《模擬電子技術(shù)》(第3版)課件與教案第1章_第1頁
《模擬電子技術(shù)》(第3版)課件與教案第1章_第2頁
《模擬電子技術(shù)》(第3版)課件與教案第1章_第3頁
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文檔簡介

1、2.2 KG+ 12 VVa(任士2.21.8 2.20.7)第1章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用試確定圖(a)、(b)所示電路中二極管 D是處于正偏還是反偏狀態(tài),并計算A、B、C、D各點的電位。設(shè)二極管的正向?qū)▔航礦D(on)=。+ 12 V(b)解:如圖E1.1所示,斷開二極管,利用電位計算的方法,計算二極管開始工作前的外加 電壓,將電路中的二極管用恒壓降模型等效,有Vd/ = (12 0) V=12V0.7V, Di 正偏導(dǎo)通,Vb= VaVD(on) V = 6. 215VVd2, = ( 0 12) V= 12VV0.7V, D2反偏截止,有Vc=12V, Vd = 0V二極管電路如圖所示,

2、設(shè)二極管的正向?qū)▔航礦D(on)=,試確定各電路中二極管D的工作狀態(tài),并計算電路的輸出電壓Vo。圖 E1.2解:如圖E1.2所示,將電路中連接的二極管開路,計算二極管的端電壓,有Vd= 9 ( 12) V = 3V0.7V, D1 正偏導(dǎo)通VO1Vd2,= 3 ( 9) V= 1.5V0.7V, D2正偏導(dǎo)通2VO2Vd3/ =9V0.7V, VD4/ = 9 ( 6) V = 15V0.7V, Vd4z Vd3z, D4首先導(dǎo)通。D4 導(dǎo)通后,Vd3= (0.76) V = - 5.3V0時,Di正偏導(dǎo)通,VO1 = Vi。(b)當(dāng)ViV0時,D2反偏截止,VO2=Vi;當(dāng)vi0時,D2正

3、偏導(dǎo)通,VO2=0。(c)當(dāng)ViV0時,D3正偏導(dǎo)通,VO3=Vi;當(dāng)vi0時,D3反偏截止,VO3 = 0。由此,可畫出輸入信號Vi與輸出信號VO1、VO2、VO3的波形,如圖 E所示。二極管電路如圖(a)所示,輸入信號Vi (t)的波形如圖(b)所示。(1)設(shè)二極管是理想的,試畫出Vo (t)的波形。(2)設(shè)二極管用恒壓降模型等效(VD(on)=),試畫出VO (t)的波形。(3)設(shè)二極管用折線模型等效(VD(on) =, rD=20 ),試畫出VO (t)的波形。解:如圖E1.4 (a)所示電路,二極管 D的工作狀態(tài)取決于電路中直流電源與交流信號VD / = Vi (t) 6 V。Vi

4、(t)的幅值關(guān)系。斷開電路中連接的二極管,其端口外加電壓為,(1)由二極管的理想模型,有 VO (t)的波形,如圖 E (b)所示,其中,當(dāng)Vi (t) V 6V時,二極管反偏截止,vo (t) = 6V;當(dāng)vi (t) 6V時,二極管正偏導(dǎo)通, TOC o 1-5 h z Vi(t) 6Vi(t)Vo(t) -6V -3V22當(dāng) Vi (t) = 10V 時,vo (t) = 8V。由二極管的恒壓降模型,有Vo (t)的波形,如圖E (c)所示,其中,當(dāng) Vi (t) v 6.7V 時,二極管截止,vo (t) =6V;當(dāng)Vi (t) 6.7V時,二極管導(dǎo)通,M(t) 6.7Vi(t)Vo(

5、t) - 6V -2.65V22當(dāng) Vi (t) = 10V 時,vo (t) = 7.65V。(3)由二極管的折線模型,有vo (t)的波形,如圖E (d)所示,其中,當(dāng) Vi (t) V 6.7V 時,二極管截止,vo (t) = 6V;當(dāng)Vi (t) 6.7V時,二極管導(dǎo)通,Vi(t) 6.710Vo(t) ;200 6V -Vi(t) 2.81V200 20 20021當(dāng) Vi (t) = 10V 時,VO (t)=。二極管電路如圖E1.5所示,取二極管正向?qū)▔航礦D(on) =, v =10/2sin t mV, C對交流的容抗近似為零,試求二極管D兩端的交流電壓 Vd和流過二極管

