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文檔簡(jiǎn)介
1、2014-2015-2電子材料復(fù)習(xí)提綱1. 平衡載流子/非平衡載流子平衡載流子:在特定溫度下,由熱激發(fā)形成的載流子的產(chǎn)生和復(fù)合兩個(gè)過(guò)程建立起動(dòng)態(tài)平衡,這種情況下的載流子稱(chēng)為平衡載流子;非平衡載流子:當(dāng)半導(dǎo)體吸收光子后,導(dǎo)致導(dǎo)帶中的電子數(shù)和價(jià)帶中的空穴數(shù)增加,這部分載流子稱(chēng)為非平衡載流子。2. 輻射性復(fù)合/非輻射性復(fù)合輻射性復(fù)合:導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴復(fù)合時(shí)以光子的形式釋放能量;非輻射性復(fù)合:導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴復(fù)合時(shí)以聲子的形式釋放能量;3. 功能電子材料/結(jié)構(gòu)電子材料功能電子材料:除強(qiáng)度性能外,還有其他特殊功能,或能實(shí)現(xiàn)光,電,磁,熱,力等不同形式的交互作用和轉(zhuǎn)換的非結(jié)構(gòu)材料;結(jié)構(gòu)
2、電子材料:能承受一定壓力和重力,并能保持尺寸和大部分力學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的一類(lèi)材料;4. 玻璃鍵合/氧化物鍵合玻璃鍵合:把厚膜導(dǎo)電材料中配以一定的玻璃,通過(guò)離子的相互滲透作用使它與基片表面形成健合,這種鍵合類(lèi)型成為玻璃鍵合;氧化物鍵合:在厚膜漿料的配料中加入金屬氧化物,通過(guò)金屬氧化物與基片表面形成的鍵合;5. 負(fù)溫度系數(shù)(NTC)熱敏材料/正溫度系數(shù)(PTC)熱敏材料/臨界溫度電阻熱敏材料負(fù)溫度系數(shù)(NTC)熱敏材料:電阻率隨溫度升高而下降的材料稱(chēng)為負(fù)溫度系數(shù)(NTC)熱敏材料;正溫度系數(shù)(PTC)熱敏材料:電阻率隨溫度升高而升高的材料稱(chēng)為正溫度系數(shù)(PTC)熱敏材料/臨界溫度電阻熱敏材料;臨界溫度電
3、阻熱敏材料:具有突變電阻溫度特性曲線的材料;6. 跳躍電導(dǎo)跳躍電導(dǎo):電子傳導(dǎo)時(shí),傳導(dǎo)的電子不進(jìn)入導(dǎo)帶,而是在禁帶內(nèi)的一些能級(jí)間跳躍,這種電導(dǎo)稱(chēng)為跳躍電導(dǎo);7. 極化子(導(dǎo)電模式)極化子(導(dǎo)電模式):是指載流子在離子晶體中慢速運(yùn)動(dòng)時(shí),載流子與離子之間相互作用而產(chǎn)生極化,并使載流子處于半束縛狀態(tài),這種極化狀態(tài)極化子,相對(duì)應(yīng)的電導(dǎo)稱(chēng)極化子導(dǎo)電機(jī)理;8. 磁敏傳感器SQUID:是指超導(dǎo)量子干涉器;9. 壓敏電壓:是指在厚度為1mm樣品上通過(guò)1mA電流所產(chǎn)生的電壓降,稱(chēng)為壓敏電壓;10. 能寫(xiě)出非化學(xué)計(jì)量化合物的缺陷方程式,并判斷載流子類(lèi)型不等價(jià)取代、氣氛的影響,缺陷反應(yīng)方程式的寫(xiě)法11. NTC半導(dǎo)陶
