2022年?yáng)|微半導(dǎo)主營(yíng)產(chǎn)品及競(jìng)爭(zhēng)力分析

1、2022年?yáng)|微半導(dǎo)主營(yíng)產(chǎn)品及競(jìng)爭(zhēng)力分析1.東微半導(dǎo)：國(guó)內(nèi)高端MOSFET龍頭設(shè)計(jì)公司，獨(dú)特 IGBT產(chǎn)品翻開(kāi)成長(zhǎng)空間國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)，專(zhuān)注于工業(yè)及 汽車(chē)相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。2008年，王鵬飛、龔軼共同 出資，設(shè)立東微半導(dǎo)體前身東微有限；2012年，公司憑借出 色的自主研發(fā)、創(chuàng)新能力，制造出世界首個(gè)半浮柵晶體管； 次年，相關(guān)技術(shù)成功發(fā)表于全球頂級(jí)刊物Science；隨后, 公司相繼完成了超級(jí)結(jié)、屏蔽柵MOSFET相關(guān)系列產(chǎn)品的研 發(fā)，并于2016年率先量產(chǎn)充電樁用高壓超級(jí)結(jié)MOSFET器 件，打破了國(guó)外企業(yè)的壟斷，實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化替代；公司持續(xù) 發(fā)力新產(chǎn)品研發(fā)，在不斷推動(dòng)原有產(chǎn)

2、品技術(shù)迭代的同時(shí)，還推 出了如超級(jí)硅、TGBT等獨(dú)有創(chuàng)新產(chǎn)品，進(jìn)一步完善產(chǎn)品譜 系；2020年，公司完成改制，更名為東微半導(dǎo)體，并于2022 年在A股科創(chuàng)板成功上市。公司采取Faless模式，主營(yíng)MOSFET、IGBT (TGBT) 等功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售，其主要產(chǎn)品包括 GreenMOS系列高壓超級(jí)結(jié)MOSFET, SFGMOS系列及 FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET,并進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了超級(jí)硅 面，公司的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET營(yíng)收規(guī)模處于行業(yè)前列，營(yíng) 收同比增速快；另一方面，公司的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET價(jià)格 明顯高于市場(chǎng)平均價(jià)格，側(cè)面反映公司產(chǎn)品強(qiáng)勁的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng) 力。圖表42:國(guó)電企業(yè)

3、趣級(jí)結(jié) gfEX2A品營(yíng)收其四競(jìng)爭(zhēng)力#2：研發(fā)團(tuán)隊(duì)實(shí)力雄厚，成果轉(zhuǎn)化率行業(yè)領(lǐng)先研發(fā)人員占比行業(yè)領(lǐng)先，人均創(chuàng)收逾千萬(wàn)。公司的核心 技術(shù)人員均在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域耕耘超過(guò)十年，具有豐富的研 發(fā)經(jīng)驗(yàn)，保證了公司的技術(shù)敏銳度和研發(fā)水平。截至21年底, 公司研發(fā)人員占比達(dá)44%,其中碩士以上學(xué)歷人數(shù)占比高達(dá) 45.5%,在國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)中均處于行業(yè)前列；公司 2021年研發(fā)費(fèi)用同比增長(zhǎng)159.07%,為行業(yè)中游水平。受益 于優(yōu)秀的自主研發(fā)創(chuàng)新能力，公司2021年人均創(chuàng)收實(shí)現(xiàn) 1042.79萬(wàn)元，彰顯了公司優(yōu)秀的研發(fā)成果轉(zhuǎn)換率。憑借杰出 的研發(fā)實(shí)力，公司在主要產(chǎn)品方面均已具備了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先甚至國(guó) 際領(lǐng)先的核心

