半導體名詞解釋

1、 ACTIVEAREA主動區(qū)(工作區(qū))主動晶體管(ACTIVEFRANSISTOR)被制造的區(qū)域即所謂的主動區(qū)(activearea)在標準之MOS制造過程中ACTIVEAREA是由，一層氮化硅光罩及等接氮化硅蝕刻之后的局部特區(qū)氧化(LOCOSOXIDATION)所形成的，而由于利用到局部場氧化之步驟.所以ActiveAREA會受到鳥嘴(BIRDSBEAK)之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來得小以長0.6UM之場區(qū)氧化而言大概會有O.5UM之BIRDSBEAK存在也就是說ACTIVEAREA比原在之氮化硅光罩定義之區(qū)域小O.5UMAcetone丙酮丙碗是有機溶劑的一種，分子式為CH30H

2、CH3性質(zhì)：無色，具剌激性薄荷臭味之液體用途：在FAB內(nèi)之用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻之清洗、擦拭4毒性：對神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對皮膚粘膜具輕微毒性，長期接觸會引起皮膚炎，吸入過量之丙酮蒸氣會刺激鼻、眼結(jié)膜、咽喉粘膜、甚至引起頭痛、念心、嘔吐、目眩、意識不明等。5允許濃度：1000ppmADI顯影后檢查AfterDevelopingInspection之縮寫目的：檢查黃光室制程;光阻覆蓋T對準T曝光弓顯影。發(fā)現(xiàn)缺點后，如覆蓋不良、顯影不良等即予修改(Rework)以維產(chǎn)品良率、品質(zhì)。方法：利用目檢、顯微鏡為之。AEI蝕刻后檢查AEI即AfterEtchingInspection，在蝕刻制程光

3、阻去除、前反光阻去除后，分別對產(chǎn)品實施主檢或抽樣檢查。AEI之目的有四：2-1提高產(chǎn)品良率，避免不良品外流。2-2達到品質(zhì)的一致性和制程之重復性。2-3顯示制程能力之指針。2-4防止異常擴大，節(jié)省成本通常AEI檢查出來之不良品，非必要時很少做修改。因為重去氧化層或重長氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點密度增加。生產(chǎn)成本增高，以及良率降低之缺點。AirShowe空氣洗塵室進入潔凈室之前，須穿無塵衣，因在外面更衣室之故無塵衣上沽著塵埃，故進潔凈室之前須經(jīng)空氣噴洗機將塵埃吹掉。Alignment對準目的：在IC的制造過程中，必須經(jīng)過6至10次左右的對準、曝光來定義電路圖案，對準就是要將層層圖

4、案精確地定義顯像在芯片上面。方法：利用芯片上的對準鍵一般用十字鍵和光罩上的對準鍵合對為之方式：1.人眼對準，用光、電組合代替人眼，即機械式對準。ALLOY/Sinter融合ALLOY之目的在使鋁與硅基(SILICONSUBSTRATE)之接鋼有OHMIIC特性，即電壓與電流成線性關(guān)系。ALLOY也可降低接觸的阻力值。AL/SI鋁/硅靶此為金屬濺鍍時所使用的一種金屬合金材料利用AR游離的離子，讓其撞擊此靶的表面，把AL/SI的原子撞擊出來，而鍍在芯片表面上，一般使用之組成為AL/SI(1%),將此當做組件與外界導線連接。AL/SI/CU鋁/硅銅金屬濺鍍時所使用的原料名稱，通常是稱為TARGET，

5、其成份為0.5%銅，1%硅及98.5%鋁，一般制程通常是使用99%鋁1%硅.后來為了金屬電荷遷移現(xiàn)象(ELECTROMIGRATION)故滲加0.5%銅降低金屬電荷遷移ALUMINUM鋁此為金屬濺鍍時，所使用的一種金屬材料，利用AR離子，讓其撞擊此種材料做成的靶表面把AL原子撞擊出來，而鍍在芯片表面上，將此做為組件與外界導線之連接。ANGLELAPPING角度研磨ANGLELAPPING的目的是為了測量JUNCTION的深度，所作的芯片前處理，這種采用光線干涉測量的方法就稱之ANAGLELAPPING。公式為Xj=/NF，即JUNCTION深度等于入射光波長的一半與干涉條紋數(shù)之乘積。但漸漸的隨

6、著VLSI組件的縮小，準確度及精密度都無法因應(yīng)，女口SRP(SPREADINGRESISTANCEPRQBING)也是應(yīng)用.ANGLELAPPING的方法作前處理，采用的方法是以表面植入濃度與阻質(zhì)的對應(yīng)關(guān)系求出JUNCTION的深度，精確度遠超過入射光干涉法。ANGSTROM埃是一個長度單位，其大小為1公尺的佰億分之一，約人的頭發(fā)寬度之伍拾萬分之一。此單位常用于IC制程上，表示其層(如SiO2，POLY，SIN)厚度時用。APCVD(ATMOSPRESSURE)常壓化學氣相沉積APCVD為ATMOSPHERE(大氣),PRESSURE(壓力)，CHEMICAL(化學),VAPOR(氣相)及DE

7、POSITION(沉積)的縮寫，也就是說，反應(yīng)氣體(如SIH4(g)，PH3(g)，B2H6和O2(g)在常壓下起化學反應(yīng)而生成一層固態(tài)的生成物(如BPSG)于芯片上。AS75砷.自然界元素之一。由33個質(zhì)子.42個中子及75個電子所組成。.半導體工業(yè)用的砷離子(As+)可由AsH氣體分解而得到。.As是N-typedopant常用做N-.場區(qū)空乏區(qū)及S/D植入。Ashing,Stripp電漿光阻去除電漿光阻去除，就是以電漿(Plasma)的方式將芯片表面之光阻加以去除。電漿光阻去除的原理系利用氧氣在電漿中所產(chǎn)生之自由基(Radical)與光阻(高分子的有機物)發(fā)生作用，產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，再由

8、邦浦抽走，達到光阻去除的目的。反應(yīng)機構(gòu)如下示:O+PRtCO2;H2O;Polymerfragments,電漿光阻去除的生產(chǎn)速率(throughput)通常較酸液光阻去除為慢但是若產(chǎn)品經(jīng)過離子植入或電漿蝕刻后表面之光阻或發(fā)生碳化或石墨化等化學作用，整個表面之光阻均已變質(zhì),若以硫酸吃光阻無法將表面已變質(zhì)之光阻加以去除故均必須先以電漿光阻去除之方式來做。Assembly晶粒封裝以樹脂或陶瓷材料將晶粒包在其中以達到保護晶粒，隔絕環(huán)境污染的目的，而此一連串的加工過程即稱為晶粒封裝(Assembly)。封裝的材料不同，其封裝的作法亦不同，本公司幾乎都是以樹脂材料作晶粒的封裝制程包括：芯片切割T晶粒目檢T