4、瓷晶體結(jié)構(gòu)反尖晶石和半反尖晶石結(jié)構(gòu);12. 氣敏半導(dǎo)體材料的晶界勢(shì)壘模型(p404)13. ZnO壓敏陶瓷的能帶結(jié)構(gòu)示意圖(p415)14. BaTiO3半導(dǎo)陶瓷PTC效應(yīng)的海望焦克模型的基本觀點(diǎn)在多晶BaTiO3半導(dǎo)陶瓷的晶粒邊界存在一個(gè)由受主表面態(tài)引起的勢(shì)壘層;該勢(shì)壘高度與相對(duì)介電常數(shù)成反比;鐵電補(bǔ)償是決定效應(yīng)的重要因素;在<時(shí),由于電疇存在,極化電荷在垂直晶界方向產(chǎn)生電子通道,補(bǔ)償大約左右的表面電荷,材料呈低電阻;但在>時(shí)鐵電相變順電相,極化電荷消失,材料呈高阻態(tài)15. 金屬導(dǎo)熱的主要機(jī)制;電介質(zhì)材料的熱傳導(dǎo)機(jī)理16. 影響固溶度的因素:1.晶體結(jié)構(gòu);2.離子半徑;3.電價(jià);
5、4.電負(fù)性。17. 晶體中常見(jiàn)的點(diǎn)缺陷和常見(jiàn)的電子缺陷空位,間隙原子,取代;不等價(jià)取代,正負(fù)離子的空位,間隙原子;18. 金屬與半導(dǎo)體的接觸形式歐姆接觸,肖特基接觸;19. 常見(jiàn)的薄膜導(dǎo)體材料(p73-77)20. 常見(jiàn)的線繞電阻材料(p78)21. 常見(jiàn)的薄膜電阻材料金屬氧化物膜,金屬及合金膜,金屬陶瓷膜;22. 常見(jiàn)的厚膜電阻材料釕系厚膜電阻材料,鈀銀厚膜電阻;23. 厚膜電阻漿料的主要組成部分導(dǎo)電相,粘結(jié)相,有機(jī)載體;24. 表征超導(dǎo)材料性能的基本參量臨界溫度,臨界磁場(chǎng)強(qiáng)度,臨界電流密度;25. 半導(dǎo)體材料的類(lèi)型本征半導(dǎo)體,雜質(zhì)半導(dǎo)體(n型,p型);元素半導(dǎo)體,化合物半導(dǎo)體;晶態(tài)半導(dǎo)體,
6、非晶態(tài)半導(dǎo)體;26. 在熱平衡時(shí),影響半導(dǎo)體載流子濃度積的因素禁帶寬度,有效質(zhì)量,溫度;27. 在光照下,半導(dǎo)體中電子的吸收類(lèi)型本征吸收,激子吸收,自由載流子吸收,雜質(zhì)吸收,晶格振動(dòng)吸收;28. II-VI族化合物半導(dǎo)體中起到p型和n型雜質(zhì)作用的缺陷Vx和Mi起到n型雜質(zhì)的作用;Vm和Xi起到p型雜質(zhì)的作用;29. 常見(jiàn)的壓敏材料ZnO,SiC,BaTiO3,SrTiO330. 常見(jiàn)的濕度敏感材料MCT,TiO2,V2O5;31. 常見(jiàn)的半導(dǎo)體氣敏材料SnO2,ZnO,氧化鐵系氣敏材料,氧化鋯32. 常見(jiàn)的熱敏材料NTC:Mn-Co-Fe-Ni-Cu形成的三元或四元系統(tǒng),PTC:BaTiO3,
7、氧化釩系列33. 固溶體的分類(lèi)及影響固溶度的因素分類(lèi):置換型固溶體,間隙型固溶體;有限固溶體,無(wú)限固溶體;34. 離子晶體的原子價(jià)控制電導(dǎo)由于不等價(jià)離子的摻入而引起的電導(dǎo);35. 厚膜導(dǎo)電材料的主要特征,影響其性能的因素主要特征:電阻率低,焊接性好,焊點(diǎn)有良好的機(jī)電完整性,與基片的粘附牢固等。影響因素:功能相,粘結(jié)相的優(yōu)劣,以及基片本身的化學(xué)性質(zhì)和表面處理。36. 薄膜導(dǎo)體的要求導(dǎo)電性好,附著性好,化學(xué)穩(wěn)定性高,可焊性和耐焊接性好,成本低。37. 多層薄膜導(dǎo)電材料的膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原則通常設(shè)計(jì)成三層膜結(jié)構(gòu),底層,中間層,頂層。底層也稱(chēng)粘附層,主要起粘附作用,使頂層導(dǎo)體膜能牢固的附著在基片上;頂層主