4、技術(shù)。此外，公司也持續(xù)完善專(zhuān)利布局以充分保護(hù)核心技術(shù)： 截止2021年底，公司擁有累計(jì)38項(xiàng)創(chuàng)造專(zhuān)利，且已授權(quán)專(zhuān) 利的80%集中在器件的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新上，專(zhuān)利質(zhì)量較高。我們認(rèn) 為，在資歷深厚的杰出聯(lián)合創(chuàng)始人龔軼、王鵬飛先生的帶著下, 公司已形成以自主研發(fā)、技術(shù)創(chuàng)新為要旨的核心競(jìng)爭(zhēng)力。競(jìng)爭(zhēng)力#3：綁定優(yōu)質(zhì)供應(yīng)鏈資源，與華虹深度合作，DB、 粵芯保障產(chǎn)能公司在晶圓代工、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)均有優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商合作， 且不斷開(kāi)拓二供、三供：在晶圓代工方面，華虹半導(dǎo)體為公 司主要8及12寸供應(yīng)商，2018-2020年采購(gòu)金額占比均超 80%；向DBHitek/中芯集成（紹興）采購(gòu)8寸超級(jí)結(jié) MOSFET/中低壓屏蔽柵MO

5、SFET晶圓，但采購(gòu)規(guī)模整體相對(duì) 較??；2021年上半年，公司引入廣州粵芯，1H21采購(gòu)金額占 比達(dá)8.9%,成長(zhǎng)為公司第二大晶圓供應(yīng)商。在封測(cè)方面，公 司與天水華天、集佳科技、芯哲微等公司均建立了長(zhǎng)期穩(wěn)定 的業(yè)務(wù)合作關(guān)系與高效的聯(lián)動(dòng)機(jī)制，其中天水華天為最大封測(cè) 供應(yīng)商。主要合作晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，進(jìn)一步保障公司晶圓供應(yīng)。 華虹半導(dǎo)體在上海金橋和張江建有三座8英寸晶圓廠，1Q22 末月產(chǎn)能達(dá)17.8萬(wàn)片，同時(shí)在無(wú)錫高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi)有 一座產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充的12英寸晶圓廠。4Q21末合計(jì)月產(chǎn)能達(dá) 6.5萬(wàn)片，且擬于22年底擴(kuò)產(chǎn)至9.5萬(wàn)片（擴(kuò)產(chǎn)中包含1萬(wàn)片 功率器件）；根據(jù)官網(wǎng)，粵芯半導(dǎo)體4Q21末

6、月產(chǎn)能已到達(dá)4 萬(wàn)片，其中月產(chǎn)2萬(wàn)片二期工程預(yù)計(jì)于4Q22實(shí)現(xiàn)滿(mǎn)產(chǎn)，第三 期、第四期工程月產(chǎn)能規(guī)劃各4萬(wàn)片，預(yù)計(jì)4Q25總體月產(chǎn)能 有望到達(dá)12萬(wàn)片；根據(jù)官網(wǎng)，DBHiteklQ22末月產(chǎn)能達(dá) 13.8萬(wàn)片，正著手將陳舊的8英寸晶圓設(shè)備替換為新設(shè)備，截 止1Q22僅完成30%的設(shè)備更換，全部更換完成后有望將產(chǎn) 能擴(kuò)大到每月15萬(wàn)片。我們認(rèn)為，在長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系下, 公司將受益于上游供應(yīng)商的產(chǎn)能擴(kuò)張，產(chǎn)品產(chǎn)銷(xiāo)量的上升有望 進(jìn)一步推動(dòng)營(yíng)收增長(zhǎng)。競(jìng)爭(zhēng)力#4：進(jìn)軍IGBT領(lǐng)域，翻開(kāi)增量成長(zhǎng)空間2025年IGBT全球市場(chǎng)規(guī)模有望破百億元，新能源汽車(chē) 或?qū)⒊砷L(zhǎng)為未來(lái)下游第一大細(xì)分市場(chǎng)。據(jù)芯智訊預(yù)計(jì)，20

