習(xí)題答案new講解

1、1、分析電子衍射與 X衍射有何異同？答：相同點(diǎn)： 都是以滿足布拉格方程作為產(chǎn)生衍射的必要條件。兩種衍射技術(shù)所得到的衍射花樣在幾何特征上大致相似。不同點(diǎn)： 電子波的波長(zhǎng)比x射線短的多，在同樣滿足布拉格條件時(shí)，它的衍射角很小，約為10-2rad。2而X射線產(chǎn)生衍射時(shí)，其衍射角最大可接近。冗在進(jìn)行電子衍射操作時(shí)采用薄晶樣品，增加了倒易陣點(diǎn)和愛(ài)瓦爾德球相交截的機(jī)會(huì)，使 衍射條件變寬。 因?yàn)殡娮硬ǖ牟ㄩL(zhǎng)短，采用愛(ài)瓦爾德球圖解時(shí)，反射球的半徑很大，在衍射角0較小的范圍內(nèi)反射球的球面可以近似地看成是一個(gè)平面，從而也可以認(rèn)為電子衍射產(chǎn)生的衍射斑點(diǎn)大致分布在一個(gè)二維倒易截面內(nèi)。 原子對(duì)電子的散射能力遠(yuǎn)高于它對(duì)x

2、射線的散射能力，故電子衍射束的強(qiáng)度較大，攝取衍射花樣時(shí)曝光時(shí)間僅需數(shù)秒鐘。2、倒易點(diǎn)陣與正點(diǎn)陣之間關(guān)系如何？倒易點(diǎn)陣與晶體的電子衍射斑點(diǎn)之間有何對(duì)應(yīng)關(guān)系？答：倒易點(diǎn)陣是與正點(diǎn)陣相對(duì)應(yīng)的量綱為長(zhǎng)度倒數(shù)的一個(gè)三維空間點(diǎn)陣，通過(guò)倒易點(diǎn)陣可以把晶體的電子衍射斑點(diǎn)直接解釋成晶體相對(duì)應(yīng)晶面的衍射結(jié)果，可以認(rèn)為電子衍射斑點(diǎn)就是與晶體相對(duì)應(yīng)的倒易點(diǎn)陣某一截面上陣點(diǎn)排列的像。關(guān)系： 倒易矢量ghki垂直于正點(diǎn)陣中對(duì)應(yīng)的（hkl）晶面，或平行于它的法向Nhki 倒易點(diǎn)陣中的一個(gè)點(diǎn)代表正點(diǎn)陣中的一組晶面倒易矢量的長(zhǎng)度等于點(diǎn)陣中的相應(yīng)晶面間距的倒數(shù)，即 ghki=1/dhki 對(duì)正交點(diǎn)陣有 a /a , b /b ,

3、 c /c , a =1/a , b =1/b , c =1/c。 只有在立方點(diǎn)陣中，晶面法向和同指數(shù)的晶向是重合的，即倒易矢量ghki是與相應(yīng)指數(shù)的晶向hkl平行 某一倒易基矢量垂直于正交點(diǎn)陣中和自己異名的二基矢所成平面。3、用愛(ài)瓦爾德圖解法證明布拉格定律。證：如圖，以入射 X射線的波長(zhǎng)入的倒數(shù)為半徑作一球（厄瓦爾德球），將試樣放在球心 O處，入射線經(jīng)試樣與球相交于 O*;以O(shè)*為倒易原點(diǎn)，若任一倒易點(diǎn)G落在厄瓦爾德球面上， 則G對(duì)應(yīng)的晶面滿足衍射條件產(chǎn)生衍射。令入射方向矢量為 k （k=1/入），衍射方向矢量為 k,衍射矢量為g。則有g(shù) = 2ksin 0。 g=1/d ; k=1/入，2

