GB∕T 4023-2015 半導體器件 分立器件和集成電路 第2部分：整流二極管

ICS3108010

K46..

中華人民共和國國家標準

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

代替:

GB/T4023—1997

半導體器件分立器件和集成電路

第2部分整流二極管

:

Semiconductordevices—Discretedevicesandintegratedcircuits—

Part2Rectifierdiodes

:

(IEC60747-2:2000,IDT)

2015-12-31發(fā)布2017-01-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

目次

前言

…………………………Ⅶ

引言

…………………………Ⅸ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

一般術(shù)語

3.1……………1

額定值和特性的術(shù)語電壓

3.2:…………2

額定值和特性的術(shù)語電流

3.3:…………3

額定值和特性的術(shù)語耗散功率

3.4:……………………4

額定值和特性的術(shù)語其他特性

3.5:……………………5

文字符號

4…………………7

概述

4.1…………………7

補充的通用下標

4.2……………………7

電流電壓和功率

4.2.1、………………8

電參數(shù)

4.2.2…………………………8

文字符號表

4.3…………………………8

電壓參見圖圖

4.3.1(4、5)…………8

電流參見圖

4.3.2(6)…………………9

功率

4.3.3……………10

開關(guān)

4.3.4……………10

基本額定值和特性

5………………………10

概述

5.1…………………10

適用范圍

5.1.1………………………10

額定方法

5.1.2………………………10

推薦溫度

5.1.3………………………10

額定條件

5.2……………11

環(huán)境額定的整流二極管

5.2.1………………………11

管殼額定的整流二極管

5.2.2………………………11

電壓和電流的額定值極限值

5.3()……………………11

反向不重復峰值電壓V

5.3.1(RSM)…………………11

反向重復峰值電壓V

5.3.2(RRM)……………………11

Ⅰ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

反向工作峰值電壓V

5.3.3(RWM)……………………11

反向直流電壓V適用時

5.3.4(R)()…………………11

正向平均電流I

5.3.5(F(AV))………………………11

正向重復峰值電流I適用時特別適用于快開關(guān)二極管

5.3.6(FRM)()()…………11

正向過載電流I

5.3.7((OV))…………12

正向浪涌電流I

5.3.8(FSM)…………12

正向直流電流I

5.3.9(F)……………12

管殼不破裂峰值電流I

5.3.10(RSMC)………………13

頻率額定值極限值

5.4()………………13

耗散功率額定值極限值

5.5()…………13

反向浪涌耗散功率雪崩整流二極管和可控雪崩整流二極管的

5.5.1()…………13

反向重復峰值耗散功率可控雪崩整流二極管的

5.5.2()…………13

反向平均耗散功率可控雪崩整流二極管的

5.5.3()………………13

溫度額定值極限值

5.6()………………13

冷卻流體的溫度或基準點的溫度對于環(huán)境額定的或管殼額定的整流二極管

5.6.1()…………13

貯存溫度T

5.6.2(stg)………………13

等效結(jié)溫T適用時

5.6.3(j)()………………………13

電特性

5.7………………13

正向特性適用時

5.7.1()……………13

正向電壓在熱平衡條件下

5.7.2()…………………14

擊穿電壓V雪崩整流二極管的用于不重復的情況

5.7.3((BR))(,)………………14

反向重復峰值電流I

5.7.4(RRM)……………………14

總耗散功率P

5.7.5(tot)……………14

一個正弦半波正向電流脈沖的最大總能量適用時特別適用于快開關(guān)二極管

5.7.6()()………14

恢復電荷Q適用時見圖

5.7.7(r)(),9……………15

反向恢復峰值電流i適用時見圖

5.7.8(RM)(),9…………………15

反向恢復時間t適用時見圖

5.7.9(rr)(),9………15

正向恢復時間適用時

5.7.10()……………………15

正向恢復峰值電壓V適用時

5.7.11(FRM)()………15

反向恢復軟度因子F適用時

5.7.12()[](RRS)()…………………16

熱特性適用時

5.8()……………………16

機械特性和其他數(shù)據(jù)

5.9………………16

應用數(shù)據(jù)

