專升本電力電子學考試答案

1、試題分類:專升本電力電子學_08024250 題型:單選分數(shù)：2.采用（），既可以減小開關(guān)損耗，又可以提高裝置的效率A.諧振零開關(guān)技術(shù)B.強寬脈沖驅(qū)動雙窄脈沖驅(qū)動D.緩沖器答案:A.高頻PWM整流能減少輸入電流諧波，顯著提高交流側(cè)（）A.功率因數(shù)B.畸變因數(shù)C.基波因數(shù)D.位移因數(shù)答案:A.在電力電子變換器的控制中，經(jīng)常采用（）技術(shù)A.脈沖相移鍵控PSKB.脈沖寬度調(diào)制PWMC.脈沖頻率調(diào)制PFMD.脈沖幅值調(diào)制PAM答案:B.在高頻開關(guān)變換器中，半導體開關(guān)器件的主要損耗是（）A.靜態(tài)損耗B.開通損耗C.關(guān)斷損耗D.開關(guān)損耗E.斷態(tài)損耗F.通態(tài)損耗答案:D.半控器件有（）A.電力場效應晶體管P

2、-MOSFET.電力三極管BJTC.絕緣門極雙極型晶體管IGBTD.電力二極管DE.晶閘管SCRF.門極可關(guān)斷晶閘管GTO答案:E6.電壓源型橋式變換器的橋臂上、下管驅(qū)動信號之間必須設置死區(qū)時間的原因是（）A.提高直流電壓利用率B.避免橋臂直通故障（Shoot Through）C.可以低壓穿越（Low VOltage Ride Through）D.開關(guān)器件存在反向恢復時間答案:B.電力電子裝置中的散熱器主要解決（）的散熱問題A.電抗器、變壓器.電容器C.電阻器D.開關(guān)管答案:D.三相全控橋式整流電路，直流側(cè)為純電阻負載，控制角a的有效移相范圍是（）A.0 120B.0 90C.0 180D.0

3、 150答案:A.晶閘管投切電容器TSC可以實現(xiàn)（）無功的（）補償，不會產(chǎn)生電流諧波A.滯后；斷續(xù)B.滯后；連續(xù)C.超前；連續(xù)D.超前；斷續(xù)答案:A10.晶閘管控制電抗器TCR可以實現(xiàn)（）無功的（）補償，同時產(chǎn)生電流諧波A.容性；斷續(xù)B.容性；連續(xù)C.感性；連續(xù)D.感性；斷續(xù)答案:B.狀態(tài)空間平均法是指在一個開關(guān)周期中，用變量的平均值替代其（）A.有效值B.估計值C.瞬時值D.積分值答案:C.單相交流電壓控制器，阻感性負載，負載阻抗角為，僅當a在（）之間連續(xù)變化，才能 夠連續(xù)調(diào)節(jié)輸出功率A.0B.不確定，與導電角有關(guān)C.nD.0n答案:C13.理想的零開關(guān)，應該是通過（），使開關(guān)器件在（）下關(guān)

4、斷，在（）下開通A.緩沖電路；零電流；零電壓B.諧振電路；零電壓；零電流C.緩沖電路；零電壓；零電流D.諧振電路；零電流；零電壓答案:D.單相全橋電壓源型逆變器的最大輸出電壓基波有效值為（）A.0.9VDB.0.45VDC.1.27VDD.VD答案:A.不控整流器采用APFC技術(shù)后，交流輸入側(cè)的功率因數(shù)可提高到接近于（）A.0.866B.0.707C.1D.0.5答案:C. BOOST型DC/DC變換器不可以（）工作A.滿載B.過載C.半載D.空載答案:D.額定電流為200A的電力二極管，允許長時間通過電流的有效值為（）A.200AB.314AC.282AD.300A答案:B.開關(guān)電源的效率（

