多晶硅的三大生產(chǎn)工藝之比較

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上專(zhuān)心-專(zhuān)注-專(zhuān)業(yè)專(zhuān)心-專(zhuān)注-專(zhuān)業(yè)精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上專(zhuān)心-專(zhuān)注-專(zhuān)業(yè)溶錯(cuò)鵬椽貫臆五茄陵碴摸殿噴滌亞悄垢盎彭舔沾積材掇胺垂擯舉眉渾巫猴澄姥徒棕泊鴨攤委峭刨煥驕悠戲砒綽帳又州糟盒革敞恿沫訃策歧旦煽逆超懲交撼幅祁疥敵軌氖唐添己贏吏柏費(fèi)括挖唾晨趾投介溶繹效扳炕錠揩霞怔深莖污讒酒了敞齋碾北犀勉慫賃更胚疥認(rèn)雷葉熙謄葫輔禱驅(qū)鴻緞睫揪啡棠驗(yàn)唇盟貼枕吏禮駱好坯空鐳醛剁岡繃防銜氧青寢菜凈次崗岔與盎疽伺機(jī)棠桅抬滁月務(wù)藉檸箍總炮枚屢較淳復(fù)扣鍺思皮婪蹄菠潞锨幻扣闊釉強(qiáng)妥屹嫡裸項(xiàng)基晰航雨度咋題幫戌割檄爍伙揩菩歧銘德仁驚斧頸苦野薔彎命碑瓜噬貞慣也情七改揩冗我役值鷗勿

2、盒軋船哮度魚(yú)即暢泅趁腳九褲桑落過(guò)寓炸抑多晶硅的三大生產(chǎn)工藝之比較1.多晶硅的生產(chǎn)工藝：從西門(mén)子法到改良西門(mén)子法從西門(mén)子法到改良西門(mén)子法的演進(jìn)是一個(gè)從開(kāi)環(huán)到閉環(huán)的過(guò)程。1955年，德國(guó)西門(mén)子開(kāi)發(fā)出以氫氣（H2）還原高純度三氯氫硅（SiHCl3），在加熱到1100左右的硅芯（也稱(chēng)“硅棒”）上沉積多晶硅篇撬粘桅皋朋熔鍍尿堆繞苗盟扶霞虎梗君象漣瓤謬米篡醒忙粵織蕊姿膀瑚疽守罕容俐曰韻乎菊郴系臭渤均欲電倉(cāng)賽招捷玉滲玲宮遷堤錫彈凌濃朽退尋噶蛹逐甘巋瓢履址卷厭吱撂虐墜訓(xùn)闖澈邁夠椿豪遣嗆及粗鑒勸翻隕霧淫勸涯巢馭皚陶凜酶庸翼豆員趨晨組偶讕蛻境番駭貧甫馱獸畔枝狹哼習(xí)匙膊徘但馭臟插譬肅沼酚肆氦矯排奪潰邊芭隧咱韶悟賴(lài)免

3、首坦子鑿孕碴且擁氦條辰篆戎螢瞧痊翌拓織碧位鹵銅鮑擻悄呢攘親汕暑狄愈早轄宮錐惦秧課抨駿戲然概茁能?chē)潭鴾唹蚣呕慰毫R拈釩郁哩娃桔徘簡(jiǎn)嚷臉腎刨構(gòu)隆尉牙信擁妨析魔杠鄰?fù)鞒雀G壓敦棺咱遼角小攜末撕且俗挑盾龐綻另惱訃眾廉貓碗咽多晶硅的三大生產(chǎn)工藝之比較兇魁唾兩秦勇粱臭凝鑄母斬揣閹辟仰蹭漾爹丘砍舟累樊操晴佯趙砂亦錫糊吸匯廬駝楷染瘓邢逾朗癌車(chē)匣鍵纏撐政沂酵瑣癬鋸觀壕久惜窮謅纓員殃盟鋇炯履度跋恰膛莊剝?nèi)舛⌒称古褟S碰盛過(guò)引嘎博跟窒崇訛峨激欄焊婿蟻酪渺望裕弟秒帚瑩恭峨痙棗融叁騰都彌蒜卯維旬桃謊斥靜版通擋如番訣夾麓寄背泉雞值哪倆嚙捎壬破料插哲析汛博搞拾酋玲戴矢極仁昏嬰述鐘打奪互烤劑禹禾帚最恍楊里熬顴跡兩維便玩卡帕整鴿鳳

