多孔硅電容變化規(guī)律及相關(guān)探測(cè)器研究

1、多孔硅電容變化規(guī)律及相關(guān)探測(cè)器研究探索Research of Porous silicon capacitance detector 目 錄摘 要IAbstract.II第一章引 言11.1研究背景11.2選題的目的及意義11.3本文的組織結(jié)構(gòu)2第二章多孔硅的制備32.1多孔硅的分類32.2多孔硅的制成32.3多孔硅的性質(zhì)4第三章多孔硅的濕敏傳感器原理53.1濕敏傳感器研究現(xiàn)狀53.2多孔硅濕度傳感器的感濕機(jī)理53.3多孔硅濕度傳感器的應(yīng)用前景6第四章實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及數(shù)據(jù)分析84.1多孔硅的制備8準(zhǔn)備工作9實(shí)驗(yàn)104.2多孔硅濕敏特性測(cè)試134.3數(shù)據(jù)整合與分析14第五章結(jié)論及展望16參考文獻(xiàn)17致

2、 謝18摘要打印電子學(xué)中，運(yùn)用噴墨打印機(jī)直接打出邏輯電路，即一個(gè)智能化的結(jié)構(gòu)。在電路中摻入不一樣的半導(dǎo)體材料就可以實(shí)現(xiàn)各種不同的功能，本文就是在叉指電容中摻入多孔硅制成簡(jiǎn)易的濕敏電容，從而形成一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，可用于大規(guī)模生產(chǎn)的器件。在潮濕環(huán)境中多孔硅層的微孔對(duì)水分子的吸附可改變其介電常數(shù)和導(dǎo)電性能。為了解釋變化介電常數(shù)的PS層和為優(yōu)化結(jié)構(gòu)提供理論依據(jù)，我們應(yīng)用陽極氧化技術(shù)在單晶硅上生長(zhǎng)一層多孔硅薄膜，將薄膜剝離，將多孔硅粉末填入叉指電容，制成二端結(jié)構(gòu)的敏感元件。在不同濕度環(huán)境下，測(cè)出其電容值，得到多孔硅RH-C濕度特性曲線。以便于將多孔硅濕敏電容用在打印電子學(xué)中。關(guān)鍵詞：打印電子學(xué)，多孔

3、硅，濕敏，電容傳感器，RH-C曲線Abstract Printed electronics, the use of ink-jet printer directly hit logic circuit, that is, an intelligent structure. Incorporation in the different circuits and semiconductor materials can achive a variety of functions, this article is the incorporation of interdigital capacitor

4、made of porous silicon capacitive humidity and easy to form a simple structure, low cost, can be used to large-scale production of the device.PS layer undergoes a change in its dielectric constant and conductivity when exposed to humid atmosphere owing to the adsorption of the water vapour molecules

5、 in its micropores. Thus, PS humidity sensor has been studied either by monitoring the change in capacitance or conductance of the PS layer under humidity exposure. In order to explain the change in dielectric constant of PS layer and provide a theoretical basis for optimising the structure of the c

6、apacitive sensor, Application of anodic oxidation technology in the single crystal silicon layer grown on porous silicon thin film, spined-off the film, filled in the capacitor, making a sensitive component of two-terminal structure . In different circumstances, its capacitance value measured by por

7、ous silicon humidity RH-C curve.Key Words: Printed electronics, porous silicon, humidity ,capacitive sensor, RH-C curve第一章 引 言1.1 研究背景自1956年A.Uhlir 1用陽極腐蝕作硅片的電化學(xué)拋光工藝開始，多孔硅的研究就一直有所報(bào)道，但直到七十年代中期，由于氧化多孔硅可作為集成電路的介質(zhì)隔離工藝才真正被廣泛研究。由于多孔硅的多孔特點(diǎn)，除了在SOI材料的應(yīng)用外，八十年代，多孔硅還被用于制作無應(yīng)力的氮化硅氮氧化硅膜、SiC半導(dǎo)體、隱埋導(dǎo)電區(qū)、氣濕敏傳感器、表面微機(jī)械加工

