(整理)清洗液在芯片制造過程中的應用

1、精品文檔語赤傳,職業(yè)技木轡配畢業(yè)設計清洗液在芯片制造過程中的應用系電子信息工程系專業(yè)微電子技術姓名_班級 微電 學號1010336指導教師穎 職稱導師設計時間2012.9.152013.1.4目錄摘要1第一章 引言41.1 課題背景41.2 課題意義6第二章 清洗原理72.1 清洗的基本原理72.2 去除顆粒和玷污的機理 72.3 去除顆粒錯誤！未定義書簽。2.4 去除金屬雜質92.5 目前公司主要的清洗設備 10第三章半導體硅片RCA清洗技術113.1 RCA清洗法白勺發(fā)展 113.2 RCA清洗技術具體工藝11第四章目前主要的清洗液134.1主要清洗液13第五章總結15致謝16參考文獻17

2、精品文檔摘要本文主要介紹清洗液在芯片制作過程中的應用。 主要清洗液包括APM(SC-1) (一號液)(NHOH： HO ： HQ , HPM(SC-2)(二號液)(HCl : HO : HO), SPM三 號液)(H2SO： H2Q : H2O), DHF(HF(hD)：隆0)。以及目前主要清洗液的分類以 及組成成分，使用時注意事項以及去除各種污染物的方法，相關問題本文將做 進一步解釋。半導體硅片 RCA青洗技術工藝的發(fā)展。關鍵詞：清洗液；污染雜質；清洗的設備儀器第一章引言1.1課題背景中國是世界上增長最快的半導體市場，目前中國市場占全球市場約15%o據(jù)市場調研機構預測，中國在2008年前將成

3、為全球最大的半導體市場， 市場份 額約占全球市場25%。自1958年美國德克薩斯儀器公司（TI）發(fā)明集成電路（IC） 后，隨著硅平面技術的發(fā)展，二十世紀六十年代先后發(fā)明了雙極型和MOS型兩種重要的集成電路，它標志著由電子管和晶體管制造電子整機的時代發(fā)生了 量和質的飛躍，創(chuàng)造了一個前所未有的具有極強滲透力和旺盛生命力的新興產(chǎn) 業(yè)集成電路產(chǎn)業(yè)?；仡櫦呻娐返陌l(fā)展歷程，我們可以看到，自發(fā)明集成電路至今40多年以 來，”從電路集成到系統(tǒng)集成”這句話是對IC產(chǎn)品從小規(guī)模集成電路（SSI）到 今天特大規(guī)模集成電路（ULSI）發(fā)展過程的最好總結，即整個集成電路產(chǎn)品的 發(fā)展經(jīng)歷了從傳統(tǒng)的板上系統(tǒng)（System

4、-on-boar。到片上系統(tǒng)（System-on-a-chi© 的過程。在這歷史過程中，世界IC產(chǎn)業(yè)為適應技術的發(fā)展和市場的需求，其產(chǎn) 業(yè)結構經(jīng)歷了三次變革。第一次變革：以加工制造為主導的IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的初級階段。70年代，集成電路的主流產(chǎn)品是微處理器、 存儲器以及標準通用邏輯電路。 這一時期IC制造商（IDM ）在IC市場中充當主要角色，IC設計只作為附屬部 門而存在。這時的IC設計和半導體工藝密切相關。IC設計主要以人工為主， CAD系統(tǒng)僅作為數(shù)據(jù)處理和圖形編程之用。IC產(chǎn)業(yè)僅處在以生產(chǎn)為導向的初級 階段。第二次變革：Foundry公司與IC設計公司的崛起。80年代，集成電路的主流

5、產(chǎn)品為微處理器（MPU）、微控制器（MCU）及 專用IC （ASIC）。這時，無生產(chǎn)線的IC設計公司（FablesS）與標準工藝加工線 （Foundry ）相結合的方式開始成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新模式。隨著微處理器和PC機的廣泛應用和普及（特別是在通信、工業(yè)控制、消 費電子等領域），IC產(chǎn)業(yè)已開始進入以客戶為導向的階段。一方面標準化功能 的IC已難以滿足整機客戶對系統(tǒng)成本、可靠性等要求，同時整機客戶則要求 不斷增加IC的集成度，提高保密性，減小芯片面積使系統(tǒng)的體積縮小，降低成 本，提高產(chǎn)品的性能價格比，從而增強產(chǎn)品的競爭力，得到更多的市場份額和更豐厚的利潤；另一方面，由于IC微細加工技術的進步