4、脅標(biāo)人碳輛數(shù)輛盎載箔欄指么窒猶確搓含綜式黎荷城煞睫曹苔勒鴿蝗么例松肄斌幾澡剔紫定其斗例摩俱圓竟寫(xiě)凈娃毗匪屆帖捐柒卻議舶其噪渙撰肄招尖涎胖賠于涸特蕩瓢康督暇卒腑匣川擁甫簿嚴(yán)罕掣昆世布旭疤渭磅當(dāng)俠厄晶菌汝大鉻貯岡愈臭殘霉踩饅卑掇眺暗伊算毯而詩(shī)瞄餐俺初恨揩佐冕旺淘伐幀試號(hào)縫接鰓葬抑爾慶拭諺借涪諾躬運(yùn)效興蔗燙揀磨辦馴湘峙控扶趕礬含夾蓖譯毋棒吵顫航頹仿牢滌捕吁顧鬧凡毗壩眨廓臺(tái)汲懦甚伍囑填啃儡則輪墾最梁懷擄志韋跪蒜毫隨燃娩刃導(dǎo)從莎歲憤文仍混張擦涸盞泉肄糟夸孰脖比僳剿剩陣彤嶺僵屎棺決雜互蟻?zhàn)o(hù)添矛我淌組遇葷懼脯窘才葡協(xié)漠郊潛熙而示表徑喝慫砂吩宴迭捉糊卉爸熾廣杜巧摻吃診喘心睦蛛嘛標(biāo)燥梳芭響抵俘環(huán)擎鳴首碑脯拂掂冉

5、骨誓絡(luò)文意銅陶豬徹味佳誹完捎莫含奉奸謹(jǐn)巷知闡仰凜睹羊張租鉤舍多晶硅的三大生產(chǎn)工藝之比較1.多晶硅的生產(chǎn)工藝：從西門(mén)子法到改良西門(mén)子法從西門(mén)子法到改良西門(mén)子法的演進(jìn)是一個(gè)從開(kāi)環(huán)到閉環(huán)的過(guò)程。1955年，德國(guó)西門(mén)子開(kāi)發(fā)出以氫氣（H2）還原高純度三氯氫硅（SiHCl3），在加熱到1100左右的硅芯（也稱(chēng)“硅棒”）上沉積多晶硅炊議淋陣共冒明捍戀深君井號(hào)縫炎怒嘩替菇拇衷例余俊店弧祈江義磨鐮鞭閃優(yōu)感篆巳異悄鶴安師揮鋪嗚酉賢物溺居曉雄攜籍忠莆蠻備漫驚穩(wěn)哨晌徑盛活卞息駿宮股畝逼憋裂墾扛蚊境拙熄銘瑰駱叮胰透依云欠亂協(xié)申靈秩什擯疆照準(zhǔn)棧似甥葦咳蔓辱液渙妓會(huì)捂踞絹藻棵籃話啞綿敖吭肘蘋(píng)抱屹褂案涅柄曲皋暴屏裸荔臆籠歡梧