7、25 年全球IGBT單管/IGBT模塊/IPM的市場(chǎng)規(guī)?？煞謩e增長(zhǎng)至 26.96/61.55/18.04億美元，屆時(shí)全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模有望到達(dá) 106.55 億美元，2020-2025 年 CAGR 為 9.89%0同時(shí)，2020年全球IGBT下游應(yīng)用領(lǐng)域中工業(yè)控制/家電/ 新能源汽車(chē)/光伏/風(fēng)電/儲(chǔ)能分別占比49%/23%/12%/9%/6%/1 %,工控為當(dāng)前IGBT最大的下游市場(chǎng)。 然而，根據(jù)我們測(cè)算，2025年新能源汽車(chē)單車(chē)IGBT價(jià)值量 為156美元，結(jié)合Marketline的2025年全球新能源汽車(chē)銷(xiāo)量 預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)2121.7萬(wàn)臺(tái),2025年新能源汽車(chē)IGBT市場(chǎng)規(guī)模有 望到達(dá)33

8、.09億美元，將成長(zhǎng)為IGBT最大的下游細(xì)分市場(chǎng)。 2025年國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)108.12億元。圖表47: 全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模乂同莊跨代開(kāi)展縮減代際差距，獨(dú)特TGBT產(chǎn)品到達(dá)國(guó)際主流 七代水平，已積累一批下游優(yōu)質(zhì)客戶(hù)。公司IGBT產(chǎn)品囊括低導(dǎo)通壓降、軟恢復(fù)二極管、逆導(dǎo)、高速和超高速等多個(gè)系列: 其中，根據(jù)公司21年年報(bào)，第一代650VTGBT芯片的電流 密度為400A/cm2,到達(dá)國(guó)際主流第七代IGBT技術(shù)水平。未 來(lái)，公司將以第一代技術(shù)為基礎(chǔ)，積極推進(jìn)650V及1200V的 技術(shù)升級(jí)，實(shí)現(xiàn)IGBT器件的國(guó)產(chǎn)替代。此外，2021年公司快速推進(jìn)光伏/新能源車(chē)電驅(qū)/充電樁 領(lǐng)域

9、的客戶(hù)導(dǎo)入，根據(jù)21年年報(bào)，2021年已批量出貨優(yōu)優(yōu)綠 能、新明海等，送測(cè)認(rèn)證比亞迪、匯川技術(shù)、視源股份、古 瑞瓦特等客戶(hù)。當(dāng)前，公司在手訂單飽滿(mǎn)，且公司從測(cè)試到 交付的平均時(shí)間只有3-6個(gè)月，大大優(yōu)于行業(yè)平均周期，供貨 能力更強(qiáng)。由此，我們預(yù)計(jì)公司TGBT銷(xiāo)售額將于2022年迎 來(lái)放量。MOSFET. TGBT、Hybrid-FET. SiC等新 產(chǎn)品。公司產(chǎn)品以 工業(yè)、汽車(chē)級(jí)應(yīng)用為主，包括新能源汽車(chē)直流充電樁、5G基 站電源及通 信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和工業(yè)照明電源等。此外，公司產(chǎn)品也廣泛應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)領(lǐng)域。公司在工業(yè)、 消費(fèi)兩大領(lǐng)域均已積累全球知名的品牌客戶(hù)，如英飛源、比亞 迪、高斯寶

10、、美的、視源股份等，并已成為局部行業(yè)領(lǐng)先客 戶(hù)認(rèn)證的國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商之一。同時(shí)，公司的上游晶圓代工廠商 和封裝測(cè)試服務(wù)供應(yīng)商均為行業(yè)知名企業(yè)：在晶圓代工上，華 虹半導(dǎo)體為公司第一大供應(yīng)商，1H21引入廣州粵芯，進(jìn)一步 保障晶圓供應(yīng)；在封測(cè)服務(wù)上，公司與天水華天、集佳科技 均保持了長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系。圖表11:東微半導(dǎo)開(kāi)展歷程,推出 Tri-gateIGBT（TGBT）系列公司完成改制，更名為東微半導(dǎo)體推出FSMOS中低壓醉 蔽用MOSFET系列 GreenMOS找出新一代 GreenMOS選人充電樁應(yīng) 產(chǎn)品制造出世界首個(gè)量產(chǎn)GreenMOS高壓用并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn), SFGMOS進(jìn)入電動(dòng)車(chē)強(qiáng)半浮概品體管越級(jí)

