太陽能級多晶硅標準北京修改

1、ICS29.045H82OB中華人民共和國國家標準GB/T>oo<"xxxx太陽能級多晶硅Solar-GradePolycrystallineSilicon（送審稿）xxxx-XX-XX發(fā)布xxxx-XX-XX實施中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標準化管理委員會、乙刖百本標準是為適應我國光伏產業(yè)日益發(fā)展的需要，在修改采用SEMI16-1296硅多晶規(guī)范標準的基礎上，結合我國多晶硅生產、試驗、使用的實際情況而制定的。本標準的制定能滿足市場及用戶對太陽能級多晶硅的質量要求。本標準考慮了目前市場上的大部分用于太陽能光伏產業(yè)的多晶硅料，包括：棒狀料、塊狀料、顆粒

2、料等，根據不同種類的多晶硅加工、生產太陽能電池其轉換率情況，將太陽能級多晶硅等級分為三級。與SEMI16-1296相比增加了基體金屬雜質內容。本標準的術語與相關標準協(xié)調一致。本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準起草單位：洛陽中硅高科技有限公司、無錫尚德太陽能電力有限公司、中國電子材料行業(yè)協(xié)會、西安隆基硅材料股份有限公司、四川新光硅業(yè)科技有限公司。本標準主要起草人：楊玉安、袁金滿、孫世龍、汪義川、魯瑾、曹宇、梁洪。太陽能級多晶硅1范圍本標準規(guī)定了太陽能級多晶硅的產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標志、運輸及貯存。

3、本標準適用于以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷等方法，生產的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產品。產品主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產。2規(guī)范性引用文件卜列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1551硅、錯單晶電阻率測試直流兩探針法GB/T1552硅、錯單晶電阻率測試直排四探針法GB/T1553硅和錯體

4、內少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T4059硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗法GB/T4060硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗法GB/T4061硅多晶斷面夾層化學腐蝕方法GB/T14264半導體材料術語SEMIMF1389光致熒光光譜測單晶硅中出-V族雜質SEMIMF1535SEMIMF1630用微波反射光電導衰減法非接觸測量硅片載流子復合壽命的測試方法低溫傅立葉變換紅外光譜法測量單晶硅中出-V族雜質SEMIMF1723利用區(qū)熔生長和光譜法評價多晶硅產品規(guī)范SEMIMF1724利用酸提取原子吸收光譜測量多晶硅表

5、面金屬沾污的測試方法3要求3.1 分類產品按外型分為棒狀、塊狀和顆粒狀，根據等級的差別分為三級。3.2 牌號硅多晶牌號表不為:SGPS一口阿拉伯數(shù)字表示硅多晶等級字母I表木棒狀，N表木塊狀、G表小粒狀表示太陽能級硅多晶4技術要求4.1等級太陽能級多晶硅的純度及相關技術要求應符合表1的規(guī)定。表1項目（一）太陽能級多晶硅等級指標（一）1級品2級品3級品基磷電阻率，Q-cm>100>40>20基硼電阻率，Q-cm>500>200>100少數(shù)載流子壽命，ws>100>50>30氧濃度，atoms/cm3一一17<1.0X10一一17<1

6、.0X10一17<1.5X10碳濃度，atoms/cm3<2.5X1016<4.0X1016<4.5X1016項目（二）太陽能級多晶硅等級指標（二）1級品2級品3級品施主雜質濃度ppba<1.5<3.76<7.64受主雜質濃度ppba<0.5<1.3<2.7氧濃度，atoms/cm3一一17<1.0X10一一17<1.0X10一17<1.5X10碳濃度，atoms/cm3<2.5X1016<4.0X1016<4.5X1016少數(shù)載流子壽命，ws>100>50>30基體金屬雜質，pp

