第三章 集成電路中的有源無(wú)源元件

1、一個(gè)典型的二極管截面圖和符號(hào)圖一個(gè)典型的二極管截面圖和符號(hào)圖集成電路中的二極管集成電路中的二極管(1)DtVVDSIIePNNNPPNPNNNPNPNP多發(fā)射極多發(fā)射極NPN晶體管晶體管NNNNPPEB(E)C(B)S(C)VBEVBCBEC0飽和區(qū)正向工作區(qū)反向工作區(qū)截止區(qū)123/10011001100110(1)11(1)(1)(1)(1)01BEBESCEBCSRVVtESFRSRVVtCSFSFSRVVtSSSFIIIIIIIIeIeIeFRSFSRESICSISSI： NPN管正向運(yùn)行時(shí)共基極短路電流增益管正向運(yùn)行時(shí)共基極短路電流增益： NPN管反向運(yùn)行時(shí)共基極短路電流增益管反向運(yùn)行

2、時(shí)共基極短路電流增益： PNP管正向運(yùn)行時(shí)共基極短路電流增益管正向運(yùn)行時(shí)共基極短路電流增益： PNP管反向運(yùn)行時(shí)共基極短路電流增益管反向運(yùn)行時(shí)共基極短路電流增益: E、C、S極反向飽和電流極反向飽和電流與與 的關(guān)系：的關(guān)系：1F對(duì)于給定的對(duì)于給定的BJT， 為一常數(shù)為一常數(shù)1111REFBFRRCFIIIII/(1)BEtVVFESIIe/(1)BCtVVRCSIIe/(1)(1)BEtBCtVVVVEESR CSIIeIe可得：可得：ICVCE飽和區(qū)放大區(qū)共射組態(tài)共射組態(tài)BJT管的輸出特性曲線管的輸出特性曲線/(1)V VtDSIIeDSI為反向飽和電流為反向飽和電流（1）SBD：教材教材P

3、37SBD電路符號(hào)電路符號(hào)BCE肖特基箝位晶體管（肖特基箝位晶體管（SCT）結(jié)構(gòu)圖）結(jié)構(gòu)圖ICVCE飽和區(qū)放大區(qū)共射組態(tài)共射組態(tài)BJT管的輸出特性曲線管的輸出特性曲線GateDrainSourcen+n+LeffLDrawnLDp-substrateSGDPolyOxideNMOSEnhancementPMOSEnhancementNMOSDepletionEnhancement:增強(qiáng)型增強(qiáng)型Depletion:耗盡型耗盡型教材中的教材中的NMOS耗盡型：耗盡型：IdsVds0線性區(qū)飽和區(qū)擊穿區(qū)漏源極壓降漏源極壓降漏源極電流漏源極電流jLRXWLWXjXj:擴(kuò)散深度，擴(kuò)散深度，L：長(zhǎng)度，：長(zhǎng)度，W：寬度：寬度：電阻率電阻率1jRRX口LW時(shí)：時(shí)：R與方塊大小無(wú)關(guān)，所以有：與方塊大小無(wú)關(guān)，所以有：LRRW口教材教材P50100 200/SBR 口5050kR口p+p+n+n-pn+n+p-SiO2BECBuried Layer Metalpn-Isolationpn-Isolati