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文檔簡介
1、四川省成都市唐場鎮(zhèn)中學(xué)高二物理測試題含解析一、 選擇題:本題共5小題,每小題3分,共計(jì)15分每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意1. 下面說法正確的是A恒定電流能夠在周圍空間產(chǎn)生變化的磁場B穩(wěn)恒電場能夠在周圍空間產(chǎn)生穩(wěn)定的磁場C靜止電荷能夠在周圍空間產(chǎn)生穩(wěn)定的磁場D變化的電場和磁場互相激發(fā),形成由近及遠(yuǎn)傳播的電磁波參考答案:D2. (單選)如圖所示的實(shí)驗(yàn)裝置中,極板A接地,平行板電容器的極板B與一個(gè)靈敏的靜電計(jì)相接將A極板向左移動(dòng),增大電容器兩極板間的距離時(shí),電容器所帶的電量Q、電容C、兩極間的電壓U,電容器兩極板間的場強(qiáng)E的變化情況是()AQ變小,C不變,U不變,E變小BQ變小,C變小,U不變,E不變
2、CQ不變,C變小,U變大,E不變DQ不變,C變小,U變大,E變小參考答案:考點(diǎn):電容器的動(dòng)態(tài)分析版權(quán)所有專題:電容器專題分析:題中平行板電容器與靜電計(jì)相接,電容器的電量不變,改變板間距離,由C=,分析電容的變化,根據(jù)C=分析電壓U的變化,根據(jù)E=分析場強(qiáng)的變化解答:解:A、B,平行板電容器與靜電計(jì)并聯(lián),電容器所帶電量不變故A、B錯(cuò)誤 C、D,增大電容器兩極板間的距離d時(shí),由C=知,電容C變小,Q不變,根據(jù)C=知,U變大,而E=,Q、k、?、S均不變,則E不變故C正確,D錯(cuò)誤故選C點(diǎn)評:對于電容器動(dòng)態(tài)變化分析問題,要抓住不變量當(dāng)電容器保持與電源相連時(shí),電壓不變當(dāng)電容器充電后,與電源斷開后,往往電
3、量不變3. (單選)小型交流發(fā)電機(jī)中,矩形金屬線圈在勻強(qiáng)磁場中勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢與時(shí)間呈正弦函數(shù)關(guān)系,如圖所示,此線圈與一個(gè)R10的電阻構(gòu)成閉合電路,不計(jì)電路的其他電阻,下列說法正確的是A交變電流的周期為0.125s B交變電流的頻率為8HzC交變電流的有效值為A D交變電流的最大值為4A參考答案:C4. 光從介質(zhì)a射向介質(zhì)b,如果要在a、b介質(zhì)的分界面上發(fā)生全反射,那么必須滿足的條件是AC Aa是光密介質(zhì),b是光疏介質(zhì) B光在介質(zhì)a中的速度必須大于在介質(zhì)b中的速度 C光的入射角必須大于或等于臨界角 D光的入射角必須小于臨界角參考答案:AC5. (單選)四種電場的電場線如圖所示。一正電
4、荷q僅在靜電場力作用下由M點(diǎn)向N點(diǎn)做加速運(yùn)動(dòng),且加速度越來越大。則該電荷所在的電場是圖中的()參考答案:D二、 填空題:本題共8小題,每小題2分,共計(jì)16分6. 熱水器系統(tǒng)的恒溫器集成電路如圖26所示。熱敏電阻R2在溫度低時(shí)其電阻值很大,在溫度高時(shí)其電阻值就變得很小。只有當(dāng)熱水器中有水且水的溫度低時(shí),發(fā)熱器才會(huì)開啟并加熱;反之,便會(huì)關(guān)掉發(fā)熱器。如果熱水器中沒有水時(shí),電路中BC部分就處于_路(填“短”或“斷”),這個(gè)邏輯電路是_門電路 HYPERLINK l _msocom_12 U12。參考答案:斷路,與7. (4分)一靈敏電流計(jì),允許通過的最大電流(滿刻度電流)為Ig=50A,表頭電阻Rg=
5、1k,若改裝成量程為Im=10mA的電流表,應(yīng)_聯(lián)的電阻阻值為 若將此電流計(jì)改裝成量程為Um=15V的電壓表,應(yīng)再_聯(lián)一個(gè)阻值為 的電阻。參考答案: 并、5、串、2990008. 一列沿x軸正方向傳播的簡諧橫波,在t=0時(shí)刻波剛好傳播到x=6m處的質(zhì)點(diǎn)A,如圖所示,已知波的傳播速度為48m/s。則此時(shí)A質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)方向?yàn)?(填+y或-y)方向;從圖示時(shí)刻起再經(jīng)過 s,質(zhì)點(diǎn)B第一次處于波峰;從圖示時(shí)刻起質(zhì)點(diǎn)A的振動(dòng)方程為 cm參考答案:9. 一個(gè)豎直放置的半徑為R的光滑絕緣環(huán),置于水平方向的勻強(qiáng)電場中,電場強(qiáng)度大小為E。有一質(zhì)量為m,電量為正q的空心小球套在環(huán)上,并且qE=mg,如圖所示。當(dāng)小球由靜