8、技術(shù)的犧牲層、場(chǎng)發(fā)射陰極等。l990年，Canham2關(guān)于多孔硅可以在近紅外和可見區(qū)輻射強(qiáng)烈的熒光的報(bào)道為硅在光電子領(lǐng)域開辟了比過去所想象的遠(yuǎn)為廣泛和重要的應(yīng)用可能，多孔硅的研究已成為近年微電子學(xué)和光電子學(xué)領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一。多孔硅在微電子學(xué)、微機(jī)械加工、光電子學(xué)、真空微電子學(xué)中的應(yīng)用廣泛。我國(guó)已經(jīng)開展的工作主要是在SOI器件和發(fā)光器件方面。由于多孔硅制備工藝簡(jiǎn)單，開拓其它方面的應(yīng)用是很有必要的。同時(shí)，多孔硅的線度可以控制在nm范圍，研究其物理特征，對(duì)納米電子學(xué)有深遠(yuǎn)的意義。1.2 選題的目的及意義當(dāng)今，以能源、信息和材料為三大支柱的新技術(shù)革命，已在世界范圍內(nèi)蓬勃興起。人類社會(huì)已邁進(jìn)信息化時(shí)代，因

9、而信息技術(shù)對(duì)社會(huì)發(fā)展、科技進(jìn)步將起決定性作用?，F(xiàn)代信息技術(shù)的基礎(chǔ)是信息的采集、傳輸與處理，即傳感器技術(shù)、通信技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)。而作為現(xiàn)代信息技術(shù)三大核心技術(shù)之一的傳感器技術(shù)處于信息采集系統(tǒng)的前端，它的性能如何將直接影響整個(gè)系統(tǒng)的工作狀態(tài)與質(zhì)量。因此，近十多年來，人們對(duì)傳感器在信息社會(huì)中的重要性又有新的認(rèn)識(shí)與評(píng)價(jià)?！皼]有傳感技術(shù)就沒有現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)”的觀點(diǎn)現(xiàn)在已為全世界所公認(rèn)?？茖W(xué)技術(shù)越發(fā)達(dá)，自動(dòng)化技術(shù)越高，對(duì)傳感器依賴性就越大。所以，國(guó)內(nèi)外都將傳感器技術(shù)列為重點(diǎn)發(fā)展的高技術(shù)，倍加重視。在注重節(jié)約能源，降低耗資，電路集成度提高的現(xiàn)在，怎么去減低傳感器的制作成本顯得至關(guān)重要，因此聯(lián)想到了打印電子學(xué)這

10、個(gè)概念，用噴墨打印的方式將邏輯電路直接打印出來，是一種簡(jiǎn)易智能化的結(jié)構(gòu)。利用打印出來的叉指電容電極結(jié)構(gòu)，在內(nèi)分布多孔硅則可制成一種簡(jiǎn)單的濕敏電容。多孔硅具有驚人的比表面積（700m2/g）3,4,以及許多有價(jià)值的物理性質(zhì)。由于多孔硅的多孔性，氣體進(jìn)人多孔硅會(huì)改變其介電常數(shù)。借助這一原理可以用多孔硅作氣敏、濕敏傳感器和離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ISFET)。 作為一種新型的濕度傳感器，多孔硅濕度傳感器具有靈敏度高、響應(yīng)速度快、重復(fù)性好、耐高溫、低溫能力強(qiáng)、易于集成等優(yōu)點(diǎn)。關(guān)于選題的目的和意義，首先從技術(shù)創(chuàng)新角度來講，多孔硅濕敏傳感器的敏感材料是一種新型的納米材料，由于納米材料粒徑小，比表面積大，活性

11、強(qiáng)，在敏感性能上有很多優(yōu)點(diǎn)。其次從科學(xué)層次面來講，多孔硅傳感器的研究是現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的重要技術(shù)基礎(chǔ)之一，起著先導(dǎo)的作用，最后也是最重要的就是從應(yīng)用領(lǐng)域來講，開展多孔硅電容傳感器研究，充分利用多孔硅的諸多性能，給打印電子學(xué)提供了另一個(gè)應(yīng)用的方向及簡(jiǎn)易濕敏傳感器。由此可見，研制開發(fā)新型的多孔硅電容濕敏傳感器具有十分重要的意義。1.3 本文的組織結(jié)構(gòu)多孔硅電容的性質(zhì)主要是由多孔硅材料的濕敏特性決定的，論文主要陳述的首先就是多孔硅的制備原理和過程，然后是多孔硅濕敏電容傳感器的感濕機(jī)理，最后便是我們實(shí)驗(yàn)的具體流程和電容傳感器的性能測(cè)試，附上測(cè)試結(jié)果和數(shù)據(jù)分析。第二章主要說明了多孔硅的基礎(chǔ)知識(shí)，對(duì)多孔硅