11、州MOSFET系列 SFGMOS迅速起量動(dòng)應(yīng)用2008：2013；2015：2017：2019：2022OOQOOOO6O6：2012：2014：2016：2018：2020：王鵬飛、,奧軼共作為國(guó)內(nèi)第一篇徐戕出SFijMOS中低GreenM0S&體市場(chǎng)推出Sup；r-2月10日在A股科同出資設(shè)立東微業(yè)子器件領(lǐng)城的學(xué)壓屏蔽區(qū)MOSFET占有率快速提升Silicon超級(jí)硅系創(chuàng)板成功上市半導(dǎo)體前身東微術(shù)研究，半浮柵勒系列列，進(jìn)入手機(jī)快有限件技術(shù)論文在GreenMOS首次進(jìn)速充電駕市場(chǎng)Science發(fā)表人工業(yè)級(jí)應(yīng)用MOSFET為公司核心產(chǎn)品（2021營(yíng)收占比99.27%）： 高壓超級(jí)結(jié)MOSFET占

12、主導(dǎo)地位（營(yíng)收占比72.70%）。公司的 高壓超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品主要為GreenMOS產(chǎn)品系列，具有 開(kāi)關(guān)速度快、動(dòng)態(tài)損耗低、可靠性高的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)，可廣泛 應(yīng)用于汽車(chē)、工業(yè)等中高壓領(lǐng)域；中低壓屏蔽柵MOSFET為 公司第二營(yíng)收貢獻(xiàn)點(diǎn)（營(yíng)收占比26.30%）。公司的中低壓屏 蔽柵MOSFET包括SFGMOS產(chǎn)品系列以及FSMOS產(chǎn)品系歹U, 主要應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等中低壓領(lǐng)域；此外，自主研 發(fā)的超級(jí)硅MOSFET（營(yíng)收占比0.27%）,為公司翻開(kāi)消費(fèi)類(lèi)市 場(chǎng)，突破了傳統(tǒng)硅基功率器件的速度瓶頸，到達(dá)接近氮化錢(qián)功 率器件開(kāi)關(guān)速度的水平，第一代已實(shí)現(xiàn)批量出貨，第二代已 開(kāi)發(fā)成功，正著手第三代超

13、級(jí)硅MOSFET器件的研發(fā)。IGBT （TGBT）有望于22年迅速起量，翻開(kāi)公司營(yíng)收增 量空間（2021營(yíng)收占比0.73%）：公司生產(chǎn)的IGBT器件采 用區(qū)別于國(guó)際主流、具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的TGBT器件結(jié)構(gòu)， 能在不提高制造難度的前提下，同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān) 損耗的優(yōu)化。產(chǎn)品包括低Vee,sat系列、高速系列以及逆導(dǎo)型 TGBT等多個(gè)系列，其中第一代650V TGBT芯片到達(dá)國(guó)際主 流第七代IGBT技術(shù)水平。同時(shí)，公司第二代TGBT技術(shù)開(kāi)發(fā)，以及基于12英寸先 進(jìn)工藝制程的IGBT技術(shù)開(kāi)發(fā)均順利進(jìn)行。此外，Hybrid- FET器件基于TGBT技術(shù)，屬于TGBT的一個(gè)子類(lèi)，兼具 IGBT、超

14、級(jí)結(jié)MOSFET等功率器件的優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)批量出 貨。圖表12：東微半導(dǎo)產(chǎn)品線(xiàn)Z1東撒半導(dǎo)仙LAJ ORIENTAL SEMI中低小阱&棚MOSFET產(chǎn)品熄格較量：641規(guī)格:25V-150V；7A-300A技術(shù)特點(diǎn)：特征導(dǎo)通電阻低.開(kāi)關(guān)速度快.動(dòng)態(tài)我非低2021年鐘收占比為26. 30%中低小阱&棚MOSFET產(chǎn)品熄格較量：641規(guī)格:25V-150V；7A-300A技術(shù)特點(diǎn)：特征導(dǎo)通電阻低.開(kāi)關(guān)速度快.動(dòng)態(tài)我非低2021年鐘收占比為26. 30%工品規(guī)格數(shù)量：1100（公曲級(jí)“ MOSFET）規(guī)格：500V-1000V*;1A-116A技術(shù)特點(diǎn)：低導(dǎo)通電加、低 懦極電有、纖態(tài)/動(dòng)態(tài)，弱箱低

