大，則高次諧波 ，對(duì)電網(wǎng)的影響 。&愈大，愈大。9、在裝置容量大的場(chǎng)合，為了保證電網(wǎng)電壓穩(wěn)定，需要有 補(bǔ)償，最常用的方法是在負(fù)載側(cè) 。9、無(wú)功功率；并聯(lián)電容。二、 判斷題 對(duì)的用V表示、錯(cuò)的用X表示(每小題 1分、共10分)1、在觸發(fā)電路中采用脈沖變壓器可保障人員和設(shè)備的安全。(V)2、為防止“關(guān)斷過(guò)電壓”損壞晶閘管，可在管子兩端并接壓敏電阻。(X)3、 雷擊過(guò)電壓可以用 RC吸收回路來(lái)抑制。(X)4、硒堆發(fā)生過(guò)電壓擊穿后就不能再使用了。(X)5、晶閘管串聯(lián)使用須采取“均壓措施”。(V)6、為防止過(guò)電流，只須在晶閘管電路中接入快速熔斷器即可。7、快速熔斷器必須與其它過(guò)電流保護(hù)措

32、施同時(shí)使用(V)8、晶閘管并聯(lián)使用須采取“均壓措施”。(x)9、在電路中接入單結(jié)晶體管時(shí)，若把 b1、b2 接反了，就會(huì)燒壞管子。(x)10、 單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路輸出的脈沖比較窄。(V)11、單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路不能很好地滿足電感性或反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載的要 求。(V)12、 采用正弦波移相觸發(fā)電路的可控整流電路工作穩(wěn)定性較差。(V)13、 正弦波移相觸發(fā)電路不會(huì)受電網(wǎng)電壓的影響。(x)14、對(duì)低電壓大電流的負(fù)載供電，應(yīng)該用帶平衡電抗器的雙反星型可控整流裝置。(V)15、晶閘管觸發(fā)電路與主電路的同步，主要是通過(guò)同步變壓器的不同結(jié)線方 式來(lái)實(shí)現(xiàn)的(V)16、晶閘管裝置的容量愈大，對(duì)電網(wǎng)的影響就

33、愈小。(x)三、單項(xiàng)選擇題 把正確答案的番號(hào)填在括號(hào)內(nèi)(每小題 1分，共 10分)1、三相可控整流與單相可控整流相比較，輸出直流電壓的紋波系數(shù)( B)。A 三相的大， B 單相的大， C 一樣大。2、為了讓晶閘管可控整流電感性負(fù)載電路正常工作，應(yīng)在電路中接入(B)。A 三極管， B 續(xù)流二極管， C 保險(xiǎn)絲。3、晶閘管可整流電路中直流端的蓄電池或直流電動(dòng)機(jī)應(yīng)該屬于( C)負(fù)載。A 電阻性， B 電感性， C 反電動(dòng)勢(shì)。4、 直流電動(dòng)機(jī)由晶閘管供電與由直流發(fā)電機(jī)供電相比較，其機(jī)械特性(C)。A 一樣， B 要硬一些， C 要軟一些。5、帶平衡電抗器的雙反星型可控整流電路適用于( A)負(fù)載。A 大

34、電流， B 高電壓， C 電動(dòng)機(jī)。6、晶閘管在電路中的門(mén)極正向偏壓(B)愈好。A 愈大， B 愈小， C 不變7、晶閘管兩端并聯(lián)一個(gè)RC電路的作用是(C )。A 分流， B 降壓， C 過(guò)電壓保護(hù)， D 過(guò)電流保護(hù)。8、壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要是用來(lái)（ C ）。A 分流， B 降壓， C 過(guò)電壓保護(hù)， D 過(guò)電流保護(hù)。9、變壓器一次側(cè)接入壓敏電阻的目的是為了防止（C）對(duì)晶閘管的損壞。A 關(guān)斷過(guò)電壓， B 交流側(cè)操作過(guò)電壓， C 交流側(cè)浪涌。10、晶閘管變流裝置的功率因數(shù)比較（ B ）。A 高， B 低， C 好。11、晶閘管變流器接直流電動(dòng)機(jī)的拖動(dòng)系統(tǒng)中，當(dāng)電動(dòng)機(jī)在輕載狀況下，電 樞電流

