模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

1、模擬電子技術(shù)試題（二）模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)1半導(dǎo)體-導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)（如硅Si、錯(cuò)Ge）。2 .特性-光敏、熱敏和摻雜特性。3 .本征半導(dǎo)體-純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4 .兩種載流子-帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5 .雜質(zhì)半導(dǎo)體-在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。 體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻 雜特性。*P型半導(dǎo)體： 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電 子）。*N型半導(dǎo)體： 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空 穴）。6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性* 載流子的濃度-多子濃度決定于雜質(zhì)

2、濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。* 體電阻-通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。* 轉(zhuǎn)型-通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。頁(yè)腳內(nèi)容1模擬電子技術(shù)試題（二）7. PN 結(jié)* PN結(jié)的接觸電位差-爬材料約為0.60.8V,錯(cuò)材料約為0.20.3V。* PN結(jié)的單向?qū)щ娦?正偏導(dǎo)通，反偏截止8. PN結(jié)的伏安特性桁mA/r/UA二.半導(dǎo)體二極管* 單向?qū)щ娦哉驅(qū)?，反向截止? 二極管伏安特性-祠PN結(jié)。* 正向?qū)▔航狄粠?kù)管0.60.7V,錯(cuò)管0.20.3V。*死區(qū)電壓-硅管0.5V,錯(cuò)管0.1V3.分析方法-將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低若V陽(yáng)Vk（正偏），二

3、極管導(dǎo)通（短路）；若V陽(yáng)V k（反偏），二極管截止（開(kāi)路）。1）圖解分析法f J=（ HIJ-，、出該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。?。┒O管電路 （）圖解分析2）等效電路法直流等效電路法*總的解題手段-#二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低若V陽(yáng)丫陰（正偏），二極管導(dǎo)通（短路）;若V陽(yáng)V陰（反偏），二極管截止（開(kāi)路）。*三種模型（b）恒東源班型M折線模型微變等效電路法頁(yè)腳內(nèi)容8三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路極管在電*穩(wěn)壓二極管的特性-正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓路中要反向連接程壓管的長(zhǎng)安帶性第二章 2-1三極管及其基本放大電路一.三極管的結(jié)構(gòu)、類(lèi)型及特點(diǎn)1類(lèi)型一分為NPN和

4、PNP兩種。2.特點(diǎn)-基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸 面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。二.三極管的工作原理1 .三極管的三種基本組態(tài)共發(fā)射極狙態(tài)如共集電極第態(tài)具基極組態(tài)2 .三極管內(nèi)各極電流的分配，C= 1cn+/CBO 尢=加、+/6 & + kZ|i= /bm-*共發(fā)射極電流放大系數(shù)（表明三極管是電流控制器件，=/日 + （ +）CHO =，R+，CEC hr式子/CEO- Q邛）小。稱為穿透電流。3.共射電路的特性曲線*輸入特性曲線一同二極管AS七 nHlr（h）輸入特札曲稅*輸出特性曲線（飽和管壓降，用UCES表示9滄出猾忖曲戰(zhàn)放大區(qū)-發(fā)射結(jié)

5、正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)-發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。4.溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。溫度開(kāi)局IcbO、ICEO、Ic以及B 上 上 均增加 + hc +三.低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)t廠化）（c）前化的H金數(shù)等致電路hie-輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用rbe表示；hfe-輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，常用B表示；四.基本放大電路組成及其原則1 . VT、 Vcc、 R、 R、Ci、G基本放大山略而可惆明斌2 .組成原則-能放大、不失真、的作用。能傳輸。五.放大電路的圖解分析法 1.直流通路與靜態(tài)分析* 概念一直流電流通的回路。* 畫(huà)法一電容視為開(kāi)路。* 作用-確定靜態(tài)工作點(diǎn)* 直

6、流負(fù)載線-由Vcc=IcRc+Uce確定的直線*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響1）改變R : Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。2）改變Rc : Q點(diǎn)在Ibq所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。3）改變Vcc:直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。2.交流通路與動(dòng)態(tài)分析*概念-交流電流流通的回路*畫(huà)法一電容視為短路，理想直流電壓源視為短路。*作用-分析信號(hào)被放大的過(guò)程。*交流負(fù)載線-連接Q點(diǎn)和Vcc點(diǎn)VcC Uceq+IcqR l的模擬電子技術(shù)試題(二)直線。3.靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真(1)截止失真* 產(chǎn)生原因-Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)低* 失真現(xiàn)象-NPN管削頂，PNP管削底。* 消除方法-堿小Rb,提高Qo(2) 飽和失真*

