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1、 1 分,共15分)1邏輯函數(shù)的兩種標(biāo)準(zhǔn)形式分別為(Y C3半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)主要包含三個(gè)部分,分別是( )的轉(zhuǎn)換速度快。)是脈沖的整形電路。)的工藝結(jié)構(gòu),可以重復(fù)編程,使它的通用性很好,使1 將邏輯函數(shù) P=AB+AC寫成“和或非”表達(dá)式,并用“集電極開路和非門”來實(shí)現(xiàn)。圖 12 中電路均由 CMOS 門電路構(gòu)成,寫出PQ 的表達(dá)式,并畫出對(duì)應(yīng)AC 的 PQ波形。三、分析圖 3 所示電路:四、設(shè)計(jì)“一位十進(jìn)制數(shù)”的四舍五入電路(采用8421BCD15 分)五、已知電路及CP A 的波形如圖 4(a) 所示,設(shè)觸發(fā)器的初態(tài)均為“0 B 和 C 的波、六、用 T 觸發(fā)器和異或門構(gòu)成的某種電路如圖

2、 所示,在示波器上觀察到波形如圖 5(b)所示。試問該電路是如何連接的?請(qǐng)?jiān)谠瓐D上畫出正確的連接圖,并標(biāo)明 T的取值。(6 分)2 / 七、圖6 所示是 16*4 位 ROM 和同步十六進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器 74LS161 ROM 中的數(shù)據(jù)見表 1 所示。試畫出在 CP 信號(hào)連續(xù)作用下的D3、D2、D1、D0 輸出的電壓波形,并說明它們和 CP3 / 7的O90U o4 / M i0ii Qn1 ABC BQ Cn7ii0 D A A A D A A A D A A A D A A A D A A A D A A A D A A A D A A A02101210221032104210521062

3、107210)5 / 00001111000011110011001100110011F000001111132021BCF CPQ6 / ;8(d 2d 2d 2d 2)98762109876N數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(第二套)3目前我們所學(xué)的雙極型集成電路和單極型集成電路的典型電路分別是( )電路和(7 / 4施密特觸發(fā)器有(5已知Intel2114是 1K* 4 位的 RAM 集成電路芯片,它有地址線(6已知被轉(zhuǎn)換的信號(hào)的上限截止頻率為10kHz,則A/D 轉(zhuǎn)換器的采樣頻率應(yīng)高于()個(gè)穩(wěn)定狀態(tài).,多諧振蕩器有(kHz;完成2、圖 1、2 中電路由 TTL門電路構(gòu)成,圖 3 由 CMOS 門電路構(gòu)

4、成,試分別寫出 、F2、F3的表達(dá)式。 4 FF1是 D鎖存器,F(xiàn)F2是維持阻塞 D CP 和 D的輸入波形畫出 Q1和 Q2的輸出波形。設(shè)觸發(fā)器的初始狀態(tài)均為 0。 (8 分)分)五、設(shè)計(jì)一位 8421BCD碼的判奇電路,當(dāng)輸入碼含奇數(shù)個(gè)“1”時(shí),輸出為 1,否則為 0。要求使用兩種方法實(shí)現(xiàn): (20 分)AB1在 Uk 為高電平期間,由 555 定時(shí)器構(gòu)成的是什么電路,其輸出 U0的頻率 f0=?2分析由 JK 觸發(fā)器 、FF2、FF3構(gòu)成的計(jì)數(shù)器電路,要求:寫出驅(qū)動(dòng)方程和狀態(tài)方程,畫出完整的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖;3設(shè) Q3、Q2、Q1的初態(tài)為 000,Uk所加正脈沖的寬度為 ,脈沖過后 Q3、Q2

5、、Q1將保持在哪個(gè)狀態(tài)? (共 15 分)是預(yù)置控制端;D0、D1、D2、D3LDLD為高電平時(shí)電路計(jì)數(shù)。試分析電路的功能。要求:LDY ABBC ABBC2312471237;YABCDADBCDBCD / 1AB;JQ; J 213212132132;、;、 / 當(dāng) X X X Y Y Y 求Z Z Z Z 321032103 2 1 0 當(dāng) X X X Y Y Y 求Z Z Z Z 32103210321032103 2 1 0) / X Q Q 和Z12 V V ; ; 、 ; ; ; ; ; Z;當(dāng)1;);7123456789 Z / Q221Q12121212 / 1;、;、;。3) 1, ) / X X X X Y Y Y Y Z Z Z Z 32103210X X X X Y Y Y Y Z Z Z Z 32103210 / 為 當(dāng)Y Y數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ);高阻態(tài)、Y8 ;2)

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