陶瓷材料考點(diǎn)

1、. .1：新型陶瓷材料：除硅酸鹽類無(wú)機(jī)非金屬材料以外，非硅酸鹽類無(wú)機(jī)非金屬材料(氧化物、非氧化物和其它鹽類)開展異常迅猛，這局部材料稱為新型無(wú)機(jī)非金屬材料。 2：晶體構(gòu)造：主要為離子鍵、共價(jià)鍵或離子鍵-共價(jià)混合鍵3：化學(xué)組成：已不局限于硅酸鹽，還包括其他含氧酸鹽、氧化物、氮化物、碳與炭化物、硼化物、氟化物、硫系化物、硅與硅化物、鍺、族和族化合物等。4：存在的形態(tài)與形狀：多樣化、復(fù)合化、薄膜，纖維，納米等低維化、單晶和非晶材料越來(lái)越重要。5：陶瓷分類：特種陶瓷構(gòu)造陶瓷，功能陶瓷，陶器，瓷器，炻器6：功能陶瓷的根本電學(xué)性質(zhì)：在電場(chǎng)作用下傳導(dǎo)電流和被電場(chǎng)感應(yīng)的性質(zhì)。7：陶瓷材料的兩個(gè)根本電學(xué)性質(zhì):

2、電導(dǎo)率 介電常數(shù)8：各種陶瓷材料或多或少都存在著能傳遞電荷的質(zhì)點(diǎn)，這些質(zhì)點(diǎn)稱為載流子。金屬材料中的載流子是自由電子，陶瓷中的載流子可能是離子，也可能是電子、空穴或幾種載流子共同存在。離子作為載流子的電導(dǎo)機(jī)制稱為離子電導(dǎo)；電子或空穴作為載流子的電導(dǎo)機(jī)制稱為電子電導(dǎo)。 9：電流I通過(guò)電子電導(dǎo)的陶瓷試樣時(shí)，如果在垂直于電流的方向加上一磁場(chǎng)H，那么在垂直于I-H平面的方向產(chǎn)生了電場(chǎng)EH，該電場(chǎng)EH稱之為霍耳電場(chǎng)，這種現(xiàn)象稱之為霍耳效應(yīng)。EHIHc+- 實(shí)驗(yàn)證明霍耳效應(yīng)的產(chǎn)生是由于電子在磁場(chǎng)作用下，產(chǎn)生橫向位移的結(jié)果。由于離子質(zhì)量比電子大得多，離子在該磁場(chǎng)作用下，不呈現(xiàn)橫向位移，因此離子電導(dǎo)那么不呈現(xiàn)有

3、霍耳效應(yīng)。因此，常用霍耳效應(yīng)來(lái)區(qū)分陶瓷材料的載流子主要是電子還是離子。 如果霍耳電場(chǎng)EH的方向與圖示方向相反那么為空穴電導(dǎo)10：介電常數(shù)：是衡量電介質(zhì)材料儲(chǔ)存電荷能力的參數(shù)，通常又叫介電系數(shù)或電容率，是材料的特征參數(shù)。公式中：Q0為真空介質(zhì)時(shí)電極上的電荷量；Q為同一電場(chǎng)和電極系統(tǒng)中介質(zhì)為非真空介質(zhì)時(shí)電極上的電荷量。物理意義：同一電場(chǎng)作用下，同一電極系統(tǒng)中介質(zhì)為非真空電介質(zhì)比真空介質(zhì)情況下，電極上的儲(chǔ)存電荷量增加的倍數(shù)等于該非真空介質(zhì)的介電常數(shù)。11：陶瓷中參加極化的質(zhì)點(diǎn)只有電子和離子，這兩種質(zhì)點(diǎn)在電場(chǎng)作用下以多種形式參與極化過(guò)程。極化形式位移式極化，松弛式極化，界面極化，諧振式極化，自發(fā)極化（