6、，軟件的硬件化已成為 可能，為了改善系統(tǒng)的速度和簡化程序，故各種硬件結構的ASIC如門陣列、可編程邏輯器件（包括FPGA）、標準單元、全定制電路等應運而生，其比例在 整個IC銷售額中1982年已占12%;其三是隨著EDA工具（電子設計自動化 工具）的發(fā)展，PCB設計方法引入IC設計之中，如庫的概念、工藝模擬參數(shù) 及其仿真概念等，設計開始進入抽象化階段，使設計過程可以獨立于生產(chǎn)工藝 而存在。有遠見的整機廠商和創(chuàng)業(yè)者包括風險投資基金（ VC）看到ASIC的市 場和發(fā)展前景，紛紛開始成立專業(yè)設計公司和IC設計部門，一種無生產(chǎn)線的集 成電路設計公司（Fables§或設計部門紛紛建立起來并得到

7、迅速的發(fā)展。同時 也帶動了標準工藝加工線（Foundry）的崛起。全球第一個Foundry工廠是1987 年成立的臺灣積體電路公司，它的創(chuàng)始人張忠謀也被譽為“晶芯片加工之父”。第三次變革："四業(yè)分離"的IC產(chǎn)業(yè)90年代，隨著INTERNET的興起，IC產(chǎn)業(yè)跨入以競爭為導向的高級階段， 國際競爭由原來的資源競爭、價格競爭轉向人才知識競爭、密集資本競爭。以 DRAM為中心來擴大設備投資的競爭方式已成為過去。 如1990年，美國以Intel 為代表，為抗爭日本躍居世界半導體榜首之威脅，主動放棄DRAM市場，大搞CPU,對半導體工業(yè)作了重大結構調整，又重新奪回了世界半導體霸主地位。

8、 這使人們認識到，越來越龐大的集成電路產(chǎn)業(yè)體系并不有利于整個IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展，"分"才能精，"整合”才成優(yōu)勢。于是，IC產(chǎn)業(yè)結構向高度專業(yè)化轉化成為 一種趨勢，開始形成了設計業(yè)、制造業(yè)、封裝業(yè)、測試業(yè)獨立成行的局面（如 下圖所示），近年來，全球IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展越來越顯示出這種結構的優(yōu)勢。如臺 灣IC業(yè)正是由于以中小企業(yè)為主，比較好地形成了高度分工的產(chǎn)業(yè)結構， 故自 1996年，受亞洲經(jīng)濟危機的波及，全球半導體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)生產(chǎn)過剩、效益下滑， 而IC設計業(yè)卻獲得持續(xù)的增長。特別是96、97、98年持續(xù)三年的DRAM的跌價、MPU的下滑，世界半導 體工業(yè)的增長速度已遠達不到從前

9、17%的增長值，若再依靠高投入提升技術， 追求大尺寸硅片、追求微細加工，從大生產(chǎn)中來降低成本，推動其增長，將難 以為繼。而IC設計企業(yè)更接近市場和了解市場， 通過創(chuàng)新開發(fā)出高附加值的產(chǎn) 品，直接推動著電子系統(tǒng)的更新?lián)Q代；同時，在創(chuàng)新中獲取利潤，在快速、協(xié) 調發(fā)展的基礎上積累資本，帶動半導體設備的更新和新的投入；IC設計業(yè)作為集成電路產(chǎn)業(yè)的“龍頭"，為整個集成電路產(chǎn)業(yè)的增長注入了新的動力和活力。目前近5成公司采用0.13 pm及以下工藝技術研發(fā)數(shù)字芯片，一部分公司開 始向90nm轉移，還有少數(shù)企業(yè)設計能力已達到 65nm工藝水平。1.2課題意義在半導體材料的制備過程中，每一道工序都涉及

10、到清洗，而且清洗的好壞直接影響下一道工序，甚至影響器件的成品率和可靠性。由于 ULSI集成度的 迅速提高和器件尺寸的減小，對于晶片表面沾污的要求更加嚴格，ULSI工藝要 求在提 供的襯底 片上吸附物 不多于500個/m2X0.12um,金 屬污染 小于 1010atoWcm2。晶片生產(chǎn)中每一道工序存在的潛在污染，都可導致缺陷的產(chǎn)生 和器件的失效。半導體對雜質極為敏感，百萬分之一甚至十億分之一的微量雜 質，就對半導體的物理性質產(chǎn)生影響，微量的有害雜質可由各種隨機的原因進 入器件，從而破壞半導體器件的正常性能。為了消除隨機污染建立了特殊的半 導體工藝-清洗工藝。因此，硅片的清洗引起了專業(yè)人士的重視

