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文檔簡介

1、第二章知識回顧干氧氧化：Si O2 SiO2水汽氧化：Si H2O SiO2 H2濕氧氧化：Si H2O O2 SiO2 + H2 熱氧化三種氧化方式：熱氧化三種氧化方式：三種熱氧化層質(zhì)量對比：三種熱氧化層質(zhì)量對比：氧化速率均勻性重復(fù)性結(jié)構(gòu)掩蔽性干氧氧化慢好致密好水汽氧化最快差疏松較差濕氧氧化快較好適中基本滿足 氧化過程：氧化過程：1、氧化劑擴(kuò)散穿過滯留層到達(dá)SiO2 表面。2、氧化劑擴(kuò)散穿過SiO2 層到達(dá)SiO2-Si界面。3、氧化劑在Si 表面與Si 反應(yīng)生成SiO2 。4、反應(yīng)的副產(chǎn)物離開界面。n 線性拋物線性模型 t2oxAtoxB(t + ) 線性階段（厚度小于150埃，反應(yīng)速率控

2、制） tox=(B/A)t 拋物線階段（厚度150埃，擴(kuò)散速率控制） tox =(Bt)1/2 氧化生長速率模型：氧化生長速率模型： 氧化消耗硅：氧化消耗硅： 氧化前 氧化后 氧化硅在集成電路中的應(yīng)用：氧化硅在集成電路中的應(yīng)用：1. MOS結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)層（柵氧化層）2. 限制帶電載流子的場區(qū)隔離（場氧化層）3. 保護(hù)器件以免劃傷和離子沾污（保護(hù)層/鈍化層）4. 摻雜過程中的注入阻擋層（摻雜阻擋層）5. 減小氮化硅與下層之間應(yīng)力的墊氧化層（墊氧層）6. 減小注入損傷及溝道效應(yīng)的注入屏蔽氧化層（注入屏蔽氧化層）7. 導(dǎo)電金屬之間的層間介質(zhì)（金屬間的絕緣層） 快速熱處理的優(yōu)點：快速熱處理的優(yōu)點：1. 減少熱預(yù)算2. 硅中雜質(zhì)運(yùn)動最小

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