6、的交流電流id。10叩25 k叩 it-o圖 E1.4.1Vi (t)與 vo (t)的波形圖 E1.5Id = Iq =5 0.72.5解:如圖E1.5所示,分別用二極管的恒壓降模型和交流微變小信號模型做等效變換,可 將非線性的二極管視為線性參件,由疊加定理,有26mV2615.1%(mA) 1.72102500I dm mA 0.40mA10 2500/15.1 2500 15.1id 0.40 2sin t mAvd id rd 0.40 15.1y2sin t mV 6/2sin t mV二極管電路如圖E1.6所示,設(shè)二極管的正向?qū)▔航礦D(on)=,二極管的最大功耗PDM為10mW

7、,要求電路在電源電壓為5VWVDDW10V的范圍內(nèi)變化時,二極管均正向?qū)?,且流過二極管電流的最小值ID(min)= 2mA。試確定電阻R1和R2的取值。(提示:PDM =I D(max) VD(on)圖 E1.6解:如圖E1.7所示,將電路中的二極管用恒壓降模型等效,有5 0.7I D(min) ( - R10.7)mA=2mAI (ZD(max)R10.7、A 10 A)mA=mA R20.7解得R-407 , R2=82二極管半波整流電路如圖E1.7所示。變壓器Tr、熔斷器FU、負(fù)載電阻Rl,設(shè)計取值合理。試定性地分析,當(dāng)二極管D: (1)開路;(2)短路;(3)接反時,電路的工作情況。

8、圖 E1.7分析、解答:如圖E1.7所示,(1)當(dāng)二極管D開路時,輸出電壓為零;(2)當(dāng)二極管D正常工作時,Vo V2;當(dāng)二極管D短路時,輸出電壓為 V2,負(fù)載電流約 增加一倍多,熔斷器熔斷,輸出電壓為零;(3)當(dāng)二極管D反接時,電路可以工作,但輸出電壓極性相反。在圖E1.8所示的單相橋式整流電路中,若V2= 400V , Rl=500 ,試求:(1)輸出電壓平均值,輸出電流平均值,流經(jīng)每個二極管的平均電流和每個二極管所承 受的最大反向電壓;(2)若二極管Di電極引線與電路連接處焊接不良,形成接觸電阻Ri=100 ,如圖E所示,則輸出電流的平均值為多少?解答:如圖E1.8所示單相橋式整流電路,

9、有(1) Vo(av)= V2=9X 400V=360VIo(av)= Vo(av)/Rl= ( 360/500) A =1.Id-10(AV)0.72A0.36A;2Vdrm = V2 V2= J2 X 400V 565.7 V(2)如圖E所示,有I O(AV)0.45V20.45V2R R0.45 400(5000.45 400)A500 1000.66A在圖E1.9所示的單相橋式整流電路中若有一個二極管被斷路、短路、反接,電路會出現(xiàn)什么情況?(a)(b)圖E1.9單相橋式整流電路(a)原理電路(b)簡化電路解答:在圖E1.9所示單相橋式整流電路中:V2;若電路中有一個二極管 (例如D。被

10、短路,在電路工作的另一半時間(例如負(fù)半周)內(nèi),二極管(D2)及(或)變壓器的二次繞組(變壓器)會被短路、燒毀;若電路中一個二極管(例如 D。被反接,在電路工作的一半時間(負(fù)半周)內(nèi),變壓器二次繞組經(jīng)對應(yīng)的二極管(D1、D2)被短路,變壓器的二次繞組及(或)對應(yīng)的二極管( D1、D2)會因電流過大而被燒毀。有一電阻性負(fù)載 Rl,需直流電壓24V,直流電流1A,若用單相橋式整流電路供電,求 出電源變壓器副邊電壓的有效值,并選擇整流二極管。解答:工程上一般取:V2 = Vo / =24V/ =26.7V;11Id -Io - 1A 0.5A; 22Vdrm = ( 35) T/2若電源頻率為50Hz