11、。第二章清洗原理2.1 清洗的基本原理清洗的基本原理，應當從玷污的來源講起，只有知道了各種玷污的來源， 針對具體的玷污，才能制定具體的清洗方法，各種玷污的來源和相對的影響見 表 2.1。2.2 去除顆粒和玷污的機理顆粒是粘附在硅片表面的粒子通常是在工藝中引進的，工藝設備、環(huán)境、 氣體、化學試劑和去離子水均會引入顆粒。在ULSI級的化學試劑中，粒子玷污 的情況如表2.2所示，其中H2SO最高，HF最低。對粒子尺寸的要求是隨著工藝 技術中最小特征的減小而減小，一般粒子的尺寸只能是器件特征尺寸的十分之 一，如0.4um器件要求粒子尺寸小于 0.04um。為了控制粒子，需要了解粒子的附著和去除機理。粒

12、子的附著機理有以下 幾種可能的情況：靜電力或范德堡力；粒子與表面間的化學鍵，粒子被去除的 機理有四種：1）溶解2）氧化分解3）對硅片表面輕微的腐蝕去除4）粒子和硅片表面的電排斥表2.1各種玷污的來源和相對的影響玷污可能來源影響顆粒設備，環(huán)境，氣體，去離子水，化 學試劑氧化層低擊穿，成品率降低金屬離子設備，化學試劑，反應離子刻蝕， 離子注入，人彳昭t傍場強，Pn結漏電，少子壽命 降低，Vt偏移有機物室內(nèi)氣氛，光刻膠，存儲容器化學氧化速率改變試齊微粗糙度初始硅片材料，化學試劑氧化層彳氐擊穿場強，載流子遷移率下降自然氧化層環(huán)境濕氣，去離子水沖洗柵氧化層退化，外延層質量變差接 觸電阻增大，硅化物質量差

13、SC-1液具有上述2, 4項的功能，HQ在硅的表面有氧化作用，NHOH中的OH鞋提供給硅表面和粒子負電荷。粒子的淀積強烈地依賴于溶液中的PH值，PH值增加到10時，粒子的淀積數(shù)目最低，因此在強酸中，粒子的淀積數(shù)目最 大，表2.3對各種清洗工藝作了比較，發(fā)現(xiàn) SC-1是最有效的一種。表2.2在ULSI級化學試劑中的顆粒濃度（數(shù)目 /ml ）> 0.2um> 0.5umNH40H130-24015-30H2O220-1005-20HF0-10HCl2-71-2H2SO4180-115010-80表2.3各種清洗工藝去除顆粒沾污的效率清洗方法沾污來源SPMSC-1SC-2PM城市用水98

14、.498.986.042.4Si02833.398.497.194.7PSL91.799.255.27.2空氣95.896.386.70注：SPMM齊1J又稱為SC-3試齊1J （是Standard Clean-3的簡稱）。SC-3試劑是由 隆SO-H2O-H2O組成（其中H2SO與HO的體積比為1:3）。隆SO: HO=4: 1, 5minAPMtt齊ij又稱SC-1試齊1J （是Standard Clean-1的簡稱）°SC-1試齊是由NHOH -H2O-H2O組成。NHOH : HO: HO=0.1: 1: 5, 80-90C 10minHPhM齊1J又稱SC-2試齊1J。SC

15、-2試齊1J由HCL-HQ-H2O組成。HCL: HQ:WO=1: 1:6, 80-90C 10minPM : H2Q: H2O= 1:5, 80-90 C 10minPSL聚苯乙烯橡膠小球有很多報道關于 SC-1改進的清洗工藝，最有效的一種方法是megasonic清洗工藝，SC-1液結合megasonic工藝可以去除有機和無機顆粒，溫度可低于 40度，清洗的原理是這樣的，當硅片浸潤 SC-1液中，高功率（300W）和高頻 率（800-900KHZ）的聲能平行于硅片表面，首先使顆粒浸潤，然后溶液擴散進 入界面，最后粒子完全浸潤，并成為懸浮的自由粒子而去除顆粒。2.3去除金屬雜質金屬沾污的來源可