7、產(chǎn)生原因-Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高* 失真現(xiàn)象-NPN管削底，PNP管削頂。* 消除方法-維大Rb、減小Rc、增大Vcc。4.放大器的動(dòng)態(tài)范圍(1) Uopp-是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。(2)范圍* 當(dāng)(Uceq Uce (Vcc Uceq )時(shí)，受截止失真限制，Uopp=2Uomax=2IcQRl 頁(yè)腳內(nèi)容10* 當(dāng)(Uceq UcesS) (3 Rc模擬電子技術(shù)試題（二）2.放大電路的動(dòng)態(tài)分析交流通第Lb）微安等數(shù)也隔*放大倍數(shù)工_廣一叫 4 =二=屬 4 = 為一明*輸入電阻七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射放大電路的等效電路法1.靜態(tài)分析頁(yè)腳內(nèi)容io門(mén)）直流通路模擬電子技術(shù)試題（二）頁(yè)腳內(nèi)容40

8、a工C TCy（&c + Re）2.動(dòng)態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)“皆小+（1 +m/在Re兩端并一電解電容Ce后1 一區(qū)一皿%片心段自“ 電公仁瑪十國(guó)”輸入電阻為=Rb |/h2/|rbe +（1 + A）4 1LT1田川 （54卜卜t吊1區(qū)上微變等效電騰在Re兩端并一電解電容曷=J?bl/Rl,2/hE*輸出電阻尺。卓小八.共集電極基本放大電1.靜態(tài)分析Ce后10.心人空0工-C）用。如。氐15J-S-JCn）八集電極基本放大也瞪，CQ w “BQ2.動(dòng)態(tài)分析工工EQkI CC五e(cuò)b） H參數(shù)等效也I?&*電壓放大倍數(shù)j _o. （i+mc+（i+m*輸入電阻%=%爪+a+網(wǎng) RMl）1*輸出電阻

9、入洋山率臺(tái)3.電路特點(diǎn)*電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1,稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。*輸入電阻高，輸出電阻低。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 2-2場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路JFET ）1結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)（箱）/JFET結(jié)構(gòu)及中蹄科弓 （h） PrlFET結(jié)構(gòu)及出膝符號(hào)2.輸出特性曲線（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）/$轉(zhuǎn)移特性曲線Up截止電壓可二.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管一 I_1蘆7 1就即3 L-心乙戮口-岑恒3上p匕中U做由園 瞰、i/v輸出特性：口 nss（l ,T （ f tgsO） p施賓斯笫2逑,，-/-f / 省和區(qū)-JY jV ”啟產(chǎn)/I匕 ；7H尢-幺|-二三方耳:品戶6 ！一3-打/7 口

10、 ！口0 車(chē)止區(qū) 如門(mén)=*|2ttai/y-o -S-4 -3-i J. Hpj/v輸出特性一. “一JTL分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)2.特性曲線*N-EMOS的輸出特性曲線q* 4V wcs/vCfl）增強(qiáng)用輸出特抑th）增強(qiáng)型轉(zhuǎn)移特性* N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，Ido是UgS=2Ut時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值* N-DMOS的輸出特性曲線9耗盡型輸出特件Cd）耗盡型轉(zhuǎn)移特性注意：Ugs可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上 iD=0處的值是夾斷電壓 Up,此曲 線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。三.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)1漏極飽和電流IDSS2 .夾斷電壓Up3 .開(kāi)

11、啟電壓Ut4 .直流輸入電阻Rgs5 .低頻跨導(dǎo)gm （表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件）_ 搦0C8 。號(hào)=倦數(shù)場(chǎng)效的管微變等效巾路四.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型E-MOS 的跨導(dǎo) gm -五.共源極基本放大電路1.自偏壓式偏置放大電路*靜態(tài)分析（G原班電路f GSQ =-，DQ&= 7LSS a - -p)2 rf)SQ = rDD DQ(d +J?s U）微變等效電路動(dòng)態(tài)分析 = F Q = Fm MU 7 l + ma若帶有Qs,則小尸2.分壓式偏置放大電路KR舞( DSQ =卜DD 、(?(& +/)hO崩理電用*靜態(tài)分析I（c）微變等效電路*動(dòng)態(tài)分析j = &述E& 工i】 + gm/若源

12、極帶有Qs,則月亡治!同號(hào)=Kg+Kgi /但修六.共漏極基本放大電路*靜態(tài)分析th）微變等效電蹄人一百一 ET n曝第三章多級(jí)放大電路第四章 集成運(yùn)算放大電路一.級(jí)間耦合方式1 .阻容耦合一各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有效地傳輸交流信號(hào)；體積小，成本 低。但不便于集成，低頻特性差。2 .變壓器耦合-各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高, 無(wú)法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。3 .直接耦合一低頻特性好，便于集成。各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有影響。存 在零點(diǎn)漂移”現(xiàn)象。*零點(diǎn)漂移一當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使uo偏離初始值 零點(diǎn)”而作隨機(jī)變動(dòng)。

