核輻射測(cè)量原理復(fù)習(xí)資料

1、歡迎閱讀名詞解釋:1 .光電效應(yīng)：光子被原子吸收后發(fā)射軌道電子的現(xiàn)象。2 .康普頓效應(yīng)：丫光子與軌道電子相互作用使得 尸光子只改變方向而不損失能量。3 .電子對(duì)產(chǎn)生效應(yīng)：當(dāng)r光子能量大于1.02Mev時(shí)，r光子經(jīng)過(guò)與之相互作用的原子核附件時(shí), 與原子核發(fā)生電磁相互作用，r光子消失而產(chǎn)生一個(gè)電子和一個(gè)正電子。4 .電子吸附效應(yīng)：電子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中與氣體分子碰撞時(shí)可能被分子俘獲，形成負(fù)離子，這種現(xiàn)象 稱(chēng)為電子吸附效應(yīng)。5 .復(fù)合：電子和正離子相遇或者負(fù)離子和正離子相遇能復(fù)合成中性原子或中性分子。6 .漂移：電子和正離子在電場(chǎng)的作用下分別向正、負(fù)電極方向運(yùn)動(dòng)，這種定向運(yùn)動(dòng)叫做漂移運(yùn)動(dòng)7 .平均電離能：

2、帶電離子在氣體中產(chǎn)生一對(duì)離子所需的平均能量稱(chēng)為平均電離能。8 .初致輻射：快速電子通過(guò)物質(zhì)時(shí)，原子核電磁場(chǎng)使電子動(dòng)量改變并發(fā)射出電磁輻射而損失能量， 這種電磁輻射就是初致輻射。9 .截面：?jiǎn)挝幻娣e單位時(shí)間粒子與靶核發(fā)生相互作用的概率。10 .活化：原子核吸收中子后，變成同一種元素的另一種核素，這種現(xiàn)象叫做活化。11 .真符合計(jì)數(shù)：時(shí)間上有關(guān)的事件產(chǎn)生的脈沖引起的符合計(jì)數(shù)稱(chēng)為真符合計(jì)數(shù)。12 .偶然符合計(jì)數(shù)：在時(shí)間上沒(méi)有必然聯(lián)系的事件產(chǎn)生的脈沖引起的符合計(jì)數(shù)稱(chēng)為偶然符合計(jì)數(shù)。13 .衰變常數(shù)：表示某種放射性核素的一個(gè)核在單位時(shí)間內(nèi)進(jìn)行衰變的概率。14 .碘逃逸峰：當(dāng)r射線(xiàn)在NaI(Tl)晶體表面

3、發(fā)生光電效應(yīng)時(shí)，碘的 KaX射線(xiàn)很容易逃逸出晶體, 形成一個(gè)碘逃逸峰。(28.61KeV)15 .本征效率：探測(cè)器記錄到的射線(xiàn)數(shù)與入射到探測(cè)器靈敏體積內(nèi)的丫光子數(shù)的比。16 .輻射損失率：電子在物質(zhì)中通過(guò)單位長(zhǎng)度路徑，由于物致輻射而損失的能量為輻射損失率。17 .電離損失率：入射粒子因原子的激發(fā)和電離在單位路徑上引起的能量損失。18 .能量分辨率：探測(cè)器微分脈沖幅度分布譜中的特征峰半高寬與峰值所對(duì)應(yīng)的脈沖幅度之比：歡迎閱讀探測(cè)效率:記錄到的脈沖數(shù)記錄到的脈沖數(shù)源發(fā)射的¥光子數(shù) 名本征二入射到探測(cè)器靈敏區(qū)體 積內(nèi)的？光子數(shù)19 .儀器譜：20 .能譜：記錄粒子能量和單位能量間隔內(nèi)計(jì)數(shù)的

