電子基礎(chǔ)培訓(xùn)資料

1、近代科學(xué)進(jìn)一步揭示出原子核內(nèi)部的質(zhì)子帶正電荷，核外電子帶負(fù)電荷。原子原子核電 子（帶負(fù)電）質(zhì) 子（帶正電）中 子（不帶電）7.物體不帶電的原因 通常情況下，原子核內(nèi)的正電荷跟核外電子所帶的負(fù)電荷的總量相等，整個(gè)原子不顯電性，是中性的。 本來(lái)是中性的原子，當(dāng)它失去一個(gè)或幾個(gè)電子時(shí)，核外電子總共帶的負(fù)電荷比原子核的正電荷少，它就顯示帶正電。+4-1-1-1-1物體帶正電的原因+4-1物體帶負(fù)電的原因 本來(lái)是中性的原子，當(dāng)她跟多余的電子結(jié)合在一起時(shí)，核外電子總共帶的負(fù)電荷比原子核的正電荷多，它就顯示帶負(fù)電。-1-1-1-1-11.什麼是電阻阻 電子在導(dǎo)體中流動(dòng)時(shí),所受到之阻力稱為電阻. 電阻符號(hào)用“

2、R”表示,單位: (歐母), 圖型: 1M =1000K =1000000 =1000000000m2.電阻分類 A.按功率分類: 1/8W , 1/6W , 1/4W , 1/2W , 1W , 2W , 3W , 4W .- 電阻電阻色環(huán)電阻A. 4色環(huán)電阻顏色 第一環(huán) 第二環(huán) 第三環(huán) 第四環(huán) 黑棕紅橙黃綠 5藍(lán)紫灰金銀電阻值 = 第一環(huán)(十位數(shù))第二環(huán)(個(gè)位數(shù)) *第三環(huán)(10的指數(shù)) 第四環(huán)(此電阻的正負(fù)百分誤差) 11*10=1105%- 電阻電阻 A. 5色環(huán)電阻顏色 第一環(huán) 第二環(huán) 第三環(huán) 第四環(huán) 第五環(huán) 黑棕紅橙黃綠 5藍(lán)紫灰金銀電阻值 = 第一環(huán)(百位數(shù))第二環(huán)(十位數(shù))第三

3、環(huán)(個(gè)位數(shù)) *第四環(huán)(10的指數(shù)) 第五環(huán)(此電阻的正負(fù)百分誤差) 110*1=1101%電阻注意事項(xiàng) a.通常2W以下的電阻是用色環(huán)標(biāo)示阻值的,2W以上是直接書(shū)寫(xiě) 出其額定電阻值的. b. 通常功率越大其體積越大,若是小形化電阻就不好從體積上識(shí) 辯,在使用時(shí)一定要注意其標(biāo)示規(guī)格的額定功率. c.通常5色環(huán)電阻是要比4色環(huán)電阻要精密的,其誤差差異要看它 們的最后一色環(huán). d.SMD電阻因體積太小無(wú)法標(biāo)色環(huán),故直接將色環(huán)的對(duì)應(yīng)數(shù)值標(biāo) 示上去,其讀值方式:(指數(shù)標(biāo)示法) 如 5%誤差 1%誤差 =22*10 =220*10 =2200 =2200 =2.2K =2.2K 2222201電解電容陶

4、瓷電容Mylar電容 正極引線正極引線觸絲觸絲N型鍺型鍺支架支架外殼外殼負(fù)極引線負(fù)極引線PN結(jié)結(jié) 正極引線正極引線二氧化硅保護(hù)層二氧化硅保護(hù)層P型區(qū)型區(qū)負(fù)極引線負(fù)極引線 面接觸型二極管面接觸型二極管N型硅型硅PN結(jié)結(jié)二極管的符號(hào)二極管的符號(hào)正極正極負(fù)極負(fù)極集電區(qū)集電區(qū)集電結(jié)集電結(jié)基區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)NN集電極集電極C基極基極B發(fā)射極發(fā)射極E 三極管的結(jié)構(gòu)三極管的結(jié)構(gòu) 分類和符號(hào)分類和符號(hào)PECB符號(hào)符號(hào)第第1章章 1.5N型硅型硅二氧化硅保護(hù)膜二氧化硅保護(hù)膜BECN+P型硅型硅（a） 平面型平面型N型鍺型鍺ECB銦銦球球銦銦球球PP+（b）合金型）合金型第第1章章 1.5集電區(qū)集電

5、區(qū)集電結(jié)集電結(jié)基區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)CBEN集電極集電極C發(fā)射極發(fā)射極E基極基極BNPPN第第1章章 1.5發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散電子擴(kuò)散電子IEIB電子在基區(qū)電子在基區(qū)擴(kuò)散與復(fù)合擴(kuò)散與復(fù)合集電區(qū)收集電子集電區(qū)收集電子 電子流向電源正極形成電子流向電源正極形成 ICICNPN電源負(fù)極向發(fā)射電源負(fù)極向發(fā)射區(qū)補(bǔ)充電子形成區(qū)補(bǔ)充電子形成 發(fā)射極電流發(fā)射極電流IE 三極管的電流控制原理三極管的電流控制原理電源正極拉走電電源正極拉走電子，補(bǔ)充被復(fù)子，補(bǔ)充被復(fù)合的空穴，形合的空穴，形成成 I IB B第第1章章 1.5VCCRCVBBRBCBEECRCIC UCECEBUBE共發(fā)射極接法放

