大功率LED芯片的封裝（共晶焊）及倒裝芯片（flip chip）

1、大功率LED芯片的封裝（共晶焊）及倒裝芯片（flip chip） 美國(guó)GREE公司的1W大功率芯片（L型電極），它的上下各有一個(gè)電極。其碳化硅（SiC）襯底的底層首先鍍一層金屬，如金錫合金（一般做芯片的廠家已鍍好），然后在熱沉上也同樣鍍一層金錫合金。將LED芯片底座上的金屬和熱沉上的金屬熔合在一起，稱為共晶焊接，如圖1所示。 對(duì)于這種封裝方式，一定要注意當(dāng)led芯片與熱沉一起加熱時(shí)，二者接觸要好，最好二者之間加有一定壓力，而且二者接觸面一定要受力均勻，兩面平衡?？刂坪媒鸷湾a的比例，這樣焊接效果才好。這種方法做出來(lái)的LED的熱阻較小、散熱較好、光效較高。 這種封裝方式是上、下兩面輸入電流。如果與

2、熱沉相連的一極是與熱沉直接導(dǎo)電的，則熱沉也成為一個(gè)電極。因此連接熱沉與散熱片時(shí)要注意絕緣，而且需要使用導(dǎo)熱膠把熱沉與散熱片粘連好。使用這種LED要測(cè)試熱沉是否與其接觸的一極是零電阻，若為零電阻則是相通的，故與熱沉相連加裝散熱片時(shí)要注意與散熱片絕緣。 共晶點(diǎn) 加熱溫度也稱為共晶點(diǎn)。溫度的多少要根據(jù)金和錫的比例來(lái)定： ·AuSn（金80%，錫20%）：共晶點(diǎn)為282，加熱時(shí)間控制在幾秒鐘之內(nèi)。 ·AuSn（金10%，錫90%）：共晶點(diǎn)為217，加熱時(shí)間控制在幾秒鐘之內(nèi)。 ·AgSn（銀3.5%，錫96.5%）：共晶點(diǎn)為232，加熱時(shí)間控制在幾秒鐘之內(nèi)。1、倒裝（Fli

3、p chip） 1998年Lumileds公司封裝出世界上第一個(gè)大功率LED（1W LUXOEN器件），使LED器件從以前的指示燈應(yīng)用變成可以替代傳統(tǒng)照明的新型固體光源，引發(fā)了人類歷史上繼白熾燈發(fā)明以來(lái)的又一場(chǎng)照明革命。1WLUXOEN器件使LED的功率從幾十毫瓦一躍超過(guò)1000毫瓦，單個(gè)器件的光通 量也從不到1個(gè)lm飛躍達(dá)到十幾個(gè)lm。大功率LED由于芯片的功率密度很高，器件的設(shè)計(jì)者和制造者必須在結(jié)構(gòu)和材料等方面對(duì)器件的熱系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。 目前GaN基外延襯底材料有兩大類：一類是以日本日亞化學(xué)為代表的藍(lán)寶石；一類是美國(guó)CREE公司為代表的SiC襯底。傳統(tǒng)的藍(lán)寶石襯底GaN芯片結(jié)構(gòu)， 電極剛

4、好位于芯片的出光面。在這種結(jié)構(gòu)中，小部分p-GaN層和"發(fā)光"層被刻蝕，以便與下面的n-GaN層形成電接觸。光從最上面的p-GaN層取出。 p-GaN層有限的電導(dǎo)率要求在p-GaN層表面再沉淀一層電流擴(kuò)散的金屬層。這個(gè)電流擴(kuò)散層由Ni和Au組成，會(huì)吸收部分光，從而降低芯片的出光效率。 為了減少發(fā)射光的吸收，電流擴(kuò)展層的厚度應(yīng)減少到幾百納米。厚度的減少反過(guò)來(lái)又限制了電流擴(kuò)散層在p-GaN層表面均勻和可靠地?cái)U(kuò)散大電流的能力。因此這 種p型接觸結(jié)構(gòu)制約了LED芯片的工作功率。同時(shí)這種結(jié)構(gòu)pn結(jié)的熱量通過(guò)藍(lán)寶石襯底導(dǎo)出 去，導(dǎo)熱路徑較長(zhǎng)，由于藍(lán)寶石的熱導(dǎo)系數(shù)較金屬低（為35W/mK

