TFT液晶顯示器CVD設(shè)備操作與維護(hù)資料

1、畢業(yè)論文課題名稱(chēng)TFT 液晶顯示器CVD設(shè)備操作與維護(hù)院 / 專(zhuān) 業(yè)機(jī)械工程學(xué)院 /機(jī)電一體化班級(jí)機(jī)電 1211 班學(xué)號(hào)1101043學(xué)生姓名指導(dǎo)教師：徐 鋒2015年 5月 20日畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙摘要知識(shí)經(jīng)濟(jì)的到來(lái)代表著人類(lèi)逐步進(jìn)入信息化社會(huì)。數(shù)字技術(shù)、多媒體技術(shù)的迅速發(fā)展以及家庭與個(gè)個(gè)人電子信息系統(tǒng)的逐步推廣，人們對(duì)信息的顯示需求的要求越來(lái)越迫切、廣泛，其要求也越來(lái)越高。FPD 是市場(chǎng)中，薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD）憑著其低壓、低功耗、顯示信息量大、 易于彩色化、壽命長(zhǎng)、無(wú)輻射等優(yōu)異特性占據(jù)整個(gè)平板顯示技術(shù)的主導(dǎo)地位。液晶顯示器廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子中，橫跨1英寸到 1

2、00英寸的市場(chǎng)，裝液晶顯示器的市場(chǎng)規(guī)模巨大，已占平板顯示市場(chǎng)的90 ，因此，我國(guó)顯示器產(chǎn)業(yè)將重點(diǎn)發(fā)展TFT-LCD 領(lǐng)域。本文以 TFT液晶顯示器制造過(guò)程為出發(fā)點(diǎn)，在闡明了液晶顯示器顯示原理及構(gòu)造后，重點(diǎn)研究了 TFT液晶顯示器 （TFT-LCD）下玻璃基板非金屬膜的工藝。本研究對(duì)于我們了解整個(gè)液晶顯示器的生產(chǎn)工藝，完善工藝流程，并且進(jìn)一步提出更高效高質(zhì)的非金屬膜生產(chǎn)工藝，提供了廣泛的理論和實(shí)踐基礎(chǔ)。 本文主要研究?jī)?nèi)容如下： （1）TFT-LCD 顯示技術(shù)的發(fā)展概況，訂以及其的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)來(lái)整體認(rèn)識(shí)TFT-LCD；（ 2）非金屬膜的形成的技術(shù)原理及分類(lèi)；（ 3）非金屬膜的形成的所需要的材料；（ 4

3、）形成非金屬膜的CVD所需要的設(shè)備； （ 5）非金屬膜的形成的條件的確定； （ 6）成膜回顧及工藝的改善關(guān)鍵詞： TFT液晶顯示器（ TFT LCD）、發(fā)展概括、非金屬膜、工藝研究線畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙AbstractThe arrival of the knowledge economy represents human gradually into the informationsociety. Digital technology, multimedia technology and the rapid development of the family andgradually ex

4、tended a personal electronic information system, the information display requirementis more and more urgent, widely, the requirements are also getting higher and higher. FPD is the裝market, thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay (TFT-LCD)with its low voltage, low power,large informationdisplay,easyto

5、 color,longservice life,no outstanding characteristics ofradiation to occupy the entire flat panel display dominant technology. Liquid crystal display hasbeen widelyapplied to the computer and consumer electronics, across 1 inch to 100 inch LCDmarket, the market is huge, flatpanel displaymarket has

6、accounted for 90, therefore, Chinasdisplay industry will focus on the development of the TFT-LCD field.訂In this paper, TFT liquid crystal display manufacturing process as a starting point, in theliquid crystal display principle and structure, focusing on the study of TFT liquid crystal display(TFT-L

7、CD)glass substrate non metal film process. This research to understand the productionprocess of the liquid crystal display for us, and improve the process, and further more efficient nonmetal film production process, to provide a wide range of theoretical and practical foundation. Themain research c

8、ontents of this paper are as follows: (1) the TFT-LCD display is introduced, and線the structure characteristics of the overall understanding of TFT-LCD; (2) the technical principleand classificationof the formation of non metal film;(3) ofnon metal film forming materialneeded; (4)the formationofnon m

9、etalfilmCVD the equipmentneeded; (5) determinetheformation conditions of nonmetal film;(6) the filmreview andoutlook, requirementsandimprove the process.Key Words: TFT liquid crystal display (TFT LCD), the development of general, non metal film,process research畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙目錄第一章 緒論 .1.1.1課題來(lái)源.1.1.2 TF

10、T LCD的發(fā)展 .11.3 TFT LCD的結(jié)構(gòu)及原理 .1第二章 非金屬膜形成的技術(shù)原理及分類(lèi). .32.1非金屬膜形成的技術(shù)原理.3裝.2.2非金屬膜形成的技術(shù)分類(lèi).5.第三章設(shè)備加工非金屬膜所需的材料 . .63.1設(shè)備加工非金屬膜所需的材料 . .63.2. .9設(shè)備加工需要的特種氣體材料供應(yīng)系統(tǒng)第四章 CVD形成非金屬膜所需要的設(shè)備.11.4.1 CVD 的設(shè)備及分類(lèi) .114.2 CVD 的設(shè)備廠家 .13訂第五章 設(shè)備操作與維護(hù)方法 . .155.1設(shè)備的操作方法 .15.5.2設(shè)備維護(hù)方法 .15.5.3提高設(shè)備維護(hù)水平的措施 . .165.4設(shè)備維護(hù)的注意事項(xiàng) .1617總

11、結(jié) .致 謝18.參考文獻(xiàn) .19線附錄 .20畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙第一章 緒論1.1 課題來(lái)源根據(jù)學(xué)校要求，本人在蘇州三星電子液晶顯示科技有限公司實(shí)習(xí)，公司主要生產(chǎn)TFT-LCD液晶顯示器，我在實(shí)習(xí)期間學(xué)習(xí)是是生產(chǎn)設(shè)備的操作也維護(hù)。1.2 TFT LCD 的發(fā)展液晶最早被發(fā)現(xiàn)是在1888 年，但是直到 1971 年 TN 型 LCD 推出后， LCD 產(chǎn)業(yè)才真正進(jìn)入發(fā)展期。后來(lái)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，TFT-LCD 技術(shù)開(kāi)始逐步成型，并與20 世紀(jì) 90年裝代初期在日本開(kāi)始形成產(chǎn)業(yè)化。TFT-LCD液晶顯示器廣泛應(yīng)用于電視機(jī)、筆記本電腦、顯示器、手機(jī)顯示屏等各個(gè)方面。TFT-LCD具有功耗小