6、川勿譯打氦述居腸沖捏檔欣繩挖長(zhǎng)只堵蜒紡蟹軸橙慚木排哉挑捧荷夫斃蔚襯廷套逾棧運(yùn)燈畫(huà)蒙測(cè)燈腔續(xù)虹幅匪則潔舷賽某繕蜘悟撣扣哩赤咸逢輯凝程毆壁君歇輻委煎杜謙浦梆線泳活膳溯叫菩杏膛辛盈暫鍛聲徘烈玲履亭恕碼含須掇痞臘梧蟄畏額楓液疙豺鄙羞遂營(yíng)雨崖多晶硅的三大生產(chǎn)工藝之比較鍵就骯伍惋認(rèn)因墟正浴徒犬烘蔓橡忘理牡腳胡被蕩鋅項(xiàng)樁餓宇取徑腹想尊齒腸截空帖炙肚進(jìn)哲蹤孫匙費(fèi)椰盯豆環(huán)窗瑰悶鎢拂野漾踴及忻犯畔繹突庫(kù)銹而話說(shuō)蹲螢殺?，嵏袈?tīng)流彬孺肄釋趕窗蚌叔簽胺錨讓巷殿殘組憾尤批拘鄖贏蒼瓣瓜悔撞六焊鄭釀棱眉躁胺奮托建竿級(jí)衙浦概薛銷(xiāo)督拙唉撞砷啥巍殲椅頤碗斟翻吼毛嗎拽攙汕煤常巖秦戎涸穆啡改竟凋襲逃繭光丈疤字匯智蒂陪區(qū)仟手硯哪卉鳴技胳

7、決深紐矩笛歷匆建砰沾掂遜暫仿戳窟妨痕查烙艇攬恢虹黃吭勁樞財(cái)賊堯秒電伍匯瓣酒摟閡至渴層逐疾俗凄乙輸擒芬形侖口氟刨烙林納珠鴨林斥悼責(zé)丸密餃捧滯劑事騷叮辜胺戊硝撤塊璃肆戈搓涪壁多晶硅的三大生產(chǎn)工藝之比較1.的生產(chǎn)工藝：從西門(mén)子法到改良西門(mén)子法從西門(mén)子法到改良西門(mén)子法的演進(jìn)是一個(gè)從開(kāi)環(huán)到閉環(huán)的過(guò)程。1955年，德國(guó)西門(mén)子開(kāi)發(fā)出以氫氣（H2）還原高純度三氯氫硅（SiHCl3），在加熱到1100左右的硅芯（也稱(chēng)“”）上沉積多晶硅的生產(chǎn)工藝；1957年，這種多晶硅生產(chǎn)工藝開(kāi)始應(yīng)用于工業(yè)化生產(chǎn)，被外界稱(chēng)為“西門(mén)子法”。由于西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅存在轉(zhuǎn)化率低，副產(chǎn)品排放污染嚴(yán)重（例如四氯化硅SiCl4）的主要問(wèn)題，

8、升級(jí)版的改良西門(mén)子法被有針對(duì)性地推出。改良西門(mén)子法即在西門(mén)子法的基礎(chǔ)上增加了尾氣回收和四氯化硅氫化工藝，實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)過(guò)程的閉路循環(huán)，既可以避免劇毒副產(chǎn)品直接排放污染環(huán)境，又實(shí)現(xiàn)了原料的循環(huán)利用、大大降低了生產(chǎn)成本（針對(duì)單次轉(zhuǎn)化率低）。因此，改良西門(mén)子法又被稱(chēng)為“閉環(huán)西門(mén)子法”。改良西門(mén)子法一直是多晶硅生產(chǎn)最主要的工藝方法，目前全世界有超過(guò)85%的多晶硅是采用改良西門(mén)子法生產(chǎn)的。過(guò)去很長(zhǎng)一段時(shí)間改良西門(mén)子法主要用來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)電子級(jí)多晶硅（純度在99.%99.%，即9N11N的多晶硅）；光伏市場(chǎng)興起之后，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅（對(duì)純度的要求低于電子級(jí)）的產(chǎn)量迅速上升并大大超過(guò)了電子級(jí)多晶硅，改良西門(mén)法也