4、譜。21 .全能峰：入射丫射線(xiàn)能量全部損失在探測(cè)器靈敏體積內(nèi)時(shí)，探測(cè)器輸出的脈沖形成的譜峰。22 .逃逸峰：若高能丫射線(xiàn)與探測(cè)器物質(zhì)發(fā)生電子對(duì)效應(yīng)時(shí)，湮沒(méi)輻射光子中的一個(gè)或者兩個(gè)逃離 探測(cè)器。23 .特征峰：若光電效應(yīng)發(fā)生在表面，光電子被打出后，探測(cè)介質(zhì)原子發(fā)射的特征X射線(xiàn)可能逃出探測(cè)器，形成E=能量的峰，稱(chēng)為特征峰24 .總效率：全譜內(nèi)的計(jì)數(shù)與源發(fā)射的 丫光子數(shù)之比。25 .峰總比：全能峰內(nèi)的計(jì)數(shù)與全譜內(nèi)的計(jì)數(shù)之比。26 .峰康比：全能峰中心道最大計(jì)數(shù)與康普頓連續(xù)譜平坦部分內(nèi)平均計(jì)數(shù)之比。27 .源效率：記錄到的脈沖數(shù)與源發(fā)射的 丫光子數(shù)之比。28.源峰效率:_全能峰的計(jì)數(shù)sp 二放射源放出

5、的.光子29 .湮滅輻射峰：對(duì)較高能量的丫射線(xiàn)，當(dāng)探測(cè)器周?chē)奈镔|(zhì)發(fā)生電子對(duì)產(chǎn)生效應(yīng)時(shí)，湮沒(méi)輻射產(chǎn)生的兩個(gè)丫光子中，若其中一個(gè)進(jìn)入探測(cè)器中就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)能量為511KeV的光電峰和康普頓連續(xù)譜，這個(gè)光電峰就是湮沒(méi)輻射峰。30 .玻爾茲曼常數(shù):8.31/6.02 X=1.38 XJ/K31 .電離：帶電粒子進(jìn)入物質(zhì)時(shí)和物質(zhì)原子的軌道電子發(fā)生庫(kù)倫相互作用，使入射帶電粒子的能量 轉(zhuǎn)移給電子。若電子獲得的能量較少，不足以克服原子的束縛，只是從較低能量狀態(tài)上升到較高能量狀態(tài)，則原子被激發(fā)。32 .激發(fā)：帶電粒子進(jìn)入物質(zhì)時(shí)和物質(zhì)原子的軌道電子發(fā)生庫(kù)倫相互作用，使入射帶電粒子的能量轉(zhuǎn)移給電子。若電子獲得了足夠

6、能量，將完全脫離原子的束縛而成為自由電子，則原子失去電 子成為正離子，即原子被電離。33 .死時(shí)間：從脈沖的開(kāi)始形成到計(jì)數(shù)管內(nèi)電場(chǎng)恢復(fù)到能再維持放電的電場(chǎng)，這一段時(shí)間稱(chēng)為計(jì)數(shù) I I管的死時(shí)間。34 .恢復(fù)時(shí)間：從失效時(shí)間至電場(chǎng)恢復(fù)到能產(chǎn)生正常脈沖幅度所需的時(shí)間稱(chēng)為恢復(fù)時(shí)間。35 .分辨時(shí)間：計(jì)數(shù)管一次計(jì)數(shù)后恢復(fù)到再次計(jì)數(shù)的時(shí)間問(wèn)隔。36 .渡越時(shí)間：光子到達(dá)光陰級(jí)的瞬間至陽(yáng)極輸出脈沖達(dá)到某一指定值之間的時(shí)間問(wèn)隔。37 .時(shí)間分辨：探測(cè)器對(duì)兩組相繼發(fā)生的事件可以分辨開(kāi)來(lái)的最小時(shí)間問(wèn)隔，用時(shí)間譜的半高寬表示。填空題：1 . a粒子與物質(zhì)相互作用的形式主要有以下兩種：彈性散射、電離和激發(fā)。2 .

7、丫射線(xiàn)與物質(zhì)相互作用的主要形式有以下三種：康普頓散射、光電效應(yīng)、電子對(duì)效應(yīng)。歡迎閱讀3 . B射線(xiàn)與物質(zhì)相互作用的主要形式有以下四種：激發(fā)與電離、物致輻射、彈性散射、正電子淹 yv o4 .由NaI(Tl)組成的閃爍計(jì)數(shù)器，分辨時(shí)間約為：零點(diǎn)幾、幾、十幾、幾十、幾百 qs； G-M計(jì)數(shù)管的分辨時(shí)間大約為：幾百仙So5 .電離室、正比計(jì)數(shù)管、G-M計(jì)數(shù)管輸出的脈沖信號(hào)幅度與初始電離產(chǎn)生的離子對(duì)數(shù)成正比。(與真別閾有關(guān))6 .半導(dǎo)體探測(cè)器比氣體探測(cè)器的能量分辨率高，是因?yàn)椋浩潴w積更小、其密度更大、其電離能更低、其在低溫下工作使其性能穩(wěn)定、氣體探測(cè)器有放大作用而使其輸出的脈沖幅度離散性增大。7 .由