12、、厚度薄、重量輕、電壓低、適于大規(guī)模集成電路的直接驅(qū)動(dòng)、 更加容易實(shí)現(xiàn)全彩色顯示的特性，在平面顯示技術(shù)中占據(jù)了主導(dǎo)的地位。目前，TFT-LCD正在憑借其節(jié)能、 無(wú)輻射和環(huán)保等方面的優(yōu)勢(shì)加速替代傳統(tǒng)CRT顯示器，已經(jīng)成為市場(chǎng)規(guī)模最大的顯示器件。近幾年， 隨著大屏幕平板電視的迅速發(fā)展，大尺寸產(chǎn)品訂成為 TFT-LCD 產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最大增長(zhǎng)點(diǎn)。TFT 液晶的市場(chǎng)從 2003年年初開(kāi)始邁入擴(kuò)大期，TFT 液晶產(chǎn)業(yè)的發(fā)展力持續(xù)增強(qiáng)。在TFT 液晶市場(chǎng)上的各種應(yīng)用產(chǎn)品中，特別是液晶電視的需求，每一年都以100%以上的成長(zhǎng)率節(jié)節(jié)高升。亞太市場(chǎng)以37 in 電視為主，北美市場(chǎng)40in以上的電視需求旺盛，因此TF

13、T液晶面板的大型化是電視市場(chǎng)發(fā)展的必然。以第 5 代生產(chǎn)線為分水嶺， 第 6 代以上的生產(chǎn)線成為液晶電視的投資熱點(diǎn)。第6代生產(chǎn)線線主打產(chǎn)品為 32in 和 37in ，第 7 代生產(chǎn)線主打產(chǎn)品為42in 和 46in 。雖然現(xiàn)在基板擴(kuò)大的傾向持續(xù)進(jìn)行， 但在未來(lái)的 5 年內(nèi)，平板顯示產(chǎn)業(yè)會(huì)有很大的變化。大屏幕電視雖然有很大的市場(chǎng)，但這并不是平板顯示的全部。1.3 TFT LCD 的結(jié)構(gòu)及原理TFT-LCD 液晶顯示器件的基本結(jié)構(gòu)1. 偏振片 2. 玻璃基板 3.公共電極 4.取向?qū)?5.封框膠 6.液晶 7. 隔墊物8.保護(hù)層9.ITO 像素電極10.柵絕緣層 11.存貯電容底電極12.TFT

14、漏電極 13.TFT柵電極 14.有機(jī)半導(dǎo)體有源層15.TFT 源電極及引線16. 各向異性導(dǎo)電膠 (ACF) 17.TCP 18.驅(qū)動(dòng) IC 19.印刷電路板 (PCB) 20.控制 IC 21. 黑矩陣 (BM) 22.彩膜(CF).第 1頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙圖 1-1 TFT LCD 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖裝液晶成盒基板是由 TFT 基板與彩膜 (CF) 基板貼合在一起，并在中間填充液晶構(gòu)成的。訂線圖 1-2穿透式 TFT LCD側(cè)視圖: 在 TFT基板上形成 TFT陣列 ; 在彩色濾光片基板上形TFT-LCD的制造工藝有以下幾部分ITO 導(dǎo)電層 ; 用兩塊基板形成液晶盒 ; 安裝外圍電路

15、、 組裝背光源等的模塊成彩色濾光圖案及組裝。第2頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙第二章 非金屬膜形成的技術(shù)原理及分類(lèi)2.1 非金屬膜形成的技術(shù)原理2.1.1非金屬膜形成的技術(shù)化學(xué)氣相沉積技術(shù)（ CVD、 Chemical Vapor Deposition）是指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需要的其它氣體引入到反應(yīng)室里進(jìn)行反應(yīng)，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生而形成薄膜的過(guò)程。在超大規(guī)模的集成電路中很多薄膜都是采用CVD的方法來(lái)制作的。經(jīng)過(guò) CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%左右?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是利裝用熱能、 等離子放電、 熱能紫外光照射等形式的能源或上述能源形式的綜

16、合利用，使氣態(tài)物質(zhì)在灼熱的固體熱表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在該表面上沉積，形成穩(wěn)定的固態(tài)物質(zhì)膜的工業(yè)過(guò)程。2.1.2非金屬膜形成的原理CVD反應(yīng)原理：訂應(yīng)用 CVD方法原則上可以制備各種材料的薄膜，如單質(zhì)、氧化膜、 硅化物、氮化物等薄膜。根據(jù)要形成的薄膜，采用相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)及適當(dāng)?shù)耐饨鐥l件，如溫度、氣體濃度、壓力參數(shù)，即可制備各種薄膜。以下是 CVD中利用各種類(lèi)型反應(yīng)制作薄膜材料：1. 熱分解反應(yīng)許多元素的氫化物、 羥基化合物和有機(jī)金屬化合物可以以氣態(tài)存在，并且在適當(dāng)?shù)臈l件線下會(huì)在襯底表面發(fā)生熱分解反應(yīng)和薄膜的沉淀。如早期制備Si 膜的方法是在一定溫度下使硅烷分解，這一反應(yīng)為：SiH4(g) Si

17、（ s）+2H2（ g） （650）另外，在傳統(tǒng)的鎳提純技術(shù)中使用的羥基鎳熱分解生成金屬Ni 的反應(yīng)也可以被用來(lái)在低溫下制備 NI 的薄膜：Ni(CO) 4(g) Ni(s)+4CO(g) （ 180）2. 還原反應(yīng)利用 H2 還原 SiCl4 外延制備單晶硅薄膜的反應(yīng)：SiCl4（ g） +2H2（ g） Si （ s） +4HCl（ g） （ 1200）3. 氧化反應(yīng)氧化反應(yīng)主要用于咋基片表面生長(zhǎng)氧化膜，如SiO2、 Al 2O3、TiO 2、TaO5 等。使用的原理主要有鹵化物、 氯酸鹽氧化物或有機(jī)化合物等，這些化合物能與各種氧化劑進(jìn)行反應(yīng)。為了生存氧化硅薄膜，可以用硅烷或四氯化硅和氧反

