技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)ppt課件

1、四、HIT技術(shù)三、反面鈍化技術(shù)二、選擇性發(fā)射極SE一、準(zhǔn)單晶技術(shù)概 述五、EWT技術(shù)六、激光轉(zhuǎn)印技術(shù)(LTP) 七、反響離子刻蝕RIE .準(zhǔn)單晶技術(shù)準(zhǔn)單晶技術(shù)簡(jiǎn)介 在光伏行業(yè)迅速開(kāi)展的今天，用于制造太陽(yáng)能電池的晶體硅主要是采用直拉法的單晶硅及采用鑄錠技術(shù)的多晶硅。多晶硅鑄錠，投料量大、操作簡(jiǎn)單、工藝本錢低，但電池轉(zhuǎn)換效率低、壽命短；直拉單晶硅轉(zhuǎn)換效率高，但單次投料少，操作復(fù)雜，本錢高。因此，怎樣將兩者合二為一、揚(yáng)長(zhǎng)避短，就成了國(guó)內(nèi)外光伏企業(yè)競(jìng)相研討的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。在這種背景下，介于多晶硅和單晶硅之間的準(zhǔn)單晶逐漸進(jìn)入了人們的視野。 準(zhǔn)單晶主要有兩種鑄錠技術(shù)：1無(wú)籽晶鑄錠。無(wú)籽晶引導(dǎo)鑄錠工藝對(duì)晶核初

2、期生長(zhǎng)控制過(guò)程要求很高。一種方法是運(yùn)用底部開(kāi)槽的坩堝。這種方式的要點(diǎn)是精細(xì)控制定向凝固時(shí)的溫度梯度和晶體生長(zhǎng)速度來(lái)提高多晶晶粒的尺寸大小，槽的尺寸以及冷卻速度決議了晶粒的尺寸，凹槽有助于增大晶粒。由于需求控制的參數(shù)太多，無(wú)籽晶鑄錠工藝顯得尤為困難。2有籽晶鑄錠。當(dāng)下量產(chǎn)的準(zhǔn)單晶技術(shù)大部分為有籽晶鑄錠。這種技術(shù)先把籽晶、硅料摻雜元素放置在坩堝中，籽晶普通位于坩堝底部，再加熱融化硅料，并堅(jiān)持籽晶不被完全融掉，最后控制降溫，調(diào)理固液相的溫度梯度，確保單晶從籽晶位置開(kāi)場(chǎng)生長(zhǎng)。 .準(zhǔn)單晶技術(shù)2. 國(guó)內(nèi)準(zhǔn)單晶技術(shù)開(kāi)展現(xiàn)狀2021年3月28日，晶龍集團(tuán)宣布其旗下的東海晶澳太陽(yáng)能科技消費(fèi)的“準(zhǔn)單晶鑄錠量產(chǎn)一號(hào)

3、錠順利下線，投資1.5億元的試量產(chǎn)一期工程曾經(jīng)有12臺(tái)準(zhǔn)單晶鑄錠爐投產(chǎn)，估計(jì)將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)65MW準(zhǔn)單晶硅錠，年銷售收入3億元。同時(shí)，投資4億元的二期200MW準(zhǔn)單晶硅鑄錠工程也正在實(shí)施中，2021年底達(dá)產(chǎn)后還將添加32臺(tái)準(zhǔn)單晶硅鑄錠爐，估計(jì)將實(shí)現(xiàn)年銷售收入10億元。2021年6月8日，晶澳公司在德國(guó)Intersolar展會(huì)上宣布其所研發(fā)的高效多晶電池“晶楓Maple正式啟動(dòng)規(guī)模性量產(chǎn)。量產(chǎn)后的轉(zhuǎn)換效率平均可達(dá)17.5%，最高可到達(dá)18.2%。 近期中國(guó)最大的硅片企業(yè)保利協(xié)鑫也曾經(jīng)試用準(zhǔn)單晶技術(shù)勝利，估計(jì)待其準(zhǔn)單晶技術(shù)成熟后將大規(guī)模推行。 昱輝陽(yáng)光于2021年1月14日?qǐng)?bào)道：公司近日宣布已勝利研發(fā)

4、出一種名叫“Virtus Wafer的新型多晶硅硅片，該產(chǎn)品可以提高太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率至17.5%，較行業(yè)規(guī)范高出1%。硅片光致衰減率在0.1%左右，比單晶硅4%的衰減率低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。 2021年7月8日，無(wú)錫尚品太陽(yáng)能宣布其準(zhǔn)單晶消費(fèi)工藝實(shí)驗(yàn)勝利，其轉(zhuǎn)換效率在18%以上，利用率超越65%。 .準(zhǔn)單晶技術(shù)技術(shù)研發(fā)要點(diǎn)溫度梯度改良。針對(duì)熱場(chǎng)研發(fā)以改良溫度梯度，同時(shí)還要留意熱場(chǎng)維護(hù)；晶種制備。研討發(fā)現(xiàn)，準(zhǔn)單晶晶種制備方向?qū)⒊蟪〉姆较蜷_(kāi)展；第三，準(zhǔn)確熔化控制。這一環(huán)節(jié)非常難以控制，它決議準(zhǔn)單晶能否可以穩(wěn)定生 產(chǎn)，因此需求一個(gè)與之對(duì)應(yīng)的精準(zhǔn)熔化控制設(shè)備。位錯(cuò)密度。在很多消費(fèi)過(guò)程中，效率衰減總