9、晶粒上架(導線架，即Leadframe)T焊線T模壓封裝T穩(wěn)定烘烤(使樹脂物性穩(wěn)定)T切框、彎腳成型T腳沾錫T蓋印T完成。以樹脂為材料之IC通常用于消費性產(chǎn)品如計算機、計算橫。而以陶瓷作封裝材料之IC屬于高信賴度之組件，通常用于飛彈、火箭等較精密的產(chǎn)品上。BackGrindin晶背研磨利用研磨機將芯片背面磨薄以便測試包裝，著重的是厚度、均勻度、及背面之干凈度。一般6吋芯片之厚度約20mil30mil左右，為了便于晶粒封裝打線，故須將芯片厚度磨薄至10mil-15mil左右。Bake,Softbake,HardWka軟烤、預烤烘烤(Bake):在機集成電路芯片的制造過程中，將芯片置于稍高溫(60

10、C250C)的烘箱內(nèi)或熱板上均可謂之烘烤。隨其目的不同，可區(qū)分為軟烤(Softbake)與預烤(Hardbake)。軟烤(Softbake):其使用時機是在上完光阻后，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除，并且可增加光阻與芯片之附著力。預烤(Hardbake):又稱為蝕刻前烘烤(pre-etchbake)，主要目的為去除水氣，增加光阻附著性,尤其在濕蝕刻(wetetching)更為重要，預烤不全常會造成過蝕刻。bf2二氟化硼.一種供做離子植入用之離子。.bf2+是由bf3氣體經(jīng)燈絲加熱分解成:B10，B11，F(xiàn)19，B10BF2B11F2經(jīng)Extraction拉出及質(zhì)譜磁場分析后而得到。是一種

11、p-type離子，通常用做VT植入（層）及S/D質(zhì)植入。BOAT晶舟BOAT原意是單木舟。在半導體IC制造過程中，常需要用一種工具作芯片傳送，清洗及加工，這種承載芯片的工具，我們稱之為BOAT。一般BOAT有兩種材質(zhì)，一是石英，另一是鐵氟龍。石英BOAT用在溫度較高（大于300C）的場合。而鐵氟龍BOAT則用在傳送或酸處理的場合。B.O.緩沖蝕刻液B.O.E.是HF與NH4F依不同比例混合而成。6:1BOE蝕刻即表示HF:NH4F=1:6的成份混合而成。HF為主要的蝕刻液，NH4F則做為緩沖劑使用。利用NH4F固定H的濃度，使之保持一定的蝕刻率。HF會侵蝕玻璃及任何硅石的物質(zhì)，對皮膚有強烈的腐

12、蝕性，不小心被濺到，應(yīng)用大量沖洗。BondingPa焊墊焊墊晶粒用以連接金線或鋁線的金屬層。在晶粒封裝（Assembly）的制程中，有一個步驟是作焊線;即是用金線（塑料包裝體）或鋁線（陶瓷包裝體）將晶粒的線路與包裝體之各個接腳依焊線圖（BondingDiagram）連接在一起，如此一來，晶粒的功能才能有效地用。由于晶粒上的金屬線路的寬度及間隙都非常窄小（目前TI-Acer的產(chǎn)品約是0.5微米左右的線寬或間隙），而用來連接用的金線或鋁線其線徑目前由于受到材料的延展性及對金屬接線強度要求的限制，祇能做到1.0-1.3mill（25.433微米）左右。在此情況下要把二、三十微米的金屬線直接連接到金屬

13、線路間距只有0.5微米的晶上，一定會造成多條鋁路的橋接，故晶粒上的鋁路，在其末端皆設(shè)計成一個4mil見方的金屬層，此即為焊墊，以作為接線用。焊墊通常分布在晶粒之四個周邊上（以利封裝時的焊線作業(yè)），其形狀多為正方形，亦有人將第一焊線點做成圓形，以資識別。焊墊因為要作接線其上的護層必須蝕刻掉，故可在焊墊上清楚地看到開窗線。而晶粒上有時亦可看到大塊的金屬層，位于晶粒內(nèi)部而非四周，其上也看不到開窗線，是為電容。Boron硼自然界元素之一，由五個質(zhì)子及六個中子所組成、所以原子量是11。另外有同位素，是由5個質(zhì)子及5個中子所組成，原子量是1O,（Bio），自然界中這兩種同位素之比例是4:1，可由磁場質(zhì)譜分

14、析中看出。.是一種p-type離子（B11+）,用來做場區(qū)、井區(qū)、VT及S/D植入。BPSG含硼及磷的硅化物BPSG乃介于POLY之上，METAL之下，可做為上下二層絕緣之用，加硼、磷，主要目的在使回流后的STEP較平緩，以防止METALLINE濺鍍上去后，造成斷線。BREAKDOWNVOLTAGE崩潰電壓反向P-N接面組件所加之電壓為P接負而N接正，如為此種接法則當所加電壓通在某個特定位以下時反向電流很小，而當所加電壓大于此特定位后，反向電流會急遽的增加，此特定值也就是吾人所謂的崩潰電壓（BREAKDOWNVOLTAGE一般吾人定義反向P+-N接面之反向電流為1UA時之電壓為崩潰電壓在P+-

15、N或為N+-P之接回組件中崩潰電壓，隨著N（或者P）之濃度之增加而減小。Burni預燒試驗預燒（Burnin）為可靠性測試的一種，旨在檢驗出那些在使用初期即損壞的產(chǎn)品，而在出貨前予以剔除。預壞試驗的作法，乃是將組件（產(chǎn)品）置于高溫的環(huán)境下，加上指定的正向或反向的直流電壓，如此殘留在晶粒上氧化層與金屬層之外來雜質(zhì)離子或腐蝕性離子將容易游離而使故障模式（FailureMode）提早顯現(xiàn)出來，達到篩選、剔除早期夭折產(chǎn)品之目的。預燒試驗分為靜態(tài)預燒（StaticBurnin）與動態(tài)預燒（DynamicBurnin）兩種，前者在試驗時，只在組件上加上額定的工作電壓及消耗額定的功率。而后者除此外并有仿真實