4、1） 位移式極化：是電子或離子在電場(chǎng)作用下的一種彈性、不消耗電場(chǎng)能量、平衡位置不發(fā)生變化、瞬間就能完成、去掉電場(chǎng)時(shí)又恢復(fù)原狀態(tài)的極化形式。電子位移極化和離子位移極化（2） 松弛式極化是非彈性的、消耗電場(chǎng)能量、平衡位置發(fā)生變化、完成的時(shí)間比位移極化長(zhǎng)、去掉電場(chǎng)時(shí)不能恢復(fù)原狀態(tài)的極化形式。離子松弛極化和電子松弛極化電子松弛極化的描述：晶格熱振動(dòng)、晶格缺陷、雜質(zhì)的引入、化學(xué)組成的局部改變等因素都能使電子能態(tài)發(fā)生變化，出現(xiàn)位于禁帶中的電子局部能級(jí)，形成弱束縛的電子或空穴。例如一個(gè)負(fù)離子空位俘獲了一個(gè)電子形成的“F-心，該電子處于禁帶中距導(dǎo)帶很近的施主能級(jí)上?！癋-心的弱束縛電子為周圍結(jié)點(diǎn)上的陽(yáng)離子所共

5、有，在晶格熱振動(dòng)過(guò)程中，吸收很少的能量就處于激發(fā)狀態(tài)，連續(xù)地由一個(gè)陽(yáng)離子結(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)移到另一個(gè)陽(yáng)離子結(jié)點(diǎn)。電子松弛極化：在外加電場(chǎng)的作用下，弱束縛“F-心 電子的運(yùn)動(dòng)具有方向性，而呈現(xiàn)極化，這種極化稱為電子松弛極化。鈦質(zhì)陶瓷、鈦酸鹽陶瓷及以鈮、鉍氧化物為根底的陶瓷中存在著電子松弛極化12：介質(zhì)損耗陶瓷介質(zhì)在電導(dǎo)和極化過(guò)程中都有能量消耗，不可防止地將一局部電能轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮?。在這個(gè)過(guò)程中，單位時(shí)間所消耗的電能稱之為損耗角：是有損耗電容器中電流超前電壓的相位角f與無(wú)損耗電容器的相位角90的差值。功能陶瓷的損耗角一般小于1tg的具體意義是有耗電容器每周期消耗的電能與其所儲(chǔ)存電能的比值。tg是經(jīng)常用來(lái)表示介質(zhì)損

6、耗大小的量13：電介質(zhì)能絕緣和儲(chǔ)存電荷，是指在一定的電壓范圍內(nèi)，即在相對(duì)弱電場(chǎng)范圍內(nèi)，介質(zhì)保持介電狀態(tài)。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)某一臨界值時(shí)，介質(zhì)由介電狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)，這種現(xiàn)象稱介質(zhì)的擊穿。相應(yīng)的電場(chǎng)強(qiáng)度稱擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、絕緣強(qiáng)度、介電強(qiáng)度、抗電強(qiáng)度等，用E j14：磁化率為負(fù)的抗磁體材料 磁化率為正的順磁體材料。15：原料的評(píng)價(jià)成分評(píng)價(jià)，構(gòu)造評(píng)價(jià)，顆粒劑形貌評(píng)價(jià)成分評(píng)價(jià)：一般化工原料按化學(xué)組成分級(jí)，即工業(yè)純、化學(xué)純(CP)、分析純(AR)及光譜純(GR)。作為新型陶瓷的化工原料一般要求其主要成分含量98.5%，作為高性能新型陶瓷，其化學(xué)純度應(yīng)大于99%。局部化工原料的優(yōu)級(jí)品已達(dá)99.999%99.99