11、,輸出電壓周期 T = 0.02s,則RlC ) sT0.01( s).O (3-5)7R-(3 5) R()F ,2 IRLIRL I電容耐壓2V2圖E1.11單相橋式整流、電容電路1.12由理想二極管組成的電路如圖E1.12所示,設(shè)vi=10sin tV,試畫出輸出信號 vo的波形。Vi的幅值解:如圖E1.12所示,二極管D的工作狀態(tài)取決于電路中直流電源與交流信號 關(guān)系。由二極管的理想模型可知當(dāng)MV 5V時,二極管反偏截止,當(dāng)M5V時,二極管正偏導(dǎo)通,vo= 5VVO= vi由此,可畫出輸出信號 Vo的波形,3在圖3所示的二極管限幅電路中,已知輸入信號為W=10sin t V,二極管的正向

12、導(dǎo)通壓降VD(on)=,試畫出輸出信號 VO的波形。解:3所示,當(dāng)Vi大于上限幅值(4+0.7) V時,vo=4.7V;當(dāng)vi小于下限幅值一(2 + 0.7)V 時,v0= 2.7V。由此,可畫出輸出信號vo的波形,如圖E3.1所示。4穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路如圖 4所示,電路設(shè)計合理,其中 Dzi的穩(wěn)定電壓為6V, DZ2的穩(wěn)定 電壓為10V,它們的正向?qū)▔航禐?,試求各電路的輸出電壓值。圖 E1.14圖E1.15圖E5.1vi的和vo的波形解:如圖所示穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路,由穩(wěn)壓管的參數(shù),有voi= ( 6+ 10) V= 16V;vo2= (6+0.7) V = 6.7V;(C)vo35二極管電路如圖5

13、所示,電路設(shè)計合理,設(shè) M=10sin t V,穩(wěn)壓管Dz的穩(wěn)定電壓為8V,正向?qū)▔航禐椋?R為限流、調(diào)整電阻,試近似地畫出vo的波形。vo的波形,解:5所示的二極管電路,由輸入信號和穩(wěn)壓二極管的參數(shù)可畫出輸出信號Vf=,工作電流6發(fā)光二極管驅(qū)動電路如圖 6所示,已知發(fā)光二極管的正向?qū)▔航祃F5mA即可發(fā)光,最大工作電流lFM = 20mA。為使發(fā)光二極管正常工作,試確定限流電阻R的取值范圍。圖 E1.16解:6所示電路,依電路設(shè)計要求,有RminVCCVFI Fmax5 1.6,k20RmaxVcc VfCC FI Fmin5 1.6 k5170680R的取值范圍為 170680 口。若

14、考慮D長期工彳取IF= 1 Ifm = 10mA 則23.4R -Ki340 ,取E24系列標(biāo)稱值330QoVD(on)7二極管電路如圖所示,取二極管Di、D2為理想的恒壓降模型,其正向?qū)▔航?,試用Multisim仿真軟件求取其輸出電壓Vo的大小。解:7所示電路,在電路實驗窗口中搭建實驗電路。為使二極管的正向?qū)▔航礦D(on)=0.7V,二極管選用了虛擬器件的二極管DIODE_VIRTUAL 。啟動仿真按鈕后,測量儀表顯示Vo=-。結(jié)果與理論計算一致。圖 E1.178二極管限幅電路如圖8所示,取二極管Di、D2為理想的恒壓降模型。其正向?qū)▔航礦D(on)=,設(shè)vi= 10JWsin10

15、00 t V,試用Multisim仿真軟件求取其對應(yīng)的輸出電壓的vo的對應(yīng)波形和上、下幅值。3.687V。解: 8 所示,搭建實驗電路進(jìn)行仿真。測得,上限幅值為 3.687V ,下限幅值為結(jié)果與理論計算基本相符。二極管電路如圖(a)所示,二極管 D的伏安特性曲線如圖(b)所示,試用圖解法求取Id、Vd。解:如圖E1.5所示,二極管D的直流負(fù)載線與縱軸和橫軸的交點分別為VddRr2mA 4mA,VDD = 2V 0.5由此,作直流負(fù)載線,如圖E所示。由直流負(fù)載線與二極管 D的伏安特性曲線的交點 (直 流工作點)Q可得,lD=2mA; Vd = 0.7V 。圖E1.18 在路測量,測得小功率硅三極