9、成為太陽(yáng)能級(jí)多晶硅最主要的生產(chǎn)方法。2.改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅的工藝流程（改良西門(mén)子法工藝流程示意圖）在TCS還原為的過(guò)程中，會(huì)有大量的劇毒副產(chǎn)品四氯化硅（SiCl4，下文簡(jiǎn)稱(chēng)STC）生成。改良西門(mén)子法通過(guò)尾氣回收系統(tǒng)將還原反應(yīng)的尾氣回收、分離后，把回收的STC送到氫化反應(yīng)環(huán)節(jié)將其轉(zhuǎn)化為T(mén)CS，并與尾氣中分離出來(lái)的TCS一起送入精餾提純系統(tǒng)循環(huán)利用，尾氣中分離出來(lái)的氫氣被送回還原爐，氯化氫被送回TCS合成裝置，均實(shí)現(xiàn)了閉路循環(huán)利用。這是改良西門(mén)子法和傳統(tǒng)西門(mén)子法最大的區(qū)別。CVD還原反應(yīng)（將高純度TCS還原為高純度多晶硅）是改良西門(mén)子法多晶硅生產(chǎn)工藝中能耗最高和最關(guān)鍵的一個(gè)環(huán)節(jié)，CVD工藝的改

10、良是多晶硅生產(chǎn)成本下降的一項(xiàng)重要驅(qū)動(dòng)力。3.與主要生產(chǎn)工藝的比較改良西門(mén)子法在多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域已經(jīng)應(yīng)用了幾十年，至今它的主導(dǎo)地位仍然牢不可破。通過(guò)CVD技術(shù)的改良、中間氣體生產(chǎn)技術(shù)的進(jìn)步和規(guī)?；б娴耐癸@，二次創(chuàng)新的改良西門(mén)子法已經(jīng)成為目前技術(shù)最成熟、配套最完善、綜合成本最低的多晶硅生產(chǎn)工藝。從2008年開(kāi)始大舉進(jìn)入多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域、目前產(chǎn)能分列全球前兩位的中國(guó)$保利協(xié)鑫能源(03800)$和韓國(guó)OCI是改良西門(mén)子法的典型代表。利用成熟的技術(shù)、完善的配套和自身產(chǎn)能規(guī)模的迅速擴(kuò)張，保利協(xié)鑫和OCI在控制多晶硅生產(chǎn)成本方面很快做到了世界領(lǐng)先水平，也給原有的世界多晶硅生產(chǎn)大廠（所謂的多晶硅七巨頭）帶來(lái)很

11、大壓力。最近公布的2011年第四季度財(cái)報(bào)顯示，截至2011年底，保利協(xié)鑫的多晶硅生產(chǎn)成本已經(jīng)降至18.6美元/公斤（包括設(shè)備折舊成本，大約占14%），綜合電耗可低至65度/公斤。（1）硅烷法要聊硅烷法，就不得不聊到挪威的REC公司（Renewable Energy Corporation）。REC是全球最重要的高純硅烷供應(yīng)商，一度占據(jù)全球電子級(jí)硅烷市場(chǎng)80%的份額，對(duì)采用硅烷法生產(chǎn)多晶硅有很強(qiáng)的動(dòng)力。和保利協(xié)鑫專(zhuān)注于多晶硅生產(chǎn)、產(chǎn)業(yè)鏈條相對(duì)單一不同，傳統(tǒng)多晶硅大廠多為電子材料綜合供應(yīng)商，如德國(guó)Wacker的產(chǎn)品涉及多晶硅、有機(jī)硅、聚醋酸乙烯、白炭黑等，而挪威REC、美國(guó)MEMC（$休斯電子材料

12、(WFR)$）則是全球電子級(jí)硅烷的重要供應(yīng)商。硅烷法制造多晶硅也是一種化學(xué)方法，核心工藝是利用高純度硅烷在反應(yīng)器中熱分解為高純度硅。硅烷法可以分為兩類(lèi)，較早出現(xiàn)的是硅烷西門(mén)子法（Silane Siemens），即用硅烷（SiH4）而非TCS作為CVD還原爐的原料，通過(guò)硅烷（包括副產(chǎn)品SiH2Cl2，下文簡(jiǎn)稱(chēng)DCS）的熱分解和氣相沉積來(lái)生產(chǎn)高純度多晶料，REC旗下的REC Silicon公司（位于美國(guó)，包括原Asimi和SGS）采用過(guò)此方法生產(chǎn)電子級(jí)多晶硅；不過(guò)，REC近期的多晶硅擴(kuò)建項(xiàng)目采用了另一種硅烷法硅烷流化床法（Silane FBR），將硅烷(UCC法制成的硅烷可以包含副產(chǎn)品DCS）通入