35、較小時(shí)，變流器輸出電流是（B）的。A 連續(xù)， B 斷續(xù)， C 不變。12、脈沖變壓器傳遞的是（ C ）電壓。A 直流， B 正弦波， C 脈沖波。13、普通晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（ C）來(lái)表示的。A 有效值 B 最大賽值 C 平均值14、普通的單相半控橋可整流裝置中一共用了（ A）晶閘管。A 一只， B 二只， C 三只， D 四只。15、三相全控橋整流裝置中一共用了（ B）晶閘管。A 三只， B 六只， C 九只。16、雙向晶閘管是用于交流電路中的，其外部有（C）電極。A 一個(gè)， B 兩個(gè)， C 三個(gè)， D 四個(gè)。17、若可控整流電路的功率大于 4kW宜采用（C ）整流電路。

36、A 單相半波可控 B 單相全波可控 C 三相可控18、三相可控整流與單相可控整流相比較，輸出直流電壓的紋波系數(shù) （ B）。A 三相的大， B 單相的大， C 一樣大。模擬七電力電子技術(shù)試題 （第三章 ）一、填空題1、某半導(dǎo)體器件的型號(hào)為 KS50-7的，其中KS表示該器件的名稱為，_50表示， 7表示。1、雙向晶閘管、額定電流 50A、額定電壓100V。2、 某半導(dǎo)體器件的型號(hào)為 KN 100 / 50 7,其中KN表示該器件的名 稱為100 表示, 50 表示, 7 表示2、逆導(dǎo)晶閘管，晶閘管額定電流為 100A,二極管額定電流為50A, 額定電壓100V。3、 雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式分別

37、是 、和實(shí)際工作時(shí)盡量避免使用 方式。3、 I +,I -, H +, H -。川 +5、 晶閘管整流裝置的功率因數(shù)定義為 側(cè)與之比。3、交流、有功功率、視在功率6、 晶閘管裝置的容量愈大，則高次諧波 ，對(duì)電網(wǎng)的影響。4、愈大，愈大。7、在裝置容量大的場(chǎng)合，為了保證電網(wǎng)電壓穩(wěn)定，需要有 補(bǔ)償，最常用的方法是在負(fù)載側(cè) 。5、無(wú)功功率；并聯(lián)電容。二、判斷題 對(duì)的用V表示、錯(cuò)的用X表示（每小題 1分、共10分）19、型號(hào)為KS5C 7的半導(dǎo)體器件，是一個(gè)額定電流為 50A的普通晶閘管。（）2、 雙向晶閘管的額定電流是用有效值來(lái)表示的。（V）3、 普通單向晶閘管不能進(jìn)行交流調(diào)壓。（X）3、 雙向觸發(fā)二

38、極管中電流也只能單方向流動(dòng)。（X）4、 單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路也可以用在雙向晶閘管電路中。（V）5、兩只反并聯(lián)的50A的普通晶閘管可以用一只額定電流為 100A的雙向晶 閘管來(lái)替代。（X）三、單項(xiàng)選擇題 把正確答案的番號(hào)填在括號(hào)內(nèi)（每小題 1分，共10 分）1、 雙向晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（ A）來(lái)表示的。A有效值 B 最大值 C 平均值2、雙向晶閘管是用于交流電路中的，其外部有（C）電極。A 一個(gè)， B 兩個(gè)， C 三個(gè)， D 四個(gè)。3、雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式中，靈敏度最低的是（ C）。A、I +， B 、 I -，C 、川 +， D 、川-o模擬8電力電子技術(shù)試題（第四

39、章）三、填空題1、 GTO勺全稱是，圖形符號(hào)為; GTR的全稱是，圖形符號(hào)為; P-MOSFE的全稱是，圖形符號(hào)為 ; IGBT的全稱是，圖形符號(hào)為 o33、門(mén)極可關(guān)斷晶閘管、大功率晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣門(mén)極晶 體管。2、 GTO的關(guān)斷是靠門(mén)極加 出現(xiàn)門(mén)極來(lái)實(shí)現(xiàn)的。33、負(fù)信號(hào)、反向電流。3、 大功率晶體管簡(jiǎn)稱 ，通常指耗散功率 以上的晶體管。34、GTR 1W04、 功率場(chǎng)效應(yīng)管是一種性能優(yōu)良的電子器件，缺點(diǎn)是 和o35、電流不夠大、耐壓不夠高。二、判斷題 對(duì)的用V表示、錯(cuò)的用x表示（每小題 1分、共10分）1、 大功率晶體管的放大倍數(shù)B都比較低。（V）2、 工作溫度升高，會(huì)導(dǎo)致 GTR

