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1、第1章電磁場(chǎng)與電磁波的基本原理電磁場(chǎng)的基本方程一、電磁場(chǎng)中的基本場(chǎng)矢量電磁場(chǎng)中的基本場(chǎng)矢量有四個(gè):電場(chǎng)強(qiáng)度E,電位移矢量D,磁感應(yīng)強(qiáng)度B和磁場(chǎng)強(qiáng)度H。電場(chǎng)強(qiáng)度EF場(chǎng)中某點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度E定義為單位正電荷在該點(diǎn)所受的力,即: E =- TOC o 1-5 h z 電場(chǎng)強(qiáng)度E的單位為伏/米(V/m)0q電位移矢量D如果電解質(zhì)中存在電場(chǎng),則電介質(zhì)中分子將被極化,極化的程度用極化強(qiáng)度P來(lái)表示。此時(shí)電介質(zhì)中的電場(chǎng)必須用電位移矢量D來(lái)描寫(xiě)。它定義為: D =8 E + P在SI單位制中,D的單位為庫(kù)侖/米2(C/m2)o對(duì)于線性媒質(zhì)中某點(diǎn)的電極化強(qiáng)度P正比于該點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度E。在各向同性媒質(zhì)中某點(diǎn)的P和E方向相
2、同,即:P = x e E故 D = 8 E + x 8 E = 8 (1 +x)E = 8 8 E =8E,式中 = (1+X e)稱為介質(zhì)的介電常e- r數(shù),而 r=1+x e稱為介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)。磁感應(yīng)強(qiáng)度B磁感應(yīng)強(qiáng)度B是描寫(xiě)磁場(chǎng)性質(zhì)的基本物理量。它表示運(yùn)動(dòng)電荷在磁場(chǎng)中某點(diǎn)受洛侖茲力的大小。磁感應(yīng)強(qiáng)度B定義為:F = qv x B磁場(chǎng)強(qiáng)度H如果磁介質(zhì)中有磁場(chǎng),則磁介質(zhì)被磁化。描寫(xiě)磁介質(zhì)磁化的程度用磁化強(qiáng)度M來(lái)表示。此時(shí)磁介質(zhì)中的磁場(chǎng)必須引入磁場(chǎng)強(qiáng)度H來(lái)描寫(xiě),它定義為:H =旦-MM和H的單位為安培/米(A/m)o在各向同性媒質(zhì)中M和H方向相同。即有:M = x H故B印(H+M)小(1
3、+X m)H印p rH印H。式中X m稱為媒質(zhì)的磁極化率,它是一個(gè) 沒(méi)有量綱的純數(shù)。M印(1+X m)稱為媒質(zhì)的磁導(dǎo)率。p r=1+x m稱為相對(duì)磁導(dǎo)率。二、全電流定律d d H Hdl = i = i = i + d c dtH Hdl = j*SH Hdl = j*S(J + J d)DdS=jdDdt)DdS式中Jc和Jd分別為傳導(dǎo)電流密度和位移電流密度,ic和id分別為傳導(dǎo)電流和位移電流。三、電磁感應(yīng)定律感應(yīng)電場(chǎng)沿著任意的封閉曲線的積分應(yīng)等于感應(yīng)電勢(shì),用數(shù)學(xué)式子表示即為:e = D E DdL = - mldt由此得出一個(gè)結(jié)論:隨時(shí)間變化的磁場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng),而且磁通量的時(shí)間變化率愈大,則