5.10…………………………16

穩(wěn)態(tài)運行包括過載

5.10.1()………………………16

瞬態(tài)條件

5.10.2……………………17

型式試驗和常規(guī)試驗的要求整流二極管的標志

6,……………………17

型式試驗

6.1……………17

Ⅱ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

常規(guī)試驗

6.2……………17

測量和試驗方法

6.3……………………18

整流二極管的標志

6.4…………………18

測量和試驗方法

7…………………………18

電特性的測量方法

7.1…………………18

一般注意事項

7.1.1…………………18

正向電壓

7.1.2………………………18

雪崩和可控雪崩整流二極管的擊穿電壓V

7.1.3((BR))……………20

反向電流

7.1.4………………………21

恢復電荷和反向恢復時間Qt

7.1.5(r,rr)…………24

正向恢復時間和正向恢復峰值電壓tV

7.1.6(fr,FRM)……………27

熱特性的測量方法

7.2…………………28

基準點溫度

7.2.1……………………28

熱阻與瞬態(tài)熱阻抗

7.2.2……………28

額定值極限值的檢驗方法

7.3()………………………30

正向浪涌電流I

7.3.1(FSM)…………30

反向不重復峰值電壓V

7.3.2(RSM)…………………32

雪崩和可控雪崩整流二極管的反向峰值功率重復或不重復的PP

7.3.3()(RRM,RSM)…………32

管殼不破裂峰值電流

7.3.4…………36

電耐久性試驗

7.4………………………38

耐久性試驗表

7.4.1…………………38

耐久性試驗條件

7.4.2………………38

接收試驗的失效判據(jù)和判定失效的特性

7.4.3……………………38

可靠性試驗的判定失效的特性和失效判據(jù)

7.4.4…………………38

試驗失誤時的程序

7.4.5……………38

循環(huán)負載試驗

7.4.6…………………38

附錄資料性附錄隨時間變化負載溫升的計算

A()……………………40

圖正向恢復期間的電壓波形

1……………5

圖反向恢復期間的電流波形

2……………6

圖恢復電荷

3………………7

圖反向電壓額定值

4………………………8

圖正向特性

5………………9

圖正向電流額定值

6………………………9

圖正向重復峰值電流I示例

7(FRM)……………………12

圖一個正弦半波電流脈沖的最大總能量與正向電流值和脈沖持續(xù)時間的關(guān)系

8

Ⅲ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

參變量以焦爾為單位的脈沖能量

(:)………………14

圖恢復電荷Q反向恢復峰值電流i反向恢復時間t理想特性曲線

9r,RM,rr()………15

圖正向電壓的測試電路直流法

10()……………………19

圖正向電壓的測試電路示波器法

11()…………………19

圖正向電壓的測試電路脈沖法

12()……………………19

圖正向平均電壓的測試電路

13…………20

圖擊穿電壓的測試電路

14………………21

圖反向電流的測試電路直流法

15()……………………21

圖反向電流的測試電路示波器法

16()…………………22

圖反向峰值電流的測試電路

17…………22

圖反向峰值電流的測試電路電流加熱法

18()…………23

圖Q和t的測試電路正弦半波法

19rrr()………………24

圖通過二極管的電流波形正弦半波法

20D()…………24

圖Q和t的測試電路矩形波法

21rrr()…………………25

圖通過二極管的電流波形矩形波法

22D()……………26

圖t和V的測試電路

23frFRM………………27

圖測量t和V的電流和電壓波形

24frFRM………………27

圖熱阻的測試電路

25……………………29

圖瞬態(tài)熱阻抗的測試電路

26……………30

圖浪涌電流的測試電路

27………………31

圖反向不重復峰值電壓的測試電路

28…………………32

圖雪崩和可控雪崩整流二極管的反向峰值功率的測試電路反向電流三角波法

29()………………33

圖反向電流波形三角波法

30()…………33

圖雪崩和可控雪崩整流二極管的反向峰值功率的測試電路反向電流正弦波法

31()………………34

圖反向電流波形正弦波法

32()…………34

圖雪崩和可控雪崩整流二極管的反向峰值功率的測試電路反向電流矩形波法

33()………………35

圖反向電流波形矩形波法

34()…………35

圖反向功率P與擊穿電壓的關(guān)系

35RSM………………36

圖管殼不破裂峰值電流的測試電路

36…………………37

圖通過受試器件的反向電流i波形

37R………………37

圖熱循環(huán)負載試驗的電路和波形

38……………………38

圖非矩形脈沖的階梯形近似

A.1………………………40

圖半導體器件內(nèi)產(chǎn)生耗散功率P持續(xù)時間為t的矩形脈沖

A.2、1…………………40

圖瞬態(tài)熱阻抗Zt與時間的關(guān)系

A.3th()………………41

圖三個矩形脈沖單序列

A.4……………41

圖相同脈沖的周期序列

A.5……………42

圖每組兩個不同脈沖的周期序列

A.6…………………43

Ⅳ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

表整流二極管的型式試驗和常規(guī)試驗的最少試驗項目

1……………17

表耐久性試驗后接收時判定失效的特性

2,……………39

表耐久性試驗條件

3……………………39

表幾種典型負載時等效結(jié)溫升的計算公式

A.1………45

Ⅴ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

前言

半導體器件分立器件系列國家標準的預計結(jié)構(gòu)如下

《》:

第部分總則

———1:;

第部分整流二極管

———2:;

第部分信號包括開關(guān)和調(diào)整二極管

———3:();

第部分微波器件

———4:;