40、的壽命減短。（V）3、使用大功率晶體管時(shí)，必須要注意“二次擊穿”問(wèn)題。（V）4、 同一支可關(guān)斷晶閘管的門(mén)極開(kāi)通電流和關(guān)斷電流是一樣大的。（X）5、 電力晶體管的外部電極也是：集電極、基極和發(fā)射極。（V）6、 實(shí)際使用電力晶體管時(shí)，必須要有電壓電流緩沖保護(hù)措施。（V）7、 同一支可關(guān)斷晶閘管的門(mén)極開(kāi)通電流比關(guān)斷電流大。（X）&電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管屬于電流型控制元件。（X）9、絕緣柵雙極型晶體管具有電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)。（V）三、單項(xiàng)選擇題 把正確答案的番號(hào)填在括號(hào)內(nèi)（每小題 1 分，共 10 分）1、比較而言，下列半導(dǎo)體器件中性能最好的是（ ）。A、 GTR B 、 MOSFE

41、T C 、 IGBT2、比較而言，下列半導(dǎo)體器件中輸入阻抗最小的是（ ）。A 、 GTR B 、 MOSFET C 、 IGBT3、比較而言，下列半導(dǎo)體器件中輸入阻抗最大的是（ ）。A、 GTR B 、 MOSFET C 、 IGBT4、能采用快速熔斷器作為過(guò)電流保護(hù)的半導(dǎo)體器件是（ ）。A、 GTO B 、 GTR C 、 IGBT。5、比較而言，下列半導(dǎo)體器件中開(kāi)關(guān)速度最快的是（ ）、最慢的是（ ）。A、 GTO B 、 GTR C 、 MOSFET6、 下列半導(dǎo)體器件中屬于電流型控制器件的是。（A ）A、 GTR B 、 MOSFET C 、 IGBT。7、下列電力電子器件中屬于全控型器

42、件的是（）。A、 KP50-7 B 、 3DD15C C 、 ZP100-10模擬九電力電子技術(shù)試題 （第五章 ）一、 填空題1、 整流是把電變換為電的過(guò)程；逆變是把電變換為電的過(guò)程。1、交流、直流；直流、交流。2、 逆變電路分為 逆變電路和逆變電路兩種。2、有源、無(wú)源。3、 逆變角B與控制角a之間的關(guān)系為 。3、a = n 34、 逆變角B的起算點(diǎn)為對(duì)應(yīng)相鄰相 的交點(diǎn)往度量。4、負(fù)半周、左。5、 當(dāng)電源電壓發(fā)生瞬時(shí)與直流側(cè)電源 聯(lián)，電路中會(huì)出現(xiàn)很大的短路電流流過(guò)晶閘管與負(fù)載，這稱為 或。5、順極性串、逆變失敗、逆變顛覆。6、 為了保證逆變器能正常工作，最小逆變角應(yīng)為 。6、30° 35°7、由兩套晶閘管組成的變流可逆裝置中，每組晶閘管都有四種工作狀態(tài)，分別是狀態(tài)、狀態(tài)、狀態(tài)和狀態(tài)7、待整流、整流、待逆變、逆變。&將直流電源的恒定電壓，通過(guò)電子器件的開(kāi)關(guān)控制，變換為可調(diào)的直流電壓的裝置稱為 器。8、斬波。9、 反并聯(lián)可逆電路常用的工作方式為 ，以及三種。在工業(yè)上得到廣泛應(yīng)用的是 方式。9、邏輯無(wú)環(huán)流、有環(huán)流、錯(cuò)位無(wú)環(huán)流、邏輯無(wú)環(huán)流。10、 采用接觸器的可逆電路