外文翻譯恒流源電子相關(guān)

1、恒流源電流源是電性或電子設(shè)備,提供或吸收電流。電流源是雙重的電壓源。有時(shí)候采用電壓負(fù)反饋的方式實(shí)現(xiàn)恒流。圖1顯示了一個(gè)理想的電流源驅(qū)動(dòng)電阻負(fù)載的原理圖。圖1理想電流源1、理想電流源在電路理論，理想電流源流過電路元件的電流與其兩端的電壓無關(guān)。這是一個(gè)數(shù)學(xué)模型。如果通過一個(gè)理想的電流源電流可以指定獨(dú)立于任何其他變量的電路，它被稱為一個(gè)獨(dú)立的電流源。反之,如果電流通過理想電流源,是由一些其他電路中的電壓或電流控制,它被稱為從屬或控制的電流源。這些電源符號(hào)，如圖2所示。圖2各種電流源符號(hào)一個(gè)獨(dú)立的電流源與零電流是相同的理想開路。基于這個(gè)原因，一個(gè)理想電流源內(nèi)阻是無限的。一個(gè)理想的電流源的電壓是完全取決

2、于它的連接電路。當(dāng)連接到短路，存在零電壓，從而零功率交付。當(dāng)連接到一個(gè)負(fù)載電阻，源兩端的電壓接近無窮大（開路）。因此，一個(gè)理想的電流源可提供無限的能量即無限的能源來源。理想開放電路連接到一個(gè)理想的非零電流源，電路分析不是有效的。電路方程將是荒謬的,例如,5=0。沒有真正的理想的電流源（不存在無限的能源），并且所有的有限的內(nèi)部電阻（沒有人能提供無限的電壓）。然而,內(nèi)部阻力物理電流源電路的分析是用非零電阻并聯(lián)一個(gè)理想電流源有效模擬相結(jié)合的（諾頓等效電路）。2、電阻電流源最簡單的電流源包括一個(gè)電阻與一個(gè)電阻器系列電壓源。目前從這樣的來源可以是由兩端的電壓源電壓比電阻器的電阻提供。對于一個(gè)幾近完美的電

3、流源，這個(gè)電阻值應(yīng)該是非常大的，但是這意味著，在規(guī)定的電流，電壓源電壓必須是非常大的。因此，效率低（由于功率的電阻損耗），建好這樣的電流源通常是不切實(shí)際的。盡管如此，在很多情況下，如電流負(fù)載小時(shí)這種電路將提供足夠的性能和指定的電流。例如，與一個(gè)4.7K的歐姆電阻器系列5V的電壓源將提供一個(gè)大約1mA的恒定電流（土5%）,電阻在50至450歐姆可調(diào)負(fù)載范圍。3、主動(dòng)電流源主動(dòng)電流源在電子電路中有許多重要的應(yīng)用。電阻電流源通常用在模擬集成電路中有歐姆電阻的地方，用于穩(wěn)定電流，產(chǎn)生的電流使歐姆電阻不會(huì)導(dǎo)致信號(hào)傳輸路徑電流連接點(diǎn)衰減。一個(gè)雙極晶體管的集電極，一個(gè)場效應(yīng)晶體管，或一個(gè)真空管，當(dāng)正確連接到

4、外部能源（如電力供應(yīng)），由于輸出這些設(shè)備的高阻抗，因此在電流源配置中使用。4、結(jié)型場效應(yīng)管和N-FET電流源一款JFET可以通過將它的電極連接到電源上組成恒流源。目前則是流動(dòng)的。在此情況下的設(shè)備都被稱為電流調(diào)節(jié)器的二極管或恒定電流二極管或電流限制二極管（CLD）。一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOSFET可用于下列電路5、簡單晶體管電流源圖3顯示了一個(gè)典型的恒定電流源（CCS。DZ1是一個(gè)齊納二極管，當(dāng)處在這種反向偏置（所示電路），它有一個(gè)恒定的電壓上，不論是流經(jīng)它的電流下降還是上升。只要齊納電流（輸出型）超過一定水平（稱為維持電流），對面的齊納二極管（VZ）的電壓將保持不變。電阻R1用品齊納電流和基極電流

5、（IB）的的NPN晶體管（Q1）。恒定納電壓是適用于整個(gè)Q1和發(fā)射極電阻R2基地。電路的操作如下：VR2R2VeVbER2R2的（VR2電壓由下式給出VE-VBE中，在VBE中是Q1基地發(fā)射極下降。Q1的發(fā)射極電流，也是經(jīng)過R2的電流由下式給出Ir2（Ie）圖3典型恒流源由于VE不變，VBE中也（大約）某一溫度恒定，可以得出VR2是恒定的，所以IE也不變。由于晶體管的作用，發(fā)射極電流IE是非常接近等于集電極電流的晶體管集成電路（反過來，是當(dāng)前通過負(fù)載）。因此，負(fù)載電流為常數(shù)（忽略了晶體管，由于早期的效果輸出電阻）和電路作為一個(gè)恒定電流源的運(yùn)作。只要溫度保持不變（或變化不大），負(fù)載電流將是電源電