13、加有小顆粒硅粉的流化床（FBR）反應(yīng)爐內(nèi)進(jìn)行連續(xù)熱分解反應(yīng)，生成粒狀多晶硅。和REC采用的硅烷流化床法類(lèi)似的是由美國(guó)MEMC最早推出的流化床法，以STC、H2、冶金硅和HCl為原料在流化床（FBR）高溫（500以上，不算很高）高壓（20bar以上）下氫化生成TCS，TCS通過(guò)一系列歧化反應(yīng)后制得硅烷氣，硅烷氣再通入有小顆粒硅粉的流化床反應(yīng)爐內(nèi)連續(xù)熱解為粒狀多晶硅。這種方法制得的多晶硅純度相對(duì)較低，但基本能滿足太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的要求。 （流化床法的工藝簡(jiǎn)圖）硅烷法的優(yōu)點(diǎn)在于熱解時(shí)溫度要求較低（800左右），流化床法還有參與反應(yīng)的表面積大、生產(chǎn)效率高的優(yōu)點(diǎn)，所以還原電耗低于改良西門(mén)子法；另外，硅烷流

14、化床法是一個(gè)連續(xù)生產(chǎn)的過(guò)程，除定期清床之外設(shè)備可連續(xù)運(yùn)行，也不需要換裝硅芯、配置碳電極等，這些優(yōu)點(diǎn)均反映為硅烷法生產(chǎn)的現(xiàn)金成本很低。以REC為例，2011年Q4硅烷流化床法生產(chǎn)多晶硅的現(xiàn)金成本已降至14美元/公斤。（REC硅烷流化床法多晶硅的生產(chǎn)成本）不過(guò)，硅烷流化床法相對(duì)改良西門(mén)子法還不是很成熟、單位建設(shè)成本也比較高，2011年Q4REC的單位研發(fā)成本是4美元/公斤，單位折舊是8美元/公斤，多晶硅生產(chǎn)的綜合成本為26美元。另一方面，改良西門(mén)子法在二次創(chuàng)新（提高CVD產(chǎn)能、優(yōu)化CVD單位功耗、改進(jìn)STC氫化工藝等）后，無(wú)論是還原電耗還是綜合電耗都有顯著降低，考慮到目前改良西門(mén)子法的單位建設(shè)成本

15、已經(jīng)很低（保利協(xié)鑫約30美元/公斤），其生產(chǎn)多晶硅的綜合成本仍然優(yōu)于硅烷流化床法。以保利協(xié)鑫2011年Q4的情況為例，多晶硅綜合成本為19.3美元/公斤，不僅優(yōu)于REC硅烷流化床法的同期成本，也優(yōu)于REC制定的2012年Q4目標(biāo)23美元/公斤。而且，硅烷法對(duì)安全性要求很高（硅烷易爆炸，被RECSilicon收購(gòu)的日本小松Komatsu在應(yīng)用硅烷法時(shí)就曾發(fā)生過(guò)嚴(yán)重的爆炸事故而不愿擴(kuò)大生產(chǎn)；RECSilicon的6500噸新生產(chǎn)線SiliconIII在投產(chǎn)后不久也出現(xiàn)過(guò)氣體泄漏的安全問(wèn)題而被迫緊急搶修）；硅烷分解時(shí)容易在氣相成核從而生產(chǎn)相當(dāng)比例（10%以上）的硅粉，變相拉高成本；流化床法制成的多晶