4、dsin。=入。即厄瓦爾德球圖解與布拉格方程等價(jià)。4、畫(huà)出fcc、bcc晶體的倒易點(diǎn)陣，并標(biāo)出基本適量a , b , c。圖小3面心立方、體口立方正空內(nèi)與倒空向的相互關(guān)系5、何為零層倒易面和晶帶定理？說(shuō)明同一晶帶中各晶面及其倒易矢量與晶帶軸之間的關(guān) 系。答：在倒易點(diǎn)陣中，通過(guò)倒易原點(diǎn)O*且與某一晶帶軸uvw垂直的二維平面稱(chēng)為零層倒易面。 因?yàn)榱銓拥挂酌嫔系牡挂酌嫔系母鞯挂资噶慷己途лSr=uvw垂直，故有 g.r=0即hu+kv+lw=0這就是晶帶定理。6、為何對(duì)稱(chēng)入射時(shí)，即只有倒易點(diǎn)陣原點(diǎn)在愛(ài)瓦爾德球面上，也能得到除中心斑點(diǎn)以外的 一系列衍射斑點(diǎn)？答：如果倒易點(diǎn)是幾何點(diǎn)，那么對(duì)稱(chēng)入射時(shí)就沒(méi)有

5、倒易點(diǎn)落在厄瓦爾德球上。但是，由于電 鏡樣品是薄樣品，倒易點(diǎn)拉長(zhǎng)成倒易桿。倒易桿與厄瓦爾德球相交可以產(chǎn)生衍射。8、舉例說(shuō)明如何用選區(qū)衍射的方法來(lái)確定新相的慣習(xí)面及母相與新相的位向關(guān)系。答：例如分析鋼淬火時(shí)，馬氏體在奧氏體的一定結(jié)晶面上形成的，此面為 慣習(xí)面，它在相變過(guò)程中應(yīng)該保持不變形與不轉(zhuǎn)動(dòng)。由于馬氏體相變時(shí)原子規(guī)則地發(fā)生位移，使新相（馬氏體）和母相之間始終保持一定的 位向關(guān)系。在鐵基合金中由面心立方母相丫變?yōu)轶w心立方（正方）馬氏體M時(shí)具有著名的 K-S關(guān)系：111 丫 / 011M,<01 i> 丫 /<i11>防口西山關(guān)系：111 丫 / 110M , <2

6、11> 丫 / <110>M 慣性面的取向分析：利用透射電鏡測(cè)定慣性面的指數(shù)，其根據(jù)是選區(qū)衍射花樣與選區(qū)內(nèi)組織形貌的微區(qū)對(duì)應(yīng)性。這里特介紹一種最基本、較簡(jiǎn)便的方法。該方法的基本要點(diǎn)為：使用雙傾臺(tái)或旋轉(zhuǎn)臺(tái)傾轉(zhuǎn)樣 品，使慣性面平行于入射束方向， 在此位向下獲得的衍射花樣中將出現(xiàn)該慣性面的衍射斑點(diǎn)。把這個(gè)位向下拍照的形貌像和相應(yīng)的選區(qū)衍射花樣對(duì)照，經(jīng)磁轉(zhuǎn)角校正后，即可確定慣性面的指數(shù)。其具體操作步驟如下：1）利用雙傾臺(tái)傾轉(zhuǎn)樣品，使慣性面處于與入射束平行的方向。2）拍照包含有慣性面的形貌像，以及該視場(chǎng)的選區(qū)電子衍射花樣。3）標(biāo)定選區(qū)電子衍射花樣，經(jīng)磁轉(zhuǎn)角校正后（即確保TEM方式下和S