5、），因此，這種結(jié)構(gòu)的LED芯片熱阻會(huì)較大。此外，這種結(jié)構(gòu)的p電極和引線也會(huì)擋住部分 光線，所以，這種正裝LED芯片的器件功率、出光效率和熱性能均不可能是最優(yōu)的。為了克服正裝芯片的這些不足，Lumileds公司發(fā)明了倒裝芯片 （Flipchip）結(jié)構(gòu)。在這種結(jié)構(gòu)中，光從藍(lán)寶石襯底取出，不必從電流擴(kuò)散層取出。由于不從電流擴(kuò)散層出光，這樣不透光的電流擴(kuò)散層可以加厚，增加 Flipchip的電流密度。同時(shí)這種結(jié)構(gòu)還可以將pn結(jié)的熱量直接通過(guò)金屬凸點(diǎn)導(dǎo)給熱導(dǎo)系數(shù)高的硅襯底（為145W/mK），散熱效果更優(yōu)；而且在pn 結(jié)與p電極之間增加了一個(gè)反光層，又消除了電極和引線的擋光，因此這種結(jié)構(gòu)具有電、光、熱等

6、方面較優(yōu)的特性。2、基于Flip chip的大功率LED熱分析我們知道，表征系統(tǒng)熱性能的一個(gè)主要參數(shù)是系統(tǒng)的熱阻。熱阻的定義為：在熱平衡的條件下，兩規(guī)定點(diǎn)（或區(qū)域）溫度差與產(chǎn)生這兩點(diǎn)溫度差的熱耗散功率之比。熱阻符號(hào)：R或Rth；熱阻單位：K/W或/W一般倒裝型大功率LED表面貼裝到金屬線路板，也可以再安裝外部熱沉，增加散熱效果。大功率LED芯片電極上焊接的數(shù)個(gè)BUMP（金球）與Si襯底上對(duì)應(yīng)的BUMP通過(guò)共晶焊接在一起，Si襯底通 過(guò)粘接材料與器件內(nèi)部熱沉粘接在一起。為了有較好的出光效果，熱沉上制作有一個(gè)聚光杯，芯片安放在杯的中央，熱沉選用高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬材料如銅或鋁。3、襯底粘接材料對(duì)大功率

7、LED熱特性的影響LED倒裝芯片被粘在管座（器件內(nèi)部熱沉）里，可以通過(guò)三種方式：導(dǎo)熱膠粘貼、導(dǎo)電型銀漿粘貼和錫漿粘貼。導(dǎo)熱膠的硬化溫度一般低于150，甚至可以在室溫下固化，但導(dǎo)熱膠的熱導(dǎo)率較小，導(dǎo)熱特性較差。導(dǎo)電型銀漿粘貼的硬化溫度一般低于 200，既有良好的熱導(dǎo)特性，又有較好的粘貼強(qiáng)度。錫漿粘貼的熱導(dǎo)特性是三種方式中最優(yōu)的，一般用于金屬之間焊接，導(dǎo)電性能也非常優(yōu)越。在大功率LED 器件的封裝中，生產(chǎn)廠家容易忽略襯底粘接材料對(duì)器件熱導(dǎo)特性的影響。其實(shí)襯底粘接材料在影響器件熱導(dǎo)特性因素中是一個(gè)比較重要的因素，如果處理不好，將使得LED的熱阻過(guò)大，導(dǎo)致在額定工作條件下器件的結(jié)溫過(guò)高，導(dǎo)致器件的出光

8、效率下降、可靠性降低。當(dāng)選用鉛錫焊料63Sn/37Pb，=39W/mK， 同時(shí)其厚度等于20m時(shí)，RAttach等于0.026（K/W），即使其厚度為100m，RAttach也只等于0.131（K/W）；當(dāng)選用熱沉粘接膠Ablefilm5020K，=0.7W/mK，同時(shí)其厚度等于20m時(shí)， RAttach等于1.457（K/W），當(dāng)其厚度為100m時(shí)，RAttach等于7.286（K/W）；當(dāng)我們選用導(dǎo)電型芯片粘接膠 Ablebond84-1LMISR4，=2.5W/m?K，同時(shí)其厚度等于20m時(shí)，RAttach等于0.408（K/W），當(dāng)其厚度為 100m時(shí)，RAttach等于2.041（K/W）。因此，選用不同的粘接材料對(duì)其熱阻存在很大的影響，同時(shí)，在印刷或涂敷芯片粘接材料時(shí)，如何降低材料厚度也十分重要。4、小結(jié)LED芯片結(jié)溫最高允許125，如果其最差工作環(huán)境溫度為65，則對(duì)一個(gè)1W的大功率 LED來(lái)說(shuō)，考慮到從大功率器件外部熱沉的熱阻一般為40（K/W），器件pn結(jié)至器件的熱阻應(yīng)小于20（K/W）。而對(duì)一個(gè)5W的大功率LED來(lái)說(shuō)，如 果其最差工作環(huán)境溫度為65，則從pn結(jié)至環(huán)境的熱阻要小于12K/W才能保證芯片結(jié)溫不超過(guò)125，而如果選用Ablefilm502