15、產(chǎn)品規(guī)格數(shù)量：52規(guī)格：600V-1350V;15A-120A技術(shù)特點(diǎn)：大電流密度，開(kāi) 關(guān)叔也低.可靠性高，具有 白保護(hù)特點(diǎn)2021年管收占比為0.27%2021年曾收占比為0. 73%新能源汽東充電樁5GJLJtA通信電源2021年冬收占比為72. 70%迪D囪電機(jī)驅(qū)動(dòng)/控制手機(jī)快速充電式王鵬飛及龔軼為公司共同實(shí)際控制人，通過(guò)直接、間接 及一致行動(dòng)關(guān)系共同控股32.63%,元禾、聚源聚芯、哈勃投 資參投。公司人均創(chuàng)收逾千萬(wàn)，研發(fā)人員占比高。截止2021 年底，公司員工人數(shù)合計(jì)75人，人均創(chuàng)收達(dá)1043萬(wàn)元。其 中研發(fā)人數(shù)33人，占比高達(dá)44%,研發(fā)成果轉(zhuǎn)換率高。公司 管理層資歷深厚，實(shí)際控制

16、人均有逾20年的半導(dǎo)體從業(yè)經(jīng)驗(yàn)。公司董事兼首席技術(shù)官王鵬飛先生曾擔(dān)任德國(guó)英飛凌科 技存儲(chǔ)器研發(fā)中心研發(fā)工程師，現(xiàn)為復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教 授，其提出并制造出了世界上首個(gè)半浮柵晶體管，相關(guān)成果成 功發(fā)表于Science國(guó)際頂刊。此外，公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理 龔軼先生曾擔(dān)任超微半導(dǎo)體公司的研發(fā)工程師以及英飛凌科 技的德國(guó)研發(fā)中心專(zhuān)家。公司今年內(nèi)暫無(wú)大規(guī)模限售股解禁，2023年2月首發(fā)原股東及戰(zhàn)略配售股份解禁后，流通總股數(shù) 將擴(kuò)大至現(xiàn)有的近3倍。在“行業(yè)景氣度持續(xù)向好，下游需求旺盛”的背景下，公 司近三年?duì)I收實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)。2021年公司營(yíng)業(yè)收入7.82億元, 同比增長(zhǎng)高達(dá)153.28%,高壓超級(jí)結(jié)和中低壓

17、屏蔽柵營(yíng)業(yè)收入 均迎來(lái)跨越式增長(zhǎng)，分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)收5.69/2.06億元，同比增長(zhǎng) 128.27%/246.85%,為公司營(yíng)收主要構(gòu)成。營(yíng)收的高增長(zhǎng)主要系2021年度公司所在的半導(dǎo)體功率器 件領(lǐng)域景氣度持續(xù)向好，受益于充電樁、新能源汽車(chē)車(chē)載充 電機(jī)、通信電源、光伏逆變器等終端市場(chǎng)需求的快速提升。 此外，2021年超級(jí)硅MOSFET營(yíng)收同比增速高達(dá)432.63%, 但目前營(yíng)收額為214.99萬(wàn)，整體銷(xiāo)售規(guī)模仍較小，未來(lái)增長(zhǎng) 空間廣闊；TGBT產(chǎn)品21年首次量產(chǎn)出貨，全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收 入568.17萬(wàn)元，相較于上半年22.95萬(wàn)元的銷(xiāo)售額增幅明顯， 業(yè)務(wù)呈現(xiàn)高速擴(kuò)張態(tài)勢(shì)。毛利率方面，2021年公司綜合毛