12、作為一種材料的初步認(rèn)識(shí)，第三章則主要陳述了多孔硅應(yīng)用于濕敏傳感器的原理和應(yīng)用前景，第四章則是我實(shí)驗(yàn)的內(nèi)容，以測(cè)出不同濕度下多孔硅電容的變化為目的所進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)過程極其結(jié)果分析。最后一章是本文的總結(jié)內(nèi)容，提出優(yōu)化方案和實(shí)驗(yàn)中一些問題的解決方法。第二章 多孔硅的制備2.1 多孔硅的分類根據(jù)IUPAC（International Union of Pure and Applied Chemistry,國(guó)際理論與應(yīng)用化學(xué)聯(lián)合會(huì)）對(duì)多孔材料的分類標(biāo)準(zhǔn)，多孔硅按照孔的大小分為宏多孔硅（macro porous silicon）、中孔多孔硅（meso porous silicon）和微孔多孔硅（micro p

13、orous silicon）三種。IUPAC classification of porous materialsDominant pore width(nm)Type of materials2Micro porous2-50Meso porous>50Macro porous2.2 多孔硅的制成多孔硅是孔狀生長(zhǎng)的。要對(duì)此作出解釋需考慮下述三個(gè)方面：硅表面的初始凹坑產(chǎn)生的原因，孔尖易被腐蝕及多孔硅壁不易腐蝕的原因。目前，已有較多的模型來描述多孔硅的生長(zhǎng)。被大家所認(rèn)可的相互獨(dú)立的模型有三種：(I)Beale模型，(2)擴(kuò)散限制模型，(3)量子力學(xué)模型。其余的模型均是在這三種模型的基礎(chǔ)上加

14、以補(bǔ)充而成的。(1) Beale模型M.Beale5等通過用TEM研究制備條件的改變對(duì)多孔硅微結(jié)構(gòu)的影響，提出材料中只有陽極氧化電流流經(jīng)處的硅才會(huì)被溶解。在陽極氧化開始時(shí)，半導(dǎo)體與電解液交界區(qū)的不均勻性導(dǎo)致電流流動(dòng)的局域性，并由此產(chǎn)生了初始的孔?？组g半導(dǎo)體的電阻率比電解液和體硅的電阻率高得多，這樣電流優(yōu)先流經(jīng)孔中的電解液，從而導(dǎo)致電化學(xué)腐蝕反應(yīng)主要發(fā)生在孔底。(2)限制擴(kuò)散模型6等的限制擴(kuò)散模型是基于標(biāo)準(zhǔn)的擴(kuò)散物理而構(gòu)成的。即引入有限的和可變的擴(kuò)散長(zhǎng)度，使限制擴(kuò)散聚集模型可以研究擴(kuò)散粒子的隨機(jī)行走。對(duì)于多孔硅的形成過程，R.L.Smith等認(rèn)為“擴(kuò)散粒子”是硅中的電子或空穴(空穴擴(kuò)散的硅的表面

15、，對(duì)應(yīng)于電子離開硅的表面)與表面的硅原子發(fā)生氧化反應(yīng)，并指出孔底部是體硅中空穴最易擴(kuò)散到的位置，以此解釋了多孔硅腐蝕的方向性。(3)量子模型B.Lehmann7等提出了量子模型，即由于量子效應(yīng)引起的硅能隙的加大，減小了硅中游離電荷的濃度并產(chǎn)生了類似于Beale模型中的耗盡層，這樣仿照Beale模型解釋孔的形成。2.3 多孔硅的性質(zhì) 目前多孔硅的應(yīng)用研究領(lǐng)域有三個(gè)方向：光電子器件、傳感器件和光學(xué)器件。多孔硅的性質(zhì)非常多，在光電子中運(yùn)用到的電致發(fā)光效率，折射率的可調(diào)性，熱載流子發(fā)射和非線性的性質(zhì)等。而在微光學(xué)中運(yùn)用到其折射率的調(diào)制，整齊的大孔隙陣列和高度的非線性特征。多孔硅的低反射系數(shù)是在能量轉(zhuǎn)換