4、感 應(yīng)電動(dòng)勢(shì)愈大、電場(chǎng)愈強(qiáng);反之則愈弱。同時(shí),穿過(guò)一個(gè)曲面S的磁通量為:=j BDdSSD E UdL = - B UdSldt S四、高斯定律在普通物理中討論了靜電場(chǎng)的高斯定律,即:D仍=q = J pdV式中V是封閉曲面S所包圍的體積,q為封閉曲面S所包圍的自由電蓿電量的代數(shù)和, P為S曲面所包圍的自由電荷的體密度。五、磁通連續(xù)性原理b nds = 0S它表示磁感應(yīng)線永遠(yuǎn)是閉合的。如果在磁場(chǎng)中取一個(gè)封閉面,那么進(jìn)入閉合面的磁感應(yīng)線 等于穿出閉合面的磁感應(yīng)線,這個(gè)原理可推廣到任意磁場(chǎng),即不僅適用于恒流磁場(chǎng),而且適用 于時(shí)變磁場(chǎng)。六、麥克斯韋方程組(一)麥克斯韋方程組的積分形式6 d nds
5、=p dvSv6 b nds = 0 s6 E DdL = f6dSn H OdL = f (J + 當(dāng) ndS,S c d t(二)麥克斯韋方程組的微分形式V OD = pOB = 0a bV x E =a ta dx H = J + 七、電磁場(chǎng)的邊界條件t在分界面上電磁場(chǎng)的分布規(guī)律稱為邊界條件。E = E ,此式表明,不同媒質(zhì)分界面上的電場(chǎng)強(qiáng)度的切線分量是連續(xù)的。H廣H 2,即不同媒質(zhì)分界面上,磁場(chǎng)強(qiáng)度的切線分量是連續(xù)的。H H = J ,式中Jl為理想導(dǎo)體表面的面電流的線密度,它的方向與磁場(chǎng)強(qiáng)度相 垂直,單位為A/m2電磁場(chǎng)的邊界條件可歸納如下:E 廣 Et2H = H (J = 0),
6、H H = J (J 豐 0)J1112t1112t tD = D (p = 0),D = D = p (p 尹 0)B = B n 1 n 2a 11坡印號(hào)矢量的微分方程:VO(EOH ) = -一(-口H 2 + E2)- b E2 a t 22靜電場(chǎng)f V x E = 0靜電場(chǎng)的基本方程為:|V nD = pD = & E因此,靜電場(chǎng)是無(wú)旋場(chǎng),即靜電場(chǎng)所在的空間電場(chǎng)強(qiáng)度的旋度處處為零;靜電場(chǎng)又是一個(gè)有 源場(chǎng),即電通密度矢量來(lái)自空間電荷分布單位正電荷在電場(chǎng)力的作用下移動(dòng)一個(gè)閉合回路,則電場(chǎng)力對(duì)單位正電荷所作的功為零。在靜電場(chǎng)中當(dāng)電荷在電場(chǎng)力的作用下發(fā)生位移時(shí),電場(chǎng)力對(duì)電荷所作的功僅和電荷位
7、移的 起點(diǎn)和終點(diǎn)的坐標(biāo)有關(guān),而和電荷位移的路徑無(wú)關(guān)。場(chǎng)中任意一點(diǎn)的電位是單位正電荷在電場(chǎng)力的作用下從該點(diǎn)移到參考零電位點(diǎn)電場(chǎng)力所 作的功。恒流電場(chǎng)一、恒流電場(chǎng)的基本方程恒流電場(chǎng)是指不隨時(shí)間變化的電流所產(chǎn)生的電場(chǎng) 0導(dǎo)電媒質(zhì)中電流密度與電場(chǎng)強(qiáng)度之間的關(guān)系為:J =。E,上式為歐姆定律的微分形式。 a為導(dǎo)電媒質(zhì)的電導(dǎo)率,單位為S/mo于是得到導(dǎo)電媒質(zhì)中的電場(chǎng)的基本方程為:V x E = 0 v nJ = 0J = c E恒流磁場(chǎng)1一、恒流磁場(chǎng)的基本方程恒定電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)稱為恒流磁場(chǎng),即空間電流的分布狀態(tài)是不隨時(shí)間變化的,因此恒 流磁場(chǎng)也是不隨時(shí)間變化的,描寫(xiě)磁場(chǎng)的物理量磁感應(yīng)強(qiáng)度B和磁場(chǎng)強(qiáng)度H僅是
