晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)練習(xí)題

1、晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)練習(xí)題一、選擇題(本題包括15小題，每小題3分，共45分)1下列式子為分子式的是()ANH4ClBCuCSiO2 DI22下列物質(zhì)中既有配位鍵，又有離子鍵，還有共價鍵的是()ANH4NO3 BSiO2 C冰 DO23下列說法正確的是()A冰融化時，分子中HO鍵發(fā)生斷裂B分子晶體中，分子間作用力越大，通常熔點(diǎn)越高C分子晶體中，共價鍵鍵能越大，分子的熔、沸點(diǎn)越高D分子晶體中，分子間作用力越大，分子越穩(wěn)定4(2011年高考四川卷)下列說法正確的是()A分子晶體中一定存在分子間作用力，不一定存在共價鍵B分子中含兩個氫原子的酸一定是二元酸C含有金屬陽離子的晶體一定是離子晶體D元素的非金屬性

2、越強(qiáng)，其單質(zhì)的活潑性一定越強(qiáng)5金屬鉀晶體為體心立方結(jié)構(gòu)，則在單位晶胞中鉀原子的個數(shù)是()A4 B3 C2 D17(2011年石家莊高二檢測)“類推”是一種重要的學(xué)習(xí)方法，但有時會產(chǎn)生錯誤的結(jié)論，下列類推結(jié)論中正確的是()A第二周期元素氫化物的穩(wěn)定性順序是：HF>H2O>NH3；則第三周期元素氫化物的穩(wěn)定性順序也是：HCl>H2S>PH3BA族元素氫化物沸點(diǎn)順序是：GeH4>SiH4>CH4；則VA族元素氫化物沸點(diǎn)順序也是：AsH3>PH3>NH3C晶體中有陰離子，必有陽離子；則晶體中有陽離子，必有陰離子D干冰(CO2)是分子晶體，則SiO2也是分

3、子晶體8下列有關(guān)晶體的敘述正確的是()A金屬晶體含有金屬陽離子和自由電子B原子晶體一定是單質(zhì)C分子晶體一定是化合物D金屬晶體的硬度>原子晶體的硬度>分子晶體的硬度9下列敘述中正確的是()A離子晶體中肯定不含共價鍵B屬于離子晶體的物質(zhì)都溶于水C由分子組成的物質(zhì)其熔點(diǎn)一定較低D原子晶體中除非極性鍵外不存在其他類型的化學(xué)鍵10下列數(shù)據(jù)是對應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)表，有關(guān)的判斷正確的是()Na2ONaAlF3AlCl3Al2O2BCl3CO2SiO2920 97.8 1291 190 2073 107 57 1723 A.只要含有金屬陽離子的晶體就一定是離子晶體B在共價化合物分子中各原子都形成8電子結(jié)

4、構(gòu)C同族元素的氧化物不可能形成不同類型的晶體D金屬晶體的熔點(diǎn)不一定比分子晶體的高11(2011年武漢高二檢測)由短周期元素構(gòu)成的某離子化合物中，一個陽離子和一個陰離子核外電子數(shù)之和為20。下列說法中正確的是()A晶體中陽離子和陰離子的個數(shù)不一定相等B晶體中一定只有離子鍵沒有共價鍵C所含元素一定不在同一周期也不在第一周期D晶體中陽離子半徑一定大于陰離子半徑12下列性質(zhì)適合于離子晶體的是()熔點(diǎn)218 ，難溶于水熔點(diǎn)3900 ，硬度很大，不導(dǎo)電難溶于水，固體時導(dǎo)電，升溫時導(dǎo)電能力減弱難溶于水，熔點(diǎn)高，固體不導(dǎo)電，熔化時導(dǎo)電A B C D13(2010年高考大綱全國卷)下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的

5、敘述正確的是()A最小的環(huán)上，有3個Si原子和3個O原子B最小的環(huán)上，Si和O原子數(shù)之比為12C最小的環(huán)上，有6個Si原子和6個O原子D存在四面體結(jié)構(gòu)單元，O處于中心，Si處于4個頂角14下列各物質(zhì)中，按熔點(diǎn)由高到低的順序排列正確的是()ACH4>SiH4>GeH4>SnH4BKCl>NaCl>MgCl2>MgOCRb>K>Na>LiD石墨>金剛石>SiO2>鈉15(2011年長沙高二檢測)下列關(guān)于晶體的說法一定正確的是()A分子晶體中都存在共價鍵BCaTiO3晶體中每個Ti4和12個O2相緊鄰CSiO2晶體中每個硅原子與

6、兩個氧原子以共價鍵相結(jié)合D金屬晶體的熔點(diǎn)都比分子晶體的熔點(diǎn)高解析：選B。稀有氣體都是單原子分子，它們的晶體中不存在共價鍵，A項不正確；在題目所給晶體結(jié)構(gòu)模型中，每個Ti4周圍有3個O2與之相鄰，晶體中每個Ti4周圍共有3×8×1/212個O2，B項正確；在SiO2的晶體中Si、O以單鍵相結(jié)合，故每個硅原子與4個氧原子結(jié)合，C項不正確；金屬汞的熔點(diǎn)比I2、蔗糖等的熔點(diǎn)低，D項不正確。二、非選擇題(本題包括5小題，共55分)16(8分)在金剛石的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，由碳原子形成的最小環(huán)上有_個碳原子，每個碳原子上的任意兩個CC鍵的夾角都是_(填角度)。某種二氧化硅晶體的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于把金剛