5、是不可防止，為此把位錯(cuò)密度控制到最低，是此項(xiàng)工藝的關(guān)鍵；邊角多晶控制，即合理有效控制邊角多晶的比例；鑄錠良率提升。目前良率大約在40%60%之間，還有待提高。準(zhǔn)單晶技術(shù)的前景 準(zhǔn)單晶術(shù)集合了單晶硅和多晶硅的優(yōu)點(diǎn)，將有助于降低太陽(yáng)能發(fā)電本錢，促進(jìn)太陽(yáng)能發(fā)電實(shí)現(xiàn)平價(jià)上網(wǎng)。因此，準(zhǔn)單晶技術(shù)正引領(lǐng)著光伏行業(yè)的新的風(fēng)向標(biāo)，其前景將非常寬廣。 .選擇性發(fā)射極SESE電池實(shí)現(xiàn)方案印刷磷槳云南師范 腐蝕出分散掩膜層南京中電直接印刷掩膜層schmid，centrotherm濕法腐蝕重分散層/等離子體刻蝕重?cái)U(kuò)LDSE新南威爾士硅墨技術(shù)Innovalingt,OTB 其中， schmid直接印刷掩膜層再清洗的SE實(shí)

6、現(xiàn)方法技術(shù)成熟，目前在國(guó)內(nèi)曾經(jīng)被許多公司采用，包括尚德、英利等。.選擇性發(fā)射極SE 2. 直接印刷掩膜層技術(shù).選擇性發(fā)射極SE 噴掩膜機(jī)清洗機(jī).反面鈍化技術(shù) 反面鈍化技術(shù)就是在電池片的反面堆積鈍化膜，經(jīng)過(guò)添加少子壽命、減少?gòu)?fù)合，來(lái)提高電池片的效率。常見(jiàn)的鈍化膜有：氮化硅膜、氧化硅膜和氧化鋁膜，其中氧化鋁膜的反面鈍化效果最好。氧化鋁膜的制備方法有ALD、濺射和 PECVD 。其中PECVD由于高產(chǎn)能及廣泛運(yùn)用于市場(chǎng)，將是主要的氧化鋁制備方法。.HIT技術(shù)HIT電池構(gòu)造HIT 電池性能開(kāi)路電壓： 729mV短路電流： 3.968A 電流密度：39.5mA/cm2填充因子：80.0%效率：23.0%

7、 電池尺寸：100.4cm22021年 三洋公司. HIT技術(shù)2. HIT電池制造流程. HIT技術(shù)2. HIT電池制備主要設(shè)備本征層及參雜層的制備TCO層的制備濺射法：磁控濺射、離子束濺射等；蒸發(fā)法：熱蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等；濺射法的工藝穩(wěn)定性好，制備薄膜的質(zhì)量也較好。. HIT技術(shù)ECRCVD HIT 堆積系統(tǒng).EWT技術(shù)EWT電池簡(jiǎn)介 硅太陽(yáng)電池是一種前結(jié)背接觸電池。它的 結(jié)依然位于電池的正面，以有利于提高載流子的搜集效率，經(jīng)過(guò)重分散或者鍍有金屬的孔目前用的最多的是激光打孔把電池正面發(fā)射區(qū)和反面部分發(fā)射區(qū)銜接在一同，將前外表發(fā)射區(qū)引入反面，實(shí)現(xiàn)把前后外表搜集的電子傳導(dǎo)到反面電極上，正負(fù)電極細(xì)

8、柵全部交叉陳列在電池反面，主柵陳列在電池反面的兩側(cè)。EWT電池的優(yōu)點(diǎn)添加了有效受光面積，故可以獲得較高的效率；可簡(jiǎn)化光伏組件的封裝，使自動(dòng)化消費(fèi)更容易實(shí)現(xiàn)；降低了反面的外表復(fù)合，因此可更好地提高電池性能；可實(shí)現(xiàn)從電池的前結(jié)和背結(jié)共同搜集電荷，故有很高的電荷搜集率。.EWT技術(shù). EWT技術(shù).激光轉(zhuǎn)印技術(shù)(LTP) 技術(shù)簡(jiǎn)介 激光轉(zhuǎn)印技術(shù)，是相對(duì)于傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷技術(shù)，開(kāi)展起來(lái)的一種新型印刷技術(shù)。不同于絲網(wǎng)印刷工藝，完全采用普通的漿料Ag或者Al漿在激光的作用下，將漿料均勻、準(zhǔn)確的按設(shè)計(jì)圖形高效地噴印在硅片外表，完成印刷工藝過(guò)程。 2. 設(shè)備外觀.激光轉(zhuǎn)印技術(shù)(LTP) 3. 任務(wù)原理 當(dāng)硅片到達(dá)激

9、光轉(zhuǎn)印位置時(shí)，在激光束的作用于不停轉(zhuǎn)動(dòng)的帶有漿料的薄片上，受激光感應(yīng)的區(qū)域的漿料將噴印到硅片外表實(shí)現(xiàn)相應(yīng)圖案的印刷；可以更加高效地、延續(xù)的實(shí)現(xiàn)無(wú)接觸硅片的漿料印刷。 .激光轉(zhuǎn)印技術(shù)(LTP) 工藝優(yōu)點(diǎn)： 可以取代傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷，不再頻繁地改換網(wǎng)板； 運(yùn)用普通的印刷漿料； 實(shí)現(xiàn)正面及反面的印刷，而且不用經(jīng)過(guò)烘干就可以實(shí)現(xiàn)背電極及鋁背場(chǎng)的延續(xù)印刷； 延續(xù)的鏈?zhǔn)讲僮?，無(wú)接觸高效率消費(fèi)，1500片/小時(shí)； 相比于傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷，非常低的消費(fèi)破損率。 .反響離子刻蝕RIE 1.技術(shù)簡(jiǎn)介 RIE是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當(dāng)在平板電極之間施加10100MHZ的高頻電壓RF，radio frequency時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層ion sheath，在其中放入試樣，離