新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

1、    新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)0引言SOI技術(shù)帶來(lái)器件和電路性能提高的同時(shí)也不可避免地帶來(lái)了不利的影響，其中最大的問(wèn)題在于部分耗盡SOI器件的浮體效應(yīng)。當(dāng)器件頂層Si膜的厚度大于最大耗盡層的寬度時(shí)，由于結(jié)構(gòu)中氧化埋層的隔離作用，器件開(kāi)啟后一部分沒(méi)有被耗盡的si膜將處于電學(xué)浮空的狀態(tài)，這種浮體結(jié)構(gòu)會(huì)給器件特性帶來(lái)顯著的影響，稱之為浮體效應(yīng)。浮體效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生kink效應(yīng)、漏擊穿電壓降低、反常亞閾值斜率等浮體效應(yīng)。由于浮體效應(yīng)對(duì)器件性能帶來(lái)不利的影0 引言   SOI技術(shù)帶來(lái)器件和電路性能提高的同時(shí)也不可避免地帶來(lái)了不利的

2、影響，其中最大的問(wèn)題在于部分耗盡SOI器件的浮體效應(yīng)。當(dāng)器件頂層Si膜的厚度大于最大耗盡層的寬度時(shí)，由于結(jié)構(gòu)中氧化埋層的隔離作用，器件開(kāi)啟后一部分沒(méi)有被耗盡的si膜將處于電學(xué)浮空的狀態(tài)，這種浮體結(jié)構(gòu)會(huì)給器件特性帶來(lái)顯著的影響，稱之為浮體效應(yīng)。浮體效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生kink效應(yīng)、漏擊穿電壓降低、反常亞閾值斜率等浮體效應(yīng)。    由于浮體效應(yīng)對(duì)器件性能帶來(lái)不利的影響，如何抑制浮體效應(yīng)的研究，一直是SOI器件研究的熱點(diǎn)。針對(duì)浮體效應(yīng)的解決措施分為兩類，一類是采用體接觸方式使積累的空穴得到釋放，一類是從工藝的角度出發(fā)采取源漏工程或襯底工程減輕浮體效應(yīng)。所謂體接觸，就是使埋氧層上方

3、、Si膜底部處于電學(xué)浮空狀態(tài)的中性區(qū)域和外部相接觸，導(dǎo)致空穴不可能在該區(qū)域積累，因此這種結(jié)構(gòu)可以成功地克服MOSFET中的浮體效應(yīng)。    人們采取了很多措施來(lái)抑制浮體效應(yīng)，比較常用的如圖1所示，有T型柵、H型柵和BTS結(jié)構(gòu)。但T型柵、H型柵技術(shù)由于p型Si區(qū)體電阻的存在而不能有效抑制浮體效應(yīng)，而且溝道越寬體電阻越大，浮體效應(yīng)越顯著。BTS結(jié)構(gòu)直接在源區(qū)形成p+區(qū)，其缺點(diǎn)是源漏不對(duì)稱，使得源漏無(wú)法互換，有效溝道寬度減小。而且，源端的接觸引進(jìn)了較大的寄生電容，使得器件性能變差。1 新結(jié)構(gòu)的提出    如圖2所示，本文提出了一種新的體接觸

4、技術(shù)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)，在晶體管的源、漏下方形成離Si表面較近的薄氧化層，采用源漏的淺結(jié)擴(kuò)散，形成側(cè)向體引出結(jié)構(gòu)。未在此基礎(chǔ)上，適當(dāng)加大了Si膜厚度來(lái)減小體引出電阻，與以往方法相比，該方法具有較小的體-源、體-漏寄生電容，完全消除了背柵效應(yīng)、體引出電阻隨器件寬度增大而減小，體電阻可以隨Si膜厚度的加大而減小，且不以增大寄生電容為代價(jià)等優(yōu)點(diǎn)。因而，該器件能更有效地抑制浮體效應(yīng)。而且，為形成局部埋氧層，該方法僅僅在工藝上增加了一塊掩模版，其他的工藝流程跟標(biāo)準(zhǔn)的SOI CMOS工藝一致，因此該方法具有很好的工藝兼容性。    該結(jié)構(gòu)可以利用低能量、低劑量局部

5、SIMOX技術(shù)實(shí)現(xiàn)，為了在器件的溝道下方不形成BOX層，在氧離子注入時(shí)，利用Si02掩膜進(jìn)行覆蓋，掩膜采用RIE(reactive ion etching)，根據(jù)形成的局部埋氧層的深度和厚度確定注入的能量和計(jì)量，注入完成后，在Ar+05O2的氣氛中進(jìn)行高溫退火數(shù)小時(shí)形成局部埋氧層。YMDong和PHe等人的實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了局部SIMOX技術(shù)在工藝上的可實(shí)現(xiàn)性，利用透射電子顯微鏡對(duì)樣品的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行觀察，其源、漏下方的BOX層非常完整，BOX層的端口與多晶Si柵相對(duì)齊，間距略微大于柵的長(zhǎng)度。整個(gè)單晶Si的表面非常平整，源漏區(qū)沒(méi)有因?yàn)樾纬葿OX層而抬高，也沒(méi)有在退火過(guò)程中受到氧化而降低。表l為新型結(jié)構(gòu)器件的主要工藝參數(shù)，其中：Tox為柵氧厚度；TSi為Si膜厚度；Tbox為埋氧層厚度；Tsdbox為源漏下埋氧層厚度；Nch為溝道摻雜濃度；Nsub為襯底摻雜濃度；Ldrawn為溝道長(zhǎng)度；Wdrawn為溝道寬度；Xj為源漏結(jié)深。2 模擬結(jié)果與討論    采用ISETCAD模擬器對(duì)器件進(jìn)行模擬并討論模擬結(jié)果。體接觸可在一定程度上抑制浮體效應(yīng)。體接觸的效果還與接觸位置、器件的尺寸和工藝有關(guān)。如果體接觸效果不好，漏結(jié)碰撞電離產(chǎn)生的空穴仍然會(huì)在體區(qū)積累，使得體區(qū)空穴濃度增大，體區(qū)電位升高，閾值電壓降低，因而漏電流增大。圖3為浮體器件、T型柵體接觸結(jié)構(gòu)和本文提出的新型