8、ZnS(Ag)組成的閃爍計(jì)數(shù)器，一般用來(lái)探測(cè) a射線(xiàn)的 能量和強(qiáng)度。8 .由NaI(Tl)組成的閃爍計(jì)數(shù)器，一般用來(lái)探測(cè) 丫射線(xiàn)的能量和強(qiáng)度。9 .電離室一般用來(lái)探測(cè)帶電粒子射線(xiàn)的能量和強(qiáng)度。二二二'一一. J I )10 .正比計(jì)數(shù)管一般用來(lái)探測(cè)a、丫、X、帶電粒子、重帶電粒子 射線(xiàn)的能量、強(qiáng)度、能量和強(qiáng)度 。11 . G - M計(jì)數(shù)管一般用來(lái)探測(cè)a、B、帶電粒子射線(xiàn)的強(qiáng)度。12 . G - M計(jì)數(shù)管的輸出脈沖幅度與入射粒子的種類(lèi)無(wú)關(guān)。13 .金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器一般用來(lái)探測(cè) 丫射線(xiàn)的能量和強(qiáng)度。14 . Si(Li)半導(dǎo)體探測(cè)器一般用來(lái)探測(cè)丫射線(xiàn)的能量和強(qiáng)度。15 . HPG蛾導(dǎo)

9、體探測(cè)器一般用來(lái)探測(cè)y射線(xiàn)的能量和強(qiáng)度。16 .對(duì)高能丫射線(xiàn)的探測(cè)效率則豐要取決干探測(cè)器的有效體積。17 .對(duì)低能y射線(xiàn)的探測(cè)效率則主要取決于探測(cè)器材料的有效原子系數(shù)。18 . G-M計(jì)數(shù)管的輸出信號(hào)幅度與.入射射線(xiàn)的能量無(wú)關(guān)。 I 1 I19 .帶電粒子的能量損失率又叫物質(zhì)的阻一本領(lǐng)。20 . 丫射線(xiàn)與物質(zhì)的主要作用方式有 注電效應(yīng)、康普頓散射、電子對(duì)效應(yīng)。21 . 死時(shí)間 是指計(jì)數(shù)管一次計(jì)數(shù)后恢復(fù)到再次計(jì)數(shù)的時(shí)間間隔。22 .電離室按工作方式可分為 脈沖電離室 和累積電離室。23 .典型的氣體探測(cè)器有 電離室、正比計(jì)數(shù)管、GM計(jì)數(shù)管。24 .測(cè)量a射線(xiàn)一般選用ZnS(Ag)閃爍體。(NaI

10、(Tl)閃爍體、ZnS(Ag)閃爍體、塑料閃爍體)25 .放射性活度的測(cè)量方法一般有絕對(duì)測(cè)量法和相對(duì)測(cè)量法。26 .在NaI(T1)中2MeW射線(xiàn)相互作用的光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)的截面比為1: 20: 2,入射到NaI(T1)中的2MeW射線(xiàn)的脈沖幅度譜給出的峰總比是 大于1/23。(大于、小于、等于) 27. 6MeV勺a粒子穿過(guò)其厚度為其射程1/3的物質(zhì)后，能量 減小，強(qiáng)度不變。歡迎閱讀歡迎閱讀28 .進(jìn)行放射性測(cè)量中，樣品計(jì)數(shù)率的大小為100cps,若要求計(jì)數(shù)率的相對(duì)統(tǒng)計(jì)誤差不大于1%則最短測(cè)量時(shí)間應(yīng)為 100s。29 .重帶電粒子的能量損失率與物質(zhì)的原子序數(shù) 和 材料 有關(guān)。

11、30 .光電子的能量等于入射y射線(xiàn)能量減去 散射丫射線(xiàn)的能量。31 . 20MeVfe子入射到Cu(Z=29)靶上，其輻射能量損失率和電離能量損失率之比為0.725 。+mc2)電子的電離損失率和輻射損失率之比：(-dE)rad /(-dE)ion "當(dāng)電子電離損dxdx1600meC2800E = 800失率與輻射損失率一樣時(shí)c Z32 .在G-M計(jì)數(shù)管的工作氣體中添加的少量抑制放電的氣體，稱(chēng)為猝滅氣體。33 .測(cè)量a射線(xiàn)一般選用ZnS(Ag)閃爍體,(NaI(Tl)閃爍體、ZnS(Ag)閃爍體、塑料閃爍體)34 .探測(cè)器對(duì)一個(gè)入射粒子的相應(yīng)是一個(gè)電流脈沖。35 . G-M計(jì)數(shù)管的