8、空間坐標(biāo)的 函數(shù)。由麥克斯韋方程可以得到恒流磁場(chǎng)的基本方程為:V x H = J v UB = 0B = |! H由方程看出,恒流磁場(chǎng)和恒流電場(chǎng)不同,恒流磁場(chǎng)是有旋場(chǎng),即在有電流分布的空間任意 點(diǎn)磁場(chǎng)強(qiáng)度H的旋度等于該處的電流密度。恒流磁場(chǎng)又是無(wú)源場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度的散度處處為 零,即磁感應(yīng)線是無(wú)頭無(wú)尾的封閉線。三、恒流磁場(chǎng)的邊界條件磁場(chǎng)在不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件同樣可由電磁場(chǎng)邊界條件式得到:若分界面上沒(méi)有面電流分布時(shí),則有:四、電感在靜電場(chǎng)中我們定義電荷和電壓的比值為電容在恒流磁場(chǎng)中,我們定義穿過(guò)閉合回路 磁通與該回路中的電流的比值為電感。電感可分自感和互感。自感又可分內(nèi)自感和外自感。(一)自
9、感設(shè)有一閉合回路中通有電流I,穿過(guò)該閉合回路的磁通為 m,則該回路的自感為:?jiǎn)卧丫€圈的自感為:l =,=廿4 4冬二,對(duì)于多匝線圈,且假定各個(gè)線圈緊密繞在同一個(gè)位置,此時(shí)產(chǎn)生磁場(chǎng)的電流可以看成是NI(N為線圈的匝數(shù)),則穿過(guò)線圈每口 NIdl 4dl TOC o 1-5 h z 匝的磁通為:。=4 412m4 兀11 12r由于通過(guò)每一匝線圈的磁通都相同,故N匝線圈穿過(guò)的總磁通為甲=N?。因此多匝線 圈的自感為:乙又二蛀質(zhì)4 d1Td12 = N 2 L,式中L為相同尺寸單匝線圈的自感。I4 兀 11 12r多匝線圈的自感與匝數(shù)平方成正比平面電磁波所謂電磁波是指?jìng)鞑ブ臅r(shí)變電磁場(chǎng)。最簡(jiǎn)單而有最
10、基本的電磁波為正弦均勻平面電磁 波,這種電磁波的波陣面為平面,且波陣面內(nèi)各點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)均相等,是隨世界作正弦變化的。一、理想介質(zhì)中的均勻平面波所謂理想介質(zhì)是指線性、均勻、各向同性的非導(dǎo)電媒質(zhì)。d 2 HV 2 H M= 0d t2為理想介質(zhì)中電場(chǎng)和磁場(chǎng)的波動(dòng)方程。等相位面移動(dòng)的速度為電磁波的相速度。電磁波的等相位方程為:3 t-kz=常數(shù)。對(duì)t微分,即可求得電磁波的相速度為:v =% 。k M 菁相速、頻率和波長(zhǎng)的關(guān)系為:- V V人X - V V人X =rr-jkE =-加口HE叩 四HkV 8比值n稱為理想介質(zhì)中的均勻平面電磁波的波阻抗。它完全決定于媒質(zhì)特性參量。在空氣媒質(zhì)中的波阻抗為:門(mén)= 隊(duì)
11、= i2o兀0 801 E 21 E 2xo2門(mén)根據(jù)定義:S = 1E x H = 2(a E e頊) x a H ,o e jkz = a例題1一5 1頻率為3GHz的平面電磁波,在理想介質(zhì)( r=21,p r=1)中傳播。計(jì)算該平面 波的相位常數(shù)、相速度、相波長(zhǎng)和波阻抗。若Ex0=01V/m,計(jì)算磁場(chǎng)強(qiáng)度及能流密度矢量。解:相位常數(shù)k = 口8 = 2兀 f 口 口 82.1=2.1=2兀 x 3 x 109 x0.91 rad / cm3 x 1Oio3 x 1010.=2.07 x 1010 cm / s 2人. 2 h人 4hj七-1就可保證微帶線中只傳輸TEM模。橫向電場(chǎng)與橫向磁場(chǎng)