7、99% 5N到6N級(jí)有害雜質(zhì)含量已十分有限16：2021年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)授予英國(guó)曼徹斯特大學(xué)科學(xué)家安德烈海姆和康斯坦丁諾沃肖洛夫,以表彰他們?cè)谑┎牧涎芯糠矫娴母锩猿删?7：從粉體機(jī)械力化學(xué)的角度看，粉碎過(guò)程可以認(rèn)為近似于一種可逆的反響過(guò)程18：新型陶瓷的根本制備工藝包括：粉料制備、成型、燒結(jié)、加工19：原料煅燒目的：同質(zhì)多晶體：溫度不同，結(jié)晶狀態(tài)或礦物構(gòu)造不同，高溫會(huì)使原料分解、晶型轉(zhuǎn)變等，同時(shí)伴有相應(yīng)的體積變化，收縮不一致，容易開裂和變形，高溫煅燒，促進(jìn)晶體轉(zhuǎn)化為適宜的構(gòu)造，減少瓷件最終燒結(jié)的收縮率，提高和保證瓷件的性能、質(zhì)量和一致性 20：原料合成，粉料的制備說(shuō)了一寫沒記清楚21：鐵

8、電介質(zhì)陶瓷：BaTiO3或PbTiO3基固溶體為最重要的主晶相鐵電陶瓷。(1) BaTiO3晶體的原子構(gòu)造 BaTiO3晶體構(gòu)造：六方相、立方相、四方相、斜方相和三方相等晶相。在鐵電陶瓷的生產(chǎn)中，六方晶相是應(yīng)該防止出現(xiàn)的晶相，實(shí)際上也只有當(dāng)燒成溫度過(guò)高時(shí)才會(huì)出現(xiàn)六方BaTiO3。立方相、四方相、斜方相和三方相都屬于鈣鈦礦型構(gòu)造的變體，生產(chǎn)和研制BaTiO3陶瓷時(shí)常常出現(xiàn)。穩(wěn)定溫度范圍：立方相在120以上是穩(wěn)定的；四方相在5120之間是穩(wěn)定的；斜方相在-905之間是穩(wěn)定的；三方相在-90以下是穩(wěn)定的。立方BaTiO3 立方BaTiO3的構(gòu)造是理想的鈣鈦礦(CaTiO3)型構(gòu)造，每個(gè)晶胞中包含一個(gè)

9、分子單位。在立方BaTiO3晶體中，取Ba2+作原點(diǎn)各離子的空間坐標(biāo)：Ba2+在(0,0,0)；Ti4+在(1/2,1/2,1/2)；3個(gè)O2-在(1/2,1/2,0), (0,1/2,1/2)假設(shè)取Ti4+作原點(diǎn)，每個(gè)鈦離子都處于6個(gè)氧離子組成的八面體中心。這些(TiO6)8-八面體通過(guò)角頂共用的氧連接成三維網(wǎng)絡(luò)。在立方BaTiO3中，Ti4+的配位數(shù)為6；鋇離子的配位數(shù)為12；氧離子的配位數(shù)為6，立方BaTiO3晶胞的邊長(zhǎng)約為0.4nm。四方BaTiO3 鈣鈦礦型構(gòu)造，只是晶格較理想鈣鈦礦型構(gòu)造發(fā)生一定程度的畸變。與立方 BaTiO3比較，畸變使四方BaTiO3的c軸變長(zhǎng)，a軸變短。在立方

10、BaTiO3中，晶胞的邊長(zhǎng)大于氧離子和鈦離子的直徑之和。即處于氧八面體孔隙中的鈦離子可以偏離八面體的中心位置，在一定的范圍內(nèi)進(jìn)展振動(dòng)。鈦離子振動(dòng)時(shí)，其偏離或靠近周圍6個(gè)氧離子的時(shí)機(jī)是均等的，即對(duì)八面體中心位置的平均偏離為零。隨著溫度的降低，鈦離子熱運(yùn)動(dòng)變?nèi)酢囟冉抵?20以下時(shí)，鈦離子的振動(dòng)中心那么向周圍的6個(gè)氧離子之一靠近，即鈦離子沿C軸方向發(fā)生了一定程度的位移，亦即鈦離子沿C軸方向產(chǎn)生了離子位移極化。極化是在沒有外電場(chǎng)作用下，自發(fā)進(jìn)展的，通常稱為自發(fā)極化。取Ba作原點(diǎn)時(shí)的原子坐標(biāo)：Ba在(0,0,0);Ti在(1/2,1/2,1/2+ZTi ); OI在(1/2,1/2, ZOi ); 2