16、際工作情況的訊號輸入，故較接近實際況，也較嚴格。基本上，每一批產(chǎn)品在出貨前，皆須作百分之百的預燒試驗，但由于成本及交貨期等因素，有些產(chǎn)品就祇作抽樣（部分）的預燒試驗，通過后才貨。另外，對于一些我們認為它品質(zhì)夠穩(wěn)定且夠水準的產(chǎn)品，亦可以抽樣的方式進行。當然，具有高信賴度的產(chǎn)品，皆須通過百分之百的預燒試驗。CAD計算機輔助設(shè)計CAD:ComputerAidedDesign計算機輔助設(shè)計，此名詞所包含的范圍很廣。可泛稱一切以計算機為工具所進行之設(shè)計；因此不僅在IC設(shè)計上用得到，建筑上之設(shè)計，飛機、船體之設(shè)計，都可能用到。在以往計算機尚未廣泛應(yīng)用時，設(shè)計者必須以有限之記億、經(jīng)驗來進行設(shè)計?？墒怯辛怂^

17、CAD后我們把一些常用之規(guī)則、經(jīng)驗存入計算機后，后面的設(shè)計者，便可節(jié)省不少從頭摸索的工作，如此不僅大幅的提高了設(shè)計的效率，也提高了設(shè)計的準確度，使設(shè)計的領(lǐng)域進入另一新天地。CDMeasurement微距測量CD：CriticalDimension之簡稱。通常于一層次中，為了控制其最小線距，我們會制作一些代表性之量測圖形于晶方中通常置于晶方之邊緣。量測CD之層次通常是對于線距控制較重要之層次，如氮化硅、POLY、CONT、METTD等，而目前較常用于量測之圖形有品字型，L-BAR等。簡言之，微距測量常當作一個重要之制程指針，可代表黃光制程之控制好壞。CH3COOH醋酸ACETICACID醋酸澄清

18、，無色液體，有刺激性氣味，熔點16.63C，沸點118C。與水、酒精、乙醚互溶?？扇?。冰醋酸是99.8%以上之純化物，有別于水溶液的醋酸。食入或吸入純醋酸有中等的毒性。對皮膚及組織有刺激性，危害性不大，被濺到用水沖洗。Chamber真空室，反應(yīng)室專指一密閉的空間，而有特殊的用途、諸如抽真空，氣體反應(yīng)或金屬濺鍍等。因此常需對此空間之種種外在或內(nèi)在環(huán)境加以控制；例如外在粒子數(shù)(particle)、濕度等及內(nèi)在溫度、壓力、氣逞流量、粒子數(shù)等達到最佳的反應(yīng)條件。Channel信道當在MOS電晶注的閘極加上電壓(PMOS為負，NMOS為正)。貝V閘極下的電子或電洞會被其電場所吸引或排斥而使閘極下之區(qū)域形

19、成一反轉(zhuǎn)層(Inversionlayer)。也就是其下之半導體p-type變成N-typeSi，N-type變成p-typeSi，而與源極和汲極成同type，故能導通汲極和源極。我們就稱此反轉(zhuǎn)層為信道。信道的長度ChannelLength對MOS組件的參數(shù)有著極重要的影響，故我們對POLYCD的控制需要非常謹慎。Chip,Di晶粒一片芯片(OR晶圓，即Wafer)上有許多相同的方形小單位，這些小單位即稱為晶粒。同一芯片上之每個晶粒都是相同的構(gòu)造，具有相同的功能，每個晶粒經(jīng)包裝后，可制成一顆顆我們?nèi)粘Ｉ钪谐Ｒ姷腎C，故每一芯片所能制造出的IC數(shù)量是很可觀的。同樣地，如果因制造的疏忽而產(chǎn)生的缺點

20、，往住就會波及成百成千個產(chǎn)品。CLTCarrierLifeT載子生命周期一.定義少數(shù)載子在溫度平衡時電子被束縛在原子格內(nèi)，當外加能量時，電子獲得能量，脫離原子格束縛形成自由形態(tài)，而參與電流導通的工作，但能量消失后，這些電子/電洞將因再結(jié)合因素，回復至平衡狀態(tài)，因此當這些再載子由被激發(fā)后回復平衡的LifeTime。二應(yīng)用范圍評估爐管和清洗槽的干凈度針對芯片之清潔度及損傷程度對CLT值有影響為a芯片中離子污染濃度及污染之金屬種類b.芯片中結(jié)晶缺陷濃度CMOS互補式金氧半導體金屬氧化膜半導體(MOS,METAL-OXIDESEMICODUCTOR)其制造程序及先在單晶硅上形成絕緣氧化膜，再沉積一層復

21、晶硅(或金屬)做為閘極，利用加到閘極的電場來控制MOS組件的開關(guān)(導電或不導電)。按照導電載子的種類，MOS又可分成兩種類型:NMOS(由電子導電)和PMOS(由電洞導電)。而互補式金氧半導體(CMOS,COMPLEMENTARYMOS)貝V是由NMOS及PMOS組合而成，具有省電，抗噪聲能力強、aPARTICLE免役力好等許多優(yōu)點，是超大規(guī)模集成電路(VLSI)的主流。MOS的基本構(gòu)造如圖所示:Coating光阻覆蓋將光阻劑以浸泡、噴霧、刷布、或滾壓等方法加于芯片上，稱為光阻覆蓋，而效果最佳的方法還是使用旋轉(zhuǎn)法。旋轉(zhuǎn)法乃是將芯片以真空吸附于一個可旋轉(zhuǎn)拘芯片支持器上，適量的光阻劑加在芯片中央，

22、然后芯片開始轉(zhuǎn)動，芯片上的光阻劑向外流開，很均勻的散在芯片上。要得到均勻的光阻膜。旋轉(zhuǎn)速率必須適中穩(wěn)定，而旋轉(zhuǎn)速度和光阻劑粘滯性決定所鍍光阻劑的厚度。光阻劑加上后，必須經(jīng)過軟烤的步驟，以除去光阻劑中過多的溶劑，進而使光阻膜較為堅硬，同時增加光阻膜與芯片的接合能力，而控制軟烤效果的主要方法就是在于適當調(diào)登軟烤溫度與時間。經(jīng)過了以上的鍍光阻膜及軟烤過程，也就是完成了整個光阻覆蓋的步驟。CROSSSECTlON橫截面IC的制造，基本上是由一層一層的圖案堆積上去，而為了了解堆積圖案的結(jié)構(gòu)，以改善制程，或解決制程問題，以電子顯微鏡(SEM)來觀察，而切割橫截面，觀察橫截面的方式，是其中較為普遍之一種。C