16、管各引腳的電位如圖E1.18所示,試判斷其工作狀圖 E1.18解:如圖E1.18所示VcVbVe, VBE=VBE(on) = 0.7V,發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,三極管(硅 NPN型 小功率管)工作在放大狀態(tài)。VbvVe, VcVb,發(fā)射結(jié),集電結(jié)均反偏,三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)。(c)VCVb Ve, VbE VBE(on) = 0.7V ,三極管已損壞(發(fā)射結(jié)開路)。VeVbVc, Vbe = VBE(on) = - 0.7V,發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,三極管(硅 PNP 型小功率管)工作在放大狀態(tài)。VB Ve, Vbe = VBE(on)= 0.7V , VbVc,發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正偏,三極管

17、工作在飽和狀態(tài)。在路測量,測得放大電路中的四個三極管各引腳的電位如圖E1.19所示,試判斷這四個三極管的引腳(e、b、c),它們是NPN型還是PNP型,是硅管還是錯管。圖 E1.19解:放大電路中三極管的各電極在路電位,如圖 E1.19所示V3V1V2, V12= (3.5 2.8) V = 0.7V,腳為 c,腳為 b,腳為 e;是 NPN 型小功率硅管。V3V2V1, V21= (3 2.8) V=0.2V;腳為 c,腳為 b,腳為 e;是 NPN 型 小功率錯管。Vk V2V2V3, V21= (11.812) V = 0.2V;腳為 e,腳為 b,腳為 c;是 PNP 型的小功率錯管。

18、測得放大電路中的三極管各引腳的電流如圖E1.20所示,試判斷三極管的弓唧 (e、b、c),它們是NPN型還是PNP型,電流放大系數(shù) B為多少?圖 E1.20解:放大電路中的三極管的各電極在路電流,如圖 E1.20所示(a)I1=I2+I3, I2I3, 12、I3流入三極管,I1流出三極管,腳為 e,腳為c,腳為b;是NPN型小功率管;20.0450(b) I3= I1+ I2, I2 I1, I1、I2流出三極管,I3流入三極管;腳為b,腳為c,腳為e;是PNP型小功率管;I C 1I B0.011001.21三極管放大電路如圖E1.21 所示,設(shè) T 的 VBE(on)=0.7V , Vc

19、es=0.3V,試分析采用哪些方法可判斷T是否工作正常。解:如圖E1.21所示電路,用萬用表檢測三極管 電極的電位 Vc、Vb、Ve即可判斷T是否正常工作。T的三個若VcVbVe,且VbE= VBE(on) = 0.7V ,則T正常工作在放 大狀態(tài);若 Vbe = VBE(on)=0.7V, Vce=Vces=0.3V,則 T 工作在飽凡0和狀態(tài);若V若Vb-0V, Vc-Vcc,則T已損壞,發(fā)射結(jié)可能短路;圖 E1.21b = Vcc, VcVcc,1.22三極管電路如圖VD(on)=0.7V,試分析、判斷則T已損壞,發(fā)射結(jié)可能開路。E1.22 所示,設(shè) T 的 VBE(on) = 0.7V

20、T的工4氣區(qū)域。Vces= 0.3V ,3 =50, D 的IVo-KO G+03 V圖 E1.22解:三極管電路如圖 E1.22所示(a)若T工作在放大或飽和區(qū),則:Vb= VBE(on)+VD(on) W 1V ,Vc VCES+ VD(on)所以,T不可能工作在放大或飽和區(qū);若T工作在截止區(qū),則VBVBE(on)= 0.7V, Vcb= (12 6) V = 6V0,即,Vc Vb Ve,所以T可能工作在放大或飽和區(qū)若工作在放大區(qū),IbIbS=CS;若工作在飽和區(qū),則IB IBS = -CS 圖示電路中6 V BE(on)6 0.7mA mA 0.265mA2020IbsSmA12 0

21、3mA 0.078 mA3 50顯然,IbIbs,所以,三極管 T工作在飽和區(qū)。三極管電路如圖 E1.23所示,設(shè)T的VBE(on)= 0.7V , Vces= 0.3V , B = 100,試求出 各電路的Ib、Ic、Vce,并分析、判斷 T的工作狀態(tài)。4-L2V+5 V TOC o 1-5 h z 解:如圖E1.23所示電辟酬圖 E1.23VBB VBE(on)6 0.7(a)I b mA 0.104mA HYPERLINK l bookmark32 o Current Document Rb510.117mA HYPERLINK l bookmark15 o Current Docume