6、止開始從環(huán)的頂端A下滑1/4圓弧到達(dá)B位置時(shí),小球?qū)Νh(huán)的壓力大小是_。在小球下滑到最低點(diǎn)C的過程中,小球的最大速度為_。參考答案:10. 通過一阻值為R=100的電阻的交變電流如圖所示,其周期為1s。電阻兩端電壓的有效值為 V。 參考答案:411. 如圖所示,用靜電計(jì)測量電容器兩板間的電勢差,不改變兩板的帶電荷量,把A板向右移,靜電計(jì)指針偏角將_;把A板豎直向下移,靜電計(jì)指針偏角將_;在A、B板間插入一塊電介質(zhì),靜電計(jì)指針偏角將_參考答案:減小增大減小12. 在真空中有兩個(gè)點(diǎn)電荷,其中電荷A的電量是電荷B電量的4倍,它們相距5cm時(shí),相互斥力為1.6N,當(dāng)它們相距20cm時(shí),相互斥力為_,電荷
7、A的電量為_,電荷B的電量為_。參考答案:13. 如圖所示,相距為L的平行金屬導(dǎo)軌ab、cd兩端各接有阻值為R的電阻R1、R2,垂直于導(dǎo)軌平面的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,今將阻值也為R的直導(dǎo)體棒以速度V勻速拉過磁場區(qū)域,設(shè)磁場區(qū)域?qū)挾葹閐,摩擦不計(jì),導(dǎo)軌電阻不計(jì),那么此過程中,外力所做的功為 ,通過R1的電量是 。參考答案: 三、 實(shí)驗(yàn)題:本題共2小題,每小題11分,共計(jì)22分14. 在測量電源的電動(dòng)勢E和內(nèi)阻r(電動(dòng)勢約2V,內(nèi)阻約0.5)的實(shí)驗(yàn)中,給出如下器材:量程為1V的電壓表,量程為0.5A的電流表(內(nèi)阻較?。?,定值電阻R0 = 1.6,滑動(dòng)變阻器R,開關(guān)S,導(dǎo)線若干。(1)四位同學(xué)設(shè)
8、計(jì)了如上四個(gè)電路,實(shí)驗(yàn)電路應(yīng)選為( )。(2)根據(jù)實(shí)驗(yàn)測量記錄數(shù)據(jù)畫出了電壓表示數(shù)U隨電流表示數(shù)I的變化關(guān)系UI圖象,如圖所示,由此可知電源電動(dòng)勢E=_、內(nèi)阻為r=_。(結(jié)果在小數(shù)點(diǎn)后保留兩位小數(shù))參考答案:1)D (2)1.70V 0.4015. (每空2分,共8分)某同學(xué)在做“用單擺測定重力加速度”的實(shí)驗(yàn). (1)測擺長時(shí)測量結(jié)果如圖10所示(單擺的另一端與刻度尺的零刻線對齊),擺長為_ _cm;然后用秒表記錄了單擺完成50次全振動(dòng)所用的時(shí)間為100s.則用單擺測重力加速度得公式為 _(用l,g,T表示);測得當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹開 m/s2(保留三位有效數(shù)字)(2)如果他測得的g值偏小,可
9、能的原因是( )A擺單擺球質(zhì)量太大B擺線上端未牢固地系于懸點(diǎn),振動(dòng)中出現(xiàn)了松動(dòng),使擺線長度增加了C用擺線的長度加上小球直徑作為擺長D記錄全振動(dòng)次數(shù)的時(shí)候多數(shù)了一次 高考資源網(wǎng)參考答案:(1)99.7599.85cm , , 9.83-9.84 m/s2 (2)B(1)由圖示可知,刻度尺的分度值為1mm,單擺擺長為99.80cm;由單擺周期公式:可知,重力加速度:;由題意可知,單擺周期:,將實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)代入,解得:;(2)由單擺周期公式可知,重力加速度;測得的g值偏小,其原因是l偏小或者T偏大,故B正確。故選B。四、計(jì)算題:本題共3小題,共計(jì)47分16. 如圖用靜電計(jì)可以測量已充電的平行板電容器兩極板之間的電勢差U,現(xiàn)使B板帶正電,則(1)增大兩極板之間的距離,靜電計(jì)指針張角變 (2)將A板稍微上移,靜電計(jì)指針張角將變(3)若將玻璃板插入兩板之間,則靜電計(jì)指針張角變(填“變大、變小或不變”)參考答案:變大 變大 變小17. 如圖所示,足夠長的光滑平行金屬導(dǎo)軌MN、PQ豎直放置,導(dǎo)軌間距為L0.40m,一個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度B0.50T的勻強(qiáng)磁場垂直穿過導(dǎo)軌平面,導(dǎo)軌的上端M與P間接有阻值為R0.30的電阻,一電阻為r0.20的金屬棒ab緊貼在導(dǎo)軌上?,F(xiàn)使金屬棒ab由靜止開始下滑,通過傳感器記錄金屬棒ab在不同時(shí)刻的位置
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