13、二.長(zhǎng)尾差放電路的原理與特點(diǎn)1 .抑制零點(diǎn)漂移的過(guò)程-當(dāng) T T f ich ic2 T f iE1、iE2 T f Ue T f UBE1、UBE2 J f iB1、iB2 J f 如、iC2 J。Re對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為共模反饋電阻2靜態(tài)分析1）計(jì)算差放電路Ic設(shè) UbQ則 Ue=0.7V,得/工“ =_Lle_LL 工 上1 Rp/2+2Rc2）計(jì)算差放電路Uce?雙端輸出時(shí)? II二I 1 t+(l + fl)(Np/2)從VT2單端輸出：. _/飲帆L）多出2 ，%（11Rp小主向心入山用/楠=2&+/W+（1+0子 2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻?雙端

14、輸出：品游工以?單端輸出：*。山之心三.集成運(yùn)放的電壓傳輸特性當(dāng)UI在+ Uim與-Uim之間，運(yùn)放工作在線性區(qū)域 ：“oHd 盯 彩lod（+- -）三.集成運(yùn)放電路的基本組成1輸入級(jí)一采用差放電路，以減小零漂。2 .中間級(jí)一多采用共射（或共源）放大電路，以提高放大倍數(shù)。3 .輸出級(jí)一多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力。4 .偏置電路-多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。四.理想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法1 .理想集成運(yùn)放的參數(shù)特征* 開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù) Aods；* 差模輸入電阻Rid s；* 輸出電阻Ro0;* 共模抑制比KCMRfoo；2 .理想集成運(yùn)放的分析方法1）運(yùn)放工作在線性

15、區(qū)：* 電路特征一一引入負(fù)反饋* 電路特點(diǎn)一一虛短和虛斷”十= 一虛短，一-耳甘_二0虛斷”-2）運(yùn)放工作在非線性區(qū)* 電路特征一一開(kāi)環(huán)或引入正反饋* 電路特點(diǎn)輸出電壓的兩種飽和狀態(tài)：當(dāng) U+U-時(shí)，Uo=+Uom當(dāng) U+U-時(shí)，Uo=-Uom兩輸入端的輸入電流為零：i+=i-=0第五章 放大電路的頻率響應(yīng)一.單級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)1.中頻段（fLWWH）e中頻段泥臺(tái)不參數(shù)等效電路波特圖-幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是0=1800。2.低頻段（f L）低輒段混合n翦教等效電路r4.3.高頻段（f 3H）口qmaaJl 1噥 100rL1 -?(hlE#Nr f（G而頻段里合霞有數(shù)

16、解效申用-47】“-45。-S9.290-PIT加一WgAA/ 平/Liqq/L, 個(gè)&J 75/Iec /巨/kxsm1 +勿H4.完整的基本共射放大電路的頻率特性dlH 如1向|尢物的基本以射放大電路的頻響曲線Lsm十加后）。十勿J0+勿H）二.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)電路的頻率響應(yīng)1.下限頻率的估算業(yè)工天心2.上限頻率的估算分J K式共射中,路低頻段混冷灣參數(shù)畸效電路分氏K共射用部高頻,泥今不參暫等效用躋的頻率響應(yīng)四.多級(jí)放大電路1.頻響表達(dá)式20時(shí)，Af下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。2 .當(dāng)AF = O時(shí)，表明反饋效果為零。3 .當(dāng)AF朋=1產(chǎn)生自激振蕩的原因附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。產(chǎn)生自激

17、振蕩的條件若表示為幅值和相位的條件則為:丹江=眄九味=（2*+1）加（內(nèi)為整數(shù)）第七章信號(hào)的運(yùn)算與處理分析依據(jù)-虛斷”和 虛短Ca）框本招式一.基本運(yùn)算電路1 .反相比例運(yùn)算電路R2 =Ri/Rf_品 Mo2 .同相比例運(yùn)算電路R2=Ri/Rfwo =（1+矍0也3.反相求和運(yùn)算電路4.同相求和運(yùn)算電反所求揄運(yùn)自電療R4=Ri/R2/R3/Rf同相求和運(yùn)算電路Ri/R2/R3/R4=Rf/R5Mq -（1 + X 1| + 坳2 + 高%3）均片內(nèi)的l=h-i 的 5.加減運(yùn)算電路/二酣：+L用 F4 A-ND-Q1 f&|a單函放加雅運(yùn)算也略3 =/（也+如1.也）邑心坦心RlR2R=R3/