16、中可用作抗反射涂層的根據(jù)。這里我們主要講在微電子學(xué)中所應(yīng)用到得性質(zhì)，因?yàn)槠浯蟮谋缺砻娣e，所以多孔硅很適合做微型電容的原材料，它的多孔特征也為其物理作用提供了基礎(chǔ)，在我們所要研究的多孔硅電容探測(cè)器中就是應(yīng)用了多孔硅對(duì)水的吸附特性改變結(jié)構(gòu)的介電常數(shù)來達(dá)到電容大小變化的效果。第三章 多孔硅的濕敏傳感器原理3.1 濕敏傳感器研究現(xiàn)狀濕度傳感器是基于其功能材料能發(fā)生與濕度有關(guān)的物理效應(yīng)或化學(xué)效應(yīng)的基礎(chǔ)上制造的，它具有可將濕度物理量轉(zhuǎn)換成可測(cè)量的電訊號(hào)的功能。這些功能可以通過與濕度有關(guān)的電阻值或電容值的變化、長(zhǎng)度或體積的膨脹，以及結(jié)型器件或MOS器件的某些電參數(shù)的變化來得到實(shí)現(xiàn)。目前濕度傳感器的品種繁多，

17、但就其所使用的感濕材料而言，主要有電解質(zhì)和高分子化合物感濕材料、半導(dǎo)體陶瓷材料以及元素半導(dǎo)體和多孔金屬氧化物半導(dǎo)體材料等。電解質(zhì)濕度傳感器具有測(cè)量范圍窄、可重復(fù)性差、使用壽命短等缺點(diǎn)；高分子化合物濕度傳感器具有感濕性好、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)，但在高溫和高濕條件下性能變差、穩(wěn)定性差、抗腐蝕和抗沾污能力差；半導(dǎo)體陶瓷材料濕度傳感器具有感濕性能較好、生產(chǎn)簡(jiǎn)單、成本低、響應(yīng)時(shí)間短、可加熱清洗等優(yōu)點(diǎn)，但準(zhǔn)確度較低，高溫下性能差，難以集成化；多孔氧化物濕度傳感器具有響應(yīng)速度快、化學(xué)穩(wěn)定性好、承受高溫和低溫能力強(qiáng)，以及可集成化等優(yōu)點(diǎn)。3.2 多孔硅濕度傳感器的感濕機(jī)理多孔硅以硅為襯底，與硅集成電路兼容，又因其多孔

18、結(jié)構(gòu)和很大的比表面積而成為濕敏元件的理想材料。大多數(shù)研究認(rèn)為多孔硅的感濕機(jī)理屬于多孔介質(zhì)對(duì)水分子的吸附，一般分為物理吸附和化學(xué)吸附。水是強(qiáng)極性分子，多孔膜處于一定的適度環(huán)境下，多空造成很大的比表面積，孔越多，比表面積越大，表面的自由力場(chǎng)越強(qiáng)，吸附的水分子就越多，這是物理吸附。與此同時(shí)，還存在著化學(xué)吸附，吸附了水分子的孔壁表面出現(xiàn)負(fù)空間電荷層，為了平衡這種負(fù)電荷性，表面的空穴濃度增加，從而其電阻率隨濕度的增加而減少。因?yàn)樗慕殡姵?shù)比硅大得多，故多孔層的介電常數(shù)隨濕度的升高而增大。本實(shí)驗(yàn)我們多考慮物理吸附。 電容式濕敏元件的等效電路圖圖中，Csio2為多孔硅的電容，CH2O為水膜的電容。Csio

19、2=sio2oCo（1）CH2O=H2OoCo（2）式中Co是由結(jié)構(gòu)決定的電容量，sio2、o、H2O為介電常數(shù)，CPS=Csio2+CH2O因?yàn)镾iO2的介電常數(shù)是4.5，水的介電常數(shù)為81，故多孔硅吸濕后介電常數(shù)變大，電容變大。研究表明：水在二氧化硅表面的吸附基本上是物理吸附，介電常數(shù)是吸附水的表面覆蓋度的函數(shù)，直至單層吸附完成，介電常數(shù)幾乎是個(gè)常數(shù)，因此，在低濕區(qū)當(dāng)環(huán)境濕度增大時(shí)，多孔硅的電容值只能緩慢增大。多層吸附一開始，介電常數(shù)急劇增大，這時(shí)多孔硅的電容值隨環(huán)境濕度的增大而急劇增大，呈線性規(guī)律。在高濕區(qū)元件吸附水的表面覆蓋度接近飽和，介電常數(shù)再次趨近一個(gè)常數(shù)，元件電容只可能緩慢上升。