6、大電路共發(fā)射極接法放大電路三極管具有電流控三極管具有電流控制作用的外部條件制作用的外部條件 : （1）發(fā)射結(jié)正向偏置）發(fā)射結(jié)正向偏置 （加正向電壓）；（加正向電壓）；（2）集電結(jié)反向偏置）集電結(jié)反向偏置（加反向電壓）。（加反向電壓）。第第1章章 1.5EBRBIBECRCIC UCECEBUBE共發(fā)射極接法放大電路共發(fā)射極接法放大電路三極管具有電流控三極管具有電流控 制作用的外部條件制作用的外部條件 : （1）發(fā)射結(jié)正向偏置；）發(fā)射結(jié)正向偏置；（2）集電結(jié)反向偏置。）集電結(jié)反向偏置。對(duì)于對(duì)于PNP型三極管應(yīng)滿足型三極管應(yīng)滿足:輸出輸出回路回路輸入輸入回路回路公公共共端端第第1章章 1.5EBR

7、BIBIE即即 VC VB 0UBE 0SiO2結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)示意圖P型硅襯底型硅襯底源極源極S柵極柵極G漏極漏極D 襯底引線襯底引線BN+N+DBSG符號(hào)符號(hào)1. 結(jié)構(gòu)和符號(hào)結(jié)構(gòu)和符號(hào)第第1章章 1.6SiO2結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)示意圖P型硅襯底型硅襯底耗盡層耗盡層襯底引線襯底引線BN+N+SGDUDSID = 0D與與S之間是兩個(gè)之間是兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián)，結(jié)反向串聯(lián)，無(wú)論無(wú)論D與與S之間加之間加什么極性的電壓，什么極性的電壓，漏極電流均接近漏極電流均接近于零。于零。2. 工作原理工作原理第第1章章 1.6P型硅襯底型硅襯底N+BSGD。耗盡層耗盡層ID = 0由柵極指向襯底方由柵極指向襯底方向的

8、電場(chǎng)使空穴向向的電場(chǎng)使空穴向下移動(dòng)下移動(dòng),電子向上移電子向上移 動(dòng)動(dòng),在在P 型硅襯底的型硅襯底的 上表面形成耗盡層。上表面形成耗盡層。 仍然沒(méi)有漏極電流。仍然沒(méi)有漏極電流。 UGSN+N+第第1章章 1.6UDSP型硅襯底型硅襯底N+BSGD。UDS耗盡層耗盡層ID 柵極下柵極下P型半導(dǎo)型半導(dǎo)體表面形成體表面形成N型導(dǎo)電型導(dǎo)電溝道，當(dāng)溝道，當(dāng)D、S加上加上正向電壓后可產(chǎn)生正向電壓后可產(chǎn)生漏極電流漏極電流ID 。 N型導(dǎo)電溝道N+N+第第1章章 1.6UGS結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)示意圖P型硅襯底型硅襯底源極源極S漏極漏極D 柵極柵極G襯底引線襯底引線B耗盡層耗盡層1. 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和工作原理結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和工作

9、原理N+N+正離子正離子N N型溝道型溝道SiO2DBSG符號(hào)符號(hào)制造時(shí)制造時(shí),在二氧化硅絕緣層中摻入大量的正離子。在二氧化硅絕緣層中摻入大量的正離子。第第1章章 1.6N型硅襯底型硅襯底N+BSGD。耗盡層耗盡層PMOS管結(jié)構(gòu)示意圖管結(jié)構(gòu)示意圖P溝道溝道PMOS管與管與NMOS管管互為對(duì)偶關(guān)系，使用互為對(duì)偶關(guān)系，使用時(shí)時(shí)UGS 、UDS的極性的極性也與也與NMOS管相反。管相反。 P+P+第第1章章 1.6UGSUDSID開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓UGS(th)為為負(fù)值，負(fù)值，UGS UGS(th) 時(shí)導(dǎo)通。時(shí)導(dǎo)通。 SGDB符號(hào)符號(hào) ID /mAUGS / V0UGS(th) 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性DBS

10、G符號(hào)符號(hào) ID /mAUGS /V0UGS(off) 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性?shī)A斷電壓夾斷電壓UGS(off)為為正值，正值， UGS UGS(off)時(shí)導(dǎo)通。時(shí)導(dǎo)通。 第第1章章 1.6在在UDS =0時(shí)，柵源電壓與柵極電流的比值，其值很高。時(shí)，柵源電壓與柵極電流的比值，其值很高。1. 開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓UGS(th) 指在一定的指在一定的UDS下，開(kāi)始出現(xiàn)漏極電流所需的柵源電下，開(kāi)始出現(xiàn)漏極電流所需的柵源電 壓。它是增強(qiáng)型壓。它是增強(qiáng)型MOS管的參數(shù)，管的參數(shù)，NMOS為正，為正，PMOS為負(fù)為負(fù)。2. 夾斷電壓夾斷電壓 UGS(off) 指在一定的指在一定的UDS下，使漏極電流近似等于零時(shí)所需的下，使漏極電流近似等于零時(shí)所需的柵源電壓。是耗盡型柵源電壓。是耗盡型MOS管的參數(shù)，管的參數(shù)，NMOS管是負(fù)值，管是負(fù)值，PMOS管是正值。管是正值。3. 直流輸