半導體器件復習練習題（二極管三極管場效應管差動放大電路集成運放）

1、精選優(yōu)質文檔-傾情為你奉上半導體基本知識和半導體器件（二極管、三極管、場效應管、集成運放）一、選擇題：1、PN結外加正向電壓時，其空間電荷區(qū)（ ）。A.不變 B.變寬 C.變窄 D.無法確定2、PN結外反正向電壓時，其空間電荷區(qū)（ ）。A.不變 B.變寬 C.變窄 D.無法確定3、當環(huán)境溫度升高時，二極管的反向飽和電流Is將增大，是因為此時PN結內部的（ ） A. 多數(shù)載流子濃度增大 B. 少數(shù)載流子濃度增大C. 多數(shù)載流子濃度減小 D. 少數(shù)載流子濃度減小4、PN結反向向偏置時，其內電場被（ ）。A.削弱 B.增強 C.不變 D.不確定5、在絕對零度（0K）和沒有外界激發(fā)時，本征半導體中(

2、) 載流子。A.有 B.沒有 C.少數(shù) D.多數(shù)6、 集成運放的輸入級采用差分放大電路是因為可以（ ）。A減小溫漂 B. 增大放大倍數(shù)C. 提高輸入電阻 D. 減小輸出電阻7、以下所列器件中，（ ）器件不是工作在反偏狀態(tài)的。A、光電二極管 B、發(fā)光二極管 C、變容二極管 D、穩(wěn)壓管8、當晶體管工作在放大區(qū)時，（ ）。A. 發(fā)射結和集電結均反偏 B.發(fā)射結正偏，集電結反偏C. 發(fā)射結和集電結均正偏 D.發(fā)射結反偏，集電結正偏9、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時，其工作在( )， A正向導通區(qū) B反向截止區(qū) C反向擊穿區(qū) D.不確定10、抑制溫漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）電路。 A.差放 B.正弦 C.數(shù)字

3、 D.功率放大0iD/mA-4 uGS/V511、在某放大電路中，測得三極管三個電極的靜態(tài)電位分別為0 V，-10 V，-9.3 V，則這只三極管是（ ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型鍺管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型鍺管12、某場效應管的轉移特性如右圖所示，該管為（ ）。AP溝道增強型MOS管 B.P溝道結型場效應管 C.N溝道增強型MOS管 D.N溝道耗盡型MOS管13、通用型集成運放的輸入級采用差動放大電路，這是因為它的（ ）。A輸入電阻高 B.輸出電阻低 C.共模抑制比大 D.電壓放大倍數(shù)大14、如右圖所示復合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，則復合后的b約

4、為（ ）。A1500 B.80 C.50 D.3015、發(fā)光二極管發(fā)光時，工作在( )。A正向導通區(qū) B反向截止區(qū) C反向擊穿區(qū) D不確定16、當溫度升高時，二極管反向飽和電流將（ ） A. 增大 B. 減小 C. 不變 D. 等于零17、場效應管起放大作用時應工作在漏極特性的（ ） 。A. 非飽和區(qū) B. 飽和區(qū) C. 截止區(qū) D. 擊穿區(qū)18、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時，其工作在( )。A正向導通區(qū) B反向截止區(qū) C反向擊穿區(qū) D.飽和區(qū)19、集成運放電路采用直接耦合方式是因為 （ ）A. 可獲得較高增益 B. 可使溫漂變小C. 在集成工藝中難于制造大電容 D. 可以增大輸入電阻20、測得BJT各電

5、極對地電壓為：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，則該BJT工作在（ ）狀態(tài)。 A.截止 B.飽和 C.放大 D. 無法確定21、FET是（ ）控制器件。A. 電流 B.電壓 C.電場 D.磁場22、通常要求運算放大器帶負載能力強，在這里，負載的大小是指負載（ ）。A.電阻大 B. 功率大 C. 電壓高 D.功率小23、二極管的電流方程是（ ）。A B. C. D. 24、FET是（ ）控制器件。A. 電流 B.電壓 C.電場 D.磁場25、三極管工作在飽和狀態(tài)的條件是（ ）。A.發(fā)射結正偏，集電結正偏 B.發(fā)射結正偏，集電結反偏C.發(fā)射結反偏，集電結反偏 D.發(fā)射結反偏，集電結正偏2

