SJ 21262-2018 MEMS 慣性器件芯片在片測試技術(shù)要求

1、e 1華人民共和國電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)FL 6117SJ 21262-2018MEMS慣性器件芯片在片測試技術(shù)要求Technical requirements for MEMS inertial device chip measurement on wafer2018-05-01 實(shí)施2018-01 -18 2018-05-01 實(shí)施國家國防科技工業(yè)局發(fā)布SJ 21262-2018SJ 21262-2018SJ 21262-2018SJ 21262-2018本標(biāo)準(zhǔn)由中國電子科技集團(tuán)公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由工業(yè)和信息化部電子第四研究院歸口。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所。SJ 21262-

2、2018SJ 21262-2018 b)方法二：幅頻特性法。利用動態(tài)信號分析儀或掃頻儀，對芯片驅(qū)動端施加掃頻信號，采集芯片 輸出信號，得到輸出信號的幅頻特性曲線，如圖6所示，記錄幅頻特性曲線最高點(diǎn)為對應(yīng)的諧 振頻率么幅值下降3 dB時的兩個頻率點(diǎn)利A，按照公式(4)計(jì)算幅頻特性曲線的通頻帶寬。 =A f(4)式中：通頻帶寬，單位為赫茲(Hz);A 幅值下降3dB時，對應(yīng)的幅頻特性曲線的高端頻率，單位為赫茲(Hz)；fi 幅值下降3dB時，對應(yīng)的幅頻特性曲線的低端頻率，單位為赫茲(Hz)。 按照公式(5)計(jì)算被測芯片品質(zhì)因數(shù)。式中：品質(zhì)To諧亨備免夢濃(Hz)； Bw 均赫茲(Hz) o幅頻特性

3、法在高誤差。5.6. 5.4測試儀器設(shè)置I幅頻特性法在高誤差。5.6. 5.4測試儀器設(shè)置I應(yīng)根據(jù)待測芯片測試要求進(jìn) 掃頻點(diǎn)數(shù)，掃頻信號電壓。測試儀器的激勵電壓、掃頻范圍，5. 6. 5. 5測試要求同要求。5. 7檢驗(yàn)要求5. 7.1測試結(jié)束后，將測試結(jié)果與產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求進(jìn)行對比，不符合設(shè)計(jì)要求的芯片為不合格芯片，對 不合格芯片進(jìn)行標(biāo)識。5. 7.2對晶圓進(jìn)行外觀檢驗(yàn)，外觀應(yīng)滿足5.2.2要求，對外觀不合格的芯片進(jìn)行標(biāo)識。cooCN-scqlCMPS中華人民共和國cooCN-scqlCMPS電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)MEMS慣性器件芯片在片測試技術(shù)要求SJ 21262-2018中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 編制中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 發(fā)行電話：(010) 64102612 傳真：(010) 64102617地址：北京市安定門東大街1號郵編：100007網(wǎng)址：www. cesi. cn開本：880X1230 1/16印張：1 字?jǐn)?shù)：24千字2018年5月第一版201