第部分微波二極管和晶體管微波場效應晶體管詳細規(guī)范

———4-1:;

第部分光電子器件總則

———5-1:;

第部分光電子器件基本額定值和特性

———5-2:;

第部分光電子器件測試方法

———5-3:;

第部分光電子器件半導體激光器

———5-4:;

第部分光電子器件光電耦合器

———5-5:;

第部分晶閘管

———6:;

第部分雙極型晶體管

———7:;

第部分場效應晶體管

———8:;

第部分絕緣柵雙極晶體管

———9:;

第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

———10:;

第部分分立器件分規(guī)范

———11:;

第部分半導體傳感器總則和分類

———14-1:;

第部分半導體傳感器霍爾元件

———14-2:;

第部分半導體傳感器壓力傳感器

———14-3:;

第部分半導體傳感器半導體加速度計

———14-4:;

第部分半導體傳感器結(jié)半導體溫度傳感器

———14-5:PN;

第部分絕緣功率半導體器件

———15:;

第部分微波集成電路放大器

———16-1:;

第部分微波集成電路頻率預計數(shù)器

———16-2:;

第部分微波集成電路頻率轉(zhuǎn)換器

———16-3:;

第部分微波集成電路開關(guān)

———16-4:;

第部分基本絕緣和加強絕緣的磁性和電容性耦合

———17:。

本部分為半導體器件分立器件系列國家標準的第部分

《》2。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替半導體器件分立器件和集成電路第部分整流二極管

GB/T4023—1997《2:》。

本部分與相比主要變化如下

GB/T4023—1997:

編寫規(guī)則和采用標準的版本與其一致性程度不同是按

———IEC、:GB/T4023—1997GB/T1.1—

等效采用和年年的兩個修訂件本部分是按

1993,IEC747-2:19831992、1993;GB/T1.1—

和等同采用

2009GB/T20000.2—2009,IEC60747-2:2000。

內(nèi)容結(jié)構(gòu)編排不同采用篇章節(jié)條項編號引言屬正文并編章條

———:GB/T4023—1997()、、、,“”

號本部分采用章條項編號引言在正文前單獨為一頁不編章條號

;、、,“”,。

增加了管殼不破裂峰值電流的文字符號I并將其對應的管殼不破裂I2t中的I2t

———“”“RSMC”,“”

Ⅶ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

改為I2t同時將管殼不破裂I2t由耗散功率術(shù)語條移至電流術(shù)語條

RC,“RC”。

增加了反向恢復軟度因子術(shù)語定義文字符號及其特性值的條件

———“()[]”、、。

增加了正向恢復峰值電壓特性值的條件

———“”。

文字符號章增加了開關(guān)特性的文字符號個和電流的文字符號個III

———114(FAV、FRMS、RM、

I刪除了I

RSMC),R(AV)。

增加了型式試驗和常規(guī)試驗的要求整流二極管的標志一章內(nèi)容

———“、”。

刪除了反向重復峰值電壓的另一名稱最高反向重復電壓及相關(guān)的注

———“”“”“”。

刪除了附錄瞬態(tài)熱阻抗測試方法快速測試方法

———B“()”。

本部分使用翻譯法等同采用半導體器件分立器件和集成電路第部分

IEC60747-2:2000《2:

整流二極管英文版

》()。

本部分做了下列編輯性修改和勘誤

:

增加了前言刪除了標準的前言

———“”,IEC“”;

的本部分本出版物和本國際標準均改為本部分

———“IEC60747”“”“”“”;

根據(jù)標準條文中的實際引用情況增加了電工術(shù)語半導體器件和集

———,GB/T2900.66—2004《

成電路作為規(guī)范性引用文件

》;

將用于電流電壓的修飾詞連續(xù)直流改為直流

———、“()”“”;

將表示溫度的文字符號T和θ兩種字母統(tǒng)一為T表示溫度的文字符號下標

———“”“”“”,amb、case、

分別改為

vj、refa、c、j、r;

用小數(shù)點代替作為小數(shù)點的逗號

———“.”“,”;

對公式統(tǒng)一編號

———;

將正向不重復浪涌電流統(tǒng)一為正向浪涌電流與第章中一致

———“()”“”,3;

將中反向重復峰值電流的文字符號I勘誤為I

———5.7.4“”RMRRM;

刪除系中下一層次的孤條的編號相應的內(nèi)容直接歸入

———5.8.1(5.8),5.8;

將式中符號t的釋文較高頻率的重復率勘誤為較高頻率的重復率的倒數(shù)

———(A.29)2“”“”。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位西安電力電子技術(shù)研究所國營第八七三廠湖北臺基半導體股份有限公司株洲

:、、、

南車時代電氣股份有限公司電力電子事業(yè)部浙江硅都電力電子有限公司

、。

本部分主要起草人