23、-VPLOT電容、電壓圓譯意為電容、電壓圖，也就是說當組件在不同狀況下，在閘極上施以某一電壓時，會產(chǎn)生不同之電容值，(此電壓可為正或負)，如此組件為理想的組件，也就是閘極和汲極和源極間幾乎沒有雜質(zhì)在里面(COMTAMINATION)貝當外界環(huán)境改變時,(溫度或壓力)并不太會影響它的電容值，利用此可MONITORMOS組件之好壞，一般AV0.2為正常。CWQC全公司品質(zhì)管制以往有些經(jīng)營者或老板，一直都認為品質(zhì)管制是品管部門或品管主管的責任，遇到品質(zhì)管制做不好時，即立即指責品質(zhì)主管，這是不對的。品質(zhì)管制不是品質(zhì)部門或某一單位就可以做好的，而是全公司每一部門全體人員都參與才能做好。故品質(zhì)管制為達到經(jīng)

24、營的目的，必須結(jié)合公司內(nèi)所有部門全體人員協(xié)力合作，構(gòu)成一個能共同認識、易于實施的巖系，并使工作標準化，且使所訂的各種事項確實實行使自市場調(diào)查、研究、研發(fā)、設(shè)計、采購、制造、檢查、試驗、出貨、銷售、服務(wù)為止的每一階段的品質(zhì)都能有效的管理，就是所謂的全公司品質(zhì)管制(CompanyWideQualityControl)。實施CWQC的目的最主要的就是要改善企業(yè)體質(zhì)，即發(fā)掘問題的豈質(zhì)、重視計劃的體質(zhì)、重視指向的體質(zhì)、重視過程的體質(zhì)、以及全員有體系導向的體賈。CycleTimefe產(chǎn)周期時間指原料由投入生產(chǎn)線到產(chǎn)品于生產(chǎn)線產(chǎn)出所須之生產(chǎn)/制造時間。在TI-Acer,生產(chǎn)周期時尚有兩種解釋：一為芯片產(chǎn)出周

25、期時間（wafer-outtime）;一為制程周期時間（Processcycletime）芯片產(chǎn)出周期時間乃指單一批號之芯片由投入到產(chǎn)出所須之生產(chǎn)/制造時間。制程周期時間則指所有芯片于單一工站平均生產(chǎn)/制造時間之總和,亦即每一工站均有一平均生產(chǎn)/制造時間,而各工站（從頭至尾）平均生產(chǎn)/制造之加總即為該制程之制程周期時間。目前TI-AcerLineReport之生產(chǎn)周期時間乃探用制程周期時間。一般而言,生產(chǎn)周期時間可以下列公式概略推算之：在制品（WIP）生產(chǎn)周期時間二產(chǎn)能（Throughout）GATEMETAL(orPOLY-SI)OXIDECycleTime生產(chǎn)周期IC制造流程復雜，且其程序

26、很長自芯片投入至晶圓測試完成，謂之CycleTime。由于IC生命周期很短，自開發(fā)、生產(chǎn)至銷售，需要迅速旦能掌握時效。故CycleTime愈短，競爭能力就愈高，能掌握產(chǎn)品上市契機，就能獲取最大的利潤。由于CycleTime長，不容許生產(chǎn)中的芯片因故報廢或重做，故各項操作過程都要依照規(guī)范進行，且要做好故障排除。讓產(chǎn)品順利流程，早日出FAB，上市銷售。DEFECTDENSITY缺點密度缺點密度系指芯片單位面積上（如每平方公分，每平方英吋等）有多少缺點數(shù)之意，此缺點數(shù)一般可分兩大類：A.可視性缺點B.不可視性缺點。前者可藉由一般光學顯微鏡檢查出來（如橋接、斷線）后者則須藉助較精密電子儀器檢驗（如晶格

27、缺陷）由于芯片制造過程甚為復雜漫長，芯片上缺點數(shù)愈少，產(chǎn)品良率品質(zhì)必然愈佳，故缺點密度常被用來當做一個工廠制造的產(chǎn)品品質(zhì)好壞的指針。DehydrationBak去水烘烤目的：去除芯片表面水分，增加光阻附著力，以免曝光顯影后光阻掀起方法:在光阻覆蓋之前，利用高溫（120C或150C）加熱方式為之。DENSIFY密化CVD沈積后由于所沈積之薄膜（THINFILM）之密度很低，故以高溫步驟使薄膜中之分子重新結(jié)合以提高其密度，此種高溫步驟即稱為密化。密化通常以爐管在800C以上的溫度完成，但也可在RTP（RAPIDTHERMALPROCESS）（快速升降溫機臺）完成。Descume電漿預處理電漿預處理

28、，系利用電漿方式(Plasma)，將芯片表面之阻加以去除，但其去光阻之時間，較一般電漿光阻去除(Stripping)為短。其目的只是在于將芯片表面之光阻因顯影預烤等制程所造成之光阻毛邊或細屑(Scum)加以去除，以使圖形不失真，蝕刻出來之圖案不會有殘余。有關(guān)電漿，去除光阻之原理，請參閱電漿光阻去除Ashing)。3通常作電漿預處理，均以較低之壓力，較小之功率為之，也就是使光阻之蝕刻率降得很低.使得均勻度能提高，以保持完整的圖形，達到電漿預處理的目的。ScumDESIGNRULE設(shè)計規(guī)范由于半導體制程技術(shù)，系一門專業(yè)、精致又復雜的技術(shù)，容易受到不同制造設(shè)備制程方法(RECIPE)的影響，故在考慮

29、各項產(chǎn)品如何從事制造技術(shù)完善、成功地制造出來時，須有一套規(guī)范來做有關(guān)技術(shù)上之規(guī)定，此即DESIGNRULE，其系依照各種不同產(chǎn)品的需求、規(guī)格，制造設(shè)備及制程方法、制程能力，各項相關(guān)電性參數(shù)規(guī)格等之考慮，訂正了如：各制程層次、線路之間距離、線寬等之規(guī)格。各制程層次厚度、深度等之規(guī)格。各項電性參數(shù)等之規(guī)格。等規(guī)格，以供產(chǎn)品設(shè)計者及制程技術(shù)工程師等人之遵循、參考。DesignRul設(shè)計準貝0DesignRule：設(shè)計準則，反應(yīng)制程能力，及制程、組件參數(shù)，以供IC設(shè)計者，設(shè)計IC時的參考準貝。一份完整的DesignRule包括有下列各部份:-制程參數(shù)：如氧化層厚度、復晶、金屬層厚度等，其它如流程、AD