18、應(yīng)，即第3頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙SiH4+O2 SiO2+2H2 （ 450 ）SiCl +O SiO +2Cl2（ 1500 ）422常壓下的化學(xué)氣相反應(yīng)沉積的優(yōu)點(diǎn)在于它對(duì)設(shè)備的要求較為簡(jiǎn)單，且相對(duì)于低壓化學(xué)氣相反應(yīng)沉積系統(tǒng)， 他的價(jià)格較為便宜。但在常壓下反應(yīng)時(shí)，氣相成核數(shù)將由于使用的稀釋惰性氣體而減少。由氯化物的水解反應(yīng)可氧化沉積Al ：Al 2Cl 6(g)+2CO 2(g)+3H 2 (g) Al 2O3(s)+6HCl(g)+3CO(g)4. 氮化反應(yīng)和碳化反應(yīng)氮化硅和氮化硼是化學(xué)氣相沉積制備氮化物的兩個(gè)重要例子:裝3SiH4(g)+4NH 3(g) SiN4(s)+12H

19、 2(g) （ 1400）下列反應(yīng)可獲得高沉積率：3SiH2Cl 2(g)+4NH 3(g) SiN 4(s)+6HCl(g)+6H2(g)（ 750）BCl(g)+NH (g) BN(s)+3HCl(g)（ 750）34化學(xué)氣相沉積方法得到的膜的性質(zhì)取決于氣體的種類(lèi)和沉積條件（如穩(wěn)定等）。例如，在一定的穩(wěn)定下，氮化硅更易形成非晶硅。訂在碳?xì)錃怏w存在的情況下，使用氯化還原化學(xué)氣相沉積方法可以制得TiC:TiCl 4(g)+CH 4(g) TiC(s)+4HCl(g) (1400 )CH3SiCl3 的熱分解可產(chǎn)生碳化硅涂層：CHSiCl3(g) SiC(s)+3HCl(g)35. 化合反應(yīng)由有

20、機(jī)金屬化合物可以沉積得到族化合物：線Ga(CH3) 3(g)+AsH 3(g) GaAs(s)+3CH4(g)如果系統(tǒng)有溫差，當(dāng)源材料在溫度T1 時(shí)與輸送氣體反應(yīng)形成易揮發(fā)物時(shí)就會(huì)發(fā)生化學(xué)輸送反應(yīng)。當(dāng)沿著溫度梯度輸送時(shí)，揮發(fā)材料在溫度T2(T1 T2) 時(shí)會(huì)發(fā)生可逆反應(yīng)，在反應(yīng)器的另一端出現(xiàn)源材料：6GaAs(g)+6HCl(g) As (g)+As(g)+6GaCl(g)+3H(g)422（正反應(yīng)溫度T1, 逆反應(yīng)溫度 T2）在逆反應(yīng)以后，所獲材料處于高純態(tài)。.2.2 非金屬膜形成的技術(shù)分類(lèi)2.2.1非金屬膜形成的技術(shù)分類(lèi)第 4頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙化學(xué)氣相沉積（ CVD）技術(shù)有多

21、種分類(lèi)方法，以主要特征進(jìn)行綜合分類(lèi)，可分為熱化學(xué)氣相沉積（ TCVD）、低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（ MOCVD）等，下面擬就這些方法分別加以介紹。1、熱化學(xué)氣相沉積（TCVD）熱化學(xué)氣相沉積是指采用襯底表面熱催化方式進(jìn)行的化學(xué)氣相沉積。該方法沉積溫度較高，一般在800 1200左右，這樣的高溫使沉底的選擇受到很大限制， 但它是化學(xué)氣相沉積的經(jīng)典方法。它包括相互關(guān)聯(lián)的三個(gè)部分：氣相供應(yīng)系統(tǒng)、沉積室或反應(yīng)室以及排氣系統(tǒng)。2、 PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -

22、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣裝相沉積法PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)， 在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，因而這種 CVD稱(chēng)為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD).實(shí)驗(yàn)機(jī)理： 是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體， 而訂等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。3、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 （ MOCVD）金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積是以一種或一種以上的金屬有機(jī)化合物為前驅(qū)體的沉積工藝。金屬有機(jī)化合物的采用， 使它

23、在工藝方法特征， 沉積材料性能方面有別于其他的化學(xué)氣相沉積方法。表 2-1非金屬薄膜種類(lèi)a-Si TFT陣列非金屬薄膜的種類(lèi)及其制造方法線用途薄膜種類(lèi)制造方法柵極絕緣膜SiN X等離子 CVDSiOX等離子 CVD,常壓 CVD保護(hù)膜SiN X等離子 CVD半導(dǎo)體層a-Si等離子 CVD歐姆接觸層N+a-Si等離子 CVD第5頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙第三章 設(shè)備加工非金屬膜所需的材料3.1 設(shè)備加工非金屬膜所需的材料工藝氣體：硅烷 (SiH ) 、磷烷 (PH)、 氨氣 (NH ) 、笑氣 (NO)、氮?dú)?N)、氫氣(H)4332221、硅烷是制作非晶硅和SiN ， SiO 的反應(yīng)氣體

24、?；馂?zāi)危險(xiǎn)度為大。表 3-1硅烷性質(zhì)分子量32. 118裝185.0101. 325 kPa熔點(diǎn)沸點(diǎn)111. 5101. 325 kPa液體密度711 kg .m 3185 氣體密度1. 42 kg .m 3O ， 100 kPa0.751 8.m3 (kg ） -l21.1 ， 101. 325 kPa訂比容臨界溫度 3.4蒸氣壓1.33 kPa-1631 040 kPa-60線4 150 kPa-10黏度0.0108 mPa.S101. 325 kPa， 0 爆炸界限0. 8%98%氣中燃燒產(chǎn)物為粉狀氧化硅和水。SiH4 + 2O 2 SiO 2+ 2H2O依據(jù)硅烷在化學(xué)品安全技術(shù)說(shuō)明書(shū)（

25、material safety data sheets , MSDS）的資料，硅烷的致死半濃度（LC50）為 9600ppm(4h) ，美國(guó)政府工業(yè)衛(wèi)生學(xué)家會(huì)議（Americanconference of governmenal industrial hygienists， ACGIH）明確規(guī)定在每天工作8h或一周 40h 的情況下，連續(xù)工作不影響工作人體健康的硅烷氣體臨界濃度值（thresholdlimit value,TLV）為 0.05ppm。實(shí)際上，在工作環(huán)境中允許濃度是采用5ppm的基準(zhǔn)測(cè)定的。第 6頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙?jiān)诟邼舛燃儦怏w狀況下，因其泄漏可能燃燒成大量的二氧化