7、石晶體中每個碳原子都換成硅原子，再在每兩個硅原子連線的中點(diǎn)放置一個氧原子。(1)下列關(guān)于二氧化硅晶體的敘述正確的是_。A二氧化硅晶體中沒有單個的SiO2分子存在B晶體中與同一硅原子相連的四個氧原子處于同一正四面體的4個頂角C與上述四個氧原子相連的另外四個硅原子也處于同一個正四面體的四個頂角(2)該晶體中由硅、氧原子組成的最小環(huán)為_元環(huán)，最小環(huán)上共有_個氧原子。17(8分)A、B、C、D、E都是元素周期表中前20號元素，原子序數(shù)依次增大，B、C、D同周期，A、D同主族，E和其他元素既不在同周期也不在同主族，B、C、D的最高價氧化物的水化物兩兩混合均能發(fā)生反應(yīng)生成鹽和水。根據(jù)以上信息，回答下列問題

8、：(1)A和D的氫化物中，沸點(diǎn)較低的是_(填“A”或“D”)；A和B的離子中，半徑較小的是_(填離子符號)。(2)C在元素周期表中的位置是_。(3)A和E可形成離子化合物，其晶胞(晶胞是在晶體中具有代表性的最小重復(fù)單元)結(jié)構(gòu)如上圖所示，陽離子(用“·”表示)位于該正方體的頂角或面心，陰離子(用“。”表示)均位于小正方體的中心。該化合物的電子式是_。18(12分)(1)氯酸鉀熔化時，微粒間克服了_；二氧化硅熔化時，微粒間克服了_；碘升華時，粒子間克服了_。三種晶體熔點(diǎn)由高到低的順序是_。(2)下列六種晶體：CO2、NaCl、Na、Si、CS2、金剛石，它們的熔點(diǎn)從低到高的順序?yàn)開(填序

9、號)。(3)在H2、(NH4)2SO4、SiC、CO2、HF中，由極性鍵形成的非極性分子有_，由非極性鍵形成的非極性分子有_，能形成分子晶體的物質(zhì)是_，含有氫鍵的晶體的化學(xué)式是_，屬于離子晶體的是_，屬于原子晶體的是_，五種物質(zhì)的熔點(diǎn)由高到低的順序是_19(14分)X、Y、Z、W為按原子序數(shù)由小到大排列的四種短周期元素，已知：X元素原子價電子排布式為ns2np2，且原子半徑是同族元素中最小的。Y元素是地殼中含量最多的元素；W元素的電負(fù)性略小于Y元素，在W原子的電子排布中，p軌道上只有1個未成對電子。Z元素的電離能數(shù)據(jù)見下表(kJ/mol)：I1I2I3I4496456269129540請回答：

10、(1)Z2Y2的電子式為_含有的化學(xué)鍵類型為_Z2Y2為_晶體。(2)X、Y、Z三種元素所形成的常見化合物的名稱為_；XY2的結(jié)構(gòu)式為_，分子立體構(gòu)型為_。(3)X、Y、Z、W四種元素所形成的單質(zhì)中，熔點(diǎn)最高、硬度最大的是_(填名稱)；晶體ZW的熔點(diǎn)比晶體XW4明顯高的原因是_。解析：由題意知X、Y、Z、W分別為：C、O、Na、Cl。(1)Na2O2的電子式為：Na2Na，含有離子鍵、非極性共價鍵，為離子晶體。(2)C、O、Na三種元素所形成的常見化合物為碳酸鈉；CO2的結(jié)構(gòu)式為：OO，是直線形分子。(3)C、O、Na、Cl四種元素所形成的單質(zhì)中，原子晶體金剛石熔點(diǎn)最高，硬度最大；由于NaCl

11、為離子晶體，而CCl4為分子晶體，故NaCl晶體的熔點(diǎn)比CCl4晶體的熔點(diǎn)明顯高。答案：(1)Na2Na離子鍵、非極性共價鍵離子(2)碳酸鈉OO直線形(3)金剛石NaCl為離子晶體而CCl4為分子晶體20(13分)(2011年高考課標(biāo)全國卷)氮化硼(BN)是一種重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂為起始物，經(jīng)過一系列反應(yīng)可以得到BF3和BN，如下圖所示：請回答下列問題：(1)由B2O3制備BF3、BN的化學(xué)方程式依次是_、_；(2)基態(tài)B原子的電子排布式為_；B和N相比，電負(fù)性較大的是_，BN中B元素的化合價為_；(3)在BF3分子中，F(xiàn)BF的鍵角是_，B原子的雜化軌道類型為_，BF3和過量NaF作用可生成NaBF4，BF4-的立體構(gòu)型為_；(4