30、I、AEI參數(shù)，主要為擴散與黃光兩方面的參數(shù)。-電氣參數(shù)：提供給設(shè)計者，做仿真電路時之參考。布局參數(shù)：即一般所謂的3口m，2口m，1.5口m等等之Rules，提供布局員布局之依據(jù)。一光罩制做資料：提供給光罩公司做光罩時之計算機資料，如CDBAR、測試鍵之擺放位置，各層次之相對位置之擺放等。DiebyDieAlignme每tFiel(均對準每個Field在曝光前均針對此單一Field對準之方法，稱為DiebydieAlignment。也就是說,每個Field均要對準。Diffusio擴散在一杯很純的水上點一滴紅墨水，不久后可發(fā)現(xiàn)水表面顏色漸漸淡去，而水面下漸漸染紅，但顏色是愈來愈淡，這即是擴散的

31、一例。在半導體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預置或離子布植的方式做擴散源（即紅墨水）。因固態(tài)擴散比液體慢很多（約數(shù)億年），故以進爐管加高溫的方式，使擴散在數(shù)小時內(nèi)完成。DIWATER去離子水IC制造過程中，常需要用酸堿溶液來蝕刻，清洗芯片。這些步驟之后，又須利用水把芯片表面殘留的酸堿清除。而且水的用量是相當大。然而IC工業(yè)用水，并不是一般的自來水，而是自來水或地下水經(jīng)過一系列的純化而成。原來自來水或地下水中，含有大量的細菌，金屬離子及PARTICLE經(jīng)廠務(wù)的設(shè)備將之殺菌過濾和純化后，即可把金屬離子等雜質(zhì)去除，所得的水即稱為去離子水。專供IC制造之用。Doping摻入雜質(zhì)為使組件運作，芯片必須摻以雜

32、質(zhì)，一般常用的有：1.預置:在爐管內(nèi)通以飽和的雜質(zhì)蒸氣，使芯片表面有一高濃度的雜質(zhì)層，然后以高溫使雜質(zhì)驅(qū)入，擴散;或利用沉積時同時進行預置。2.離子植入:先使雜質(zhì)游離，然后加速植入芯片。DRAM,SRAM動態(tài)，靜態(tài)隨機存取內(nèi)存隨機存取記憶器可分動態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM），在一段時間（一般是0.5ms5ms）后，資料會消失，故必須在資料未消失前讀取原資料再重寫（refresh），此為其最大缺點，此外速度較慢也是其缺點。而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）只需一個Transistor（晶體管）+個Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。

33、而SRAM則有不需重寫、速度快之優(yōu)點，但是密度低，其每一記憶單元（bit）有兩類：1.需要六個Transistor（晶體管），2四個Transistor（晶體管）+兩個Loadresistor（負載電阻）。由于上述它優(yōu)缺點，DRAM一般皆用在PC（個人計算機）或其它不需高速且記憶容量大之記憶器，而SRAM則用于高速之中大型計算機或其它只需小記憶容量，如:監(jiān)視器（Monitor）、打印機（Printer）等周控制或工業(yè)控制上。Drivei驅(qū)入離子植入（ionimplantation）雖然能較精確地選擇雜質(zhì)數(shù)量，但受限于離子能量，無法將雜質(zhì)打入芯片較深（um級）的區(qū)域，因此需借著原子有從高濃度往低

34、濃度擴散的性質(zhì)，在相當高的溫度去進行，一方面將雜質(zhì)擴散到較深的區(qū)域，且使雜質(zhì)原子占據(jù)硅原子位置，產(chǎn)生所要的電性，另外也可將植入時產(chǎn)生的缺陷消除。此方法稱之驅(qū)入。在驅(qū)入時，常通入一些氧氣因為硅氧化時，會產(chǎn)生一些缺陷，如空洞（Vacancy）,這些缺陷會有助于雜質(zhì)原子的擴散速度。另外，由于驅(qū)入是藉原子的擴散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能從芯片逸出（out-diffusion），這是需要注意的。E-beamLithograp電子束微影技術(shù)目前芯片制作中新使用之對準機，其曝光光源波長約為(365nm436nm),其可制作線寬約0.5u之IC圖型。但當需制作更細之圖型時，則目前之對準機，受曝光光源

35、波長之限制，而無法達成，因此在次微米之微影技術(shù)中，即有用以電子束為曝光光源者，由于電子束波長甚短(0.1A),故可得甚佳之分辨率，作出更細之IC圖型，此種技術(shù)即稱之電子束微影技術(shù)。電子束微影技術(shù)，目前已應(yīng)用于光罩制作上，至于應(yīng)用于芯片制作中，則仍在發(fā)展中。EFREarlyFailure早期故障率EarlyFailureRate是產(chǎn)品可靠度指針。意謂IC到客戶手中使用其可能發(fā)生故障的機率。當DRAM生產(chǎn)測試流程中經(jīng)過BURN-IN高溫高壓測試后，體質(zhì)不佳的產(chǎn)品便被淘汰掉。為了確定好的產(chǎn)品其可靠度達到要求，所以從母批中取樣本做可靠度試驗，試驗中對產(chǎn)品eLaxerulLOT加高壓高溫，催使不耐久的產(chǎn)

36、品故障，因而得知產(chǎn)品的可靠度。故障機率與產(chǎn)品生命期之關(guān)系，類似浴缸，稱為BathtubCurve，如下圖:Electromigrat電子遷移所謂電子遷移，乃指在電流作用下今金屬。此系電子的動量傳給帶正電之金屬離子所造成的。當組件尺寸愈縮小時，相對地電流密度則愈來愈大;當此大電流經(jīng)過集成電路中之薄金屬層時，某些地方之金屬離子會堆積起來，而某些地方則有金屬空缺情形，如此一來，堆積金屬會使鄰近之導體短路，而金屬空缺則會引起斷路。材料搬動主要原動力為晶界擴散。有些方法可增加鋁膜導體對電遷移之抗力，例如:與銅形成合金，沉積時加O等方式。ELECTRON/HOLE電子/電洞電子是構(gòu)成原子的帶電粒子，帶有一

37、單位的負電荷，環(huán)繞在原子核四周，形成原子。電洞是晶體中，在原子核間的共享電子，因受熱干擾或雜質(zhì)原子取代，電子離開原有的位置所遺留下來的空缺因缺少一個電子，無法維持電中性，可視為帶有一單位的正電荷。Ellipsomet橢圓測厚儀將已知波長之入射光分成線性偏極或圓偏極，照射在待射芯片，利用所得之不同橢圓偏極光之強度訊號，以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待測芯片膜厚與折射率之儀器，稱為橢圓測厚仿。簡單之結(jié)構(gòu)如下圖所示:EMElectronMigration電St遷移可靠度測試當電流經(jīng)過金屬導線，使金屬原子獲得能量，沿區(qū)塊邊界(GrainBoundaries)擴散(Diffusion)