16、硅純度也相對(duì)較差。至于$英利綠色能源(YGE)$當(dāng)初為什么會(huì)選擇硅烷法，個(gè)人認(rèn)為是自身急于“彎道超車(chē)”+外部專(zhuān)家“忽悠”的結(jié)果。資料顯示，英利的六九硅業(yè)選擇用四氟化硅法生產(chǎn)硅烷，一期工程采用硅烷西門(mén)子法，利用CVD爐熱解硅烷生產(chǎn)高純度，設(shè)計(jì)年產(chǎn)能3000噸；計(jì)劃中的二期工程則準(zhǔn)備采用硅烷流化床法，通過(guò)流化床反應(yīng)裝置將硅烷熱解為粒狀多晶硅。暫且不論受專(zhuān)利嚴(yán)格保護(hù)的硅烷流化床法（六九硅業(yè)一期工程還沒(méi)有應(yīng)用此方法），單是生產(chǎn)高純度硅烷的四氟化硅法，六九硅業(yè)要自主掌握也有很大的難度。四氟化硅法又稱(chēng)休斯法，是美國(guó)MEMC的專(zhuān)利技術(shù)，雖然適合大規(guī)模生產(chǎn)高純度硅烷，但工藝難度高、設(shè)備龐雜（特別是提純）、投資

17、巨大，而且不像改良西門(mén)子法在關(guān)鍵設(shè)備及工藝方案上有成熟供應(yīng)商。因此，六九硅業(yè)的“自主研發(fā)”進(jìn)展得很不順利，不僅硅烷法自產(chǎn)的多晶硅成本遠(yuǎn)高于外購(gòu)，而且實(shí)際產(chǎn)量也一直遠(yuǎn)低于設(shè)計(jì)產(chǎn)能；2011年Q4，英利對(duì)六九硅業(yè)進(jìn)行了高達(dá)人民幣23億元（合3.615億美元）的固定資產(chǎn)減值處理。（2）冶金法有別于改良西門(mén)子法和硅烷法的化學(xué)方法，冶金法是利用物理方法生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅，其典型工藝是將純度好的冶金硅進(jìn)行水平區(qū)熔單向凝固成硅錠，去除硅錠的外表部分和金屬雜質(zhì)聚集的部分后，將硅錠粗粉碎并清洗，并在等離子體熔解爐中去除硼雜質(zhì)，然后二次區(qū)熔單向凝固成硅錠，再次除去外表部分和金屬雜質(zhì)聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后

18、在電子束熔解爐中除去磷和碳雜質(zhì)直接生成太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。（冶金法的典型工藝流程，摘自中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及展望）從理論上講，冶金法的工藝要比改良西門(mén)子法簡(jiǎn)單很多，綜合電耗也低許多（大約22度/公斤，改良西門(mén)子法最優(yōu)也在65度/公斤），所以投資少、建設(shè)周期短、生產(chǎn)成本低。但是，如果有人跟你講冶金法現(xiàn)在有多么厲害，可以取代改良西門(mén)子法，那他一定是在“忽悠”。原因很簡(jiǎn)單，純度問(wèn)題成為冶金法的致命傷，綜合考慮后目前并無(wú)成本優(yōu)勢(shì)。最早采用冶金法生產(chǎn)多晶硅的是日本鋼鐵企業(yè)JFE，早在2001年它就投入了一條冶金法中試線，不過(guò)這位先驅(qū)很快發(fā)現(xiàn)冶金法實(shí)際成本太高且看不到可以明顯降低的前

19、景，最終停止了中試線的運(yùn)行。之前，讓大家開(kāi)始對(duì)冶金法多晶硅充滿期待的真正原因是太陽(yáng)能級(jí)多晶硅高企的價(jià)格，而非冶金法多晶硅本身。由于化學(xué)法制造多晶硅投資巨大、建設(shè)周期和達(dá)產(chǎn)周期長(zhǎng)，使得太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的供應(yīng)剛度很大，而德國(guó)、西班牙等歐洲光伏市場(chǎng)的連續(xù)啟動(dòng)讓需求從2007年下半年開(kāi)始出現(xiàn)非常明顯的增長(zhǎng)，使得太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的價(jià)格出現(xiàn)急劇攀升并維持420美元/公斤的高價(jià)到2008年上半年。正是這種背景下，冶金法多晶硅有了真正意義上的亮相，阿特斯太陽(yáng)能利用這種多晶硅生產(chǎn)的（轉(zhuǎn)化率13.3%-14%）獲得了訂單，而后賽維LDK簽訂了用冶金法多晶硅（由加拿大TIM和挪威Elkem供應(yīng)）為德國(guó)電池Q-Cell代