12、輸出脈沖幅度與入射粒子的能量 無(wú)關(guān)。36 .電子脈沖電離室輸出回路的時(shí)間常數(shù)為<<RC<<。37 .用涂鈾電離室探測(cè)中子是通過(guò)核裂變方法間接探測(cè)中子。38 .帶電粒子的能量損失率又叫物質(zhì)的阻止本領(lǐng)。39 .光電效應(yīng)中光電子的能量等于入射 T射線(xiàn)能量減去 散射丫射線(xiàn)的能量。40 . 正電子 與電子相遇會(huì)發(fā)牛湮沒(méi)而放出湮沒(méi)光子。41 .電離室按工作方式可分為 脈沖電離室 和累積電離室。42 .正比計(jì)數(shù)器雪崩通常發(fā)生在陽(yáng)極絲附近。43 .測(cè)量丫射線(xiàn)一般選用NaI(Tl)閃爍體,(NaI(Tl)閃爍體、ZnS(Ag)閃爍體、塑料閃爍體)44 .光電倍增管一般由 光陰級(jí)、倍增極和

13、陽(yáng)極組成。45 . 6MeV勺a粒子穿過(guò)其厚度為其射程1/3的物質(zhì)后，能量減小、強(qiáng)度不變。46 .進(jìn)行放射性測(cè)量中，測(cè)得的總計(jì)數(shù) N為4000,則計(jì)數(shù)率的相對(duì)統(tǒng)計(jì)誤差為1.58%。 l47 .重帶電粒子的能量損失率與物質(zhì)的原子序數(shù)和材料有關(guān)。48 .反沖電子的能量等于入射y射線(xiàn)能量減去散射丫射線(xiàn)的能量。49 .自猝滅GM#數(shù)管加的自猝滅氣體一般是 有機(jī)分子氣體(酒精等)和鹵素氣體。50 .測(cè)量a射線(xiàn)一般選用ZnS(Ag)閃爍體,(NaI(Tl)閃爍體、ZnS(Ag)閃爍體、塑料閃爍體)51 .閃爍體探測(cè)器的高壓是通過(guò)分壓器加在光電倍增管。(閃爍體、光導(dǎo)、光電倍增管)。52 .放射性活度的測(cè)量方

14、法一般有相對(duì)測(cè)量法和絕對(duì)測(cè)量法。53 .進(jìn)行放射性測(cè)量中，要求計(jì)數(shù)率的相對(duì)統(tǒng)計(jì)誤差不大于±1%寸，要求總的計(jì)數(shù)N應(yīng)不小于_100。 （T =54 .離子脈沖電離室輸出回路的時(shí)間常數(shù)為 R0C0 »T +。55 .用涂鈾電離室探測(cè)中子是通過(guò)核裂變方法間接探測(cè)中子。56 .重帶電粒子的能量損失率與物質(zhì)的電子密度和電荷數(shù)有關(guān)。57 .原子外層電子填充內(nèi)層電子留下的空位是會(huì)發(fā)生俄歇效應(yīng)和物致輻射。58 .正電子與負(fù)電子相遇會(huì)發(fā)生湮沒(méi)而放出湮沒(méi) T光子。59 .重帶電粒子與物質(zhì)相互作用的主要能量損失方式是電離損失。60 .坪特性是衡量計(jì)數(shù)管質(zhì)量好壞的主要參量。61 .電離室按工作方式

15、分為脈沖電離室和累積電離室。62 .重帶電粒子與物質(zhì)相互作用主要三種方式：電離與激發(fā)、非彈性碰撞和彈性碰撞。：一 一63 .最廣泛、最常用的三種氣體探測(cè)器是電離室、正比計(jì)數(shù)管探測(cè)器、GLM計(jì)數(shù)管探測(cè)器。64 .中子探測(cè)的主要兩種方法是：次級(jí)帶電粒子、中子與初級(jí)帶電粒子。一 （一 .、/丁 I /-%、 65 . 2MeV勺丫射線(xiàn)穿過(guò)3m也的物質(zhì)后，其能量為2MeV66 .在測(cè)量B放射源的活度時(shí)，為了降低物致輻射的影響，源的托盤(pán)最好采用有機(jī)玻璃（合金、銅、 不銹鋼、有機(jī)玻璃）材料。67 .氣體探測(cè)器兩端收集到的離子對(duì)數(shù)和兩端外加電壓存在一定的關(guān)系。具體如下圖所示。填空：I復(fù)合區(qū)（1分）n飽和區(qū)（