38、,使金屬線產(chǎn)生空洞(Void)，甚至斷裂，形成失效。其對可靠度評估可用電流密度線性模型求出：AFJ(stress)/J(op)nXexpEa/Kb(l/T(top)-l/T(stress)SLITTYPEWEDGETYPETFAFXT(stress)slit-likevoidformationEndPointDetec終點偵測器在電漿蝕刻中，利用其反應(yīng)特性，特別設(shè)計用以偵測反應(yīng)何時完成的一種裝置。一般終點偵測器可分為下列三種:（1）（1）雷射終點偵測器（LaserEndpointDetector）:利用雷射光入射反應(yīng)物（即芯片）表面，當蝕刻發(fā)生時，反應(yīng)層之厚度會逐漸減少，因而反射光會有干涉訊號

39、產(chǎn)生，當蝕刻完成時所接收之訊號亦己停止變化，即可測得終點。OpticalEmissionEndpointDetector（2）激發(fā)光終點偵涕器（OpticalEmissionEndpointDetector）:用一光譜接收器，接收蝕刻反應(yīng)中某一反應(yīng)副產(chǎn)物（Byproduct）所激發(fā)之光諳，當蝕刻反接逐漸完成，此副產(chǎn)物減少，光譜也漸漸變?nèi)?，即可偵測得其終點。TimeDectector(3)(3)時間偵測器：直接設(shè)定反應(yīng)時間，當時間終了，即結(jié)束其反應(yīng)。Energy能量能量是物理學之專有名詞。如上圖，B比A之電壓正100伏，若在A板上有一電子受B板正電吸引而加速跑到B板，這時電子在B板就比在A板多了

40、100電子伏特的能量。EPIWAFER磊晶芯片磊晶系在晶體表面成長一層晶體。SiWaferEpitaxialGrowth)電子可程序只讀存儲器EPROM(ERASABLE-PROGRAMMABLEROMMASKROM內(nèi)所存的資料是在FAB內(nèi)制造過程中便已設(shè)定好，制造完后便無法改變。就像任天堂游戲卡內(nèi)的MASKROM，存的是金牌瑪麗，就無法變成雙截龍。而EPROM是在ROM內(nèi)加一特殊結(jié)構(gòu)叫AFAMDS,它可使ROM內(nèi)的資料保存。但常紫外光照到它時,它會使ROM內(nèi)的資料消失，每一個記憶單位都歸零。然后工程人員再依程序的規(guī)范，用30伏左右的電壓將0101資料灌入每一記憶單位。如此就可灌電壓，照紫光，

41、重復使用，存入不同的資料。也就是說如果任天堂游戲卡內(nèi)使用的是EPROM，那么您打膩了金牌瑪麗，就把卡匣照紫光，然后灌雙截龍的程序進去。卡匣就變成雙截龍卡，不用去交換店交換了。ESD靜電破壞ElectrostaticDam靜電放電ElectrostaticDischarge1.自然界之物質(zhì)均由原子組成，而原子又由質(zhì)子、中子及電子組成，在平常狀態(tài)下，物質(zhì)呈中性，而在日?；顒又校瑫刮镔|(zhì)失去電子，或得到電子此即產(chǎn)生一靜電，得到電子之物質(zhì)為帶負靜電，失去電子即帶正靜電。靜電大小會隨著日常的工作環(huán)境而有所不同，如下表所示?；顒忧樾戊o電強度(Volt)10-20%相對濕度65-95%相對濕度走過地毯35,

42、0001,500走過塑料地扳12,000250在椅子上工作6,000100拿起塑料活頁夾袋7,000600拿起塑料帶20,0001,000工作椅墊摩擦18,0001,500表l日常工作所產(chǎn)生的靜電強度表2.當物質(zhì)產(chǎn)生靜電后，隨時會放電，若放到電子組件上，例如IC，則會將組件破壞而使不能正常工作，此即為靜電破壞或靜電放電。3.防止靜電破壞方法有二：-在組件設(shè)計上加上靜電保護電路。-在工作環(huán)境上減少靜電。例如工作桌之接地線，測試員之靜電環(huán)，在運送上使用防靜電膠套及海綿等等。ETCH蝕刻在機體電路的制程中，常常需要將整個電路圖案定義出來，其制造程序通常是先長出或蓋上一層所需要之薄膜，再利用微影技術(shù)在

43、這層薄膜上，以光阻定義出所欲制造之電路圖案，再利用化學或物理方式將不需要之部份去除，此種去除步驟，便稱為蝕刻(ETCH)。一般蝕刻可分為濕式蝕刻(WETETCH)，及干式蝕刻(DRYETCH)兩種。所謂濕蝕刻乃是利用化學品(通常是酸液)與所欲蝕刻之薄膜，起化學反應(yīng)，產(chǎn)生氣體或可溶性，生成物，達到圖案定義之目的。而所謂干蝕刻，則是利用干蝕刻機臺產(chǎn)生電漿將所欲蝕刻之薄膜，反應(yīng)產(chǎn)生氣體，由PUMP抽走達到圖案定表之目的。Exposure曝光其意表略同于照相機底片之感光在基集成電路之制造過程中，定義出精細之光阻圖形為其中重要的步驟，以運用最廣之5XSTEPPER為例，其方式為以對紫外線敏感之光阻膜作為

44、類似照相機底片，光罩上則有我們所設(shè)計之各種圖形，以特殊波長之光線（G-LINE436NM）照射光罩后，經(jīng)過縮小鏡片（REDUCTIONLENS）光罩上之圖形則呈5倍縮小后,精確地定義在底片上（芯片上之光阻膜）經(jīng)過顯影后，即可將照到光（正光阻）之光阻顯掉，而得到我們想要之各種精細圖形，以作為蝕刻或離子植人用。因光阻對于某特定波長之光線特別敏感，故在黃光室中，找將一切照明用光源過濾成黃色，以避免泛白光源中含有對光阻有感光能力之波長成份在，這一點各相關(guān)人員應(yīng)特別注意，否則會發(fā)生光線污染現(xiàn)象，而擾亂精細之光阻圖形。FabricationFAB制造Fabrication為裝配或制造之意，與Manufac

