存儲器實(shí)驗(yàn)報(bào)告

1、實(shí)驗(yàn)四 存儲器實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)報(bào)告電商142班 高恒 2014012750實(shí)驗(yàn)?zāi)康耐ㄟ^看懂教學(xué)計(jì)算機(jī)中以及經(jīng)使用的幾個(gè)存儲器芯片的邏輯連接關(guān)系和用以完成存儲器容量擴(kuò)展的幾個(gè)存儲芯片的布線安排，在教學(xué)計(jì)算機(jī)上設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)并調(diào)試出存儲器容量擴(kuò)展的實(shí)驗(yàn)內(nèi)容。其最終要達(dá)到的目的是：1.深入理解計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲器的功能、組成知識；2.深入地學(xué)懂靜態(tài)存儲器芯片的讀寫原理和用他們組成教學(xué)計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)的方法（即字、位擴(kuò)展技術(shù)），控制其運(yùn)行的方式。思考并對比靜態(tài)和動(dòng)態(tài)存儲器芯片在特性和使用場合等方面的同異之處。實(shí)驗(yàn)說明教學(xué)計(jì)算機(jī)存儲器系統(tǒng)由ROM和RAM兩個(gè)存儲區(qū)域組成，分別由EPRO芯片（或EEPROM芯片）和RAM芯

2、片構(gòu)成。TEC-XP教學(xué)計(jì)算機(jī)中還安排了另外幾個(gè)存儲器器件插座，可以插上相應(yīng)存儲器芯片以完成存儲器容量擴(kuò)展的教學(xué)實(shí)驗(yàn)，為此必須比較清楚的了解：1. TEC-XP教學(xué)機(jī)的存儲器系統(tǒng)的總體組成及其連接關(guān)系；2. TEC-XP教學(xué)機(jī)的有關(guān)存儲芯片、I/0接口芯片的片選信號控制和讀寫命令的給出和具體使用辦法；3. RAM和EPROM、EEPROM存儲芯片在讀寫控制、寫入時(shí)間等方面的同異之處，并正確建立連線關(guān)系和在程序中完成正確的讀寫過程；4. 如何在TEC-XP教學(xué)機(jī)中使用擴(kuò)展的存儲器空間并檢查其運(yùn)行的正確性。實(shí)驗(yàn)步驟 1、檢查擴(kuò)展芯片插座的下方的插針要按下列要求短接：標(biāo)有“/MWR”“RD”的插針左

3、邊兩個(gè)短接，標(biāo)有“/MRD”“GND”的插針右邊兩個(gè)短接。2、RAM（6116）支持即時(shí)讀寫，可直接用A、E 命令向擴(kuò)展的存儲器輸入程序或改變內(nèi)存單元的值。 (1) 用E命令改變內(nèi)存單元的值并用D命令觀察結(jié)果。 1) 在命令行提示符狀態(tài)下輸入： E 2020 屏幕將顯示： 2020 內(nèi)存單元原值: 按如下形式鍵入： 2020 原值：2222 （空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555 2) 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：D 2020屏幕將顯示從2020內(nèi)存單元開始的值，其中2020H2023H的值為：2222 3333 4444 5555實(shí)驗(yàn)情況如下圖：如下圖：斷電后重新啟

4、動(dòng)教學(xué)實(shí)驗(yàn)機(jī)，用D命令觀察內(nèi)存單位20202023的值。會(huì)發(fā)現(xiàn)原來置入到這幾個(gè)內(nèi)存單位的值已經(jīng)改變，用戶在使用RAM時(shí)，必須每次斷電重啟后豆芽平重新輸入程序或修改內(nèi)存單位的值。實(shí)驗(yàn)情況如下圖：（2）用A命令輸入一段程序，執(zhí)行并觀察結(jié)果。1)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：A2000屏幕將顯示：2000：按如下形式鍵入：2000：MVRDR0，AAAA2002：MVRDR1，55552004：ANDR0，R12005：RET2006：2)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：T2000R0的值變?yōu)锳AAAH，其余寄存器的值不變。TR1的值變?yōu)?555H，其余寄存器的值不變。TR0的值變?yōu)?000H，其余寄存器的值