12、之比稱為波阻抗。故TE模和TM模的波阻抗分別為E E 即Z = 廠=y尤Z =烏=烏=旦E H H 3矩形波導(dǎo)(一)截止特性截止波長(zhǎng)入c和截止頻率fc分別為由圖可見(jiàn),相同的指數(shù)m和n的TE模和TM模具有相同的截止波長(zhǎng),這些模式稱為簡(jiǎn) 并模;矩形波導(dǎo)中TE10模的截止波長(zhǎng)最長(zhǎng),故稱它為最低模式,其余模式均稱為高次模。由 于TE10模的截止波長(zhǎng)最長(zhǎng)且等于2a,用它來(lái)傳輸可以保證單模傳輸。當(dāng)波導(dǎo)尺寸給定且 有a2b時(shí),則要求電磁波的工作波長(zhǎng)滿足a X 2 a 入2 b當(dāng)工作波長(zhǎng)給定時(shí),則波導(dǎo)尺寸必須滿足X a X b 22(二)相速度vp和相波長(zhǎng)入p導(dǎo)行波的相速度是指某種波型的電磁波的等相位面沿著軸
13、向傳播的速度。由等相位面方程很易求得相速度為v =-P P導(dǎo)行波的相波長(zhǎng)是指某種波型的等相位面在一個(gè)周期內(nèi)沿軸向傳播的距離又稱為波導(dǎo)波長(zhǎng)。其值為2兀2兀(二)2兀2兀(二)2 L2 =XXcc=k(r)2c(三)群速度代表能量的傳播的速度是能速vg,又稱為群速度。按群速度的定義dv =g d &P 2 =g M k 2, c |18若波導(dǎo)系統(tǒng)內(nèi)填充的媒質(zhì)為空氣,則v = v上廣 v 式中v0為光速,表明g 0 人0c群速度小于光速。場(chǎng)結(jié)構(gòu)圖是指用電力線(實(shí)線)和磁力線(虛線)的疏密分別來(lái)表示電場(chǎng)和磁場(chǎng)的強(qiáng)弱的 分布圖。矩形波導(dǎo)尺寸的設(shè)計(jì)考慮 人力保證單模傳輸?shù)臈l件為一 a人,0 b 22圓波導(dǎo)
14、波導(dǎo)截面為圓形的波導(dǎo)稱為圓波導(dǎo)。它具有損耗較小和雙極化的特性。任何一個(gè)微波系統(tǒng),都是由各種微波元件和微波傳輸線組成。傳輸線理論是一種電路理論。它的基本參量是電壓電流。為了定義任意截面沿z方向單模傳輸?shù)木鶆虿▽?dǎo)參考面上的模式電壓與模式電流一般作 如下規(guī)定:使模式電壓U(z)正比于橫向電場(chǎng)ET;模式電流I(z)正比于橫向磁場(chǎng)HT;模式電壓與模式電流的共軛乘積的實(shí)部等于平均傳輸功率,即1*P = - Re U (z) I (z)2模式電壓與模式電流之比等于模式特性阻抗。網(wǎng)絡(luò)參考面的選擇一網(wǎng)絡(luò)參考面的選擇研究微波網(wǎng)絡(luò)首先必須確定微波網(wǎng)絡(luò)的參考面。參考面的位置可 以任意選,但必須考慮以下兩點(diǎn):單模傳輸時(shí)
15、,參考面的位置盡量遠(yuǎn)離不連續(xù)性區(qū)域,這樣參 考面上的高次模場(chǎng)強(qiáng)可以忽略,只考慮主模的場(chǎng)強(qiáng);選擇參考面必須與傳輸方向相垂直,這 樣使參考面上的電壓和電流有明確的意義當(dāng)網(wǎng)絡(luò)參考面一旦選定后,所定義的微波網(wǎng)絡(luò)就是由這些參考面所包圍的區(qū)域,網(wǎng)絡(luò)的 參數(shù)也唯一被確定了。如果參考面位置改變,則網(wǎng)絡(luò)參數(shù)也隨之改變。對(duì)于單模傳輸情況來(lái)說(shuō),微波網(wǎng)絡(luò)的外接傳輸線的路數(shù)與參考面的數(shù)目相等。微波網(wǎng)絡(luò)的特性(一)網(wǎng)絡(luò)的分類微波網(wǎng)絡(luò)的種類很多,可以按各種不同的角度將網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行分類。若按網(wǎng)絡(luò)的特性進(jìn) 行分類,則可分為下列幾種。線性與非線性網(wǎng)絡(luò)若微波網(wǎng)絡(luò)參考面上的模式電壓與模式電流呈線性關(guān)系,則描寫(xiě)網(wǎng)絡(luò)特性的網(wǎng)絡(luò) 方程為線性代