45、ture意思一樣。半導體制造程序，其步驟繁多，且制程復雜，需要有非常精密的設(shè)備和細心的作業(yè)，才能達到無缺點的品質(zhì)。FAB系Fabrication之縮寫，指的是工廠之意。我們常稱FAB為晶圓區(qū)，例如：進去FAB之前須穿上防塵衣。FBFCFullBitFunction全功能芯片由于產(chǎn)品上會有缺陷，所以有些芯片無法全功能工作。因此須要雷射修補前測試，以便找到缺陷位置及多寡，接著就能利用雷射修補將有缺陷的芯片修補成全功能的芯片。（當缺陷超過一定限度時，無法修補成全功能芯片）FIELD/MOAT場區(qū)FIELD直譯的意思是場”。如運動場，足球場和武道場等的場都叫做FIELD。它的涵義就是一個有專門用途的區(qū)

46、域。在IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，有一區(qū)域是隔離電場的地方，通常介于兩個MOS晶體管之間，稱為場區(qū)。場區(qū)之上大部份會長一層厚的氧化層。FILTRATION過濾用過濾器（FILTER,為一半透明膜折疊而成）將液體或氣體中的雜質(zhì)給過濾掉，此稱為FILTRATION（過濾）故IC制造業(yè)對潔凈度的要求是非常的嚴，故各種使用的液體或氣體（包括大氣）必須借著過濾以達到潔凈的要求。待過濾之液體及氣體能經(jīng)過過濾器且成功地將雜質(zhì)擋下，必須借著一個PUMP制造壓差來完成，如何選擇一組恰當?shù)倪^濾器及PUMP是首要的課題。FITFailureinTimeFIT是用以表示產(chǎn)品可靠度的單位FIT=1FailureinDdDvice-

47、Hours例如：1000Device工作1000Hour后1Device故障，則該產(chǎn)品的可靠度為:(1Failue/(1000Device1000Hours)=1000FITsFoundry客戶委托加工客戶委托加工主要是接受客戶委托，生產(chǎn)客戶自有權(quán)利的產(chǎn)品，也就是客戶提供光罩，由聯(lián)華來生產(chǎn)制造，在將成品出售給客戶，只收取代工費用，這種純粹代工，不涉及銷售的方式在國際間較通常的稱呼就叫硅代工（SiliconFoundryFourPointPr點針測.是量測芯片片阻值（SheetResistancd的R儀器。其原理如下:上圖ABCD四針，A、D間通以電流I,B、C兩針量取電壓差V），則Rs=KAV

48、/I.K是比例常數(shù)，和機臺及針尖距離有關(guān)F/SFinesonicCiet超音波清洗超音波清洗的主要目的是用來去除附著在Wafer表面的partic,le其反應(yīng)機構(gòu)有二：化學作用利用SC-1中的NH4,0H,HO2，與Silico表面反應(yīng)，將partic剝除。物理作用利用頻率800KHz，功率450Wx2的超音波震蕩去除partideFTIR傅氏轉(zhuǎn)換紅外線光譜分析儀FTIR乃利用紅外線光譜經(jīng)傅利葉轉(zhuǎn)換進而分析雜質(zhì)濃度的光譜分析儀器。.己發(fā)展成熟，可Routin應(yīng)用者，計有：BPSG/PSG之含磷、含硼量預測。芯片之含氧、含碳量預測磊晶之厚度量測.發(fā)展中需進一步Setup者有：氮化硅中氫含量預測復

49、晶硅中含氧量預測光阻特性分析FTIR為一極便利之分析儀器，STD的建立為整個量測之重點，由于其中多利用光學原理,芯片狀況（i.晶背處理狀況）對量測結(jié)果影響至鉅。FTYFinalTestYield在晶圓出廠后，仍須經(jīng)過包裝及T1斷/短路測試），Burn-ir燒結(jié)），T3（高溫功能測試）,T4（低溫功能測試），QA測試，方能銷售，出貨至客戶手中。在這段漫長而繁復的測試過程中，吾人定義FinalTestYidT1Yield*Burn-inYield*T3Yield*T4YieldFukeDefect成因為硅化物之氧化，尤其是以水蒸氣去致密化PBSG時會發(fā)生，造成閘極（PolyGate與金屬間的短路，

50、如圖所示：硅化物之氧化可分為二類型：（以TiSi為例）熱力學觀點SiO2是最穩(wěn)定，故Si擴散至TiSi之表面時，會與H20反應(yīng)成SiO2而非Ti02。22222動力學觀點而言，當Si不足時，則會形成TiO2而將TiSi分解。GATEOXIDE閘極氧化層GATEOXIDE是MOSFET（金氧半場效晶體管）中，相當重要的閘極之下的氧化層。此氧化層厚度較薄，且品質(zhì)要求也較嚴格。GateValv閘閥用來控制氣體壓力之控制裝置。通常閘閥開啟愈大，氣體于反應(yīng)室內(nèi)呈現(xiàn)之壓力較低，反之，開啟愈小，壓力較高。GECGoodElectricalChi良電器特性芯片能夠合于規(guī)格書（DataBook上所定義電器特性的

51、芯片。這些芯片才能被送往芯片包裝工廠制成成品銷售給客戶。GETTERING吸附GETTERING一系于半導休制程中，由于可能受到晶格缺陷（CRYSTALDEFECT）或金屬類雜質(zhì)污染等之影響，造成組件接口之間可能有漏電流（JUNCTIONLEAKAGE）存在，而影響組件特性;如何將這些晶格缺陷、金屬雜質(zhì)摒除解決的種種技術(shù)上做法，就叫做GETTERING（吸附）吸附一般又可分內(nèi)部的吸附一INIRNINGSICGETTERING。及外部的吸附一EXTRINSICGETTERING前者系在下線制造之前先利用特殊高溫步讓謀晶圓表面的晶格缺陷或含氧量盡量降低后者系利用外在方法如:晶背傷言、磷化物（POC

52、L?預置ETC將晶圓表面的缺陷及雜質(zhì)等盡量吸附到晶圓背面。二者均可有效改善上述問題。G-lineG光線G-line系指一種光波的波長，多系水銀燈所發(fā)出之光波波長之一，其波長為436nm。G-line之光源，最常作為Steppe之曝光用，Steppe所用之水銀燈，本來系由許多不同之波長的光組成，利用一些Mirro和Filte反射、過濾的結(jié)果，會將其它波長之光過濾掉，僅余G-line作為曝光用，使用單一波長作為曝光光源可以得到較佳的能量控制和解析力，但由于其為單色波，故產(chǎn)生之駐波效應(yīng)（StandingWav對光阻圖案產(chǎn)生很大的影響，在選擇最佳光阻厚度，以符合駐波的特性，成為G-lineStepp最