7、AED方式下，沒(méi)有磁轉(zhuǎn)角差異），將慣性面在形貌像中的跡線（TEM圖像的得邊界線）畫(huà)在衍射花樣中。4）由透射斑點(diǎn)作跡線的垂線，該垂線所通過(guò)的衍射斑點(diǎn)的指數(shù)即為慣性面的指數(shù)。例如：饃基合金中的 片狀一Ni3Nb相常沿著基體（面心立方結(jié)構(gòu)）的某些特定平面生長(zhǎng)。當(dāng) 片狀相表面相對(duì)入射束傾斜一定角度時(shí)，在形貌像中片狀相白投影寬度較大（見(jiàn)圖實(shí)41a）;如果傾斜樣品使片狀相表面逐漸趨近平行于入射束，其在形貌像中的投影寬度將不斷減?。划?dāng)入射束方向與片狀相表面平行時(shí)，片狀相在形貌像中顯示最小的寬度（圖實(shí)41b）。圖實(shí)41c是入射電子束與片狀相表面平行時(shí)拍照的基體衍射花樣。由圖實(shí)41c所示的衍射花樣的標(biāo)定結(jié)果，可

8、以確定片狀相的生長(zhǎng)慣習(xí)面為基體的（111）面。通常習(xí)慣用基體的晶面表示第二相的慣習(xí)面。111,)；4 |,玳：；中J；代R郴1電分和用.&監(jiān)選M %射花” 小#和力國(guó)體中的廿梯用品h； &*1|裊曲干入引上用的招金 r)手悼I 1ft：曲帶柄射在桿母相與新相的位向分析：利用兩相合成的電子衍射花樣的標(biāo)定結(jié)果，可以直接確定兩相間的取向關(guān)系。具體的分析方法是，在衍射花樣中找出兩相平行的倒易矢量，即兩相的這兩個(gè)衍射斑點(diǎn)的連線通過(guò)透射斑點(diǎn)，其所對(duì)應(yīng)的晶面互相平行，由此可獲得兩相間一對(duì)晶面的平行關(guān)系；另外，由兩相衍射花樣的晶帶軸方向互相平行，可以得到兩相間一對(duì)晶向的平行關(guān)系。由圖實(shí)43a給

9、出的兩相合成電子衍射花樣的標(biāo)定結(jié)果可確定兩相的取向關(guān)系：(200)m / (002). 011m /L，。陽(yáng)實(shí)九3想"含金中/相在瓏體中的分布改透區(qū)電干情附花樣1 /年on |H fv fltlb)相的啼照像例如o根據(jù)書(shū)上P176的衍射斑點(diǎn)的結(jié)果，可知馬氏體的晶帶軸是001,奧氏體的晶帶軸是011馬氏體和奧氏體的位向關(guān)系:(1彳1/(1彳0匕； 0111A 001M9、說(shuō)明多晶、單晶及非晶衍射花樣的特征及形成原理。答：多晶體的電子衍射花樣是一系列不同半徑的同心圓環(huán)單晶衍射花樣是由排列得十分整齊的許多斑點(diǎn)所組成的非晶態(tài)物質(zhì)的衍射花樣只有一個(gè)漫散中心斑點(diǎn)單晶花樣是一個(gè)零層二維倒易截面，其

10、倒易點(diǎn)規(guī)則排列， 具有明顯對(duì)稱(chēng)性，且處于二維網(wǎng)絡(luò)的格點(diǎn)上。因此表達(dá)花樣對(duì)稱(chēng)性的基本單元為平行四邊形。單晶電子衍射花樣就是 （uvw） 0零層倒易截面的放大像。多晶試樣可以看成是由許多取向任意的小單晶組成的。故可設(shè)想讓一個(gè)小單晶的倒易點(diǎn)陣?yán)@原點(diǎn)旋轉(zhuǎn)，同一反射面hkl的各等價(jià)倒易點(diǎn)（即（hkl）平面族中各平面）將分布在以1/dhki為半徑的球面上，而不同的反射面，其等價(jià)倒易點(diǎn)將分布在半徑不同的同心球面上， 這些球面與反射球面相截，得到一系列同心園環(huán)，從反射球心向各園環(huán)連線，投影到屏上， 就是多晶電子衍射圖。非晶的原子表現(xiàn)為近程有序，長(zhǎng)程無(wú)序；原子的分布在非常小的范圍內(nèi)有一定的序。由于單個(gè)原子團(tuán)或多