16、數(shù)方程。這種微波網(wǎng)絡(luò)稱為線性網(wǎng)絡(luò)。可逆和不可逆網(wǎng)絡(luò)若網(wǎng)絡(luò)內(nèi)只含有各向同性媒質(zhì),則網(wǎng)絡(luò)參考面上的場(chǎng)量呈可逆狀態(tài),這種網(wǎng)絡(luò)稱為 可逆網(wǎng)絡(luò),反之稱為不可逆網(wǎng)絡(luò)。一般非鐵氧體的無(wú)源微波元件都可等效為可逆微波網(wǎng)絡(luò), 而鐵氧體微波元件和有源微波電路,則可等效為不可逆的微波網(wǎng)絡(luò)??赡媾c不可逆網(wǎng)絡(luò)又 可稱為互易網(wǎng)絡(luò)和非互易網(wǎng)絡(luò)。無(wú)耗和有耗網(wǎng)絡(luò)若網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部為無(wú)耗媒質(zhì),且導(dǎo)體是理想導(dǎo)體,即網(wǎng)絡(luò)的輸入功率等于網(wǎng)絡(luò)的輸功率。這種網(wǎng)絡(luò)稱為無(wú)耗網(wǎng)絡(luò),反之稱為有耗網(wǎng)絡(luò)。對(duì)稱和非對(duì)稱網(wǎng)絡(luò)如果微波元件的結(jié)構(gòu)具有對(duì)稱性,則與它相對(duì)應(yīng)的微波網(wǎng)絡(luò)稱為對(duì)稱網(wǎng)絡(luò)。之稱 為非對(duì)稱網(wǎng)絡(luò)。(二)微波網(wǎng)絡(luò)的特性根據(jù)電磁場(chǎng)能量守恒定律和能量轉(zhuǎn)換定理
17、,可以導(dǎo)出網(wǎng)絡(luò)特性與網(wǎng)絡(luò)參量之間的關(guān)系。推導(dǎo)從略,僅給出結(jié)果。對(duì)于無(wú)耗網(wǎng)絡(luò),網(wǎng)絡(luò)的全部阻抗參量與導(dǎo)納參量均為純虛數(shù),即有Zij=jXij,Yij=jBij (i,j=1,2,:,n)對(duì)于可逆網(wǎng)絡(luò),則有下列互易特性:Zij=Zji,Yij=Yji(i 勺,i,j=1,2,:,n)(3)對(duì)于對(duì)稱網(wǎng)絡(luò),則有:Zii=Zjj,Yii=Yjj(i 勺)基本電路單元的參量矩陣表4 5 表4 5 1基本電路單元的參量矩陣常用的工作特性參量有電壓傳輸系數(shù)插入衰減人、插入相移0以及輸入駐波比p。y 22 + jrj2+y 2+q222 -y9 2y|_2+v 2+22 J-電壓傳輸系數(shù)T電壓傳輸系數(shù)T定義為網(wǎng)絡(luò)
18、輸出端接匹配負(fù)載時(shí),輸出端參考面上的反射波電壓與輸-.一 、tt入端參考面上的入射波電壓之比,即T = 一rri1UU i 2 = i1可逆二端口網(wǎng)絡(luò),則有 T=S21=S12二端口網(wǎng)絡(luò)S與仄的關(guān)系,便得到T = S =-二二 L21 A + A + A + A11122122二插入衰減A插入衰減A定義為:網(wǎng)絡(luò)輸出端接匹配負(fù)載時(shí),網(wǎng)絡(luò)輸入端的入射波功率Pi和負(fù)載吸收功率PL收功率PL之比值,即A = rP UU i 2 = 0L2, P =LU HUr 22 T2, P =LU HUr 22 T |2|S |221對(duì)于可逆二端口網(wǎng)絡(luò),則有S若上式用分貝來(lái)表示,則有212 S12_ 12 一 T