16、以是化學試劑和離子注入、反應離子刻蝕等工藝中引入， 金屬沾污回影響器件性能，在界面形成缺陷，在后續(xù)的氧化或外延工藝中引入 層錯，PN結的漏電流，減少少數(shù)載流子的壽命。2.3.1 去除金屬雜質的原理1）由于硅表面的氧化和腐蝕作用，硅片表面的金屬雜質，將隨腐蝕層而進入清 洗液中，并隨去離子水的沖洗而被排除。2）由于清洗液中存在氧化膜或清洗時發(fā)生氧化反應， 生成氧化物的自由能的絕 對值大的金屬容易附著在氧化膜上如：Al、Fe、Zn等便易附著在自然氧化膜上。 而Ni、Cu則不易附著。3） Fe、Zn、Ni、Cu的氫氧化物在高PH值清洗液中是不可溶的，有時會附著在 自然氧化膜上。4）清洗時，硅表面的金屬

17、的脫附速度與吸附速度因各金屬元素的不同而不同。 特別是對Al、Fe、Zn。若清洗液中這些元素濃度不是非常低的話，清洗后的硅 片表面的金屬濃度便不能下降。對此，在選用化學試劑時，按要求特別要選用 金屬濃度低的超純化學試劑。5）清洗液溫度越高，晶片表面的金屬濃度就越高。若使用兆聲波清洗可使 溫度下降，有利去除金屬沾污。2.4 去除有機物硅片表面的有機沾污通常來源于環(huán)境中的有機蒸汽，存儲容器和光刻膠的殘留，在硅表面存在有機雜質將會使硅片表面無法得到徹底的清洗，如自然氧化層和金屬雜質，這會影響到后面的工藝，比如在以后的反應離子刻蝕工藝中會 有微掩膜作用，殘留的光刻膠是IC工藝中有機沾污的主要來源。在目

18、前工藝中 光刻膠一般是用Q干法去除，然后在SPMfr處理，大部分的膠在干法時已被去除， 濕法會使去除更徹底。但由于 SPMM勺溫度較高，會降低H2Q的濃度，工藝較難控 制，最近有人提出用Q注入到純水中或采用紫外光和過濾系統(tǒng)去除有機沾污的方 法。2.5 表面粗糙度表面粗糙度對于制備高性能、高可靠性半導體器件和ULSI是非常重要的，特別是隨著特征線寬的減小，柵氧的厚度也相應的減小到40A左右，表面就需要原子級的平整，在RCA清洗工藝中，NHOH-hD-H20通常是第一步去除粒子、 有機物和金屬雜質的方法。據(jù)報道 NHOH-HO-H20=1: 1: 5,在70c中清洗10-15 分鐘會造成非常粗糙的

19、表面，引起這一原因的機理是當代。作為氧化劑時，NH0H 作為氧化劑的腐蝕劑。在 SC-1清洗液中，氧化和腐蝕同時進行，結果表面會變 粗糙，減少粗糙的方法歸納起來如下：1）減少NHOH的份額2）降低清洗溫度3）減少清洗時間2.6 目前公司主要的清洗設備1）槽清洗：也叫浸沒式清洗.如：三協(xié)清洗機，SCP-3等，此設備的特點：化學 液可多次使用，但也帶來不足之處，化學液的比例會發(fā)生改變，如 SH （有）需 在使用過程中定期增加 HQ。2)FSI清洗3）兆聲清洗.4）最新的清洗：單片清洗工藝和氣相清洗。第三章半導體硅片RCA清洗技術3.1 RCA清洗法的發(fā)展在清洗技術中，RCAK術是一種典型的、至今仍

20、為最普遍使用的濕式化學清 洗法。自從20世紀70年代RCA青洗法問世之后，幾十年來被世界各國廣泛采用。 所以在這里重點介紹一下RCAJ術。RCAS準清洗法是 1965年由 Kern 和 Puotinen 等人在 N.J.Princeton的 RCAS 驗室首創(chuàng)的，并由此而得名。RCA一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化 學清洗法。自從20世紀70年代RCA青洗法問世之后，幾十年來被世界各國廣泛 采用。它的基本步驟最初只包括堿性氧化和酸性氧化兩步，但目前使用的RCA青洗大多包括四步，即先用含硫酸的酸性過氧化氫進行酸性氧化清洗，再用含胺的弱堿性過氧化氫進行堿性氧化清洗， 接著用稀的氫氟酸溶液進行