11、個(gè)OII在(1/2,0,1/2+ZOii ),(0, 1/2,1/2+ZOii )表5-1 四方BaTiO3中原子的位移量和鍵長(zhǎng)(取O作原點(diǎn)，O位于1/2c的位置上)在四方BaTiO3中，c軸方向?yàn)樽园l(fā)極化的方向。自發(fā)極化強(qiáng)度(簡(jiǎn)稱自發(fā)極化)通常用Ps表示。四方BaTiO3中的自發(fā)極化Ps，不單單由鈦離子的位移提供，其他離子，特別是OI(近)離子對(duì)自發(fā)極化Ps的奉獻(xiàn)也不容無(wú)視。如圖(5-2)，Ti4+離子位移靠近OI(近)離子時(shí)，Ti4+離子對(duì)OI(近)離子的作用就顯得特別突出。OI(近)離子的電子云向Ti4+離子靠近，OI(近)離子的正電中心(原子核)那么因受到Ti4+離子的排斥而遠(yuǎn)離。OI

12、(近)離子的正電中心和負(fù)電中心不再重合，從而OI(近)離子產(chǎn)生較大的極化。OI(近)離子對(duì)極化的奉獻(xiàn)主要是電子位移極化的奉獻(xiàn)，極化方向與Ti4+位移極化的方向一樣。OI(遠(yuǎn))離子和O離子受Ti4+的作用較小，Ba2+的惰性氣體型的外層電子層構(gòu)造，決定了它對(duì)其他離子的極化作用以及其他離子對(duì)Ba2+的極化作用都較小，因此它們對(duì)自發(fā)極化Ps的奉獻(xiàn)也較小。四方BaTiO3: Ti4+離子位移對(duì)自發(fā)極化強(qiáng)度的奉獻(xiàn)約占31%，OI(近)離子的電子位移對(duì)自發(fā)極化強(qiáng)度的奉獻(xiàn)約占59%，其他離子對(duì)自發(fā)極化強(qiáng)度的奉獻(xiàn)約占10%(這10%中，Ti4+離子的電子位移對(duì)極化的奉獻(xiàn)約占6%)。20時(shí)，四方BaTiO3的晶

13、胞參數(shù)為ab=0.3986nm，c0.4026nm，c/a1.01。軸率(c/a)的大小與自發(fā)極化強(qiáng)度Ps的強(qiáng)弱有密切的聯(lián)系，可以從軸率(c/a)的大小來(lái)估計(jì)BaTiO3和BaTiO3基固溶體的自發(fā)極化強(qiáng)弱。22：電疇具有一樣自發(fā)極化方向的小區(qū)域。 具有電疇構(gòu)造的晶體稱為鐵電晶體或鐵電體。23：居里溫度：電疇構(gòu)造消失，鐵電體失去自發(fā)極化的最低溫度，即為居里溫度(用Tc表示)。BaTiO3的居里溫度即四方相和立方相之間的相變溫度， Tc= 120 。24：PPT5.2.2中的關(guān)于BaTiO3基陶瓷的組成構(gòu)造和性質(zhì)的兩個(gè)問題25：如果在對(duì)BaTiO3基陶瓷施加電場(chǎng)的過(guò)程中，隨時(shí)測(cè)量與電場(chǎng)方向垂直的