19、 |21L = 10 lg A = 10 lg 一 S21-(dB)2插入相移。插入相移。定義為網(wǎng)絡(luò)輸出端接匹配負(fù)載時(shí),輸出端的反射波對(duì)輸入端的入射波 的相移四輸入駐波比P輸入駐波比P定義為網(wǎng)絡(luò)輸出端接匹配負(fù)載時(shí),輸入端的駐波比。輸入端駐波比與輸入端反射系數(shù)模的關(guān)系為p =上r1 -諧振窗:圖諧振窗的結(jié)構(gòu)示意圖和等效電路。即在橫向金屬膜片上開(kāi)有一個(gè)小窗,故稱為諧振窗。J)(b)波導(dǎo)的T形接頭:在微波系統(tǒng)中,常需要把一路的電磁能量變?yōu)槎坊蚋嗦罚瑒t就要用到波導(dǎo)的T形接 頭。連接元件:在微波技術(shù)中,把相同傳輸線連接在一起的裝置統(tǒng)稱為接頭。常用的接頭有同軸接 頭和波導(dǎo)接頭兩種。把不同類型的傳輸線連
20、接在一起的裝置稱為轉(zhuǎn)接元件,崛又稱為轉(zhuǎn) 換器或模式變換器。傳輸線終端所接元件稱為終接元件。常用的終接元件有匹配負(fù)載和短路器兩種。匹 配負(fù)載和短路器都屬于一端口的網(wǎng)絡(luò),但它們的功能絕然不同,匹配負(fù)載是將所有的電磁 能量全部吸收而無(wú)反射(p =i,r =0);而短路負(fù)載是將所有的電磁能量全部反射回去,一 點(diǎn)能量也不吸收(p =8,r =1)。短路負(fù)載又稱為短路器,它的作用是將電磁能量全部反射回去。對(duì)衰減器的要求:輸入駐波比小,頻帶寬。衰減有吸收衰減器,截止衰減器和極化衰減器三種對(duì)移相器主要要求是移相范圍要大,且符合一定的變化規(guī)律,精度要高,插入駐波比要 小,工作頻帶和功率容量必須符合要求等。移相器
21、可以分為固定移相器和可變移相器。 2兀均勻傳輸線上相距長(zhǎng)度為l的兩點(diǎn)之間的相位差為92-91 = P l = lp上式表明,改變相位的方法有兩種:一種方法是改變傳輸線的長(zhǎng)度1,任何一種可以改 變傳輸線長(zhǎng)度的機(jī)構(gòu),都可以做成可變移相器;另一種方法是改變傳輸線的相位常數(shù)P (或波導(dǎo)波長(zhǎng))。阻抗調(diào)配器常用來(lái)匹配傳輸線特性阻抗和負(fù)載(或信號(hào)源)阻抗不等的情況。耦合度C定義為輸入端口的輸入功率P1和耦合端口的輸出功率P3之比的分貝數(shù)即PC = 10 lgr( dB )P3通常采用耦合端口和隔離端口的輸出功率之比的分貝數(shù)來(lái)表示定向耦合器的定向傳輸 性能,稱為定向性D,即2一 =20 lg22一 =20 l
22、g2S 31S41PD = 10 lg r = 10 lgP4|S41(dB)上式表明,D愈大,隔離端口輸出愈小,定向性愈好。濾波器特性的表征方式濾波器是具有頻率選擇性的二端口網(wǎng)絡(luò)。濾波器的輸出的頻率選擇特性可以用傳輸 系數(shù)的頻率特性來(lái)表示濾波器特性的表征方式濾波器是具有頻率選擇性的二端口網(wǎng)絡(luò)。濾波器的輸出的頻率選擇特性可以用傳輸 系數(shù)的頻率特性來(lái)表示,簡(jiǎn)稱為傳輸特性,也可用插入衰減的頻率特性來(lái)表示,簡(jiǎn)稱為衰減 特性。低頻濾波器衰減特性來(lái)分有四種:低通、高通、帶通和帶阻濾波器。矩形諧振腔矩形諧振腔諧振波長(zhǎng)計(jì)算公式、人0()矩形諧振腔矩形諧振腔諧振波長(zhǎng)計(jì)算公式、人0()2 + (P)2人 21TE101模的諧振波長(zhǎng)為人02 al當(dāng)波導(dǎo)尺寸滿足bVaVl時(shí),則TE101模式的諧振波4 0最長(zhǎng),故它為最低振蕩模式天線設(shè)備是將高頻振蕩能量和電磁波能量作可逆轉(zhuǎn)換的設(shè)備,是一種“換能器”。天線 設(shè)備在完成能量轉(zhuǎn)換的過(guò)程中,帶有方向性,即對(duì)空間不同方向的輻射或接收效果并不一 致,有空間方向響應(yīng)的問(wèn)題其次天線設(shè)備作為一個(gè)單口元件,在輸入端面上常體現(xiàn)為一個(gè) 阻抗元件或等值阻抗元件。與相連接的饋線或電路有阻抗匹配的問(wèn)題。所謂元電輻射體是指一段載有高頻電流的短導(dǎo)線,導(dǎo)線全長(zhǎng)l入,導(dǎo)線直徑dl,線上 的
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