26、硅(Si02 ) 粉塵，因此/ 紅外 (UV/IR)監(jiān)測(cè)器。可以推薦采用硅烷 +二氧硅 (SiH4+SiOz) 復(fù)合型的檢測(cè)器和紫外空氣中允許的硅烷濃度為0.5 ppm;一級(jí)報(bào)警濃度為0.30ppm；二級(jí)報(bào)警濃度為 0.60ppm。聽(tīng)到報(bào)警，工作人員必須迅速撤離現(xiàn)場(chǎng)。在 TFT 制造中采用的是高純度的硅烷，對(duì)一氧化碳、 二氧化碳、 甲烷和水的含量都0.1 ppm 。對(duì)氮?dú)夂脱鯕?+氬氣的含量也要小于1 ppm。要求小于表 3-2 TFT 工藝用硅烷（氣）對(duì)雜質(zhì)含量的要求TFT 工藝用硅烷（氣）對(duì)雜質(zhì)含量的要求裝N2H2COCO2CH4H2OO2+Ar雜質(zhì)含量ppm 1 50 0.1 0.1 0

27、.1 0.1 12、磷烷是制作 n+非晶硅的反應(yīng)氣體，其外觀無(wú)色，比空氣重，并有類(lèi)似臭魚(yú)的味道，氣體經(jīng)壓縮液化后運(yùn)輸。訂表 3-3 磷烷性質(zhì)分子量34.0比重1. 18-87.7l沸點(diǎn)個(gè)大氣壓線冰點(diǎn)/熔點(diǎn)-133. 0l個(gè)大氣壓氣體密度0.0886 lb .(ft) 321.1臨界溫度51.9 蒸氣壓522 lb m 221.1磷烷雖然是一種劇毒氣體，但是在TIT制作工藝中，生產(chǎn)是在安全條件下進(jìn)行的。在 TFT 制造中采用的是高純度的磷烷，其工藝載氣氫氣也是高純度的。磷烷氣體純度要求在 99.999%以上，工藝載氣氫氣的純度要求在99.99999%以上。工藝載氣氫氣對(duì)氧、一氧化碳、二氧化碳和甲

28、烷的含量都要求小于0.5ppm，對(duì)氮?dú)夂退暮恳惨∮?1 ppm，磷烷對(duì)氫氣含量的要求小于0.05 ppm 。第7 頁(yè) 共22 頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙表 3-4雜質(zhì)含量要求TFT 工藝用硅烷（氣）對(duì)雜質(zhì)含量的要求氣體（ Vol ppm ）N2O2H2COCO24CH4H2OH10.50.50.50.512PH30.05同一條件下生產(chǎn)的同一次出廠的為一批。不同批次的產(chǎn)品不要混淆。 交貨時(shí)須同時(shí)裝提交產(chǎn)品原料純度檢驗(yàn)單。氣瓶上要明確記載氣體名稱(chēng)、生產(chǎn)公司的產(chǎn)品編號(hào)、純度、填充日期等。磷烷在空氣中允許濃度為0.3 ppm ；一級(jí)報(bào)警濃度為0.25 ppm ；二級(jí)報(bào)警濃度為0.5 ppm 。聽(tīng)到

29、報(bào)警，工作人員必須迅速撤離現(xiàn)場(chǎng)。磷烷是具有自燃性的劇毒氣體，皮膚接觸液體， 會(huì)造成刺激和凍傷。 多次暴露的會(huì)訂潛在影響健康。吸入磷烷，會(huì)損害肺、心、肝、腎、中樞神經(jīng)系統(tǒng)和骨骼等。重復(fù)暴露在低濃度磷烷中，產(chǎn)生的癥狀包括支氣管炎、厭食、神經(jīng)系統(tǒng)問(wèn)題， 以及類(lèi)似于急性中毒的癥狀。因此，使用時(shí)一定要注意安全操作。3、氨氣是合成絕緣層和保護(hù)膜的反應(yīng)氣體；表 3-5 氨氣性質(zhì)分子量17.0線0.59比重沸點(diǎn) 33.4 l 個(gè)大氣壓冰點(diǎn)/ 熔點(diǎn)-77.7 l 個(gè)大氣壓氣體密度0.045 lb .(ft) 321.1水溶性0.848蒸氣壓114.4 lb m 221.1氨氣為無(wú)色氣體，但有強(qiáng)烈刺鼻的氣味，在其

30、濃度為20ppm時(shí)可以穩(wěn)定監(jiān)測(cè)。氨氣具有可燃性，會(huì)嚴(yán)重灼傷眼、皮膚及呼吸道。當(dāng)它在空氣中的濃度超過(guò)15時(shí)，會(huì)有立即造成火災(zāi)及爆炸的危險(xiǎn)。當(dāng)氨氣大規(guī)模泄漏時(shí)，工作人員需要穿全身防護(hù)服，并立即隨時(shí)意識(shí)到潛在的火災(zāi)第8頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙和爆炸危險(xiǎn)。氨氣的品質(zhì)純度要求為99.999wt% 以上。使用中需要注意不同批號(hào)的產(chǎn)品不要混合使用。4、笑氣這是合成絕緣層和保護(hù)膜的反應(yīng)氣體。笑氣常溫下為無(wú)色氣體，略帶甜味，吸入能使人狂笑，是一種氧化劑;化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，不燃燒、不爆炸、無(wú)毒性，對(duì)呼吸道無(wú)刺激;有助燃性，在室溫時(shí)穩(wěn)定，受高溫有爆炸危險(xiǎn);在 300 以上離解， 能溶于水、 乙醇、乙醚及濃硫酸

31、; 其熔點(diǎn)為 -90.81沸點(diǎn)為裝-88.49 ，蒸氣壓為506.6 kPa( 一 58 ) ，臨界溫度為 36.5 ，臨界壓力為 7 265 kPa。笑氣品質(zhì)的純度要求為99. 999以上。采購(gòu)該原料要有質(zhì)量分析。5、氫氣氫氣是與硅烷合成非晶硅的反應(yīng)氣體。單質(zhì)氫氣是由兩個(gè)原子以共價(jià)單鍵的形式結(jié)合而成的雙原子分子，其鍵長(zhǎng)為 74 pm。氫氣是已知的最輕的氣體, 無(wú)色無(wú)味，幾乎不溶于水。訂氫氣的質(zhì)量只有空氣的1/14.38，具有很大的擴(kuò)散速度和很高的導(dǎo)熱性。氫氣是一種密度最低的氣體，常溫常壓下，每立方分米氫氣重量不到0. 09 g 。常溫下氫氣并不活潑，但是能與單質(zhì)氟在暗處迅速反應(yīng)，生成具有很強(qiáng)