18、R4R5二.積分和微分運(yùn)算電路1.積分運(yùn)算1. f；=1 d/盧”rc1s2.微分運(yùn)算基本用屋電路= -RC- dtw1-r-P-+if%g基本徽分也解第八章信號(hào)發(fā)生電路.正弦波振蕩電路的基本概念模擬電子技術(shù)試題(二)1 .產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件：1戶=1即幅值平衡條件：1相位平衡條件：觥=2而依0, 1，2)2 .起振條件：幅值條件：M盧卜1相位條件:：一3 .正弦波振蕩器的組成、分類(lèi)正弦波振蕩器的組成(1)放大電路-建立和維持振蕩。(2)正反饋網(wǎng)絡(luò)-與放大電路共同滿足振蕩條件。(3)選頻網(wǎng)絡(luò)以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-使波形幅值穩(wěn)定，且波

19、形的形狀良好。*正弦波振蕩器的分類(lèi)(1) RC振蕩器-振蕩頻率較低，1M以下；(2) LC振蕩器-振蕩頻率較高,1M以上；(3)石英晶體振蕩器-振蕩頻率圖且穩(wěn)定二.RC正弦波振蕩1. RC串并聯(lián)正弦前)文氏電橋壽蕩器電路波振蕩電路2. RC移相式正弦波振蕩電路用將相式提驪林三.LC正弦波振蕩電路1 .變壓器耦合式LC振蕩電路判斷相位的方法：斷回路、引輸入、看相位頁(yè)腳內(nèi)容42模擬電子技術(shù)試題（二）2 .三點(diǎn)式LC振蕩器*相位條件的判斷-射同基反”或 三步曲法（1）電感反饋三點(diǎn)式振蕩器（哈特萊電路）電械反饋二點(diǎn)式振蕩器（2）電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（考畢茲電路）（3）串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（克

20、拉潑電路）（4）并聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（西勒電路）0）電容二點(diǎn)式振蕩器（h）克拉潑電路一壓控?fù)?jù)前牌西勘電路頁(yè)腳內(nèi)容47四.石英晶體振蕩電路1 .并聯(lián)型石英晶體振蕩器2 .串聯(lián)型石英晶體振蕩器并聯(lián)型石英國(guó)體振搐器口】）笠致電5用聯(lián)吧有旋晶體振婚展第九章功率放大電路一.功率放大電路的三種工作狀態(tài)1 .甲類(lèi)工作狀態(tài)導(dǎo)通角為360o, Icq大，管耗大，效率低。2 .乙類(lèi)工作狀態(tài)IcqQ 導(dǎo)通角為1800,效率 大。3 .甲乙類(lèi)工作狀態(tài)高，失真導(dǎo)通角為18C036O0,效率較高，失真較大。二.乙類(lèi)功放電路的指標(biāo)估算1 .工作狀態(tài)任意狀態(tài)：Uom Uim盡限狀態(tài)：Uom=Vcc-UcEs理想狀態(tài)

21、：Uom Vcc逮口nm2 .輸出功率 3 .直流電源提供的平均功率氣匚=ccAa/）二 rcc2 %H小二 一fl /?L4 .管耗Pc1m=0.2Pom5 .效率E嬴叫也.川皿外,出 理想時(shí)為78.5%甲乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路1 .問(wèn)題的提出在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真交越失真（本質(zhì)上是截止失 真）。2 .解決辦法甲乙類(lèi)雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL-利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類(lèi)狀態(tài)估算。甲乙類(lèi)單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OTL-電容C2上靜態(tài)電壓為Vcc/2,并且取代了 OCL功放中的負(fù)電源-Vcc。動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類(lèi)狀態(tài)估算，只是用Vcc/2代替。四.復(fù)合管的組成

22、及特點(diǎn)1 .前一個(gè)管子c-e極跨接在后一個(gè)管子的b-c極間。2 .類(lèi)型取決于第一只管子的類(lèi)型。3. B =疝冷第十章直流電源模擬電子技術(shù)試題(二)直流電源的組成框圖頁(yè)腳內(nèi)容48電胸電壓直流電源的組成機(jī)圖整沆電踏電碟. 油波 電路.電源 變技器電源變壓器：將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓。?整流電路：將正負(fù)交替的交流電壓整流成為單方向的脈動(dòng)電壓。?濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。?穩(wěn)壓電路：自動(dòng)保持負(fù)載電壓的穩(wěn)定。.單相半波整流電路1.輸出電壓的平均值UO(AV)口( 4)二丁 F弁=(a)通路圖2.輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)Sn _ &*口 _ n _ ,丁 /O(A) 澗 N模擬電子技術(shù)試題（二）頁(yè)腳內(nèi)容513 .正向平均電流Id（av）f_ r1U（AT） =- 陽(yáng) 11 4 .最大反向電壓Urm* Am V2 2三.單相全波整流電路1 .輸出電壓的平均值Uo（av）o（av）= -,21 曲】何心壯=【、= 0