22、nt 12 0.3 mA1 100因為IbvIbs,所以T工作于放大狀態(tài)I c= &b=Vce = Vcc IcRc(b)12VVBE(on)Rb12 0 7 mA 0.202mA56I BS12 V VcesRc12 0 3mA 0.039mA3 100因為IbIbs,所以T工作于飽和狀態(tài)Vc= Vce= VcesI c I CS(c)三極管T開始工作前,12V VcesRc12 0.3 mA 3.9mA3Vbe=0,所以,三極管 T工作于截止?fàn)顟B(tài),有Ib= Ic= 0Vc = Vce= 5V某三極管的 PcM = 100mW, IcM = 20mA, V(br)ceo = 15V ,試問若

23、設(shè)置其在下歹U幾 種情況下,哪種設(shè)置是正確的,哪種是不正確的,為什么? ( 1) Vce = 3V , Ic= 100mA ;(2) Vce = 2V, Ic = 40mA ; (3) Vce=20V, Ic = 4mA。解:依三極管極限參數(shù)定義,有所謂三極管工作安全區(qū):PcM=icVCE, ICM , V(BR)CEOPcM = icvcE= (100X3) mW= 300mWPcM= 100mW,在安全區(qū)外,故設(shè)置不正 確;Ic= 40mA Icm = 20mA ,在安全區(qū)外,故設(shè)置不正確;PcM = icvcE= (4X20) mW = 80mWPcM=100mW,但 Vce V(br)

24、ceo = 15V ,在 安全區(qū)外,故設(shè)置不正確。四個場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖E1.25所示,試分析、判斷它們分別屬于哪種類型的場效應(yīng)管;對于耗盡型的,試指出其夾斷電壓VGS(off)及漏極飽和電流Idss的大?。粚τ谠鰪娦偷?,試指出其開啟電壓VGS(th)的大小。解:如圖E1.25所示場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。N溝道結(jié)型場放效應(yīng)管,VGS(off)= _ 4V , Idss= 4mA ;N 溝道耗盡型 MOS 場效應(yīng)管,VGS(off) = 4V , lDss=2mA;P溝道增強型 MOS場效應(yīng)管,VGS(th)=2V;P 溝道耗盡型 MOS 場效應(yīng)管,VGS(off)=2V, lDss=2

25、mA。場效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖E1.26所示(圖中漏極電流的參考方向與實際方向一致),試指出場效應(yīng)管的類型;對耗盡型的試求出VGS(off)和Idss;對于增強型的,試求出VGS(th)。jyrnA5儲v圖 E1.26解:如圖E1.26所示場效應(yīng)管的輸出特性曲線N 溝道耗盡型 MOS 場效應(yīng)管,VGs(off)= 一 4V , Idss= 2mA ;P 溝道結(jié)型場效應(yīng)管,VGs(off)= 4V , Idss = 4mA ;P溝道增強型MOS場效應(yīng)管,VGs(th)=2V;N溝道增強型MOS場效應(yīng)管,VGs(th)= 2V。三極管電路如圖 E1.27所示,試用Multisim仿真軟件按表 E

26、1.27的要求求取當(dāng) 修、 Rc為不同數(shù)值時的 Vbe、Ib、Ic、Ie、Vce和B的數(shù)值,并將測量數(shù)據(jù)填入表E1.27中。分析測量的結(jié)果,驗證Ib、Ic、Ie間的關(guān)系;驗證三極管處于截止、放大、飽和狀態(tài)時的 偏置條件;驗證三極管處于截止、放大、飽和狀態(tài)時的外電路特點。圖 E1.27表 E1.27、條 件參、數(shù)RC= 1kQRCQVbb /VVBB /V123123Vbe (mV)500688730735500688690691Ib (mA)00Ic (mA)1012Ie (mA)1012Vce (V)B/160156/14235/研究、分析:如圖E1.27和表E1.27所示,比較、分析表E1.27的仿真測量數(shù)據(jù)可知:(1)不論Vi和Rc如何變化,始終有Ie=Ib+Ic。(2)當(dāng)VbeVb、Ib=0,三極管T工作在截止區(qū)時,IcW0,有穿透電流Iceo 存在,但數(shù)值較??;當(dāng) Vbe0.69V, VcVVb、V

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