單極型晶體管場效應(yīng)管

1、單極型晶體管場效應(yīng)管 單極型晶體管單極型晶體管2-4-1 結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管雙、單極型晶體管區(qū)別 1)雙極型：屬電流控制型 2)單極型：屬電壓控制型 場效應(yīng)管分類(FET) 1)結(jié)型（JFET）: “P溝道”，空穴導(dǎo)電 “N溝道”，電子導(dǎo)電 2)絕緣柵型（MOS）：“增強(qiáng)型PMOS、NMOS” “耗盡型PMOS、NMOS”1.結(jié)構(gòu)與符號N溝道耗盡層P+P+漏極D柵極G源極SDGS圖3-1 JFET的結(jié)構(gòu)示意圖及其電路符號P溝道耗盡層NN漏極D柵極G源極SDGS(a)(b)(a) N溝道 (b) P溝道 導(dǎo)通條件N溝道：uGS0、uDS 0 P溝道：uGS0、uDS UGS(th) 0 P

2、MOSuGSUGS(th) 0 UGS(th)“開啟電壓”，即溝道形成的最小電壓 增強(qiáng)型MOS管所特有 2）耗盡型MOS管制造時(shí)內(nèi)部已存在一個(gè)導(dǎo)電溝道 當(dāng)uGS=0、uGS0時(shí)電流為常量IDSS稱“漏極 飽和電流” 當(dāng)uGS= UGS(off)時(shí)原有導(dǎo)電溝道夾斷不導(dǎo)電 UGS(off) “夾斷電壓”，耗盡型MOS管所特有 3）其它類型場效應(yīng)管工作特性見書P63BCII2-4-3 場效應(yīng)管特性參數(shù)場效應(yīng)管特性參數(shù)1. 開啟電壓UGS(th)和夾斷電壓UGS(off) 當(dāng)uDS一定時(shí)，使iD為某一最小值（剛導(dǎo)通）時(shí)所外加 的G-S電壓 增強(qiáng)型存在UGS(th) 耗盡型存在UGS(off)2.飽和漏

3、電流IDSS 耗盡型管特有參數(shù)，且為當(dāng)uGS=0時(shí)的漏電流3.低頻跨導(dǎo)gm反映了柵源電壓uGS對漏極電流iD的控制能力4.極限參數(shù) IDM：最大漏極電流。工作時(shí)允許的最大漏極電流。 PDM：最大耗散功率。PDMuDSiD U(BR)DS：漏源擊穿電壓 U(BR)GS：柵源擊穿電壓2-4-4 場效應(yīng)管與三極管性能比較場效應(yīng)管與三極管性能比較半導(dǎo)體三極管場效應(yīng)管導(dǎo)電結(jié)構(gòu)既利用多數(shù)載流子，又利用少數(shù)載流子，故稱為雙極型器件 只利用多數(shù)載流子工作稱為單極型器件 導(dǎo)電方式多子濃度擴(kuò)散與少子漂移多子漂移控制方式電流控制（IBIC）電壓控制（UGSID）放大系數(shù)（=20200）gm（15mA/V）類型PNP、NPNP溝道、N溝道受溫度影響大小噪聲較大較小抗輻射能力差強(qiáng)制造工藝較復(fù)雜簡單，特別是MOS管，易于集成器件名稱性能課前復(fù)習(xí)及提問課前復(fù)習(xí)及提問： 1）NPN管在放大狀態(tài)下各極電位的關(guān)系？ 2）三極管在共射、共集組態(tài)下的電流關(guān)系？ 3）三極管的三個(gè)工作區(qū)是什么？ 4）NPN、 PNP管的區(qū)別？思考題思考題：P67 1、2作業(yè)題作業(yè)題