11、面體中原子具有近鄰關(guān)系反映到倒空間也具有對(duì)應(yīng)原子近鄰距離的一個(gè) 或兩個(gè)倒易球面，反射球面與它們相交得到的軌跡都是一個(gè)或兩個(gè)半徑恒定并且以倒易點(diǎn)陣 原點(diǎn)為中心同心圓環(huán)。一、填空題1、電子衍射和 X射線衍射的不同之處在于入射波長(zhǎng)不同、試樣尺寸形狀不同，以及樣品對(duì) 電子和X射線的散射能力不同。2、電子衍射產(chǎn)生的復(fù)雜衍射花樣是高階勞厄斑、超結(jié)構(gòu)斑點(diǎn)、二次衍射、率晶斑點(diǎn)和菊池 3、偏離矢量S的最大值對(duì)應(yīng)倒易枉的長(zhǎng)度，它反映的是0角偏離布拉格方程的程度。4、單晶體衍射花樣標(biāo)定中最重要的一步是確定晶體結(jié)構(gòu)。5、二次衍射可以使密排六方、金剛石結(jié)構(gòu)的花樣中在本該消光的位置又生衍射花樣，但體心立方和面心立方結(jié)構(gòu)的

12、花樣中不會(huì)產(chǎn)生多余衍射。6、倒易矢量的方向是對(duì)應(yīng)正空間晶面的法線；倒易矢量的長(zhǎng)度等于對(duì)應(yīng)晶面間距的倒工7、只要倒易陣點(diǎn)落在厄瓦爾德球面上，就表示該 晶面 滿足 布折格 條件.能產(chǎn)牛 衍射。二、名詞解釋1、偏離矢量s：倒易桿中心至與愛(ài)瓦爾德球面交截點(diǎn)的距離可用矢量s表示，s就是偏離矢量。2、晶帶定律：凡是屬于uvw晶帶的晶面，它的晶面指數(shù) （hkl）都必須符合hu+kv+lw=0 ,通 常把這種關(guān)系式稱(chēng)為晶帶定律。3、相機(jī)常數(shù)：定義K=L入，稱(chēng)相機(jī)常數(shù)，其中 L為鏡筒長(zhǎng)度，入為電子波長(zhǎng)。三、選擇題1、單晶體電子衍射花樣是（ A ）。A.規(guī)則的平行四邊形斑點(diǎn)；B,同心圓環(huán)；C.暈環(huán)；D,不規(guī)則斑點(diǎn)

13、。2、薄片狀晶體的倒易點(diǎn)形狀是（C ）。A.尺寸很小的倒易點(diǎn)；B.尺寸很大的球；C.有一定長(zhǎng)度的倒易桿；D.倒易圓盤(pán)。3、當(dāng)偏離矢量S<0時(shí)，倒易點(diǎn)是在厄瓦爾德球的（ A ）。A.球面外；B.球面上；C.球面內(nèi)；D. B+C。4、能幫助消除180o不唯一性的復(fù)雜衍射花樣是（A ）。A.高階勞厄斑；B.超結(jié)構(gòu)斑點(diǎn)；C.二次衍射斑；D.攣晶斑點(diǎn)。5、 菊池線可以幫助（D ）。A.估計(jì)樣品白厚度；B.確定180o不唯一性；C.鑒別有序固溶體；D.精確測(cè)定晶體 取向。6、如果單晶體衍射花樣是正六邊形，那么晶體結(jié)構(gòu)是（ D ）。A.六方結(jié)構(gòu)；B.立方結(jié)構(gòu)；C.四方結(jié)構(gòu)；D. A或B7、有一倒易矢量

