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1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上第三章習(xí)題1.在液態(tài)金屬中,凡是涌現(xiàn)出的小于臨界晶核半徑的晶胚都不能成核。但如果有足夠的能量起伏,是否可以成核? 答:不能。因?yàn)樾魏耸怯扇垠w中的能量起伏提供的,而形核功又決定了臨界形核半徑,因此當(dāng)有足夠的能量起伏導(dǎo)致臨界形核功變大,從而導(dǎo)致臨界晶核半徑增大。因此那些小于臨界晶核半徑的晶胚此時(shí)仍小于新的臨界晶核半徑,仍不能成核。2.液態(tài)金屬凝固時(shí)需要過(guò)冷,那么固態(tài)金屬熔化時(shí)是否需要過(guò)熱?為什么? 答:需要。GSL為熔化(相變)驅(qū)動(dòng)力 GSL=GS-GL=HS-TSS-HL-TSL=LSL-TSLS 式中:LSL為熔化潛熱;SLS為凝固熵。 在T=Tm時(shí),GL=GSSLS
2、=0,即凝固態(tài)處于平衡狀態(tài) GSL=LSL-TmSLS=0SLS=LSLTm 則有: GSL=LSLTm-TTm=LSLT'Tm T'為過(guò)熱度。因?yàn)槿刍瘯r(shí)體系自由能增加則應(yīng)有:GSL<0 即有T'<0TTm,顯然金屬熔化時(shí)存在過(guò)熱,即需要過(guò)熱。3.假設(shè)凝固時(shí)的臨界晶核為立方體形狀,求臨界形核功。分析在同樣過(guò)冷度下均勻形核時(shí),球形晶核和立方晶核哪一個(gè)更容易生成? 答:當(dāng)臨界晶核為立方體形狀時(shí),G均=nVGV+nSCL=-r均3GVn+6r均2CLn 式中:r為立方體晶核的棱長(zhǎng); GV為單位體積液態(tài)金屬凝固自由能的變化; n為原子個(gè)數(shù); CL為固-液界面能。 將
3、GV=LTTm 代入上式有r均*=4CLLTmT 則有:G均*=-64CL3Tm3L3T3LTTm+616CL3Tm2L2T2CLn=32nCL3Tm2L2T2 即為凝固時(shí)臨界晶核為立方體形狀時(shí)的臨界形核功。又球狀晶核的臨界形核功為G均*'=163nCL3Tm2L2T2<G均* 則在同樣過(guò)冷度下均勻形核時(shí),球形晶核更容易生成。4.解釋臨界晶核半徑r*和形核功G*的意義,以及為什么形核要有一定過(guò)冷度? 答:臨界晶核半徑r*=2CLLTmT 當(dāng)r=r*時(shí),原子集團(tuán)形成臨界晶核可以溶解,也可以長(zhǎng)大;當(dāng)rr*時(shí),原子集團(tuán)生成穩(wěn)定晶核,可以長(zhǎng)大;當(dāng)rr*時(shí),原子集團(tuán)不能形成穩(wěn)定的晶核,會(huì)溶
4、解。臨界形核功G*=163nCL3Tm2L2T2當(dāng)GG*時(shí),不能形核長(zhǎng)大;當(dāng)GG*時(shí),能形核長(zhǎng)大。由r均*=2CLLTmT,G*=163nCL3Tm2L2T2可知,只有在一定過(guò)冷度T時(shí),形核功達(dá)到一定程度才會(huì)讓液體中有達(dá)到臨界形核半徑的原子集團(tuán)產(chǎn)生,才能形核長(zhǎng)大,故需要一定過(guò)冷度。5.說(shuō)明為什么異質(zhì)形核比均質(zhì)形核容易?影響異質(zhì)形核的因素? 答:均勻形核:G均=nVGV+nSCL=-43r均3GVn+4r均2CLn 異質(zhì)形核:G異=(-43r3GVn+4r2CLn)2-3cos+cos34n 又G異*=16nCL33Gv2f=G均*f=13A*CLf 其中f=2-3cos+cos34=2+cos
5、(1-cos)24 均質(zhì)形核和異質(zhì)形核的臨界尺寸相同,但異質(zhì)形核只是球體的一部分,它所包含的原子數(shù)比均質(zhì)形核少,所以異質(zhì)形核阻力小,比均質(zhì)形核容易。 影響異質(zhì)形核的因素:過(guò)冷度;夾雜物的特性、形態(tài)和數(shù)量;液態(tài)金屬的過(guò)熱和持續(xù)時(shí)間。6.討論兩類(lèi)固-液界面結(jié)構(gòu)(粗糙面和光滑面)形成的本質(zhì)及其判據(jù)。 答:(1)形成的本質(zhì) 光滑面:界面s相一側(cè)的點(diǎn)陣位置幾乎全部為s相原子所占滿(mǎn),只留下少數(shù)空位或臺(tái)階,從而形成整體上平整光滑的界面結(jié)構(gòu)。平整界面也稱(chēng)“小晶面”或“小平面”,主要為非金屬及化合物。粗糙面:界面s相一側(cè)的點(diǎn)陣位置只有約50%被s相所占據(jù),形成凹凸不平的界面結(jié)構(gòu)。粗糙界面也稱(chēng)“非小晶面”或“非小
6、平面”,主要為大多數(shù)金屬。 (2)判據(jù) 晶體表面結(jié)構(gòu)取決于晶體長(zhǎng)大的熱力學(xué)條件。 如果在光滑界面上任意增加原子,即界面粗糙化時(shí),界面自由能的相對(duì)變化Gs為:GsNkBTm=x1-x+xlnx+(1-x)ln(1-x)其中N界面上可能具有的原子位置數(shù); kB波爾茲曼常數(shù); Tm熔點(diǎn); X界面上被固相原子占據(jù)位置的分?jǐn)?shù);=LkB Tm() LkB Tm取決于兩相的熱力學(xué)性質(zhì); 與晶體結(jié)構(gòu)及界面的晶面指數(shù)有關(guān),其值最大為0.5。 對(duì)于2的金屬,凝固時(shí)S-L界面為粗糙面; 對(duì)于5的金屬,凝固時(shí)S-L界面為光滑面。7.固-液界面結(jié)構(gòu)如何影響晶體生長(zhǎng)方式和生長(zhǎng)速度? 答:粗糙界面導(dǎo)致連續(xù)生長(zhǎng)機(jī)制,完整平整界面導(dǎo)致二維生核長(zhǎng)大機(jī)制,非完整界面導(dǎo)致從陷處生長(zhǎng)機(jī)制((1)螺旋位錯(cuò)生長(zhǎng)(2)旋轉(zhuǎn)孿晶生長(zhǎng)(3)反射孿晶生長(zhǎng))。 粗糙界面生長(zhǎng)速度最快,生長(zhǎng)界面上有大量現(xiàn)成的臺(tái)階,液相原子在界面各處連續(xù)生長(zhǎng);二維生核長(zhǎng)大機(jī)制需要很大的過(guò)冷度,只有當(dāng)Tk達(dá)到臨界值Tk后,二維生核大量增加,生長(zhǎng)速度加快,與粗糙界面相似,兩者生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)規(guī)律一致。生長(zhǎng)機(jī)理從二維生核生長(zhǎng)過(guò)渡到連續(xù)生長(zhǎng)。螺旋位錯(cuò)生長(zhǎng)
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