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文檔簡介
1、課程設(shè)計任務(wù)書學(xué)生姓名:專業(yè)班級:軟件0602指導(dǎo)教師:田小華工作單位:計算機(jī)學(xué)院題目:靜態(tài)存儲器(6116)電路設(shè)計與實現(xiàn)初始條件:.完成課程教學(xué)與實驗.TDN-CM計算機(jī)組成原理教學(xué)實驗系統(tǒng)要求完成的主要任務(wù):(包括課程設(shè)計工作量及其技術(shù)要求,以及說明書撰寫等具體要求).掌握存儲器的設(shè)計目標(biāo)和功能特點(diǎn),熟悉SRAM611的結(jié)構(gòu)特點(diǎn).利用SRAM6116口相關(guān)的基本電路設(shè)計8位地址的存儲器電路.在TDN-CM;驗系統(tǒng)中,用SRAM6116門電路實現(xiàn)8位地址的存儲器電路.以表格記錄在學(xué)號加班號為起點(diǎn)的16個地址單元中,分別寫入相應(yīng)的反碼.繪制帶開關(guān)輸入功能的存儲器電路連接圖,撰寫相應(yīng)的設(shè)計報告
2、時間安排:.第17周周二(08年1223日):全體集中講解課程設(shè)計方法與要求(鑒3-302).第1819周(元月17日):分班設(shè)計與調(diào)試,撰寫課程設(shè)計報告指導(dǎo)教師簽名:2008年元月7日系主任(或責(zé)任教師)簽名:目錄 TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark20 o Current Document .課程設(shè)計目的(3) HYPERLINK l bookmark22 o Current Document .課程設(shè)計設(shè)備(3) HYPERLINK l bookmark24 o Current Document .課程設(shè)計要求(3) HYPERLINK l bookma
3、rk26 o Current Document .課程設(shè)計內(nèi)容(3)課程設(shè)計原理(3)課程設(shè)計相關(guān)芯片簡介(5)38KX6位SRAM勺邏輯框圖(7) HYPERLINK l bookmark69 o Current Document .課程設(shè)計總結(jié)心得體會(8)靜態(tài)存儲器(6116)電路設(shè)計與實現(xiàn)課程設(shè)計目的在計算機(jī)組成原理的課程中學(xué)到了很多與硬件相關(guān)的知識。其中課程設(shè)計是一個重要的教學(xué)實踐環(huán)節(jié),是教學(xué)計劃的一個重要組成部分。在培養(yǎng)自己動手能力和培養(yǎng)創(chuàng)新精神等方面,有著極其重要的作用。同時,還可以培養(yǎng)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目蒲凶黠L(fēng),利用選修課和計算機(jī)組成原理課程的理論知識和實驗技能。在該課程所涉及的工程技術(shù)范
4、圍內(nèi),創(chuàng)造性地完成部件及系統(tǒng)的分析、設(shè)計、組裝和調(diào)試,從而加深對計算機(jī)組成原理課程的內(nèi)容的理解和掌握。課程設(shè)計設(shè)備TDN-CM+算機(jī)組成原理實驗系統(tǒng),排線若干;PC微機(jī)一臺(選配)。課程設(shè)計要求(1)掌握計算機(jī)中存儲器的功能與結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(2)熟悉靜態(tài)存儲器(6116)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和功能特性(3)利用6116設(shè)計8Kx16位SRAM勺邏輯框圖(4)在TDN-CM徽學(xué)實驗系統(tǒng)中,利用各種電路芯片實現(xiàn)存儲器的功能(5)繪制以上8Kx16位SRAM勺邏輯框圖,撰寫相應(yīng)的設(shè)計報告課程設(shè)計內(nèi)容課程設(shè)計原理存儲器是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料
5、。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CM。/體管或磁性材料的存儲元,它可存儲一個二進(jìn)制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。課程設(shè)計中所用的存儲器數(shù)據(jù)通路如圖1所示。其中的靜態(tài)存儲器是由一片6116(2K*8)組成,其數(shù)據(jù)線接至數(shù)據(jù)總線,地址線由地址鎖存器(74LS273)給出。地址燈AD0AD7與地址線相連,顯示地址線內(nèi)容。數(shù)據(jù)開關(guān)經(jīng)一個三態(tài)門(74LS245)連至數(shù)據(jù)總線,分時給出地址和數(shù)據(jù)。三盒ring5P個_二二I-h據(jù)開)圖i存儲器原理圖1 1 1 oCEA1X)圖2靜態(tài)存儲器電路A1T7OLIlAEt-OTi因地址寄存器為8位,