14、為 g* =2a*+2b* +c* ,與它對(duì)應(yīng)的正空間晶面是（ C ）。A. （210）; B. （220）; C. （221）; D. （110）;。四、是非題1、多晶衍射環(huán)和粉末德拜衍射花樣一樣，隨著環(huán)直徑增大，衍射晶面指數(shù)也由低到高。（，）2、單晶衍射花樣中的所有斑點(diǎn)同屬于一個(gè)晶帶。（X）3、偏離矢量S=0時(shí)，衍射斑點(diǎn)最亮。這是因?yàn)镾=0時(shí)是精確滿足布拉格方程，所以衍射強(qiáng)度最大。（V ）4、對(duì)于未知晶體結(jié)構(gòu)，僅憑一張衍射花樣是不能確定其晶體結(jié)構(gòu)的。還要從不同位向拍攝多幅衍射花樣，并根據(jù)材料成分、加工歷史等或結(jié)合其它方法綜合判斷晶體結(jié)構(gòu)。（，）5、電子衍射和X射線衍射一樣必須嚴(yán)格符合布拉格

15、方程。（X）6、倒易矢量能唯一地代表對(duì)應(yīng)的正空間晶面。（，）1、試推導(dǎo)電子衍射的基本公式，并指出L入的物理意五、問(wèn)答題義。解：圖為電子衍射花樣形成原理圖。其中樣品放在愛(ài)瓦爾德球的球心 。處。當(dāng)入射電子束和樣品內(nèi)某一組晶面（h k l ）相遇，并滿足布拉格方程時(shí)，在K，方向產(chǎn)生 衍射束，其中圖中 O,、G，點(diǎn)分別為入射束與衍射束在底片上產(chǎn)生的透射斑點(diǎn)(中心斑點(diǎn))和衍射斑點(diǎn)。 ghki (矢量)是衍射晶面的倒易矢量，其端點(diǎn) o , G位于愛(ài)瓦爾德球面上, 投影G,通過(guò)轉(zhuǎn)換進(jìn)入正空間。;電子束發(fā)散角很小，約 2o-3o,可認(rèn)為 OO G OCO G，,那么矢量 ghkl與矢量k垂直有 R/L= gh

16、ki/k又有 ghkl =1/ dhki k=1/ 入.R=Ldhki = L 入 ghkl又.近似有矢量R/矢量ghkl，上式亦可以寫(xiě)成 R= L入g式就是電子衍射的基本公式式中L入稱(chēng)為電子衍射的相機(jī)常數(shù)(L為相機(jī)長(zhǎng)度)。它是一個(gè)協(xié)調(diào)正空間和倒空間的比 例常數(shù)，也即衍射斑點(diǎn)的R矢量是產(chǎn)生這一斑點(diǎn)的晶面組倒易矢量g按比例L入的放大，L入就是放大倍數(shù)。2、簡(jiǎn)述單晶子電子衍射花樣的標(biāo)定方法。答：通常電子衍射圖的標(biāo)定過(guò)程可分為下列三種情況：(1)、已知相機(jī)常數(shù)和樣品晶體結(jié)構(gòu) 由近及遠(yuǎn)測(cè)定各個(gè)斑點(diǎn)的R值。根據(jù)衍射基本公式 R=ZL/d求出相應(yīng)晶面間距 因?yàn)榫w結(jié)構(gòu)已知，所以可由d值定它們的晶面族指數(shù)h

17、kl測(cè)定各衍射斑之間的甲角決定透射斑最近的兩個(gè)斑點(diǎn)的指數(shù)(hkl) 根據(jù)夾角公式，驗(yàn)算夾角是否與實(shí)測(cè)的吻合，若不，則更換 (hkl)兩個(gè)斑點(diǎn)決定之后，第三個(gè)斑點(diǎn)為R=R+R。 由g1 X g2求得晶帶軸指數(shù)。(2)、相機(jī)常數(shù)未知和樣品晶體結(jié)構(gòu)已知時(shí)衍射花樣標(biāo)定(嘗試是否為立方) 由近及遠(yuǎn)測(cè)定各個(gè)斑點(diǎn)的R值。 計(jì)算R2值，根據(jù)R2 , R22 , R32 - =N1 , N2 , N3關(guān)系，確定是否是某個(gè)立方晶體。有N求對(duì)應(yīng)的hkl。測(cè)定各衍射斑之間的甲角決定透射斑最近的兩個(gè)斑點(diǎn)的指數(shù)（ hkl ） 根據(jù)夾角公式，驗(yàn)算夾角是否與實(shí)測(cè)的吻合，若不，則更換（ hkl ）兩個(gè)斑點(diǎn)決定之后，第三個(gè)斑點(diǎn)為