7、mwFe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Totalmetalimpurities)總金屬雜質含量：<0.01Fe、Cr、Ni、CuZnTMI(Totalmetalimpurities)總金屬雜質含量：<0.1Fe、Cr、Ni、CuZn、TMI(Totalmetalimpurities)總金屬雜質含量：<0.2注：1,基體金屬雜質檢測可采用二次離子質譜、等離子體質譜和中子活化分析，由供需雙方協(xié)商解決。2,基體金屬雜質為參考項目，由供需雙方協(xié)商解決。3,每個等級的產品應該同時滿足本等級的要求，若某元素超出標準，則降為下一級。1.1.6 尺寸范圍1 破碎的塊狀多晶硅具有無規(guī)則的形狀

8、和隨機尺寸分布，其線性尺寸最小為3mm最大為200mm其尺寸分布范圍為：325mmW最多占重量的15%25100mm勺占重量的15335%100200mmm勺最少占重量的65%1 顆粒狀硅粒度范圍為13mm1 棒狀多晶硅的直徑、長度尺寸由供需雙方商定。1.2.6 結構及表面質量1 塊狀、棒狀多晶硅斷面結構應致密。1 多晶硅免洗或經過表面清洗，都應使其達到直接使用要求。所有多晶硅的外觀應無色班、變色，無肉眼可見的污染物和氧化的外表面。1 多晶硅中不允許出現(xiàn)氧化夾層。5測試方法多晶硅導電類型檢驗按GB/T1550測試。多晶硅N型電阻率檢驗按GB/T1551測試。多晶硅P型電阻率檢驗按GB/T155

9、1測試。少數(shù)載流子壽命測量按GB/T1553或SEMIMF1535測試。多晶硅中氧濃度測量按GB/T1557測試。多晶硅中碳濃度測量按GB/T1558測試。多晶硅斷面夾層檢驗按GB/T4061測試。多晶硅中的m-V族雜質含量按照SEMIMF1389或SEMIMF1630測試。棒狀多晶硅的尺寸用游標卡尺測量，塊狀多晶硅、粒狀多晶硅的尺寸分布范圍用過篩檢驗，或由供需雙方商定的方法檢驗。多晶硅的表面質量用肉眼檢查。6檢驗規(guī)則檢查和驗收產品應有供方質量監(jiān)督部門進行檢驗，保證產品質量符合本標準規(guī)定，并填寫產品質量證明書。需方可對收到的產品進行檢驗。若檢驗結果與本標準規(guī)定不符時，應在收到產品之日起三個月內

10、向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。組批產品應成批提交驗收，每批應有同一牌號，以類似工藝條件生產并可追溯生產條件的多晶硅組成。檢驗項目每批產品應進行基磷電阻率或施主雜質濃度、基硼電阻率或受主雜質濃度、少數(shù)載流子壽命、氧濃度、碳濃度、結構、表面質量和尺寸的檢驗，基體金屬雜質由供需雙方協(xié)商。取樣與制樣供方取樣、制樣應按GB/T4059、GB/T4060、GB/T4061進行或由供需雙方協(xié)商解決。檢驗結果判定多晶硅的等級由基磷電阻率或施主雜質濃度、基硼電阻率或受主雜質濃度、少數(shù)載流子壽命、氧濃度、碳濃度、少數(shù)載流子壽命判定?；w金屬雜質屬參考項目，由供需雙方協(xié)商。6.5.2在判定項目中若檢驗結果有一項不合格，則加倍取樣對該不合格的項目進行重新檢驗。對重新檢驗仍不合格產品，應直接判定為不合格。7包裝、標志、運輸及貯存包裝多晶硅裝入潔凈的聚乙烯包裝袋內，密封，免洗料裝入雙層潔凈的聚乙烯包裝袋，然后再將包裝袋裝入包裝箱或包裝桶內。塊狀硅多晶包裝規(guī)格為每袋凈重為5000g或10000g。棒狀硅多晶每根單獨包裝，并用箱子固定、封狀。包裝時應防止聚乙烯包裝袋破損，以避免產品外來沾污，并按最佳方法提供良好保護。標志包裝箱（桶）外應標有“小心輕放”及“防腐、防潮”字樣或標志，并