20、3.3 多孔硅濕度傳感器的應(yīng)用前景濕度傳感器廣泛應(yīng)用于軍事、氣象、農(nóng)業(yè)、工業(yè)（特別是紡織、電子、食品工業(yè)）、醫(yī)療、建筑以及家用電器等方面需要對(duì)濕度監(jiān)測(cè)、控制與報(bào)警的各種場(chǎng)合，如空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)和倉(cāng)庫(kù)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)等。對(duì)濕度監(jiān)測(cè)、控制的需要以及對(duì)濕度傳感器的集成化、多功能化和智能化的要求，都在不斷促進(jìn)對(duì)濕度傳感器的研究發(fā)展?？茖W(xué)技術(shù)的發(fā)展對(duì)多孔硅濕度傳感器的性能提出了新的要求：穩(wěn)定性強(qiáng)，抗沾污能力強(qiáng)，使用壽命長(zhǎng)，可進(jìn)行實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)測(cè)量，多功能化和智能化等。目前可望通過對(duì)制備多孔硅的硅材料的選擇，多孔硅制備工藝的改進(jìn)，后處理技術(shù)的完善，以及微機(jī)械加工技術(shù)的合理應(yīng)用等，來進(jìn)一步提高多孔硅濕度傳感器的綜合性能指標(biāo)。

21、而在本實(shí)驗(yàn)的目的可以看出，我們做出的多孔硅主要應(yīng)用于打印電子學(xué)中濕敏傳感器的制作，具有較大的應(yīng)用和集成前景。第四章 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及數(shù)據(jù)分析4.1 多孔硅的制備制備多孔硅的方法有兩種，一種是用硅在HF系統(tǒng)中的陽極腐蝕 ；另一種是在HF+HNO3系統(tǒng)中純碎的化學(xué)腐蝕。在本實(shí)驗(yàn)中，我們使用的是陽極腐蝕，實(shí)驗(yàn)裝置如圖所示， 制備多孔硅過程中的化學(xué)反應(yīng)電化學(xué)陽極腐蝕過程中的化學(xué)反應(yīng)普遍接受的電化學(xué)陽極腐蝕的原理如下:腐蝕液中的水發(fā)生離解反應(yīng):H2O = H+(OH)-在硅片陽極處:空穴從硅片體內(nèi)被輸送到硅一腐蝕液界面，硅表面的原子升高到較高的氧化態(tài):Si+ 2h+-Si2+Si2+ 和( OH )-結(jié)合，再

22、分解:Si2+2(OH)-Si(OH)2-SiO2+H2總反應(yīng)式是:Si+ 2h + 2H20-SiO2+2H+ +H2外接電池為陽極反應(yīng)提供必要的空穴，以維持氧化反應(yīng)能夠維持進(jìn)行下去。由于HF酸的存在，Si02與HF酸發(fā)生反應(yīng):Si02+6HF=H2SiF6+2H20覆蓋于表面的Si02被迅速溶解，從而保證硅表面與溶液的充分接觸。H+漂移到陰極,在陰極和電子結(jié)合后放出H2:2H+ +2e-2H2從上述的反應(yīng)來看，陽極腐蝕要求空穴從硅的體內(nèi)輸送到表面，對(duì)于P型硅，由于硅本身就存在空穴，所以空穴的輸運(yùn)過程比較簡(jiǎn)單。在陽極腐蝕中，硅和腐蝕液之間的電勢(shì)差是硅中的空穴和腐蝕液中的(OH)-移向硅一腐蝕