18、R=R+R。 由giXgz求得晶帶軸指數(shù)。如果不是立方點(diǎn)陣，則晶面族指數(shù)的比值另有規(guī)律。四方晶體已知, 1 d 二.；戶+戶1 標(biāo)十產(chǎn)下=T十d， a1餐嬉二川+上:根據(jù)消光條件，四方晶體！二0的晶面族（即，成01晶曲族）有 研:瑤:國(guó):工朋I：朋標(biāo)眄；=I ：*4：5：8:9：10： 131（2）六方晶體已知八一、- 一/ 4+ 族 + 廬）7Y 3 J +F1 4 （h+ hk + M；二3二廠令3k卜二P,六方晶體，=0的展3面族有a府牌=片:尸/2：二1：347：9：213：16：19：21：三、未知晶體結(jié)構(gòu)，相機(jī)常數(shù)已知時(shí)衍射花樣的標(biāo)定 由近及遠(yuǎn)測(cè)定各個(gè)斑點(diǎn)的R值。根據(jù)衍射基本公式

19、R=?J_/d求出相應(yīng)晶面間距查ASTM#片，找出對(duì)應(yīng)的物相和hkl）指數(shù)確定（hkl）,求晶帶軸指數(shù)。在實(shí)際中常用下下面兩個(gè)方法:（1）、查表標(biāo)定法 在底片上測(cè)量約化四邊形的邊長(zhǎng)R1、R2 R3及夾角，計(jì)算 R2/R1及R3/R1。 用R2/R1、R3/R1及去查倒易點(diǎn)陣平面基本數(shù)據(jù)表（附錄14）。若與表中相應(yīng)數(shù)據(jù)吻合,則可查到倒易面面指數(shù)（或晶帶軸指數(shù)）uvw, A點(diǎn)指數(shù)h1k1l 1及B點(diǎn)指數(shù)h2k2l2。 由R=>L/d式計(jì)算晶面間距，并與 d值表或X射線粉末行T射卡片 PDF（或ASTM上查得 的晶面間距對(duì)比，以核對(duì)物相。（2）、標(biāo)準(zhǔn)花樣對(duì)照法這是一種簡(jiǎn)單易行而又常用的方法。即

20、將實(shí)際觀察、記錄到的衍射花樣直接與標(biāo)準(zhǔn)花樣對(duì)比,（見(jiàn)附錄11）。寫(xiě)出斑點(diǎn)的指數(shù)并確定晶帶軸的方向。所謂標(biāo)準(zhǔn)花樣就是各種晶體點(diǎn)陣主要晶帶的倒易截 面，它可以根據(jù)晶帶定理和相應(yīng)晶體點(diǎn)陣的消光規(guī)律繪出3下圖為18Cr2Ni4WA經(jīng)900 c油淬后在透射電鏡下攝得的選區(qū)電子衍射花樣示意圖，衍射 花樣中有馬氏體和奧氏體兩套斑點(diǎn)，請(qǐng)對(duì)其指數(shù)斑點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)定。衍射花樣拆分為馬氏體和奧 氏體兩套斑點(diǎn)的示意圖Ri=10.2mm,R=10.2mmR=14.4mm ,R和R間夾角為90L 入=2.05mm?nmR3=16.8mm,1和R間夾角為70° ,解答：(1)、馬氏體標(biāo)定嘗試校核法：選約化四邊形如上圖：