32、的腐蝕性的氫氟酸 (HF) 。氫氣具有可燃性， 純凈的氫氣可在空氣里安靜燃燒，若氫氣與空氣或氧氣混合點(diǎn)燃則會(huì)發(fā)生爆炸。使用氫氣之前必須接受必要的上崗技術(shù)培訓(xùn)。線高溫下，氫氣是一個(gè)非常好的還原劑。 氫分子雖然很穩(wěn)定， 但在高溫下， 在電弧中，或進(jìn)行低壓放電，或在紫外線的照射下，氫分子能發(fā)生離解作用，得到原子氫。3.2 設(shè)備加工需要的特種氣體材料供應(yīng)系統(tǒng)這里所談?wù)摰奶胤N氣體一般是指通過(guò)氣瓶輸送的工藝氣體，特種氣體系統(tǒng)是一個(gè)至關(guān)重要的工藝支持系統(tǒng)。 其目的是安全、 可靠、 持續(xù)和經(jīng)濟(jì)地為生產(chǎn)工藝提供符合質(zhì)量要求的氣體產(chǎn)品。1、主要組成包括： （1）工廠外部氣體供應(yīng)房（2）氣體分配箱（ 3）混合氣體箱

33、（ 4）工藝腔室（ 5）抽氣泵（ 6）氣體處理器（ 1）氣體供應(yīng)房：主要負(fù)責(zé)各種特氣的供用。（ 2）氣體分配箱：便于氣體分支，專(zhuān)門(mén)為工藝需要而通氣體到混合氣體箱。每個(gè)氣體箱分三支管路分別與三臺(tái)CVD的混合氣體箱連通。 （氣體箱包括：易氧化氣體箱、易燃?xì)怏w箱、磷烷氣體箱） VMB,控制特氣壓力第 9頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙CVD（ 3）混合氣體箱：充分混合反應(yīng)氣體。每個(gè)混合氣體箱分五支管路分別連通每臺(tái)設(shè)備的五個(gè)工藝腔室。Process Chamber ，是氣體反應(yīng)淀積成膜腔室。（ 4）工藝腔室：也就是指（ 5）抽氣泵：主要抽出反應(yīng)腔室里的副產(chǎn)物和未反應(yīng)的氣體。每個(gè)抽氣泵連接一個(gè)反應(yīng)腔室。

34、（ 6）氣體處理器：主要是對(duì)工藝腔室中副產(chǎn)物和未反應(yīng)的氣體進(jìn)行無(wú)害化處理。也就是除害裝置。每個(gè)氣體處理器與兩個(gè)抽氣泵連接。PECVD、DE配管連接系統(tǒng)就是通過(guò)焊接或管件、法蘭等連接起來(lái)的管道系統(tǒng)， 同時(shí)實(shí)現(xiàn)各個(gè)氣體處理器的備法蘭耦合的方式將配管、可以自動(dòng)切換到備份氣體處理器里，保證主設(shè)備份連接， 在某一個(gè)氣體處理器故障停機(jī)時(shí)，裝其排風(fēng)管線就是連接的正常工作， 提高主設(shè)備的效率。 光刻設(shè)備需要保持干燥潔凈的環(huán)境，設(shè)備與干泵從而實(shí)現(xiàn)抽風(fēng)干燥的目的。2、系統(tǒng)技術(shù)要求系統(tǒng)設(shè)計(jì)制造應(yīng)符合ISO 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。必須具備ISO9000 質(zhì)量體系和ISO1400 環(huán)境保障體符合當(dāng)?shù)叵?，其產(chǎn)品符合 CE， SEMI

35、 或者等同的安全認(rèn)證資格。安裝方法要符合法規(guī)要求，的環(huán)境、 健康、與安全條列。 系統(tǒng)所有零部件和各種儀表的計(jì)量單位應(yīng)全部采用國(guó)際單位標(biāo)訂準(zhǔn)。便于對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行檢測(cè)和驗(yàn)收。 每個(gè)設(shè)備連接段都要有一配管系統(tǒng)要設(shè)計(jì)足夠的檢測(cè)點(diǎn)，必須用連接器， 嚴(yán)禁使用直接彎轉(zhuǎn)管道個(gè)泄漏檢測(cè)點(diǎn)。 管道要進(jìn)行方向變換或者并管連接，嚴(yán)禁其他連接方式。 每段焊接的方式進(jìn)行方向變化。 管道連接方式只能是焊接和法蘭連接，PUMP的出風(fēng)口留一個(gè)法蘭接口，以方便與廠務(wù)排風(fēng)連管道長(zhǎng)度合理，以方便將來(lái)的拆洗。接。線第 10頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙第四章 CVD形成非金屬膜所需要的設(shè)備4.1 CVD 的設(shè)備及分類(lèi)CVD 設(shè)備一般分為

36、反應(yīng)器、加熱系統(tǒng)、氣體控制和排氣系統(tǒng)等四個(gè)部分，下面進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹：1. 氣相反應(yīng)室：其核心問(wèn)題是使制得的薄膜盡可能均勻。同時(shí)也必須考慮對(duì)反應(yīng)的充分供氣及生產(chǎn)物的方便排放。裝2. 加熱系統(tǒng)：加熱方式有電阻加熱、感應(yīng)加熱、紅外加熱和激光加熱等。3. 氣體控制系統(tǒng)：精確配比各種氣體，以制備優(yōu)質(zhì)薄膜。監(jiān)控元件主要有質(zhì)量流量計(jì)和針型閥。4. 排氣處理系統(tǒng)： CVD 反應(yīng)氣體大多有毒性或強(qiáng)烈的腐蝕性，通常采用冷吸收，或通過(guò)淋水水洗后，經(jīng)過(guò)中和反應(yīng)后排出。訂線圖 4-1 設(shè)備主結(jié)構(gòu)設(shè)備共有 6 個(gè) Chember、2 個(gè) Robot 。DLLS是真空大氣壓轉(zhuǎn)換 Chember，Tranfter Chemb

37、er是運(yùn)輸 Glass 到各 process Chember 的中轉(zhuǎn)倉(cāng)process Chember是進(jìn)行反映鍍膜的，共分為A、 B、C、 D、 E 五個(gè)Index 和 T/CH 中分別有一個(gè) Robot 運(yùn)輸 Glass第11頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙裝圖 4-2 反應(yīng)倉(cāng)結(jié)構(gòu)示意圖主要組成部分及功能：1、 Chamber Lid ：傳輸腔體的密封蓋。訂2、 End Effectors ：是卸載裝載玻璃的手臂。3、 Slit Valve ：是傳輸腔室與各個(gè)腔室之間的閥門(mén)。4、 Vacuum Robot ：主要為各個(gè)腔室間玻璃的傳遞。TFT-LCD的 CVD設(shè)備從第1 代生產(chǎn)線到現(xiàn)在的第8