6、所以接入6116的地址為A7A0,而高三位A8A10接地,所以其實際容量為256字節(jié)。6116有三個控制線:CE(片選線)、OE(W線)、WE(寫線)。當(dāng)片選有效(CE=0時,。巳0時進(jìn)行讀操作,WE0時進(jìn)行寫操作。課程設(shè)計時,將T3脈沖接致實驗板上時序電路模塊的TS3相應(yīng)插孔中,其脈沖寬度可調(diào),其他電平控制信號由“SWITCHUNIT單元的二進(jìn)制開關(guān)模擬,其中SW-BM氐電平有效,LDA助高電平有效。4.2課程設(shè)計相關(guān)芯片簡介由圖1存儲器原理圖可知,課程設(shè)計中所用到的芯片主要有:74LS245、74LS2736116。4.2.174LS245芯片簡介74LS245八雙向總線收發(fā)器芯片作為輸入
7、輸出三態(tài)門。74LS245芯片圖如圖3所示。74LS245芯片功能表如表1所示。V-dBJB2B3IMB5B&BfJUWHHH3EE零玄(fduikAlAlaTJUA5matat圖374LS245芯片圖表174LS245功能表使能方向控制操作GDIRLLB數(shù)據(jù)至A總線LHA數(shù)據(jù)至B總線HX隔開4.2.274LS273芯片簡介74LS273八d觸發(fā)器芯片作為鎖存器。74LS273芯片圖如圖4所示圖474LS273芯片圖功能圖如下圖5所示:74LS273功能表圖5 74LS273功能表4.2.3 6116芯片簡介6116 電路結(jié)構(gòu)如圖6所示A5匚22A4匚A10行譯碼128X128A3匚2。A2匚
8、A1匚A0匚“01匚16】;,1/02 匚1015#03 口 i1* JWGNDQu i/Q4I/Ob1/08*A圖6 6116電路結(jié)構(gòu)圖列I/O6116的芯片圖如圖7所示圖8 6116功能圖圖7 6116芯片圖VAVWlk0能力1。CSWPi/eKM“XRAXICC1164Cxf石afaTTTTTaoDtHRnRTjiImj6116的功能圖如圖8所示8KM6位SRAM勺邏輯框圖8KM6位靜態(tài)存儲器的實現(xiàn)上面內(nèi)容為對8KX16位SRAM的邏輯框圖,下面來驗證所設(shè)計靜態(tài)存儲器的功能。其步驟主要有寫存儲器和讀存儲器將“STOPW關(guān)置為“RUN狀態(tài)、STEP開關(guān)置為“STEP犬態(tài),每按動一次微動開關(guān)
9、START,T3輸出一個單脈沖。按圖9連接實驗線路,仔細(xì)檢查無誤后接通電源。1、I.二3LI上_|=8,圖9實驗接線圖丑揖I睦三春門一0001100113把把相伴器可住rnnniinn寫存儲器流程如下:(以向19H號單元寫入E6H為例)一B能耗RA期(111001101VlSW-B=0(*E=0WE-ILDARWtan,SMB=0CElCE-ILD.kR-ljJl,1?三nLJ/三態(tài)門就推開會亡111U0110JJr、廠rsw-h-oswij-v*LDAR=0L,讀存儲器操作流程如下:(以從00號單元讀出11數(shù)據(jù)為例)SRM41川用二UCE-1JCE=1LDAR=I1T口一13ttlrSW-H
10、-iCE-UIVE-0LDAR=O將十六個地址單元19H1AH1BH1CH、27H、28H,分別寫入E6HE5HE4HE3H、D8HD7H;觀察讀出的結(jié)果數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)輸出地址數(shù)據(jù)地址數(shù)據(jù)1DHE2H1DHE2H1EHE1H1EHE2H1FHE0H1FHE0H20HDFH20HDFH21HDEH21HDEH22HDDH22HDEH23HDCH23HDCH24HDBH24HDBH25HDAH25HDAH26HD9H26HD9H27HD8H27HD8H28HD7H28HD7H29HD6H29HD6H2AHD5H2AHD5H2BHD4H2BHD4H2CHD3H2CHD3H5課程設(shè)計總結(jié)心得體會通過課程
11、設(shè)計以及前面的實驗,我學(xué)到了很多,特別是將課本上的理論知識應(yīng)用于實踐使我收益很多。學(xué)期即將結(jié)束,我們都想快點(diǎn)回家,在這種情況下課程設(shè)計可能還有些不完美的地方,但是課程設(shè)計的最基本的要求還是已經(jīng)做到了,達(dá)到了課程設(shè)計最初的要求:掌握存儲器的設(shè)計目標(biāo)和功能特點(diǎn),熟悉SRAM6116勺結(jié)構(gòu)特點(diǎn),利用SRAM6116口相關(guān)的基本電路設(shè)計8位地址的存儲器電路。在TDN-CM實驗系統(tǒng)中,用SRAM6116期門電路實現(xiàn)8位地址的存儲器電路,以表格記錄在學(xué)號加班號位起點(diǎn)的16個地址單元種,分別寫入相應(yīng)的反碼,繪制帶開關(guān)輸入功能的存儲器電路連接圖并撰寫相應(yīng)的設(shè)計報告。還有,通過課程設(shè)計以及實驗,鍛煉了自己的動手能力,實驗要求嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度,因為無論是排線的小問題,或者是電路連接方向還是操作的問題都會導(dǎo)前面的所有努
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