14、兩個(gè)陶瓷平面 上 的單位面積靜電量(以C/cm2或uC/cm2表示)。隨著第一次對(duì)陶 瓷逐漸施加電場(chǎng) ，以極化強(qiáng)度P表示的單位面積上的靜電量將大致沿著OA線段從O到A變化。 實(shí)際上反映各晶粒中的電疇逐步沿電場(chǎng)方向取向，各晶粒形成單疇晶體 ，極化到達(dá)飽和的變化。極化到達(dá)飽和后，電場(chǎng)強(qiáng)度繼 續(xù)提高，極化強(qiáng)度P隨電場(chǎng)按AB線段呈線性變化。如 果把電場(chǎng)強(qiáng)度逐步降低到零時(shí)，極化強(qiáng)度P P并不為零，而具有“剩余極化強(qiáng)度Pr ，如果 對(duì)該試樣施以反向電場(chǎng)，至電場(chǎng)強(qiáng)度到達(dá)一Ec Ec時(shí)，陶瓷試樣的極化強(qiáng)度才降至零。 繼續(xù)提高電場(chǎng)強(qiáng)度，那么極化強(qiáng)度在反方向 增 增大。變至H點(diǎn)，實(shí)質(zhì)上與A點(diǎn)是相應(yīng)的，H H與A這

15、兩種狀態(tài)都表現(xiàn)了鐵電陶瓷材料 料在電場(chǎng)作用下的極化到達(dá)飽和狀態(tài)，只 只是極化方向相反罷了。GH線段也是直線，與AB線段相應(yīng)。降低電場(chǎng)強(qiáng)度直到零時(shí)，極化強(qiáng)度又表現(xiàn)為“剩余極化強(qiáng)度-Pr。再施加正向電場(chǎng)至Ec，極化強(qiáng)度才又恢復(fù)到零，以后隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的提高，沿EcAB變化。BaTiO3陶瓷的電滯回線：Ec稱為該鐵電陶瓷材料的“矯頑場(chǎng)，Pr稱為“剩余極化強(qiáng)度。作BA的延長(zhǎng)線與P軸交于Ps點(diǎn)，Ps即可作為這種鐵電陶瓷自發(fā)極化強(qiáng)度的量度，因?yàn)樗喈?dāng)于陶瓷材料中每個(gè)電疇本來(lái)就存在的自發(fā)極化強(qiáng)度。BaTiO3晶體的自發(fā)極化強(qiáng)度Ps可以用類似的方法予以測(cè)定。26： BaTiO3陶瓷的改性方法：置換改性和摻雜改性

16、結(jié)合壓電陶瓷27：Tc以下，外加電場(chǎng)增加到一定數(shù)值時(shí)，邊界層上的空間電荷作用將導(dǎo)致邊界層局部的突然擊穿29：影響耐電強(qiáng)度五因素 組成對(duì)瓷料的耐電強(qiáng)度有直接影響 2致密度 高壓瓷料應(yīng)具有細(xì)晶構(gòu)造4合成與制備鐵電介質(zhì)陶瓷，為獲得具有較大介電常數(shù)的瓷料，往往把瓷料的居里溫度移到室溫附近。但由于鐵電陶瓷在居里溫度附近的極化效應(yīng)很突出，嚴(yán)重地影響著瓷料的脈沖擊穿強(qiáng)度。5電容器的造型和包封料的選擇對(duì)電容器的耐電強(qiáng)度都有重要影響。30：BaTiO3陶瓷半導(dǎo)化的途徑：施主摻雜半導(dǎo)化 強(qiáng)制復(fù)原半導(dǎo)化 31：參加物和雜質(zhì)的影響：1施主參加物: BaTiO3陶瓷中，電價(jià)高于2價(jià)對(duì)Ba2+進(jìn)展置換的，或者電價(jià)高于4價(jià)