21、R=10.2mm, R=10.2mm, R=14.4mm,中=90° ,計(jì)算邊長(zhǎng)比為R/Ri=10.2/10.2=1r/R1=14.4/10.2=1.412_2_2_22_ _R : R3 =10.2 :14.4 =2:3.9862 2:4h1kli1 h2k2l2可能為110中一種(110),(彳10),(1彳0),(1彳0),(011),(0彳1),(01彳),(0彳彳), (101),(彳01),(10彳),(彳0彳) h3k3l3可能為200中一種 (200), (020), (002),(200),(020), (002)cos-一十卜水2+11128s(h2 k12 1；

22、)(得 k2 1；)嘗試hk111為(110),卜2卜212可能為(彳10),(1彳0),相對(duì)應(yīng)h3k1可能為(020), (20。,這些都符合 角度的要求。這說(shuō)明標(biāo)定不唯一性。查表法(P304):附錄14鋼中相的電子衍射花樣標(biāo)定用數(shù)據(jù)表備表中網(wǎng)為中心賽至最鄰近晶面斑點(diǎn)加L之間的距寓，叫為第二鄰近班點(diǎn) 均七口至中心琥之間的距離，七？后口 0為拈和 品之司的央珀，也就是（屁去小）和 （凱心辦）品面之間的夾角，山、心分別為其即和（七八為）晶面的囿間距0 f的1為 （初露山）和（電感0所屬晶帶軸的方向.它和入射電F柬方的R重合口（。馬氏體（體心立方晶系）No,叫叫0Mh4壇k由uwLOOOO90,0

23、00Jjc工超6-102,035 600L21.C00060.00-1Q2.H6 6-1012.0366J11a1,224 7114.20D1.433 0-12-1i.mo01241.291 075.037I-211.170 030-1，就6 32351.414 290.000UTI2.026 6200L433 00Iib1.581 JW.IKX)20Q1.433 0O3-1.906 3Cl!371.732173.221一I02,86 6-2-L1i. mo11381-8708105.50120C1.433 0_ I3-2,7ffi 0Q2392J21 3103.5232001.433 0J

24、141,575 50141ft2.449 590,000 1I02.026 6-2-22.©7 3112113,00090.00Q0-1I2.026 64-1-13 522124.123 I9Ck(KAq 102.026 6-374.491 5223已知馬氏體為體心立方點(diǎn)陣，故可查體心立方倒易點(diǎn)陣平面基本數(shù)據(jù)表，在表中找到比較相近的比值和夾角，從而查得uvw=001hikil 1=110, h2k2l2=-110故R點(diǎn)標(biāo)為110,的點(diǎn)標(biāo)為-110, R點(diǎn)按下式標(biāo)定：h3=h2+h1=1-1=0k3=k2+k1=1+1=2l 3=l 2 + l 1 = 0+0 = 0故R點(diǎn)標(biāo)為020核

25、對(duì)物相已知L入=2.05mm- nm,所以RRR計(jì)算值di=LX /Ri0.200980.14236卡片值di( a -Fe)0.202690.14332hkl110200a -Fe由卡片查得，兩者相符。 標(biāo)準(zhǔn)花樣對(duì)照法（P294）:2 30 2ZD? XJ io310樓 4 學(xué) I00r（2）殘余奧氏體的標(biāo)定 在底片上，取四邊形如上圖，得R=10.0mm, R=10.0mm5 R=16.8mm,不是短對(duì)角線。=70° 。計(jì)算di、對(duì)照卡片di,找出hkl;已知L入=2.05mm- nm,所以RRRR計(jì)算值di=LX /Ri0.20500.20500.122卡片值di（ 丫 -Fe）

26、0.20700.20700.126hkl111111022標(biāo)定一套指數(shù)從111中任取11-1作為R點(diǎn)指數(shù)列出111中各個(gè)等價(jià)指數(shù)，共 8 個(gè)，即 111, 11-1 , 1-11 , -111 , 1-1-1 , -11-1 , -1-11 , -1-1-1 。由于其他七個(gè)指數(shù)和11-1的夾角都是70.53 ° ,與實(shí)測(cè)70°相符?？梢詮闹腥芜x一個(gè)的指數(shù)為-11-1作為R。由矢量疊加原理，R點(diǎn)的指數(shù)分別為02-2。確定uvwuvw=g 1Xg2,求得uvw=011查表法（P304）:（二）奧氏體（而心立方晶系）No.危/用hdh*2(2小ULWj11.000090,0092

