低頻電子線路學(xué)習(xí)重點(diǎn)

1、低頻電子線路學(xué)習(xí)重點(diǎn)第1頁(yè)，共12頁(yè)，2022年，5月20日，22點(diǎn)46分，星期日3、分析方法（1）圖解法（2）折線近似法 理想二極管模型 恒壓降模型 4、關(guān)于門限電壓UrUD0,二極管正向?qū)?，但只是大于門限電壓，電流才明顯增長(zhǎng)。硅管Ur0.6V，鍺管Ur0.2V，第2頁(yè)，共12頁(yè)，2022年，5月20日，22點(diǎn)46分，星期日二、晶體三極管1、工作狀態(tài)（1）放大狀態(tài)（2）截止?fàn)顟B(tài)（2）飽和狀態(tài)2、放大狀態(tài)時(shí)電流分配關(guān)系第3頁(yè)，共12頁(yè)，2022年，5月20日，22點(diǎn)46分，星期日同一個(gè)電流傳輸過程，不同的描述方式。三、場(chǎng)效應(yīng)管1、工作狀態(tài)（1）恒流狀態(tài)（2）截止?fàn)顟B(tài)（2）可變電阻狀態(tài)第4頁(yè)，

2、共12頁(yè)，2022年，5月20日，22點(diǎn)46分，星期日2、場(chǎng)效應(yīng)管類型（1）N溝道、P溝道 (2) 結(jié)型、增強(qiáng)型、耗盡型3、恒流區(qū)的伏安關(guān)系（1）增強(qiáng)型（2）耗盡型(3) 結(jié)型或 第5頁(yè)，共12頁(yè)，2022年，5月20日，22點(diǎn)46分，星期日1-5 判斷管腳、管型及材料解：已知工作在放大狀態(tài)： 根據(jù)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。由發(fā)射結(jié)確定集電極。 電極晶體管 VT1 7V 1.8V 2.5V VT2 -2.9V -3.1V -8.2V VT3 7V 1.8V 6.3V （1）VT1 是集電極，電位最高，NPN型。 發(fā)射極 ，電位最低， 基極。 發(fā)射結(jié)電壓0.7V，硅材料。 第6頁(yè)，共12頁(yè)，202

3、2年，5月20日，22點(diǎn)46分，星期日 電極晶體管 VT1 7V 1.8V 2.5V VT2 -2.9V -3.1V -8.2V VT3 7V 1.8V 6.3V（2）VT2 集電極，電位最低，PNP型發(fā)射極， 電位最高，基極 發(fā)射結(jié)電壓0.2V，鍺材料（3）VT3集電極 電位最低，PNP型發(fā)射極，電位最高，基極 發(fā)射機(jī)電壓0.7V ,硅材料第7頁(yè)，共12頁(yè)，2022年，5月20日，22點(diǎn)46分，星期日例1-1填空題在晶體管內(nèi)部眾多的載流子中，僅有發(fā)射區(qū)的到基區(qū)，成為基區(qū)的，它們?cè)诨鶇^(qū)由于_引起它們?cè)诨鶇^(qū)，直到集電結(jié)邊界，由于集電結(jié)的作用，而被集電區(qū)。這一傳輸過程產(chǎn)生了三極管的正向受控電流。結(jié)

4、型場(chǎng)效應(yīng)管得D、S極之間存在導(dǎo)電溝道，導(dǎo)電溝道的寬窄受_極電壓控制，從而控制了_極的電流。當(dāng)D極一端導(dǎo)電溝道消失，稱為_夾斷，這時(shí)_極電流只受_電壓控制，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)正向受控。第8頁(yè)，共12頁(yè)，2022年，5月20日，22點(diǎn)46分，星期日例1-2 測(cè)得某電路中場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)電極的電位如表所示，開啟電壓或夾斷電壓也如表中所示，試判斷管子的類型和工作狀態(tài)。管號(hào)UGS(th)/V或UGS(off)/VUs/VUG/VUD/V管型工作狀態(tài)結(jié)型VT1 3 13-10VT2 -3 3-110MOSVT3 -4 50-5VT4 4 -23-1.2VT5 -3 0010解：根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線，判斷是否截

5、止，根據(jù)UDS判斷導(dǎo)電溝道， UDS 0,N溝道， UDS 0,P溝道。第9頁(yè)，共12頁(yè)，2022年，5月20日，22點(diǎn)46分，星期日管號(hào)UGS(th)/V或UGS(off)/VUs/VUG/VUD/V管型工作狀態(tài)結(jié)型VT1 3 13-10VT2 -3 3-110MOSVT3 -4 50-5VT4 4 -23-1.2VT5 -3 0010IDVGSOVGS(th)IDVGSOVGS(th)IDVGSOVGS(th)IDVGSOVGS(th)VGS(off)ID/mAVGS /VOIDSS(N 溝道 JFET)ID/mAVGS /VOIDSSVGS(off) (P 溝道 JFET )第10頁(yè)，共12頁(yè)，2022年，5月20日，22點(diǎn)46分，星期日例1-3判斷結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作狀態(tài)第11頁(yè)，共12頁(yè)，2022年，5月20日，22點(diǎn)46分，星期日1-23IDUGSO-3V 沒有夾斷，不在截止區(qū)。UGD=3V，已經(jīng)預(yù)夾斷，工作在放大區(qū)