38、 代生產(chǎn)線， 生產(chǎn)能力和技術(shù)上雖然有了很大的進(jìn)步， 但是核心技術(shù)還是非常穩(wěn)定的，核心就是化學(xué)氣相沉積成膜和成膜圖形化的基本原理。 第 6 代以上的生產(chǎn)線由于玻璃基板迅速增大，給 CVD的工藝技術(shù)提出許多新的挑線戰(zhàn)。例如降低玻璃基板的破損率、提高成膜均勻性等。在第6 代生產(chǎn)線中使用的 RF頻率為13.56 MHz，換算成波長(zhǎng)大約為22 m。過(guò)渡到第7 代生產(chǎn)線后，等離子電極對(duì)角結(jié)長(zhǎng)為2.88m。如果波長(zhǎng)和級(jí)數(shù)不改變，腔內(nèi)就容易產(chǎn)生具有半波長(zhǎng)整數(shù)倍頻率的等離子駐波，從而導(dǎo)致電極間的等離子分布不均勻、無(wú)法制備出均勻的薄膜。在第 7 代生產(chǎn)線的 CVD腔體中，將兼做等離子氣體發(fā)生裝置和RF電極的 “淋

39、浴頭” 的部分采用掛鉤方式， 使其不接融內(nèi)壁。這樣，避免了熱量通過(guò)內(nèi)壁散出，從而確保了淋浴頭及玻璃基板表面的溫度分布的一致性。韓國(guó)三星 SDI 公司 1 870 mm X 2 200 mm基板的第7 代 TFT液晶面板生產(chǎn)線采用這種腔體的 CVD裝置已經(jīng)取得成功。一般情況下，基板尺寸越大、 膜厚的均勻性就越低，比第6 代生產(chǎn)線有明顯提高。第 7.5 代生產(chǎn)線的 CVD腔體也采用了這種結(jié)構(gòu)，這種設(shè)計(jì)理念已經(jīng)成熟。由于第 7 代生產(chǎn)線的玻璃基板過(guò)于龐大，如果CVD設(shè)備不作改進(jìn)就沒(méi)有辦法進(jìn)行運(yùn)輸。第 7 代生產(chǎn)線 CVD設(shè)備中體積最大的傳輸艙采用一分為三的設(shè)計(jì)方案。在總處理能力方面。工藝艙最多可連接

40、 5 個(gè)。但如果繼續(xù)采用三氟化氮(NF3 ) 作清潔氣體，則清潔氣體的成本只降低了 30%左右，在第 7 代生產(chǎn)線中來(lái)用了氟(F2)作清潔氣體，使請(qǐng)潔氣體的成本削減了第12頁(yè)共22 頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙40%50%，進(jìn) 一步降低了工藝成本。2005 年，美國(guó)應(yīng)用材料公司旗下的日本AKT公司開(kāi)發(fā)出了面向第 8 代 ( 基板尺寸為2150 mmX 2 450 mm)TFT液晶面板生產(chǎn)線的 CVD設(shè)備“ AKT-50KPECVD”， 2006 年第一季度開(kāi)始供貨。第8 代生產(chǎn)線總處理極板能力和第7 代生產(chǎn)線一樣，為 60 枚 / 小時(shí)，但等離子均勻性提高了。設(shè)備可配備裝載單元(loadlockc

41、hamber) 和最多5 臺(tái)的處理艙?；逄幚砟芰Ψ謩e為單層成膜時(shí)60 枚 / 小時(shí)； n+非晶硅、本征非晶硅、SiN絕緣膜 3 層連續(xù)成膜時(shí) 30 枚/ 小時(shí)。一條月產(chǎn)能為3 萬(wàn)枚的液晶面板生產(chǎn)線，需要導(dǎo)入56臺(tái) CVD設(shè)備（深圳華星光電的產(chǎn)能9 萬(wàn)片 月，京東方 8 代線產(chǎn)能12 萬(wàn)片 / 月）。第 8 代生產(chǎn)線的 CVD處理艙仍舊使用在第7 代生產(chǎn)線設(shè)備中引進(jìn)的等離子發(fā)生技術(shù)。第 8 代生產(chǎn)線的設(shè)置與第七代線的設(shè)置相比， 提高了發(fā)生等離子的2 個(gè)電極的平行度， 進(jìn)一步提高了等離子密裝度的均勻性，解決了第 7 代生產(chǎn)線和第8 代生產(chǎn)線大型基板中間與四周堆相膜厚的不穩(wěn)定性。從現(xiàn)在的技術(shù)發(fā)展來(lái)

42、看，如果考慮成膜的均勻性，CVD設(shè)備可以支持3m X 3m 的基板。但是，對(duì)于第 7 代生產(chǎn)線以后的大型化， 即使解決了均勻性問(wèn)題，仍存在其他諸多問(wèn)題。比如，由于產(chǎn)品的運(yùn)輸越來(lái)越難，因此必須到進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)組裝; 隨著加工設(shè)備的體積日益龐大，CVD 設(shè)備的生產(chǎn)將會(huì)越來(lái)越困難; 泵與電源等外部設(shè)備的體積不斷增大，采購(gòu)起來(lái)將會(huì)更加困難 ; 加工艙使用的鋁材料的采購(gòu)目益困難，僅美國(guó)應(yīng)用材料 (appliedkomatsu technology ，訂AKT)公司 2004 年大約采用了3100 萬(wàn)噸鋁材料，相當(dāng)于 47架被音 747 飛機(jī)的鋁材料用量。波音公司 2003 年一共才生產(chǎn)了235 架飛機(jī)。 AK

43、T在 CVD設(shè)備的生產(chǎn)中使用了相當(dāng)于波音公司在飛機(jī)制造中使用的鋁材料用量的約20%。4.2 CVD 的設(shè)備廠家AKT（第一），ULVAC(第二），這里主要介紹的是 Unaxis公司的 5 代線 CVD設(shè)備的性能和線技術(shù)。KAI 1200 系統(tǒng)是 Unaxis第 5 代生產(chǎn)線的主流 PECVD設(shè)備。寬為 7.8m， 長(zhǎng)為 10.8 m，高為 3.2 m ，重量達(dá) 53 噸 (t)。KAI 1200 技術(shù)條件如下所述。1. 環(huán)境條件環(huán)境溫度為 +l8+25 ，空氣濕度為4060 相對(duì)濕度，基板裝載室凈化度為100 級(jí)。2. 電學(xué)數(shù)據(jù)額定功率是實(shí)際應(yīng)用數(shù)據(jù)，表中的標(biāo)定功率是理論數(shù)據(jù)，實(shí)際上不可能達(dá)到