8、要起導(dǎo)電和焊接作用。中間層阻止兩層的相互擴(kuò)散和降低成本。38. 衡量電阻材料電性能的主要參數(shù)電阻率 電阻溫度系數(shù) 電阻 電壓特性 電阻噪聲39. 影響電阻材料電阻的因素電阻率 形狀尺寸40. 為什么實(shí)際應(yīng)用中將電阻材料做成箔、薄膜、厚膜和線狀?把電阻材料做成箔、薄膜、厚膜和線狀,因?yàn)樗谋缺砻娣e大大增加,所以引起電阻率受表面散射的部分增加,造成電阻率受溫度的比例減小,因此起到兩個(gè)作用:1.減小溫度系數(shù),改善它的電阻溫度特性。2.調(diào)整電阻值。41. 為什么在實(shí)際應(yīng)用中,電阻材料在成分上常用合金、合成物和氧化物?合金:基于在純金屬中加入雜質(zhì)元素之后額外的雜質(zhì)散射會(huì)造成電阻率增加,也會(huì)引起電阻溫度系
9、數(shù)下降,改善它的電阻溫度特性合成物:在導(dǎo)電材料里面起到絕緣作用的絕緣材料,調(diào)整它的電阻,改善電阻溫度特性。氧化物:具有半導(dǎo)體特性,半導(dǎo)體特性具有負(fù)的電阻溫度系數(shù),可補(bǔ)償金屬正溫度電阻溫度系數(shù)42. 金屬和金屬氧化物電阻材料的導(dǎo)電機(jī)理金屬含有大量的自由電子,當(dāng)自由電子傳輸過(guò)程中受到來(lái)自破壞晶格完整性的因素所導(dǎo)致的非相干散射時(shí)產(chǎn)生電阻。金屬氧化物的導(dǎo)電機(jī)理就是半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理,滿(mǎn)價(jià)帶的電子受溫度激發(fā)變成載流子參與導(dǎo)電。溫度升高,載流子數(shù)目增加,電導(dǎo)率增加。 43. 金屬和金屬氧化物的電阻率與溫度的關(guān)系先說(shuō)導(dǎo)電機(jī)理金屬:隨著溫度升高,晶格熱振動(dòng)加劇,離子振幅加大,電阻率升高金屬氧化物:隨著溫度升高,
10、價(jià)帶的電子受熱激發(fā)的幾率增加,所以載流子的數(shù)目在增加,電阻率降低。44. 將蒸發(fā)和濺射的金屬和合金薄膜電阻材料在真空或大氣中進(jìn)行熱處理的目的與原因真空中進(jìn)行熱處理的目的:降低電阻,電阻溫度系數(shù)增大。造成這個(gè)目的的原因是由于這些薄膜電阻在真空中進(jìn)行熱處理,晶格的缺陷會(huì)減少,晶粒尺寸會(huì)增長(zhǎng)在大氣中進(jìn)行熱處理,由于金屬和合金膜會(huì)發(fā)生表面氧化,氧化后會(huì)使得電阻增大,電阻溫度系數(shù)會(huì)降低。45. 厚膜電阻材料燒結(jié)分階段進(jìn)行的原因厚膜電阻漿料中含有導(dǎo)電相,粘結(jié)相和有機(jī)載體,分階段燒結(jié)是為了分步排除有機(jī)相和形成與基體牢固粘附的致密膜層結(jié)構(gòu)。1.預(yù)燒階段,有機(jī)載體揮發(fā)分解和燃燒 2.玻璃軟化前階段,發(fā)生氧化還原