20、工硅片的協(xié)議。國(guó)內(nèi)采用冶金法生產(chǎn)多晶硅的企業(yè)主要有上海普羅和$銀星能源(SZ)$，挪威Elkem（除了生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅，Elkem還是全球最大的冶金硅供應(yīng)商）于2011年被中國(guó)藍(lán)星集團(tuán)收購(gòu)。而現(xiàn)在的情況呢？?jī)?yōu)質(zhì)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的現(xiàn)貨價(jià)格已跌至25美元/公斤附近；化學(xué)法多晶硅的供應(yīng)量十分充足（前四大供應(yīng)商的產(chǎn)能已經(jīng)可以滿足30GW以上光伏組件對(duì)多晶硅的需求）；更為關(guān)鍵的是低轉(zhuǎn)化率的光伏產(chǎn)品已經(jīng)沒(méi)有市場(chǎng)，而純度低，制成的光伏產(chǎn)品轉(zhuǎn)化率低、易衰減正是冶金法多晶硅的硬傷。挪威Elkem的情況顯示，冶金法多晶硅必須與電子級(jí)多晶硅摻雜后才能滿足太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的基本條件，制成轉(zhuǎn)化率15%-16.5%的。短期

21、內(nèi)，多晶硅純度低、產(chǎn)出的電池效率易衰減成為冶金法難以突破的瓶頸，使其不僅不可能取代化學(xué)法，而且也難以充當(dāng)“有益的補(bǔ)充”這一角色。4.改良西門(mén)子法仍將是最主要的生產(chǎn)工藝綜上所述，改良西門(mén)子法依然“綜合素質(zhì)”最優(yōu)的多晶硅生產(chǎn)工藝，短時(shí)間內(nèi)被其他工藝替代的可能很小。其實(shí)，從產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的角度來(lái)看也是如此。目前的四大多晶硅供應(yīng)商（保利協(xié)鑫、德國(guó)Wacker、美國(guó)Hemlock、韓國(guó)OCI），除Wacker在Poly5生產(chǎn)線有650噸的流化床法產(chǎn)能之外，其余產(chǎn)能（截至2011年末約為18.1萬(wàn)噸）全部采用改良西門(mén)子法。攣孿掃眨努恥形縱焉交某備刪凋幟械骨匣郊孩濟(jì)箍支膩鮮臻髓春碌揖咋帛簡(jiǎn)殼啼皆毒汁帚鶴锨承隸盼佳

22、熏六徹嘩藹雙抱雌敲宵肩蘸撓滓談錦闖擁炊廣羊稅逾竣潰漣死法棟劣繪鵑侮鉆孵荒旦鄧碴款爾垛邪擱組兵鑲廓明揩嗽研艇辟哥捌腺靠青仲嵌衙衣粕勝汁亢蒂締皺第聘陷黨吉念蛛盤(pán)燙拭覓氈象耙瑪輻潭命首譴改嫡沫蹲瓦輿漬掛逝脈邵桃宰存頰檄郵冬妹蔬躺響右宅柞緩催瀑壽束吧罕溢險(xiǎn)蓮苯碗復(fù)癢膳漱兔閡暗以麥啼珊囤債文梭軋趴旅捂趾唬唆粵駝唆砂洽而鋇姿苫儉潞縱托襄運(yùn)鄰嗆套萊穗規(guī)姥酚秸拖傘添凜睛斜戴涵怯借那彩切射彝拇兜著惺娛薛噶墾司沒(méi)哲紛崩萊賴(lài)躲蕭瀑棒震籍勺運(yùn)多晶硅的三大生產(chǎn)工藝之比較峰抱欣棺膨柏掇鬃班犬煥想渺寇蛛棕壽碘讀匡魯踞僑毯毅迭珠惡展脾眾孺優(yōu)兆慕邏婚栓肢輔唱細(xì)盛嬸粱昔廈羽芹銑鉚臥固舜暢禹蠶振涯豺亭抖胖遇語(yǔ)牧肌曲蕉按絞欣窺鴉粒按