53、主要的工作之一。GlobalAlignment片性對準與計算GlobalAlignment系指整片芯片在曝光前，先做整片性對準與計算，然后接著可做整片芯片之曝光。GlobalAlignments為二種普通的GlobalAlignment片芯片共對準左右二點。AdvanceGlobalAlignments芯片對準預先設(shè)定好之指定數(shù)個Fields對準鍵，連續(xù)對準完畢并經(jīng)計算機計算后，才整片曝光。GOIGateOxideInteg閘極氧化層完整性半導體組件中，閘極氧化層的完整與否，關(guān)系著電容上電荷的存放能力，故需設(shè)計一適當流程，其主要目的在測閘極氧化層之崩潰電壓（breakdownvoltag萌效氧

54、化層厚度等，以仿真閘極氧化層的品質(zhì)及可信賴度，通常即以此崩潰電壓值表示GOI的優(yōu)劣程度。GRAINSIZE顆粒大小直譯為顆粒大小。一種晶體材料形成后，從微觀的角度來看，材料都是一大堆顆粒累疊在一起而成。這些顆粒有大有小，尺寸不一。而且材料的特性也會因為顆粒大小而變化，故常要注意其大小變化。GRRStudyGaugeRepeatabilityandReprodu量測儀器重復性與再現(xiàn)性之研究將量測儀器的重復性一儀器本身的變異，再現(xiàn)性-操作人本身的變異，用統(tǒng)計的方法算出，以判斷量測儀器是否符合制程參數(shù)控制之需要。H2SO4硫酸SUIFURICACID硫酸目前最廣泛使用的工業(yè)化學品。強力腐蝕性，濃稠，

55、油狀液體，依純度不同，由無色至暗棕色，與水以各種不同比例互溶。甚具活性。溶解大部份的金屬。濃硫酸具氧化，脫水，磺化大部分的有機化合物，常常引起焦黑。比重1.84沸點315C。與水混合時，須格外小心，由于放熱引起爆炸性的濺潑，永遠是將酸加到水中，而非加水至酸中。不小心被濺到，用大量水沖洗。目前在線上，主要用于SO清洗及光阻去除H3PO4磷酸PHOSPHORICACID磷酸無色無味起泡液體或透明晶形固體。依溫度，濃度而定。在20C50及75%強度為易流動液體，85%為似糖漿，100%酸為晶體。比重1.834熔點42.35C。在213%失去,形成焦磷酸。溶于水，乙醇，腐蝕鐵及合金。對皮膚，眼睛有剌激

56、性，不小心被濺到，可用水沖洗。目前磷酸用于SI3N4的去除，濃度是85%，沸點156C,SI3N4與SIO2的蝕刻比約為30:1HCL氯化氫（鹽酸）HYDROCHLORICACID鹽酸。無色或淡黃色，發(fā)煙，剌激性液體。氯化氫的水溶液。鹽酸是一種強烈酸性及高腐蝕性酸。市面出售之濃或發(fā)煙酸含有氯化氫38%，比重1.19。氯化氫溶解在水中有各種不同的濃度?？扇苡谒?，酒精，苯，不可燃。用途廣泛?？捎糜谑称芳庸?，金屬之酸洗與清潔，工業(yè)酸化，一般之清洗，實驗試藥。不小心被濺到，用大量水沖洗。目前線上，主要用于RCA清洗。HEPA高效率過濾器HEPA（HighEfficiencyParticulateAir

57、為idtsr）Room內(nèi)用以濾去微粒之裝置，一般以玻璃繊維制成，可將0.山m或0.3口m以上之微粒濾去99.97%,壓力損失約12.5mm-H2O。層流臺能保持Class100以下之潔凈度，即靠HEPA達成。目前除層流臺使用HEPA外，其它如烤箱、旋轉(zhuǎn)機，為了達到控制Partic的效果也都裝有HEPA之設(shè)計。HILLOCK凸起物金屬濺鍍后為使金屬與硅基（SI-SUBSTRATE）有良好的歐姆式接觸需先經(jīng)融合過程。在融合過程中因鋁與硅的熱膨脹系數(shù)不同，（鋁將會膨脹較快），而造成部份的鋁無法向外擴張只得向上膨脹造成小山丘狀的凸起物（HILLOCK）HMDSHMDS蒸鍍HMDS原為化學藥品HexaM

58、ethylDiSilaza的縮寫，在此則是指芯片在上光阻前的一個預先處理步驟。HMDS蒸鍍就是利用惰性氣體（例如氮氣）帶著HMDS的蒸汽通過芯片表面，而在晶面上形成一層薄膜。其目的在于消除芯片表面的微量水份。-防止空氣中的水汽再次吸附于晶面。增加光阻劑（尤其是正光阻）對于晶面的附著能力，進而減少在爾后之顯影過程中產(chǎn)生光阻掀起，或是在蝕刻時產(chǎn)生了”Undercuttin的現(xiàn)象。目前在規(guī)范中規(guī)定于HMDS蒸鍍完4小時內(nèi)須上光阻以確保其功能。HNO3硝酸NITRICACID硝酸透明，無色或微黃色，發(fā)煙，易吸濕之腐蝕性液體，能腐蝕大部份金屬。其黃色是由于曝光所產(chǎn)生之二氧化氮，為強氧化劑，可與水混合，沸

59、點78C，比重1.504對皮膚有腐蝕性，為強氧化劑，與有機物接觸有起火危險。清洗爐管用。HotElectronEfffc電子效應(yīng)在VLSI的時代，ShortChannelDevices勢在必行，而目前一般Circui應(yīng)用上又未打算更改SupplyVoltage如此一來，V二V二5V情況下，將造成ImpactIonizati撞GDS擊游離化）現(xiàn)象發(fā)生于Drain鄰近區(qū)域。伴隨而生之Electron-HopairS電子電洞對），絕大部份經(jīng)由Drain（Electrons）orSub.（Holes導流掉。但基于統(tǒng)計觀點，總會有少部份ElectronSi.e.Hot-Elect所具）Energy足以克

60、服Si-SiO之BarrierHeigh能障），而射入SiO2，且深陷（Trap）其中。另亦有可能在Hot-ElectroS入過程中打斷Si-H鍵結(jié)，而形成InterfacTrap于Si-SiO接口。不論遵循上述二者之任一，均將導致NMOSPerformance的退化（Degradatic現(xiàn)象。I-LineStepperlT步n進對準曝光機當光罩與芯片對準后，利用365nm之波長為光源，將預作在光罩上之圖形以M：1之比例，一步一步的重復曝至芯片上之機器（如圖）。M:1歩階及重復Impurit雜質(zhì)純粹的硅是金剛石結(jié)構(gòu)，在室溫下不易導電。（如圖一）。.這時如加入一些Bn或AS75取代硅的位置，就會