17、對(duì)Ti4+進(jìn)展置換的離子化合物。這類施主參加物可以使BaTiO3陶瓷成為價(jià)控半導(dǎo)體。摻雜濃度直接影響B(tài)aTiO3陶瓷的電阻率，通常需控制在一定的濃度范圍內(nèi)。2受主雜質(zhì): BaTiO3陶瓷中，電價(jià)低于2價(jià)對(duì)Ba2+進(jìn)展置換的，或者電價(jià)低于4價(jià)對(duì)Ti4+進(jìn)展置換的雜質(zhì)。如Fe、Mn、Cr、Na和K等受主雜質(zhì)離子都是的阻礙BaTiO3陶瓷半導(dǎo)化的雜質(zhì)，用一般化學(xué)原料或工業(yè)原料通常不能實(shí)現(xiàn)陶瓷材料的半導(dǎo)化。3等價(jià)參加物：生產(chǎn)中也往往需要把陶瓷材料的居里峰移至需要的溫度。Sn4+置換Ti4+或者Sr2+置換Ba2+都使BaTiO3半導(dǎo)體陶瓷的居里溫度移向低溫，而Pb2+置換Ba2+那么使居里溫度移向高溫

18、。32：反鐵電陶瓷是由反鐵電體PbZrO3或以其為基的固溶體組成的，具有雙電滯回線是這類陶瓷的宏觀特征。(例子)PbZrO3的居里溫度Tc230，33:對(duì)某些晶體施加壓力、X力或切向力時(shí)，那么發(fā)生與作用力成反比例的介質(zhì)極化，同時(shí)在晶體兩端面將出現(xiàn)數(shù)量相等、符號(hào)相反的束縛電荷，這種現(xiàn)象稱為正壓電效應(yīng)； 晶體上施加電場(chǎng)引起極化時(shí)，將產(chǎn)生與電場(chǎng)強(qiáng)度成反比例的變形或機(jī)械應(yīng)力，這種現(xiàn)象稱為逆壓電效應(yīng)34:有對(duì)稱中心的晶體不呈現(xiàn)壓電效應(yīng)。因?yàn)檫@些晶體受到作用力后，內(nèi)部不發(fā)生均勻變形，仍保持質(zhì)點(diǎn)間對(duì)稱排列，無(wú)不對(duì)稱的相對(duì)位移，也就不會(huì)產(chǎn)生極化，電矩還是零，因此晶體外表不顯示電性，也就不會(huì)呈現(xiàn)壓電效應(yīng)。無(wú)對(duì)稱

19、中心的晶體在作用力的作用下，質(zhì)點(diǎn)間產(chǎn)生不對(duì)稱位移，結(jié)果產(chǎn)生了新的電矩，晶體外表顯示電性，呈現(xiàn)出壓電效應(yīng)。在32類晶族中，只有21種無(wú)對(duì)稱中心，由于其中一種的壓電常數(shù)為零，故有20種可以有壓電效應(yīng)，在這20種壓電性晶體中的10種具有自極化效應(yīng)，稱為極性晶體，又因?yàn)槭軣峥梢援a(chǎn)生電荷，故又稱為熱釋電晶體(極性晶體):因外加電場(chǎng)作用而改變自發(fā)極化方向的晶體便是鐵電晶體。35:鐵電體:具有自發(fā)極化、而自發(fā)極化因外電場(chǎng)的作用而轉(zhuǎn)動(dòng)的物體36:敏感陶瓷: 歸屬于半導(dǎo)體陶瓷材料，半導(dǎo)體陶瓷的電阻率約為10-4107Wcm。在半導(dǎo)體的能帶分布中，禁帶較窄，所以價(jià)帶中的局部電子易被激發(fā)越過(guò)禁帶，進(jìn)入導(dǎo)帶成為自由電