6、壓，R1和晶體管的增益無關(guān)。R2的允許負(fù)載電流在任何可取的值集，并計(jì)算R2生上或R2VZ0.65,IR2|R2由于VBE中通常是0.65V的硅器件（IR2也是發(fā)射極電流，并假設(shè)作為收藏家或負(fù)載所需的電流，同時(shí)提供HFE的足夠大）。阻力在電阻R1VSVZ，其中，|ZK*|BK=1.2到2（使R1是足夠低，以確保有足夠的IB）IB3lE丘），hFE（min）是hFE（min）最低的，特別是可以接受的類型正在使用的晶體管的電流增益。6簡單晶體管電流源與二極管補(bǔ)償溫度的變化會(huì)改變輸出電流如圖3電路。因?yàn)閂BE對溫度很敏感。溫度補(bǔ)償?shù)囊蕾嚳梢杂脠D4電路，包括一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)（作為晶體管的半導(dǎo)體材料相同）與齊納二

7、極管系列二極管D為在圖像顯示在左側(cè)。該二極管壓降（VD的追蹤VBE中由于溫度變化和溫度，從而大大抵消了對CCS勺依賴電阻R2VzVzVBEIR2由于VD=VBE中=0.65V，因此，R2由于VD=VBE中=0.65V，因此，R2VzIR2R1的計(jì)算方法R1R1的計(jì)算方法R1VsVzVdIzK*Ib圖4補(bǔ)償電路這種方法是最有效的齊納二極管，在5.6V或以上評(píng)級(jí)。對于小于5.6V時(shí)，補(bǔ)償二極管故障二極管通常不是必需的，因?yàn)閾舸C(jī)理是溫度依賴并不像它在上述這個(gè)電壓擊穿二極管的。7、簡單晶體管電流源與LED另一種方法是取代輕齊納二極管的發(fā)光二極管LED1如圖5。LED的電壓降（VD現(xiàn)在用于推導(dǎo)恒壓，也

8、有額外的跟蹤優(yōu)勢（補(bǔ)償）VBE中溫度引起的變化。R2的計(jì)算公式為R2VDVbE,R1的計(jì)算公式為R1VSVD,其中IDIr2IdK*Ib是LED電流。圖5LED1代替DZ1圖6反饋電路另一種常見的方法是使用反饋來設(shè)置當(dāng)前和消除對晶體管的VBE中的依賴。圖6顯示了一個(gè)非常普遍的使用方法與非反相在上面的例子中輸入連接到一個(gè)電壓源和反相輸入端連接到的電阻和晶體管的發(fā)射極相同的節(jié)點(diǎn)。這種方式產(chǎn)生的電壓是電阻兩端，而不是兩個(gè)電阻器和晶體管。（詳見上的理想運(yùn)算放大器的文章-在零器。）電流鏡上的文章討論的另一個(gè)這些所謂的收益，例如，提高了電流鏡。反饋也被用于兩個(gè)晶體管發(fā)射極電流鏡變性。反饋是在某些電流鏡使用

9、諸如維德拉電流源和威爾遜電流源，多晶體管的基本特征。8、其他實(shí)際來源在運(yùn)放電路的情況下，有時(shí)候是理想的注入電流精確已知的反相輸入（作為一個(gè)信號(hào)，例如輸入偏移量）和源之間的電壓和反相輸入端連接一個(gè)電阻將接近理想值為電流源V/R。9、電感式電流源除其他應(yīng)用中，圖7電路采用LM317穩(wěn)壓器是用來向一個(gè)不斷在E級(jí)電流（開關(guān)源）的電子放大器。圖7電感式電流源10、當(dāng)前及電壓源比較大部分的電能的來源（主要電力，電池，.）是最好的建模為電壓源。這種來源提供恒定的電壓，這意味著只要當(dāng)前從源頭上得出的數(shù)額在源的能力，但是它的輸出電壓保持不變。一個(gè)理想的電壓源規(guī)定，如果是由開路加載沒有能源（即一個(gè)無限阻抗），但方法無限的功率和電流時(shí)，負(fù)載電阻趨近于零（短路）。這種理論的設(shè)備將有一個(gè)與源系列零歐姆的輸出阻抗。一個(gè)真正的世界電壓源具有非常低的，但不為零輸出阻抗：通常遠(yuǎn)小于1歐姆。相反，電流源提供恒定電流，只要負(fù)載連接到源碼頭已經(jīng)足夠低的阻抗。一個(gè)理想的電流源將提供沒有力氣短路和方法無限的能源和負(fù)載電阻接近無窮大電壓（開路）。一個(gè)理想的電流源具有同時(shí)與源無限輸出阻抗。一個(gè)真正的世界電流源具有非常高，但有限的輸出阻抗。在晶體管電流源情況下，一（在直流）數(shù)兆歐阻抗典型。一個(gè)理想電流源不能被連接到一個(gè)理想的開路，因?yàn)檫@會(huì)造成正在運(yùn)行的一個(gè)常量，非零電流（從電流源）通