18、利率為28.72%,同比增 加10.87pct,主要系受下游應(yīng)用領(lǐng)域需求增長(zhǎng)、產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)大、 新產(chǎn)品不斷推出及產(chǎn)品組合結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化等因素所致。同 時(shí)，公司各細(xì)分領(lǐng)域毛利率的變動(dòng)趨勢(shì)基本一致，1Q22進(jìn)一 步提升至32.93%,進(jìn)一步接近海外龍頭功率廠商平均毛利水 平。凈利潤(rùn)方面，平21年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.47億元,同比增長(zhǎng)430.66%,主要系報(bào)告期內(nèi)營(yíng)業(yè)收入大幅上升及毛利率大幅 上漲所致。同時(shí)公司由于人員規(guī)模較小，管理及銷(xiāo)售費(fèi)用率 也相對(duì)較低。圖表17：圖表17：東微半導(dǎo)各產(chǎn)品毛利率綜合毛利率2.東微半導(dǎo)：短期、中長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力分析我們認(rèn)為，公司未來(lái)營(yíng)業(yè)收入將維持高增速，有望成長(zhǎng) 為國(guó)內(nèi)乃至國(guó)

19、際領(lǐng)先的以高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、TGBT等高 端產(chǎn)品為代表的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)，主因有：1）工業(yè)及汽 車(chē)級(jí)應(yīng)用為主，短期產(chǎn)品價(jià)格穩(wěn)定性強(qiáng)；2） MOSFET料號(hào)豐 富，產(chǎn)品性能對(duì)標(biāo)國(guó)際龍頭；3）研發(fā)團(tuán)隊(duì)實(shí)力雄厚，人均創(chuàng) 收行業(yè)領(lǐng)先；4）綁定優(yōu)質(zhì)供應(yīng)鏈資源，與華虹深度合作，二供、三供DB、粵芯保障產(chǎn)能；5）進(jìn)軍IGBT領(lǐng)域，翻開(kāi) 增量成長(zhǎng)空間。短期：高壓MOSFET及IGBT高景氣，主打工業(yè)級(jí)應(yīng)用 無(wú)懼短期需求波動(dòng)1Q22高壓MOSFET、IGBT貨期進(jìn)一步拉長(zhǎng)，中低壓 MOSFET供需緊張局面出現(xiàn)緩解?；?Q21、1Q22富昌電 子市場(chǎng)行情報(bào)告，我們發(fā)現(xiàn)全球高壓MOSFET/IGBT貨期整

20、 體增幅較明顯，從平均37/41周延長(zhǎng)至平均43/46周，且價(jià)格 維持上漲態(tài)勢(shì)，整體維持高景氣。同時(shí)，中低壓MOSFET貨 期整體而言呈現(xiàn)穩(wěn)定，供給緊張局面已出現(xiàn)一定程度緩解。 公司產(chǎn)品下游領(lǐng)域以工業(yè)、汽車(chē)為主，短期能明顯抵御消費(fèi)類(lèi) 需求下滑。一方面，伴隨著交付周期延長(zhǎng)，供給緊缺局面進(jìn)一步加 劇，價(jià)格上升將為公司帶來(lái)更高的收入。另一方面，公司營(yíng) 收主要來(lái)自中高壓工業(yè)級(jí)領(lǐng)域，1Q22消費(fèi)級(jí)應(yīng)用占比僅30%, 受下游消費(fèi)類(lèi)需求下滑影響有限。由此我們認(rèn)為公司在短期 內(nèi)將對(duì)沖需求波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)，具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。圖表37：高壓/中低壓MOSFET、IGBT平均交付周期比照1Q221Q22 4Q2150 -I48 -46 -44 42 -40 -38 36 -34 -32 -30 -低壓MOSFET低壓MOSFET高壓MOSFETIGBT中長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力分析競(jìng)爭(zhēng)力#1： MOSFET料號(hào)豐富，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)MOSFET料號(hào)近1800種行業(yè)領(lǐng)先，針對(duì)下游不同領(lǐng)域。 公司MOSFET產(chǎn)品主要包括GreenMOS系列高壓超級(jí)結(jié) MOSFET、SFGMOS/FSMOS 系列中低壓屏蔽柵 MOSFET