16、電離室區(qū)）（1分）TH正比（計(jì)數(shù)）區(qū)（1分）W 有限正 比區(qū) （1分）V G-M 區(qū) （1分）注：1）有限區(qū)的0.5分簡(jiǎn)答題1 .電子對(duì)產(chǎn)生效應(yīng)必須滿(mǎn)足的兩個(gè)條件？答：（1）電子對(duì)產(chǎn)生效應(yīng)必須有第三者一原子核參加，才能滿(mǎn)足能量守恒和動(dòng)量守恒定律。（2）入射光子的能量要大于1.02MeM歡迎閱讀歡迎閱讀2 . X射線(xiàn)和丫射線(xiàn)有何異同？答：丫輻射和X射線(xiàn)都是電磁輻射。丫輻射是核躍遷或粒子湮沒(méi)過(guò)程中發(fā)出的電磁輻射。它們具有明顯的粒子性，因此通常也稱(chēng)為光子。T輻射大都是母核進(jìn)行a或B衰變后，子核處于較高激發(fā)態(tài)， 退激發(fā)出的。X射線(xiàn)是核外電子躍遷過(guò)程中產(chǎn)生的電磁輻射，原子內(nèi)特定的軌道電子從高能級(jí)躍遷 到

17、低能級(jí)時(shí)發(fā)射的輻射稱(chēng)為特征X射線(xiàn)。3 .中子與原子核相互作用的方式有哪幾種？答：（1）中子與核反應(yīng)放出帶電粒子；（2）中子彈性散射引起的核反沖；（3）中子引起的核裂 變；（4）中子被核俘獲引起核激活。4 .離子脈沖電離室和電子脈沖電離室的主要差別是什么？I J答：離子脈沖電離室的工作條件其輸出回路的時(shí)間常數(shù)為RC>>離子脈沖電離室可用于測(cè)量入射粒子的能量，因?yàn)槠漭敵雒}沖幅度（飽和值）與初電離N成正比。離子脈沖電離室主要缺點(diǎn)是脈沖 較寬，大大限制了技術(shù)速度。電子脈沖電離室的工作條件其輸出回路的時(shí)間常數(shù)為 <<RC<<可獲得 較高的計(jì)數(shù)率，但不能精確的測(cè)量粒子的

18、能量。5 .正比計(jì)數(shù)管的氣體放大機(jī)制？ i j /, Z ； 答：當(dāng)射線(xiàn)通過(guò)正比計(jì)數(shù)管電極問(wèn)的氣體時(shí)，電離產(chǎn)生的電子和正離子在電場(chǎng)的作用下， 分別向陽(yáng)極和陰極漂移。正離子的質(zhì)量大，且沿漂移方向的電場(chǎng)又是由強(qiáng)到弱， 因此電場(chǎng)的加速不足以使它 與氣體發(fā)生電離碰撞。而電子則不然，漂移越接近陽(yáng)極，電場(chǎng)強(qiáng)度越大。到達(dá)某一距離后，電子在 平均自由程內(nèi)獲得的能量足以加速再次與氣體發(fā)生電離碰撞，產(chǎn)生新的離子對(duì)，新的電子又被加速再次與氣體發(fā)生電離碰撞，產(chǎn)生更多的新離子對(duì)。漂移電子越是接近陽(yáng)極，電離碰撞的概率越大。于是不斷地增殖，增殖的結(jié)果將產(chǎn)生大量的電子和正離子，這就是氣體放大的過(guò)程。有時(shí)也稱(chēng)氣體放大為電子雪崩