20、子，產(chǎn)生導(dǎo)電性。37:半導(dǎo)體陶瓷的共同點(diǎn)：導(dǎo)電性隨環(huán)境而變化。利用這一特性，可制成各種不同類型的陶瓷敏感器件，如熱敏、氣敏、濕敏、壓敏、光敏器件等。38:熱敏陶瓷溫度傳感器: 利用材料的電阻、磁性、介電性等性質(zhì)隨溫度而變化的現(xiàn)象制作的器件，可用于制作溫度的測(cè)定、線路溫度補(bǔ)償及穩(wěn)頻等元件，具有靈敏度高、穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單及價(jià)格廉價(jià)等優(yōu)點(diǎn)。按照其溫度電阻特性，一般可分為三大類： 電阻隨溫度升高而增大的熱敏電阻稱為正溫度系數(shù)熱敏電阻，簡(jiǎn)稱PTC熱敏電阻， 電阻隨溫度升高而減小的熱敏電阻稱為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，簡(jiǎn)稱NTC熱敏電阻， 電阻在某特定溫度范圍內(nèi)急劇變化的熱敏電阻，簡(jiǎn)稱為CTR熱敏電阻。3

21、9：壓敏陶瓷: 電阻值隨外加電壓變化有顯著的非線性變化的半導(dǎo)體陶瓷，用這種材料制成的電阻稱之為壓敏電阻器。制造壓敏陶瓷的材料有SiC、ZnO、BaTiO3、Fe2O3、SnO2、SrTiO3等，其中BaTiO3、Fe2O3是利用電極與燒結(jié)體界面的非歐姆特性，而SiC、ZnO、SrTiO3利用的是晶界非歐姆特性。目前應(yīng)用最廣、性能最好的是氧化鋅壓敏半導(dǎo)體陶瓷。40：氣敏陶瓷的工作原理：1外表吸附情況 n型半導(dǎo)體發(fā)生負(fù)離子吸附； n型半導(dǎo)體發(fā)生正離子吸附； p型半導(dǎo)體發(fā)生負(fù)離子吸附； p型半導(dǎo)體發(fā)生正離子吸附 2外表吸附理論模型： 外表吸附模型，勢(shì)壘模型，吸附效應(yīng)模型50：關(guān)于鐵氧體的磁性來(lái)源：屬

22、于磁學(xué)的研究范疇 具有磁性的MA和MB兩個(gè)陽(yáng)離子之間夾著一個(gè)氧離子，氧離子使MA、MB各自的磁矩呈反平行排列，兩個(gè)陽(yáng)離子合成的總磁矩是抵消之后的剩余磁矩，通常將此產(chǎn)生的強(qiáng)磁性稱之為亞鐵磁性。假設(shè)MA和MB兩者的各自磁矩大小相等，相互抵消后的總磁矩大小為零。磁學(xué)上稱為反鐵磁性。51：鐵氧體磁性材料：軟磁，硬磁，旋磁，矩磁 壓磁52：醫(yī)用生物材料的分類：高分子材料；無(wú)機(jī)非金屬材料；金屬材料；復(fù)合材料；天然生物材料。53：相容性：生物相容性，與生物組織有優(yōu)異的親和性，力學(xué)相容性，物理化學(xué)穩(wěn)定性，滅菌性，抗血栓54：構(gòu)造瓷：指在電子元件、器件、部件和電路中作基體、外殼、固定件和絕緣零件的陶瓷材料。56：氧化鋁陶瓷：以A12O3為主要原料，以剛玉(a-A12O3)為主晶相。明名：A12O3陶瓷通常以配料或瓷體中的A12O3的含量來(lái)分類，習(xí)慣上把A12O3含量在99左右的陶瓷稱為“99瓷，把含量95和90左右的依次稱為“95瓷和“90瓷。 A12O3含量在85以上的陶瓷通常稱高鋁瓷，含量99以上的稱為剛玉瓷或純剛玉瓷。著色：著色氧化鋁瓷：在氧化鋁瓷料中有目的地參加著色氧化物，使氧化鋁呈現(xiàn)特定的顏色，滿足某些使用上的需求顏色是光的一種