5、不變。實(shí)驗(yàn)情況如下圖：3)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：G2000運(yùn)行輸入的程序。4)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：R屏幕顯示：R0=0000R1=5555R2=實(shí)驗(yàn)情況如下圖：3、將擴(kuò)展的ROM芯片（27或28系列或28的替代產(chǎn)品58C65芯片）插入標(biāo)有“EXTROMH”和“EXTROML”的自鎖緊插座，要注意芯片插入的方向，帶有半圓形缺口的一方朝左插入。如果芯片插入方向不對，會(huì)導(dǎo)致芯片燒毀。然后鎖緊插座。4、將擴(kuò)展芯片下方的插針按下列方式短接：將標(biāo)有“/MWR”“PGM”和“RD”的三個(gè)插針左面兩個(gè)短接，將標(biāo)有“/MWR”“/OE”“GND”的三個(gè)插針左邊兩個(gè)短接。5、將擴(kuò)展芯片上方標(biāo)有EXTRO

6、MH和EXTROML的“/CS”信號用自鎖緊線短接，然后短接到MEMDC138芯片的上方的標(biāo)有“40005fff”地址單元。注意：標(biāo)有/CS的圓孔針與標(biāo)有MEM/CS的一排圓孔針中的任意一個(gè)都可以用導(dǎo)線相連；連接的地址范圍是多少，用戶可用的地址空間就是多少。8、AT28C64B的讀操作和一般的RAM一樣，而其寫操作，需要一定的時(shí)間，大約為1 毫秒。因此，需要編寫一延遲子程序，在對EEPROM進(jìn)行寫操作時(shí)，調(diào)用該子程序，以完成正確的讀寫。(1) 用E 命令改變內(nèi)存單元的值并用D命令觀察結(jié)果。1) 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：E 5000屏幕將顯示： 5000 內(nèi)存單元原值：按如下形式鍵入：5000

7、 原值：2424（按空格）原值：3636（按空格）原值：4848（按空格）原值：50502) 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：D 5000屏幕將顯示5000H507FH 內(nèi)存單元的值，從5000 開始的連續(xù)四個(gè)內(nèi)存單元的值依次 為2424 3636 4848 5050。實(shí)驗(yàn)情況如下圖：3) 斷電后重新啟動(dòng)，用D命令察看內(nèi)存單元50005003的值，會(huì)發(fā)現(xiàn)這幾個(gè)單元的值沒有發(fā)生改變，說明EEPROM的內(nèi)容斷電后可保存。實(shí)驗(yàn)情況如下圖：(2) AT28C64B存儲器不能直接用A 命令輸入程序，單字節(jié)的指令可能會(huì)寫進(jìn)去，雙字節(jié)指令的低位會(huì)出錯(cuò)（建議試一試），可將編寫好的程序用編程器寫入片內(nèi)；也可將程序放到

8、RAM（6116）中，調(diào)用延時(shí)子程序，訪問AT28C64B 中的內(nèi)存地址。下面給出的程序，在5000H500FH 單元中依次寫入數(shù)據(jù)0000H、0001H、.000FH。 從2000H單元開始輸入主程序：（2000）MVRD R0，0000 MVRD R2，0010 ；R2記錄循環(huán)次數(shù) MVRD R3，5000 ；R3的內(nèi)容為16 位內(nèi)存地址（2006）STRR R3，R0 ；將R0寄存器的內(nèi)容放到R3 給出的內(nèi)存單元中 CALA 2200 ；調(diào)用程序地址為2200的延時(shí)子程序 INC R0 ；R0加1 INC R3 ；R3加1 DEC R2 ；R2減1 JRNZ 2006 ；R2不為0跳轉(zhuǎn)到2006H RET從2200H 單元開始輸入延時(shí)子程序：（2200）PUSH R3 MVRD R3，F(xiàn)FFF（2203）DEC R3 JRNZ 2203 POP R3 RET實(shí)驗(yàn)情況如下圖：運(yùn)行主程序，在命令提示符下輸入：G 2000。輸出結(jié)果：程序執(zhí)行結(jié)束后，在命令提示符下輸入：D 5000；可看到從5000H開始的內(nèi)存單元的值變?yōu)?000：0000 0001 0002 0003 0004 0005 0006 00075008：0008 0009 00