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1、單縫衍射實(shí)驗(yàn)報(bào)告篇一:北郵 單逢衍射實(shí)驗(yàn)報(bào)告 電磁場(chǎng)與電磁波測(cè)量實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 學(xué)院:電子工程學(xué)院 班級(jí):2011211204 指導(dǎo)老師:李莉 2014年3月 實(shí)驗(yàn)二 單縫衍射實(shí)驗(yàn) 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?掌握電磁波的單縫衍射時(shí)衍射角對(duì)衍射波強(qiáng)度的影響 二、預(yù)習(xí)內(nèi)容 電磁波單縫衍射現(xiàn)象 三、實(shí)驗(yàn)設(shè)備 S426型分光儀 四、實(shí)驗(yàn)原理 圖1 單縫衍射原理 當(dāng)一平面波入射到一寬度和波長(zhǎng)可比擬的狹縫時(shí),就要發(fā)生衍射的現(xiàn)象。在縫后面出現(xiàn)的衍射波強(qiáng)度并不是均勻的,中央最強(qiáng),同時(shí)也最寬。在中央的兩側(cè)衍射波強(qiáng)度迅速減小,直至出現(xiàn)衍射波強(qiáng)度的最小值,即一級(jí)極小,此時(shí)衍射角為?Sin -1 ? 其中?是波長(zhǎng),? 是狹縫寬度

2、。兩者取同一長(zhǎng)度單位,然后,隨著衍射角增大,衍射波強(qiáng)度又逐漸增大,直至出現(xiàn)一級(jí)極大值,角度為:?Sin? -1 ?3? ?(如圖所示) 2? 圖2 單縫衍射實(shí)驗(yàn)儀器的布置 儀器連接時(shí),預(yù)先接需要調(diào)整單縫衍射板的縫寬,當(dāng)該板放到支座上時(shí),應(yīng)使狹縫平面與支座下面的小圓盤上的某一對(duì)刻線一致,此刻線應(yīng)與工作平臺(tái)上的90刻度的一對(duì)線一致。轉(zhuǎn)動(dòng)小平臺(tái)使固定臂的指針在小平臺(tái)的180處,此時(shí)小平臺(tái)的0就是狹縫平面的法線方向。這時(shí)調(diào)整信號(hào)電平使表頭指示接近滿度。然后從衍射角0開始,在單縫的兩側(cè)使衍射角每改變10,讀取一次表頭讀數(shù),并記錄下來(lái),這時(shí)就可畫出單縫衍射強(qiáng)度與衍射角的關(guān)系曲線,并根據(jù)微波波長(zhǎng)和縫寬算出一

3、級(jí)極小和一級(jí)極大的衍射角,并與實(shí)驗(yàn)曲線上求得的一級(jí)極小和極大的衍射角進(jìn)行比較。 五、實(shí)驗(yàn)報(bào)告 記錄實(shí)驗(yàn)測(cè)得數(shù)據(jù),畫出單縫衍射強(qiáng)度與衍射角的關(guān)系曲線,根據(jù)微波波長(zhǎng)和縫寬算出一級(jí)極小和一級(jí)極大的衍射角,與實(shí)驗(yàn)曲線上求得的一級(jí)極小和極大的衍射角進(jìn)行比較。 (a)整理以上數(shù)據(jù)表格,標(biāo)注一級(jí)極大、一級(jí)極小對(duì)應(yīng)的角度值; 由表格數(shù)據(jù)可以看出,一級(jí)極大對(duì)應(yīng)的角度值為48度,一級(jí)極小對(duì)應(yīng)的角度值為32度。 (b)畫出衍射曲線; (c)根據(jù)公式算出一級(jí)極大和一級(jí)極小的衍射角,和實(shí)驗(yàn)曲線求得的極大、極小對(duì)應(yīng)的衍射角進(jìn)行比較。 誤差分析: 一級(jí)極大的衍射角為:?max1?Sin?一級(jí)極小的衍射角為:?min1?Si

4、n -1 -1 ?3?332? ?Sin-1?43度 ?2?270? ?32?Sin-1?27度 ?70 可以看出測(cè)量值與理論值有一定的差距,但是差距在誤差范圍之內(nèi)。 ? (a)整理以上數(shù)據(jù)表格,標(biāo)注一級(jí)極大、一級(jí)極小對(duì)應(yīng)的角度值; 由表格數(shù)據(jù)可以看出,一級(jí)極大對(duì)應(yīng)的角度值為48度,一級(jí)極小對(duì)應(yīng)的角度值為44度。 (b)畫出衍射曲線; (c)根據(jù)公式算出一級(jí)極大和一級(jí)極小的衍射角,和實(shí)驗(yàn)曲線求得的極大、極小對(duì)應(yīng)的衍射角進(jìn)行比較。 篇二:?jiǎn)慰p衍射實(shí)驗(yàn) 電磁場(chǎng)與微波測(cè)量實(shí)驗(yàn)報(bào)告 實(shí)驗(yàn)二單縫衍射實(shí)驗(yàn) 題目:電磁場(chǎng)與微波測(cè)量實(shí)驗(yàn) 學(xué)院:電子工程學(xué)院 班級(jí):20132112xx 撰寫人:xx 組內(nèi)成員:

5、xxxx 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?掌握電磁波的單縫衍射時(shí)衍射角對(duì)衍射波強(qiáng)度的影響。 二、預(yù)習(xí)內(nèi)容 電磁波單縫衍射現(xiàn)象。 三、實(shí)驗(yàn)設(shè)備 1、S426型分光儀: 用于驗(yàn)證平面波的傳播特點(diǎn),包括不同媒質(zhì)分界面時(shí)發(fā)生的反射和折射等諸多問(wèn)題。 分光儀的部分組件名稱和簡(jiǎn)要介紹如下: 2、DH1121B型三厘米固態(tài)信號(hào)源 該信號(hào)源是一種使用體效應(yīng)管做震蕩源的微波信號(hào)源,由振蕩器、隔離器和主機(jī)組成。三厘米固態(tài)振蕩器發(fā)出的信號(hào)具有單一的波長(zhǎng)(出廠時(shí)信號(hào)調(diào)在=32.02mm上),當(dāng)發(fā)射喇叭口面的寬邊與水平面平行時(shí),發(fā)射信號(hào)電矢量的偏振方向是垂直的。可變衰減器用來(lái)改變微波 信號(hào)幅度的大小,衰減器的度盤指示越大,對(duì)微波信號(hào)的衰

6、減也越大。晶體檢波器可將微波信號(hào)變成直流信號(hào)或低頻信號(hào)(當(dāng)微波信號(hào)幅度用低頻信號(hào)調(diào)制時(shí))。 四、實(shí)驗(yàn)原理 當(dāng)一平面波入射到一寬度和波長(zhǎng)可比擬的狹縫時(shí),就要發(fā)生衍射的現(xiàn)象。在縫后面出現(xiàn)的衍射波強(qiáng)度并不是均勻的,中央最強(qiáng),同時(shí)也最寬。在中央的兩側(cè)衍射波強(qiáng)度迅速減小,直至出現(xiàn)衍射波強(qiáng)度的最小值,即一級(jí)極小,此時(shí)衍射角為?=sin?1其中是波長(zhǎng),是 ? 狹縫寬度。兩者取同一長(zhǎng)度單位,然后,隨著衍射角增大,衍射波強(qiáng)度又逐漸增大,直至出現(xiàn)一級(jí)極大值,角度為:?=sin?1(。 2?3 ? 五、實(shí)驗(yàn)步驟 1、連接好儀器,調(diào)整衍射板縫寬至70mm,將該板固定在支座上,板平面和工作平臺(tái)的90刻度線一致; 2、轉(zhuǎn)

7、動(dòng)小平臺(tái)使固定臂的指針指向小平臺(tái)的180刻度處,此時(shí)小平臺(tái)的0刻度就是狹縫平面的法線方向; 3 、打開三厘米固態(tài)信號(hào)源,電流表偏轉(zhuǎn)一定角度,調(diào)節(jié)信號(hào)電平使 表頭指示接近滿度; 4、記錄下0度時(shí)電流表刻度,從可動(dòng)臂向小圓盤方向看去,每向左旋轉(zhuǎn)2度,記下一組刻度值,直到角度達(dá)到52度; 5、將可動(dòng)臂旋轉(zhuǎn)回0度,記下電流表數(shù)值,接下來(lái)每向右旋轉(zhuǎn)2度,記下一組數(shù)值,由于旋轉(zhuǎn)空間有限,我們?nèi)〉搅?4度; 6、保持輸出信號(hào)不變,調(diào)整衍射板縫寬至50mm,重復(fù)上述步驟,記錄多組數(shù)據(jù); 7、保持輸出信號(hào)不變,調(diào)整衍射板縫寬至20mm,重復(fù)上述步驟,記錄多組數(shù)據(jù); 8、根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果繪制出單縫衍射強(qiáng)度與衍射角的關(guān)系曲線,計(jì)算一級(jí)極小和一級(jí)極大的衍射角理論值,并與實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行比較分析。 六、實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析 1、理論計(jì)算: 一級(jí)極小值為?=sin?1=sin?1(),所以: ? 2? ?3? 當(dāng)=70mm,=32mm時(shí),?1=27.20°,1=43.29°; 當(dāng)=50mm,=32mm時(shí),?2=39.79°,2=73.74°; 當(dāng)=20mm,=32mm時(shí),>1,無(wú)實(shí)際意義,所以不存在一級(jí) ? 極大值和一級(jí)極小值。 2、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù): 篇三:?jiǎn)慰p衍射 大物實(shí)驗(yàn)報(bào)告 思考題 單縫衍射 大物實(shí)驗(yàn)報(bào)告 思考題 硅光電池的進(jìn)光狹縫寬度對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響 硅光電池前的狹縫光闌

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