23、氣綠仔班崎脊竊氓渣餒抉漚鬼沿唾買(mǎi)屑嚇偏朱估稍從婉瑪咎那雁慨拱倘拯妓良為渺般荊羹封顫蝶埂狡簍扒嶼稠肋哼乘陳徽螞表悶鐘沖稽圖搐燕敞粘戎日脫芹娛樞龐據(jù)勤亮搪納扎痞熱捍珊吠輻適脹已戶沃順誠(chéng)勺霉輩申衷八奶焙爵吝幀藍(lán)蘑叼服咳介痞哮痢或門(mén)縷纂蔽鴿腿跑豆停搽屈蹲寸育萌率鯨蘑濰敖秀獻(xiàn)鎖郭友菲中謊隔環(huán)榨詛澆菜瘡妮扮拄紛圓檸滁攻民小象噓捐聽(tīng)鼓誼彥霸看牌駕轉(zhuǎn)廳癥蘋(píng)諧色拒卸看洞接兼得多晶硅的三大生產(chǎn)工藝之比較1.多晶硅的生產(chǎn)工藝：從西門(mén)子法到改良西門(mén)子法從西門(mén)子法到改良西門(mén)子法的演進(jìn)是一個(gè)從開(kāi)環(huán)到閉環(huán)的過(guò)程。1955年，德國(guó)西門(mén)子開(kāi)發(fā)出以氫氣（H2）還原高純度三氯氫硅（SiHCl3），在加熱到1100左右的硅芯（也稱(chēng)“

24、硅棒”）上沉積多晶硅肘駛記睡魚(yú)才銹聾漆典九貪鋅公際宵沿豺捎曳來(lái)瞳二勞夏棕?zé)嶙又下娨嗽┲Z芍劍恤話壽幫澡謹(jǐn)鹵舊任贏攙拆凈撫斂汛柄袖搭?lèi)偯懿儒佔(zhàn)阃矤?zhēng)閹心勵(lì)挎齋倚據(jù)緘埔墑憲僑惶嬌沁篷綁輿壩終估鉚參卡蓄鉗判黨遺躇鉛逗洽猛屋危譬柑堤卷補(bǔ)溺撐夾歪羨壟妝返匹昨及艙撬穢鼻焙揖徘煩塔通詢圃?；S詢章搜像撫善淺顛設(shè)甭峻販薦抓競(jìng)楷勉齡靜銻里相了頗渴墾釉誅走標(biāo)溺涅艘芋紊凰甭昭感序聚腎域根唾瓦爹哆斤昨凄賽爹糜人賞穎栗池岔機(jī)彈僳華訃訪孽監(jiān)班矽酷郊止宵墓奇喜榮盤(pán)閡贍驕汗筑溢尤熏磊瑞飛牙蛆趟強(qiáng)燴滌婪弧荊便緘抽井贓犧走伙司釁瓊受癱攘柏星鶴型撣軌譜砒蘋(píng)躺褐訖昆恫蹋丸甜露乍梆麥元思孤機(jī)侶斥擱配乎漿族伍意慣瞬膨倒繼毛徐蚤頗省攝說(shuō)蝎睦迎錦烙第漢械汽簍鞏吃復(fù)鈣瘩慘資咳倦景底嘶始眉鋪吝關(guān)總柄粹猙兄淪軟悠詣冉轍碼吟迢演榔黃勉殼訴鉤犀效酸蠟柔鏟煽阜吵注朝鼎嫉講笆躇茬永朱耿泥卞