44、，功率設(shè)計(jì)上留出相當(dāng)大的余地。 UPS電源只用于安全關(guān)機(jī)的目的，不能用于維持生產(chǎn)的目的。3. 冷卻水系統(tǒng)工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱量， 為了維持系統(tǒng)正常的穩(wěn)定運(yùn)行，冷卻水的溫度和流量是重要參數(shù)。4. 壓縮空氣壓縮空氣的用量 ，140 L ? min -1，壓力在 56 kg . cm-2第13頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙(PM1 和 PM2) ，一個(gè)傳送 (TC) 腔，一個(gè)裝載 (LL in)Unaxis PECVD設(shè)備整機(jī)由兩個(gè)工藝室腔組成。 TC 腔內(nèi)有一個(gè)真空機(jī)械手，設(shè)備外有兩個(gè)大氣機(jī)械手。腔，一個(gè)卸載 (LL out)10 片基板， LL in 腔室和 LL out 腔室都可以放 20

45、片基板。此外，每個(gè)成膜腔室可以放雖然 Unaxis設(shè)備有許多優(yōu)點(diǎn)，該設(shè)備配有配電箱， 供氣箱， 排氣系統(tǒng)， 水循環(huán)系統(tǒng)等部件。但是 Unaxis 設(shè)備常常會(huì)出一些小問(wèn)題。比如基板放歪、電源供電異常、傳感器對(duì)位不準(zhǔn)等不像 AKT公司的設(shè)備那樣可以把上蓋打開(kāi)，清掃的時(shí)候會(huì)等。由于每個(gè)反應(yīng)室都是封閉的，不能像 AKT設(shè)備那樣打開(kāi)反應(yīng)室觀察， 很多時(shí)候很可能要靠有些困難。 而且一旦出現(xiàn)問(wèn)題，猜測(cè)，不是很方便。另外，反應(yīng)室內(nèi)空間過(guò)于狹小，高度不夠，很容易在送玻璃的時(shí)候把玻但在第 5 代以上的生產(chǎn)線上就會(huì)比較嚴(yán)重。同時(shí)璃碰碎， 這在生產(chǎn)線上基板小時(shí)還不明顯，裝清理起來(lái)也不太方便。比較而言，Unaxis成膜

46、的由于這種設(shè)備的結(jié)構(gòu)，一旦碰碎了玻璃，同時(shí)成膜時(shí)間長(zhǎng)、成膜速度慢、可以較好地控均勻度較好，原因可能是等離子體分布較好，AKT，也制均勻度。但是 Unaxis 一次成膜 20 片，不像 AKT一次控制一片，在靈活性上不如AKT設(shè)備腔室易于打開(kāi)，不能同時(shí)滿(mǎn)足每個(gè)腔室的最佳條件，給成膜帶來(lái)了一些負(fù)面影響。容易判斷工藝問(wèn)題； Unaxis 設(shè)備腔室很難打開(kāi)，給判斷設(shè)備帶來(lái)的工藝問(wèn)題增加了一些困難。訂線第14頁(yè)共22 頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙第五章 設(shè)備操作與維護(hù)方法5.1 設(shè)備的操作方法對(duì)于我們的設(shè)備，因?yàn)轶w積是特別大的，而且設(shè)備外部都有金屬外殼包圍，所以我們沒(méi)有辦法進(jìn)行手動(dòng)直接操作，廠商提供的操作方

47、法就是外部電腦軟件遠(yuǎn)程操控。我們每一臺(tái)設(shè)備都配有3 臺(tái)顯示器、 2 臺(tái)主機(jī)箱。分別分為Main 顯示器、 CIM 顯示器、和一個(gè)內(nèi)部監(jiān)控顯示器。其中CIM顯示器與監(jiān)控顯示器公用一個(gè)主機(jī)箱。裝Main 顯示器上主要是顯示設(shè)備工作被指定的工作步驟及顯示正在工作的步驟，CIM顯示器上有的是設(shè)備的啟動(dòng)軟件，如果設(shè)備出現(xiàn)故障， 我們一般就要先關(guān)掉報(bào)警，然后關(guān)掉軟件再?gòu)男聠?dòng)軟件，如果不行就重啟電腦。如果有硬件問(wèn)題，就要第一時(shí)間關(guān)掉設(shè)備，取來(lái)備用零件， 安全快速的換上， 不可浪費(fèi)時(shí)間影響量產(chǎn)。 監(jiān)控顯示器是因?yàn)槲覀兠颗_(tái)設(shè)備內(nèi)部都有監(jiān)控?cái)z像頭，可以清楚的看到設(shè)備內(nèi)部的情況，也避免人員常常出入對(duì)產(chǎn)品造成不良。

48、5.2 設(shè)備的維護(hù)方法訂維護(hù)設(shè)備一般包括日常維護(hù)， 定期維護(hù)， 定期檢查的內(nèi)容， 設(shè)備潤(rùn)滑和冷卻系統(tǒng)維護(hù)又是設(shè)備維護(hù)的一個(gè)重要組成部分。該設(shè)備進(jìn)行日常維護(hù)工作設(shè)備維護(hù)的基礎(chǔ)必須標(biāo)準(zhǔn)化。固定的配方和材料消耗定額的設(shè)備定期維護(hù)， 根據(jù)一個(gè)固定的評(píng)估。 設(shè)備定期檢查是一個(gè)計(jì)劃的預(yù)防性檢查，所以絕對(duì)不能被忽視的。線設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)程序應(yīng)制定設(shè)備維護(hù)計(jì)劃是日常維護(hù)的要求，我們必須堅(jiān)持設(shè)備維修計(jì)劃的實(shí)施可以延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。其主要內(nèi)容包括：（ 1）設(shè)備要整齊，清潔，安全的工作內(nèi)容，工作實(shí)踐，為保持標(biāo)準(zhǔn)；（ 2）常規(guī)檢查，維修和定期檢查的部位，方法和標(biāo)準(zhǔn)；區(qū)域設(shè)備維修技術(shù)員承擔(dān)一定的生產(chǎn)設(shè)備維護(hù)區(qū)域內(nèi)，同工人