19、。 II I6 .試定性分析，分別配以塑料閃爍體及NaI（T1）閃爍晶體的兩套閃爍譜儀所測(cè)得 0.662MeV。射線(xiàn)譜 的形狀有何不同？答：由于塑料閃爍體有效原子序數(shù) Z、密度P及發(fā)光效率均低于NaI（T1）閃爍晶體，測(cè)得的0.662MeV 。射線(xiàn)譜的形狀，其總譜面積相應(yīng)的計(jì)數(shù)、峰總比、全能峰的能量分辨率均比NaI（T1）閃爍晶體差，甚至可能沒(méi)有明顯的全能峰。7 .試說(shuō)明G-M管陽(yáng)極上感應(yīng)電荷的變化過(guò)程？答：G-M管陽(yáng)極上感應(yīng)電荷的變化對(duì)有機(jī)管和鹵素管略有不同，以有機(jī)管為例，可分為幾個(gè)階段： 1）在入射帶電粒子徑跡產(chǎn)生正負(fù)離子對(duì)的瞬間陽(yáng)極呈電中性，電子很快漂移向陽(yáng)極過(guò)程中，陽(yáng)極 上的正感應(yīng)電荷

20、增加，但數(shù)量很?。粴g迎閱讀歡迎閱讀2）電子雪崩過(guò)程開(kāi)始，直到正離子鞘形成的過(guò)程中，電子很快向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)，此時(shí)，陽(yáng)極上正感應(yīng)電荷增加，同時(shí)，此電荷流經(jīng)負(fù)載電阻，快前沿的負(fù)脈沖，約占總輸出脈沖幅度的10%到達(dá)陽(yáng)極的電子與陽(yáng)極上的正感應(yīng)電荷中和。陽(yáng)極上留下與正離子鞘等量的負(fù)感應(yīng)電荷。3）正離子鞘向陰極漂移，負(fù)感應(yīng)電荷流向陰極，同時(shí)。在外回路形成輸出信號(hào)。8 .試解釋NaI（T1）閃爍探測(cè)器的能量分辨率優(yōu)于 BGM爍探測(cè)器的原因，為何后者的探測(cè)效率要更 高一些？答：NaI（T1）閃爍探測(cè)器的能量分辨率優(yōu)于 BGM爍探測(cè)器是由于前者的發(fā)光效率明顯優(yōu)于后者，BG解測(cè)器僅為NaI（T1）閃爍探測(cè)器的8%而后者

21、的密度和有效原子序數(shù)則優(yōu)于前者。9 .衡量脈沖型核輻射探測(cè)器性能有兩個(gè)很重要的指標(biāo)，這兩個(gè)指標(biāo)是指什么I J探測(cè)效率能量分辨率10 簡(jiǎn)述閃爍體探測(cè)器的測(cè)量丫射線(xiàn)的工作原理及 譜形產(chǎn)生復(fù)雜的原因。n/ 產(chǎn)/ i I答：丫射線(xiàn)的基本原理通過(guò)光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)產(chǎn)生次級(jí)電子（得 1分），次級(jí)電子是使閃爍體激發(fā)（得1分），閃爍體退激發(fā)出熒光（得1分），熒光光子達(dá)到光電倍增管光陰 極通過(guò)光電效應(yīng)產(chǎn)生光電子（得1分），光電子通過(guò)光電倍增管各倍增極倍增最后全部被陽(yáng)極收集 到（得1分），在陽(yáng)極輸出電流脈沖信號(hào)。這就是爍體探測(cè)器探測(cè)丫射線(xiàn)的基本原理。11 .帶電粒子與物質(zhì)發(fā)生相互作用有哪幾種方式？答：與原子核彈性碰撞；（核阻止）與原子核的非彈性碰撞；（物致輻射） 與核外電子彈性碰撞； 與核外電子的非彈性碰撞；（電離和激發(fā)）正電子湮滅；12 .通用閃爍體探頭的組成部件有那些？為什么要進(jìn)行避光處理？ （5分）答：1）閃爍體（1分）、光學(xué)收集系統(tǒng)（1分）（硅油和反射層）、光電倍增管（1分）2）光 電倍增管的光陰極（1分）具有可見(jiàn)光光敏性（1分），保護(hù)光電倍增管。I I13 .衡量脈沖型核輻射探測(cè)器性能有兩個(gè)很重要的指標(biāo)，這兩個(gè)指標(biāo)是指什么？為什么半導(dǎo)體探測(cè)器其中一個(gè)指標(biāo)要比脈沖型氣體電離室探測(cè)器好，用公式解釋?zhuān)?（5分）第1問(wèn)： 能量分辨率（1.5分）和探測(cè)效率（1.