27、00L辿5020L7器500111.000 060,0002-201.第 2520-21.應(yīng)5113L000070. 529112.061 7-11-12.061 70114L581 171,565022L2625- 420, 758 512251用3 090,0001i- 12.051 7-2101.262511261.658 382 45120L7S5513-1,076 70137L732 173,2212-20L262542-272S911382.121 376,3672-201,262542-4,595 22239盤(pán) 236 190,0002仆Q1,7X5 504-2一 798 501

28、2102.516682,璐1112.061 7-331.819 2123111(505 690.0002(101.785 50b-4、的5 2023124.123 190,000200L785 508-2.433(10144、下圖為18Cr2Ni4WA經(jīng)900c油淬400c回火后在透射電鏡下攝得的滲碳體選區(qū)電子衍射花樣示意圖，請(qǐng)對(duì)其指數(shù)斑點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)定。R1=9.8mm, R2=10.0mm, =95° , L 入=2.05mm?nm1 一 . . 1斛：由 R = L*l 得d =1九三 得 d1=0.209nm, d2=0.205nm,查表法（P305）:、I 口諼磁體（正交晶系）及

29、 s/Ri0精X小電k&wt _11.015 295,120. 1-212.10652_ 102.0667.12521.075 3薩,336-1113.(E2 iu-122.S1<I43213L.ORI 之0J14.061 6IDk I175ti4IIA1.113 790.000-1004.523-l0-114.06! 601151J18 087,7L5:1-5.022 1-102I2316曲姻-1303.3M7J1!3.儂】IT1.124990.000)-105.懶31004-. 523 400181.202?ni.sM11C3.3S0 700 122.810422I91.24

30、3 0KI7.7M1G13JX4-3 m IoJ1查表得：（h kl 1）為（-1-2 1 ）（h2k21 2）為（2 -1 0 ）又R 尾，可確定最近的衍射斑點(diǎn)指數(shù)為（h*1l 1）即（-1 -2 1 ）第二個(gè)斑點(diǎn)指數(shù)為（2 -1 0 ）,又由R1+R2=R3得h3=h1+h2,k3=k1+k2,l3=l1+l2得第三個(gè)斑點(diǎn)指數(shù)為（1-3 1 ）5、產(chǎn)生電子衍射的必要條件與充分條件是什么？答：產(chǎn)生電子衍射的充分條件是Fhki w 0,產(chǎn)生電子衍射必要條件是滿足或基本滿足布拉格方程2d舐10二黑6、為什么說(shuō)從衍射觀點(diǎn)看有些倒易點(diǎn)陣也是衍射點(diǎn)陣，其倒易點(diǎn)不是幾何點(diǎn)？其形狀和所具有的強(qiáng)度取決于哪些因素，在實(shí)際上有和重要意義？答：倒易點(diǎn)陣中的一個(gè)點(diǎn)代表的是正點(diǎn)陣中的一組晶面。衍射點(diǎn)陣是那些能產(chǎn)生衍射（去掉結(jié)構(gòu)消光）的倒易點(diǎn)陣。衍射點(diǎn)陣中倒易點(diǎn)不是幾何點(diǎn)，其形狀和強(qiáng)度取決于晶體形狀和倒易體與厄瓦爾德球相交的位置。根據(jù)衍射花樣可以推測(cè)晶體形態(tài)或缺陷類(lèi)型以及衍射偏離布 拉格角的程度。7、為什么TEM既能選區(qū)成像又能選區(qū)衍射？怎樣才能做到兩者所選區(qū)域的一致性。在實(shí)際 應(yīng)用方面有何重要意義？答TEM成像系統(tǒng)主要是由物鏡，中間鏡和投影鏡組成。如