《模擬電子技術基礎》模擬試習題二

1、模擬電子技術基礎模擬試題二 學號 姓名 . 一、判斷下列說法是否正確，用“×”或“”表示判斷結果。 （10分）（1）只要滿足相位平衡條件，電路就會產(chǎn)生正弦波振蕩。 （ ）（2）引入直流負反饋可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點。 （ ）（3）負反饋越深，電路的性能越穩(wěn)定。 （ ）（4）零點漂移就是靜態(tài)工作點的漂移。 （ ）（5）放大電路采用復合管是為了增大放大倍數(shù)和輸入電阻。 （ ）（6）鏡像電流源電路中兩只晶體管的特性應完全相同。 （ ）（7）半導體中的空穴帶正電。 （ ）（8）P型半導體帶正電，N型半導體帶負電。 （ ）（9）實現(xiàn)運算電路不一定非引入負反饋。 （ ）（10）凡是引入正反饋的集成運放

2、，一定工作在非線性區(qū)。 （ ）二、選擇填空 （10分）（1）為了增大輸出電阻，應在放大電路中引入 ； 為了展寬頻帶，應在放大電路中引入 。 （A）電流負反饋 （B）電壓負反饋 （C）直流負反饋 （D）交流負反饋（2）在橋式（文氏橋）RC正弦波振蕩電路中， 。 （A）A=-1800，F(xiàn)=+1800 （B）A=+1800，F(xiàn)=+1800 （C）A=00，F(xiàn)=00（3）集成運放的互補輸出級采用 。 （A）共基接法 （B）共集接法 （C）共射接法 （D）差分接法（4）兩個相同的晶體管組成復合管后，其電流放大系數(shù)約為 。 （A） （B）2 （C）2 （D）1+（5）在（A）、（B）、（C）三種電路中輸入

3、電阻最大的電路是 ； 既能放大電流，又能放大電壓的電路是 。 （A）共基放大電路 （B）共集放大電路 （C）共射放大電路 （6）當PNP型晶體管工作在放大區(qū)時，各極電位關系為uC uB uE 。 （A） > （B） < （C） = （D）（7）硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的 。 （A） 大 （B） 小 （C） 相等 三、（5分）圖示電路中二極管為理想二極管，請判斷它是否導通，并求出u0。 四、（10分）在一個放大電路中，三只三極管三個管腳、的電位分別如表所示，將每只管子所用材料（Si或Ge）、類型（NPN或PNP）及管腳為哪個極（e、b或c）填入表內(nèi)。 管 號 T1 T2 T3

4、 管 號 T1 T2 T3管 腳電 位（V） 0.7 6.2 3 電 極名 稱 0 6 10 5 3 3.7 材 料 類 型 五、（10分）在圖示電路中，已知晶體管靜態(tài)時UBEQ=0.7V，電流放大系數(shù)為=80，rbe=1.2 k，RB=500 k，RC=RL=5 k，VCC=12V。（1）估算電路的靜態(tài)工作點、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻。（2）估算信號源內(nèi)阻為RS=1.2k時，的數(shù)值。 六、（10分）在圖示電路中，已知VCC=12V，VEE=6V，恒流源電路I=1 mA，RB1=RB2=1 k，RC1=RC2=10 k；兩只晶體管特性完全相同，且1=2=100，rbe1= rbe2=2

5、 k。估算：（1）電路靜態(tài)時T1和T2管的集電極電位；（2）電路的差模放大倍數(shù)Ad、共模放大倍數(shù)AC、輸入電阻Ri和輸出電阻R0 七、（5分）在圖示OCL電路中，已知T1、T2管的，電源電壓為±9V，負載電阻RL=8 ，試計算最大輸出功率Pom及效率。 八、（8分）設圖示各電路均引入了深度交流負反饋，試判斷各電路引入了哪種組態(tài)的交流負反饋，并分別估算它們的電壓放大倍數(shù)。 九、（6分）在圖示電路中，要求其輸入電阻為20 k，比例系數(shù)為-15，試求解R、RF和的阻值。 十、（6分）求解圖示電路的運算關系式。 十一、（9分）將圖示電路合理連接，構成橋式（即文氏橋）正弦波振蕩電路，并估算電路

6、的振蕩頻率和R1的最大值。 十二、（5分）在圖示電路中，已知W7805的輸出電壓為5V，IW=5mA，R1=1 k，R2=200 。試求輸出電壓U0的調(diào)節(jié)范圍。十三、（6分）串聯(lián)型穩(wěn)壓電路如圖所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為UZ。填空：調(diào)整管為 ，輸出電壓采樣電阻由 組成，基準電壓電路由 組成，比較放大電路由 組成；輸出電壓調(diào)節(jié)范圍的表達式為 。參考答案一、（1）×（2）（3）×（4）（5） （6）（7）（8）×（9）×（10）×二、（1）A、D（2）C（3）B（4）B（5）B、C （6）B、B（7）A三、二極管D截止，-6V四、 管 號 T1 T2 T3 管 號 T1 T2 T3管 腳電 位（V） 0.7 6.2 3 電 極名 稱BEE 0 6 10EBC 5 3 3.7CCB 材 料SiGeSi 類 型NPNPNPNPN五、22.6A；1.8mA；3V； -167；1.2k；5 k；-83.5六、7V；-333；0；6 k；20 k七、4W；5.7W；70%八、（a