6、6、測得工作在放大狀態(tài)的BJT三個管腳1、2、3對地電位分別為0V，-0.2V，-3V，則1、2、3腳對應的三個極是（ ）。A.ebc B.ecb C.cbe D.bec27、穩(wěn)壓二極管是利用PN結的（ ）。A.單向導電性 B.反向擊穿性 C.電容特性 D.正向特性28、測得工作在放大狀態(tài)的BJT三個管腳1、2、3對地電位分別為0V，-0.2V，-3V，則1、2、3腳對應的三個極是（ ）。A.ebc B.ecb C.cbe D.bec29、半導體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時，應當工作于（ ）。A.反向偏置擊穿狀態(tài) B.反向偏置未擊穿狀態(tài)C.正向偏置導通狀態(tài) D.正向偏置未導通狀態(tài)30、 當超過下列哪個

7、參數(shù)時，三極管一定被擊穿（）A集電極最大允許功耗 B集電極最大允許電流C集基極反向擊穿電壓（） D. （）E31、若用萬用表測二極管的正、反向電阻的方法來判斷二極管的好壞，好的管子應為( )。A. 正、反向電阻相等 B. 正向電阻大 ，反向電阻小C. 反向電阻比正向電阻大很多倍 D. 正、反向電阻都等于無窮大32、電路如下圖所示，設二極管D1，D2，D3 的正向壓降忽略不計，則輸出電壓uO =（ ）。 A . 2V B. 0V C. 6V D. 12V33、半導體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時，應當工作于（ ）。A.反向偏置擊穿狀態(tài) B.反向偏置未擊穿狀態(tài)C.正向偏置導通狀態(tài) D.正向偏置未導通狀態(tài)34

8、、結型場效應管利用柵源極間所加的( )來改變導電溝道的電阻。A.反偏電壓 B.反向電流 C.正偏電壓 D.正向電流35、場效應管是屬于（ ）控制型器件。 A.電壓 B.電流 C.電感 D.電容36、半導體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時，應當工作于（ ）。 A.反向偏置擊穿狀態(tài) B.反向偏置未擊穿狀態(tài) C.正向偏置導通狀態(tài) D.正向偏置未導通狀態(tài)37、測量某硅BJT 各電極的對地電壓值為 ， ，該管子工作在（ ）A.放大區(qū) B.截止區(qū) C.飽和區(qū) D.無法判斷38、如圖1所示復合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，則復合后的b約為（ ）。V2V1A1500 B.80 C.50 D.30圖1

9、39、共模抑制比越大，表明電路（ ）。 A.放大倍數(shù)越穩(wěn)定 B.交流放大倍數(shù)越大 C.抑制溫漂能力越強 D.輸入信號的差模成分越大二、填空題：40、根據(jù)是否摻入雜質，半導體可分為 半導體和 半導體兩大類。41、N溝道場效應管中的載流子是 ，P溝道場效應管中的載流子是 。42、圖1所示處于反向截止狀態(tài)的PN結，則a、b兩區(qū)分別是PN結的 區(qū)、 區(qū)。43、PN結是靠多數(shù)載流子的 運動和少數(shù)載流子的 運動形成的。44、 PN結中內電場阻止 的擴散，推動 的漂移運動。45、二極管的特性是 ，場效應管是 控制型器件。46、集成運放是多級 耦合放大器。47、 BJT工作在放大區(qū)時，其發(fā)射結處于 偏置，集電