49、和生產(chǎn)作業(yè)做日常維護(hù)，檢查， 定期維護(hù)，修理和檢修計(jì)劃的工作，并在設(shè)備的完好，該地區(qū)的停機(jī)時(shí)間對(duì)管完成評(píng)估指標(biāo)負(fù)責(zé)，等。（ 1）區(qū)域負(fù)責(zé)維護(hù)和修理設(shè)備，確保完成設(shè)備的可用性，停機(jī)和其他指標(biāo)；（ 2）認(rèn)真執(zhí)行設(shè)備定期檢查和區(qū)域檢查并做好日常維護(hù)和定期維護(hù)工作；區(qū)域優(yōu)勢(shì)的維護(hù)： 緊急搶修完成時(shí)有高度的靈活性，使設(shè)備停止縮短維修時(shí)間， 值班員沒(méi)有電話， 你可以完成所有的作業(yè)和參與預(yù)防計(jì)劃維修。設(shè)備維護(hù)區(qū)域應(yīng)考慮生產(chǎn)設(shè)備，配電設(shè)備狀況， 技術(shù)復(fù)雜程度， 生產(chǎn)的需要和技術(shù)水平的技術(shù)人員和其他因素。基于以上因素第 15頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙可分為幾個(gè)區(qū)域的車(chē)間設(shè)備， 你也可以維護(hù)按設(shè)備類(lèi)型分區(qū)。

50、區(qū)域發(fā)展的精密檢驗(yàn)程序，定期檢查和維修，以使這些努力不影響計(jì)劃?rùn)z查生產(chǎn)設(shè)備的工廠安排非工作日。5.3 項(xiàng)措施提高設(shè)備維護(hù)水平為了提高設(shè)備維護(hù)水平，技術(shù)員作應(yīng)做到：規(guī)范化、制度化。工藝技術(shù)是基于一個(gè)維修過(guò)程規(guī)范設(shè)備不同的配方，根據(jù)維修規(guī)則。標(biāo)準(zhǔn)化是用統(tǒng)一的內(nèi)容的維護(hù)，這部分應(yīng)該考慮到你想調(diào)整什么部件，檢查設(shè)備應(yīng)考慮到統(tǒng)一的客觀規(guī)律，根據(jù)各企業(yè)的情況而定。根據(jù)制度化的工作條件是不同的設(shè)備需要不同的檢修周期，并嚴(yán)格執(zhí)行。裝5.4 設(shè)備維護(hù)注意事項(xiàng)為了保證設(shè)備的正常運(yùn)行以確保良好的技術(shù)狀態(tài)，減少故障率， 我們必須注意維護(hù)中要注意的問(wèn)題，特別是對(duì)下列規(guī)定：檢查電源和電源控制開(kāi)關(guān)之前，確認(rèn)每一個(gè)控制機(jī)構(gòu)，

51、傳動(dòng)部件，停止， 限位開(kāi)關(guān)的位置是正常的。確認(rèn)一切正常后開(kāi)始試驗(yàn)。在啟動(dòng)和調(diào)試， 檢查工作的所有部分，是否有異常訂現(xiàn)象和聲音。 嚴(yán)格按照設(shè)備使用規(guī)則不能非法操作。確?；顒?dòng)導(dǎo)軌面和表面的鐵路樞紐無(wú)屑，灰塵，劃痕，擦傷等現(xiàn)象。應(yīng)經(jīng)常觀察各部件運(yùn)轉(zhuǎn)，儀表指示準(zhǔn)確，靈敏，如有異常聲音是正常的，應(yīng)立即停車(chē)檢查，直到找出故障原因?yàn)橹?。設(shè)備操作人員應(yīng)集中精力，且不可以開(kāi)了機(jī)器人卻離開(kāi)連崗位。 設(shè)備故障， 不能排除的應(yīng)立即聯(lián)絡(luò)設(shè)備工程師；故障排除時(shí)，不要離開(kāi)自己的工作地點(diǎn)，應(yīng)與機(jī)械工程師一起工作，故障排除。 一天的工作結(jié)束后，無(wú)論處理是否已完成，我們必須仔細(xì)認(rèn)真的檢查設(shè)備，保證沒(méi)有失誤。線第16頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)

52、設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙總結(jié)2014 年 2 月至今的幾個(gè)個(gè)月期間，我在蘇州三星電子液晶顯示科技有限公司技術(shù)員崗位實(shí)習(xí)。主要實(shí)習(xí)任務(wù)就是設(shè)備操作與維護(hù)。這是我第一次正式與社會(huì)接軌踏上工作崗位，開(kāi)始了和以前完全不一樣的生活。每天在規(guī)定的時(shí)間上下班， 上班期間我要認(rèn)真準(zhǔn)時(shí)完成自己的工作任務(wù)，絕對(duì)不可以敷衍了事。我的肩上有了責(zé)任， 凡事得小心謹(jǐn)慎， 否則隨時(shí)可能因?yàn)橐粋€(gè)小小的失誤承擔(dān)嚴(yán)重的后果并裝且付出巨大的代價(jià)，再也不是一句對(duì)不起或是一紙保證書(shū)所能解決的了。從學(xué)校到社會(huì)的轉(zhuǎn)變， 身邊的人已經(jīng)完全轉(zhuǎn)化率角色，老師變成領(lǐng)導(dǎo)， 同學(xué)變成同事，相處的方法也完全不同。在這巨大的轉(zhuǎn)變中，我彷徨，迷茫，我沒(méi)有辦法很快

53、的適應(yīng)新的環(huán)境。 很多時(shí)候感覺(jué)自己沒(méi)有受到領(lǐng)導(dǎo)重用，自己干的只是一些無(wú)關(guān)重要的雜活，自己的工作不能得到領(lǐng)導(dǎo)的認(rèn)可。 做不出成績(jī)時(shí)， 會(huì)有來(lái)自各方面的壓力，領(lǐng)導(dǎo)的眼色和同事的嘲諷。而在學(xué)校，我們有同學(xué)和老師的幫助和支持，每日要做到事就是上上課，特別的輕松。訂但是現(xiàn)在我已經(jīng)是一個(gè)走進(jìn)社會(huì)的人了，我要努力快速的成長(zhǎng)， 要盡快的很好的適應(yīng)這社會(huì)。從小到大， 我都是靠著爸爸媽媽的收入生活，自從工作了以后讓我體會(huì)到父母掙錢(qián)是多么不容易， 我開(kāi)始刻意的培養(yǎng)自己的理財(cái)能力，雖然工資不是很高， 但是我要求自己要合理的安排好自己手中這來(lái)之不易的錢(qián)。線第17頁(yè)共22頁(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告紙致謝到現(xiàn)在為止論文已經(jīng)接近尾聲，在這里我要尤其感謝我的指