11、反應(yīng) 3.燒成階段,玻璃軟化并熔融,浸潤(rùn)覆蓋導(dǎo)電顆粒,促進(jìn)顆粒相互接觸,形成致密的厚膜與基體粘附。4.冷卻階段,起到退火作用。46. 厚膜電阻材料制備工藝中,燒結(jié)的作用厚膜電阻漿料中含有導(dǎo)電相,粘結(jié)相和有機(jī)載體,燒結(jié)是為了分步排除有機(jī)載體,導(dǎo)電顆粒相互連接形成致密的膜,并通過(guò)粘結(jié)劑與基體牢固粘附。47. 超導(dǎo)的定義當(dāng)溫度低于臨界溫度時(shí) 材料的電阻突然消失的現(xiàn)象48. 超導(dǎo)的理論基礎(chǔ)BCS理論:在低溫下形成了不受單個(gè)電子散射的cooper電子對(duì),預(yù)言在金屬和金屬間化合物中不存在臨界溫度高于30k的超導(dǎo)材料49. 超導(dǎo)發(fā)展歷程從ppt自己找50. 超導(dǎo)的基本性質(zhì)0電阻 完全的抗磁性 磁通量子化51
12、. 判斷超導(dǎo)體的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是1. 0電阻 2. 完全抗磁性52. 如何比較超導(dǎo)體與理想導(dǎo)體自己書(shū)上找14214353. 按臨界溫度將超導(dǎo)體分為哪兩類(lèi)低溫超導(dǎo)體 高溫超導(dǎo)體54. 按抗磁性又可將超導(dǎo)體分為哪兩類(lèi)第一類(lèi)超導(dǎo)體 第二類(lèi)超導(dǎo)體55. Ge的能帶結(jié)構(gòu)及主要特征(194自己去寫(xiě) )56. Si的能帶結(jié)構(gòu)及主要特征(194)57. GaAs的能帶結(jié)構(gòu)及主要特征(202-203)58. III-V族化合物半導(dǎo)體的極性對(duì)材料物理化學(xué)性質(zhì)的影響(201)1.解理性 2.生長(zhǎng)和腐蝕59. 固體激光的發(fā)光原理受激輻射粒子數(shù)反轉(zhuǎn)60. 透明導(dǎo)電薄膜的用途及基本要求(301 )61. 透明導(dǎo)電薄膜的種類(lèi)與典
13、型材料(302303)62. 對(duì)發(fā)光材料發(fā)光波長(zhǎng)起決定作用的因素電子的能級(jí)結(jié)構(gòu)63. 光纖制備(參考ppt)64. 光纖工作基本原理:全發(fā)射65. 光纖的結(jié)構(gòu)組成(參考ppt)66. 結(jié)合所學(xué)專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)和專(zhuān)業(yè)知識(shí),試說(shuō)明尖晶石結(jié)構(gòu)電子材料的結(jié)構(gòu)-性能關(guān)系(沒(méi)標(biāo)準(zhǔn)答案)67. 結(jié)合所學(xué)專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)和專(zhuān)業(yè)知識(shí),試說(shuō)明ZnO材料的結(jié)構(gòu)-性能特征及其相互關(guān)系(沒(méi)標(biāo)準(zhǔn)答案)68. 結(jié)合所學(xué)專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)和專(zhuān)業(yè)知識(shí),試說(shuō)明鈣鈦礦氧化物電子材料的功能特征與結(jié)構(gòu)的關(guān)系(沒(méi)標(biāo)準(zhǔn)答案)69. 半導(dǎo)體氣敏材料的感應(yīng)機(jī)理(404)70. ZnO壓敏材料的工作機(jī)理(415)71. 薄膜電阻的常用制備方法及優(yōu)缺點(diǎn)72. 常用的軟磁鐵氧體材料有哪些?73. 尖晶石鐵氧體中金屬離子的分布通式?正尖晶石、反尖晶石和混合尖晶石(半尖晶石)?
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