10、結處于 偏置。48、集成運放內部是一個具有高放大倍數(shù)的 耦合的放大電路，故它的主要缺點是 ，為了克服這一缺點，輸入級一般采用 電路提高放大倍數(shù)，中間級一般采用 負載，放大管多用 ；為了提高功率，輸出級常采用互補對稱電路。49、BJT是 控制器件，F(xiàn)ET是 控制器件。50、用萬用表的歐姆檔對二極管進行正反兩次測量，若兩次讀數(shù)都為，則此二極管_；若兩次讀數(shù)都接近零，則此二極管_；若讀數(shù)一次很大，一次讀數(shù)小，則此二極管_。51、設如右圖電路中, D1為硅二極管, D2為鍺二極管, 則D1處于 狀態(tài), D2處于 狀態(tài), 輸出電壓Uo為 伏。圖352、 BJT工作在截止區(qū)時，其發(fā)射結處于 偏置，集電結處

11、于 偏置。53、結型場效應管輸入回路PN結處于 狀態(tài)，因此它的輸入電阻比雙極型三極管的輸入電阻 。54、晶體三極管的輸出特性曲線一般分為三個區(qū)，即： 、 、 ；要使三極管工作在放大區(qū)必須給發(fā)射結加 ，集電結加 。55、測得工作在放大電路中的晶體管三個電極電位分別為，則此管是 型三極管，材料為 。56、理想運放有“虛短”即指 和“虛斷”即指 兩個重要特性，“虛地”是 的特殊情況。57、二極管最主要的特性是 。58、.在選用整流二極管時，主要應考慮參數(shù) 、 。59、在室溫下，某三極管的ICBO=8A，b=70，穿透電流為 mA 。另一只三極管的電流值：IB = 20mA時IC = 1.18mA、I

12、B = 80mA時IC = 4.78mA，該管的b = 。60、整流二極管的整流作用是利用PN結的 特性，穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用是利用PN結的 特性。三、判斷題：61、運放的輸入失調電壓UIO是兩輸入端電位之差。（ ）62、因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。（ ）63、本征半導體溫度升高后，自由電子數(shù)目增多，空穴數(shù)基本不變。（ ）64、P型半導體中的多數(shù)載流子是空穴，因此，P型半導體帶正電。（ ）65、本征半導體不帶電，P 型半導體帶正電，N 型半導體帶負電。（ ）66、N型半導體中的多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是自由電子。（ ）67、P型半導體中的多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是自由電子

13、。（ ）68、BJT的值越大，放大能力越強，但在選用BJT時，并不是值越大越好。（ ）69、發(fā)射結處于反偏的BJT，它一定工作在截止區(qū)。（ ）70、BJT是由兩個PN結組合而成的，所以將兩個二極管對接，也可以當BJT使用。（ ）71、BJT的輸入電阻rbe是對交流而言的一個動態(tài)電阻，在小信號情況下為常數(shù)。（ ）72、在三極管放大電路的三種基本組態(tài)中，共集電極放大電路帶負載的能力最強。（）73、二極管的反向偏置電壓升高時，其正向電阻增大。（）74、處于放大狀態(tài)的晶體管其基極電流同場效應管的柵極電流差不多。（ ）75、三極管是雙極型管，屬于電流控制器件；場效應管是單極性管，屬于電壓控制器件。（ ）

14、76、在運放電路中，閉環(huán)增益f是指廣義的放大倍數(shù)。（ ）77、二極管的反向偏置電壓升高時，其正向電阻增大。（ ）78、小功率晶體二極管2CP12的正向電流在20mA的基礎上增加1倍，它的兩端壓降也增加1倍。（ ）79、雙極型晶體管和場效應管都是電流控制型器件。（ ）80、處于線性工作狀態(tài)的實際集成運放，在實現(xiàn)信號運算時，兩個輸入端對地的直流電阻必須相等，才能防止輸入偏置電流帶來誤差。（ ）四、分析作圖題：83、畫出圖中各電路的u0波形。設ui=10sint(V),且二極管具有理想特性。10KDuiRuo2uiDR10Kuo1 10K 84、電路如圖（a）、（b）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ3V，R的取值合適，uI的波形如圖（c）所示。試分別畫出uO1和uO2的波形。 分