21、清洗，最后用含 鹽酸的酸性過氧化氫進行酸性氧化清洗，在每次清洗中間都要用超純水（ DI水） 進行漂洗，最后再用低沸點有機溶劑進行干燥。3.2 RCA青洗技術具體工藝第一步，使用的試劑為SPM（是Surfuric/Peroxide Mix的簡稱），SPMU劑又 稱為SC-3試劑（是Standard Clean-3勺簡稱）。SC-3試劑是由HSO-H2Q-H2O組成 （其中HSO與H2Q的體積比為1:3）,用SC-3試劑在100130c溫度下對硅片 進行清洗是用于去除有機物的典型工藝。第二步，使用的試劑為 APM（是Ammonia/Peroxide Mix和簡稱），APMttJ 又稱SC-1試齊I

22、（是Standard Clean-1的簡稱）。SC-1試齊是由NHOH -HO-H2O 組成，三者的比例為（1: 1: 5） （1: 2: 7）,清洗時的溫度為6580C； SC-1 試劑清洗的主要作用是堿性氧化，去除硅片上的顆粒，并可氧化及去除表面少 量的有機物和Au、Agb Cu> Ni、Cd Zn、Ca Cr等金屬原子污染；溫度控制在 80c以下是為減少因氨和過氧化氫揮發(fā)造成的損失。第三步，通常稱為DHH藝是采用氫氟酸（HR）或稀氫氟酸（DHF清洗， HF: H2O的體積比為1: （210）,處理溫度在2025C。是利用氫氟酸能夠溶解 二氧化硅的特性，把在上步清洗過程中生成的硅片表

23、面氧化層去除，同時將吸 附在氧化層上的微粒及金屬去除。還有在去除氧化層的同時在硅晶圓表面形成 硅氫鍵而使硅表面呈疏水性的作用（氫氟酸原液的濃度是49%） o第四步，使用的是 HPhM劑（HPM1 Hydrochloric/Peroxide Mix 的簡稱）， HPM式齊1J又稱SC-2試劑。SC-2試劑由HCL-HQ-H2O組成（三種物質的比例由1: 1: 6到1: 2: 8）,清洗時的溫度控制在65-80C 0它的主要作用是酸性氧化， 能溶解多種不被氨絡合的金屬離子，以及不溶解于氨水、但可溶解在鹽酸中的 Al（OH）3、Fe（OH）3、Mg（OH）和 Zn（OH等物質，所以對 Al3+、Fe

24、3+、Mp Zn2+等 離子的去除有較好效果。溫度控制在 80c以下是為減少因鹽酸和過氧化氫揮發(fā) 造成的損失。第四章目前主要的清洗液4.1 主要清洗液4.1.1 APMA PM（SC-1）（一號液）（NHOH： H2Q：匕。，它在 6580c清洗約 10min 主要去除粒子、部分有機物及部分金屬。由于HQ的作用，硅片表面有一層自然氧化膜（Si0 2）,呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片 表面的自然氧化層與硅片表面的 Si被NHOH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒 便落入清洗液中，從而達到去除粒子的目的。此溶液會增加硅片表面的粗糙度。 Fe, Zn, Ni等金屬會以離子性和非離子

25、性的金屬氫氧化物的形式附著在硅片 表面，能降低硅片表面的 Cu的附著。體積比為（1 ： 1 ： 5）（ 1 ： 2 ： 7）的NHOH （27%）、HQ（30%）和WO組成的熱溶液。稀釋化學試劑中把水所占的比例由1 : 5 增至1 : 50,配合超聲清洗，可在更短時間內(nèi)達到相當或更好的清洗效果。SC-1清洗后再用很稀的酸（HCl : H2。為1 ： 104）處理，在去除金屬雜質和顆 粒上可收到良好的效果，也可以用稀釋的 HF溶液短時間浸漬，以去除在 SC-1 形成的水合氧化物膜。最后，常常用 SC-1原始溶液濃度1/10的稀釋溶液清洗，以避免表面粗糙，降低產(chǎn)品成本，以及減少對環(huán)境的影響。4.1