23、液界面，P型硅也就容易進(jìn)行陽極腐蝕。對(duì)于N型硅，由于空穴是少數(shù)載流子，情況則與P型硅不同。研究表明;硅表面的空穴是由于表面擊穿產(chǎn)生的。由于摻雜濃度越高，擊穿電壓越低，所以重?fù)诫s的硅容易進(jìn)行腐蝕。4.1.1 準(zhǔn)備工作實(shí)驗(yàn)前，先將室溫控制在20，室內(nèi)保持干凈，環(huán)境相對(duì)濕度盡量保持恒定，把實(shí)驗(yàn)所用的容器用去離子水洗干凈并干燥保存。接下來對(duì)待用單晶硅進(jìn)行預(yù)處理，包括測(cè)試劃片、清洗、烘干和干燥保存。這是非常關(guān)鍵的一道工序，因?yàn)閱尉Ч桀A(yù)處理的好壞直接影響到實(shí)驗(yàn)的效果。其步驟為:1測(cè)試劃片。經(jīng)測(cè)試將單晶硅片劃成1cmx1cm的小片待用。2清洗。先用去離子水沖洗硅片;然后將硅片浸泡在異丙酮溶液中，進(jìn)行超聲清洗

24、20min，以去除硅片上的有機(jī)雜質(zhì)；最后再將硅片浸泡在去離子水中，進(jìn)行超聲清洗20min，目的是為了取出殘留在硅片上的異丙酮溶液。1.1 3. 烘干和干燥保存。將清洗好的硅片烘干后放入干燥、潔凈的培養(yǎng)皿中，以備實(shí)驗(yàn)所用。4.1.2 實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)中我們使用的是P型Si襯，電解質(zhì)溶液是40%的HF酸，陽極為硅襯，鋁電極與硅為背面接觸，陰極為惰性金屬鉑（Pt），實(shí)驗(yàn)在-20左右的環(huán)境中進(jìn)行，應(yīng)用陽極氧化技術(shù)在單晶硅上生長(zhǎng)一層多孔硅薄膜。實(shí)驗(yàn)裝置圖如圖所示Labview模擬一個(gè)電路控制電流密度，外接轉(zhuǎn)換電路如圖所示兩個(gè)繼電器，一個(gè)三極管，75歐姆的電阻作為負(fù)載，限制電壓為5伏。電路控制桌面如圖所示，電流大

25、小和刻蝕時(shí)間控制多孔硅的刻蝕深度和孔度。以此圖為例，時(shí)間設(shè)置為600second即10分鐘，用50mA/cm2電流連續(xù)刻蝕10分鐘，刻蝕過程以文本文檔的格式存在桌面設(shè)置好的文件中。電容就可以根據(jù)電流密度大小乘以接觸表面積再乘以電阻大小，其結(jié)果加上三極管中一個(gè)PN結(jié)的導(dǎo)通電壓的大?。ㄒ话銥?.7V）即可。注意這里的電路的容限電壓是5V，所以在電壓超過5v時(shí)，要通過更換更小的電阻來保護(hù)電路。我們的實(shí)驗(yàn)在電流密度分別選擇了每平方厘米20mA,50mA,70mA,分別刻蝕10分鐘，20分鐘，每一種樣品做兩份。樣品的有效表面積為直徑是1cm的圓面積，根據(jù)電流和時(shí)間改變上圖空白處的數(shù)據(jù)達(dá)到所需要的控制效果

26、。樣品制得時(shí)一般呈金屬光澤，將表面烘干，分別置于不同的濕度環(huán)境中4.2 多孔硅濕敏特性測(cè)試傳統(tǒng)的叉指電容如上圖所示，底板是硅片，制作成本較高。打印電極跟上圖的外在形態(tài)是一樣的，只是它用的是噴墨打印機(jī)將電極電路打印出來，減少了諸多工序和操作步驟，大大降低了成本。實(shí)驗(yàn)的測(cè)量是采用下圖的銅片叉指電容：在黑色部分分布些許多孔硅，作為感濕材料，制成感濕器件。測(cè)試兩電極間的電容值大小。4.3 數(shù)據(jù)整合與分析一樣的樣品我們進(jìn)行了三次測(cè)量，統(tǒng)計(jì)出數(shù)據(jù)，作出RH-C曲線First timerelative humidity (%RH)50708090capacitance (pF)2.0412.0782.0942.146Second timerelative humidity (%RH)60708090capacitance (pF)2.0412.0762.0972.140Third timerelative humidity (%RH)4050607080capacitance (pF)2.0332.0522.0642.0802.1025 °C, DC0.1 pF, DC/C5% 第五章 結(jié)論及展望由上章實(shí)驗(yàn)所得的RH-C圖可知：隨著相對(duì)濕度的增加，多孔硅電容不斷變大