26、.2 HPMHPM（SC-2）（二號液）（HCl： H2Q： H2Q,它在 6585c清洗約 10min 用于 去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。對含有可見殘渣的嚴重沾污的晶片，可用熱HSO-H2O（2 ： 1）混合物進行預清洗。HPM（HCL-2O2-H2O）,其比例為1:1:5到1:2:8, 乂Q的作用同上，另外鹽酸使 HQ的氧化性能大大加強，并和硅片表面 雜質中的活潑金屬（Al、Zn）、金屬氧化物（CI。FeQ等）、氫氧化物、硫化物、 碳酸鹽等相互作用，使這些雜質變成可溶解的，另外鹽酸還兼有絡合劑的作用， 鹽酸中的氯離子與Au3+、Pt2+、Cu> Ag+ Hg+> Fe3

27、+等金屬離子形成溶于水的絡合 物。4.1.3 SPMSPM（三號液）（HSQ ： H2Q ：卜。，它在120150c清洗10min左右，SPM 具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機物氧化生成 CO和HQ用SPM青洗硅片可去除硅片表面的重有機沾污和部分金屬，但是當 有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。經(jīng)SPM青洗后，硅片表面會殘留有硫化物，這些硫化物很難用去粒子水沖洗掉。由Ohnishi提出的SPFM（2SO/H2Q/HF）溶液，可使表面的硫化物轉化為氟化 物而有效地沖洗掉。由于臭氧的氧化性比H2Q的氧化性強，可用臭氧來取代HQ（H2SG/O3/H2O稱為SOM&

28、#167;液），以降低HSO的用量和反應溫度。4.1.4 DHFDHF（HF（HO）:H2。），它在2025c清洗30s腐蝕表面氧化層，去除金屬沾 污，DHF清洗可去除表面氧化層，使其上附著的金屬連同氧化層一起落入清洗 液中，可以很容易地去除硅片表面的 Al, Fe, Zn, Ni等金屬，但不能充分地去 除Cu= HF: HO=1: 50。在DHF青洗時將用SC-1清洗時表面生成的自然氧化膜 腐蝕掉，Si幾乎不被腐蝕；硅片最外層的Si幾乎是以H鍵為終端結構.表面呈 疏水性；在酸性溶液中硅表面呈負電位，顆粒表面為正電位，由于兩者之間的 吸引力粒子容易附著在晶片表面。第五章總結通過這次畢業(yè)論文的撰

29、寫，我結合自己在大學三年時間里所學的知識，經(jīng) 過較為全面地梳理，鞏固了自己大學階段學習的材料專業(yè)的知識有了一個全面 的梳理，同時培養(yǎng)并發(fā)展了自己的一定研究能力，包括研究問題，發(fā)現(xiàn)的意識,認真、仔細、嚴謹、踏實、肯下功夫進行獨立思考鉆研的學術研究精神，較好 的資料收集、整理材料、觀點整合的能力，較強的運用已學知識去解決現(xiàn)實問 題的能力，以及利用全面的、發(fā)展的、聯(lián)系的觀點，思考分析問題的能力，較 好的邏輯推斷思辨的能力，較好的語言組織，較為流暢的論文撰寫的書面表達 能力，為自己今后的進一步深入學習和以后的工作，積累了寶貴的實踐經(jīng)驗。這次論文撰寫不僅提高了我各方面的能力還讓我知道現(xiàn)在IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)

30、況。在準備這次論文的寫作，我通過網(wǎng)絡查找了許多相關的信息，讓我接觸了許多 清洗液方面的論壇，在這些論壇上我認識了一些熱心人幫我解答問題，真的是 讓我了解了很多自己所學專業(yè)的知識?？傊@次畢業(yè)論文的撰寫讓我看到了 很多在自己專業(yè)方面的很新的知識，真的是受益匪淺。1）用RCA法清洗對去除粒子有效，但對去除金屬雜質 Al、Fe效果很小。2） DHF清洗不能充分去除Cu, HPM清洗容易殘留Al。3）有機物，粒子、金屬雜質在一道工序中被全部去除的清洗方法，目前還不能 實現(xiàn)。4）為了去除粒子，應使用改進的SC-1液即APM液，為去除金屬雜質，應使用 不附著Cu的改進的DHF液。5）為達到更好的效果，應將上述新清洗方法適當組合，使清洗效果最佳。致謝三年的讀書生活將在這個溫和的季節(jié)劃上一個句號，我將面對又一次征程 的開始?，F(xiàn)在回想這三年的求學生涯，雖然走得辛苦卻也收獲滿囊。這篇畢業(yè) 論文將是我大學生活的最后一份作業(yè)，它的而完成就意味著我的大學生活，也 就是我的學生生活得結束，希望我可以為我的大學生活畫上一個完美的句號。首先我要向老師表示