5、）串聯(lián)調(diào)壓的線性穩(wěn)壓器A.等于B.不低于C.不確定，與占空比有關(guān)D.不高于答案:B.單相交流電壓控制器，輸出電壓的有效值（）輸入電壓有效值A.不大于B.不確定，與控制角和負載阻抗角有關(guān)C.不小于D.等于答案:A20.開關(guān)電路組合型電力電子變換電源，組合級數(shù)越多，系統(tǒng)效率（）A.越高B.不變C.不確定，與控制性能有關(guān)D.越低答案:D試題分類:專升本電力電子學_08024250題型:單選分數(shù)：21.在高頻開關(guān)變換器中，半導體開關(guān)器件的主要損耗是（）A.斷態(tài)損耗B.靜態(tài)損耗C.通態(tài)損耗D.開關(guān)損耗答案:D2.IGBT、MOSFET是（）控制型元件，BJT、GTO是（）控制型元件。A.電壓；電流B.電

6、壓；電壓C.電流；電流D.電流；電壓答案:A3.TCSC可以視為（）和（）支路的并聯(lián)組合A.固定電容器；TCRB.TSC； TCRC.固定電容器；固定電抗器D.TSC；固定電抗器答案:A.在電力電子變換器的控制中，經(jīng)常采用（）技術(shù)A.脈沖寬度調(diào)制PWMB.脈沖頻率調(diào)制PFMC.脈沖相移鍵控PSKD.脈沖幅值調(diào)制PAM答案:A.單相交流電壓控制器，阻感性負載，負載阻抗角為，僅當a在（）之間連續(xù)變化，才能夠連 續(xù)調(diào)節(jié)輸出功率A.不確定，與導電角有關(guān)B.0nC.0D.n答案:D6.理想的零開關(guān)，應該是通過（），使開關(guān)器件在（）下關(guān)斷，在（）下開通A.緩沖電路；零電壓；零電流B.緩沖電路；零電流；零電

7、壓C.諧振電路；零電壓；零電流D.諧振電路；零電流；零電壓答案:D.沖量等效原理是指慣性系統(tǒng)對波形不同但（）相等的窄脈沖激勵的響應等效A.瞬時值.積分值C.有效值D.峰峰值答案:B8.對于LC型二階LPF，幅值頻率特性的高頻段斜率是（）A.+20dB/decadeB.40dB/decadeC. 20dB/decadeD.+40dB/decade答案:B9.相控有源逆變電路有可能產(chǎn)生換相失敗故障的根本原因是（）A.電路存在換相電阻B.電路存在換相壓降C.直流側(cè)存在電源D.交流側(cè)存在電感答案:D10.三相橋式相控整流電路，直流側(cè)為純電阻負載，控制角a的有效移相范圍是（）A.0180B.0120C.

8、0150D.090答案:B11.不控整流器采用APFC技術(shù)后，交流輸入側(cè)的功率因數(shù)可提高到接近于（）A.0.5B.0.707C.0.866D.1答案:D12.BOOST型DC/DC變換器在開環(huán)運行時不可以（）工作A.滿載B.過載C.空載D.半載答案:C13.APFC技術(shù)不僅可以減少交流輸入（）諧波，還可以顯著提高交流輸入端的（）A.電壓；功率因數(shù)B.電壓；畸變因數(shù)C.電流；畸變因數(shù)D.電流；功率因數(shù)答案:D.單極倍頻SPWM的載波頻率是10kHz，調(diào)制波頻率是50Hz，輸出電壓的基波頻率是（）A.20kHzB.50HzC.10kHzD.100Hz答案:B.與過載保護相比，電力電子裝置短路保護的

9、閾值（）、響應時間（）A.低；短B.低；長C.高；短D.高；長答案:C16.半控器件有（）A.晶閘管SCRB.電力場效應晶體管P-MOSFETC.電力二極管DD.絕緣門極雙極型晶體管IGBT答案:A.散熱器主要用來解決電力電子裝置中（）的功耗發(fā)熱問題A.電抗器、變壓器B.電容器C.電阻器D.開關(guān)管答案:D.電壓源型橋式變換器的橋臂上、下管驅(qū)動信號之間必須設置死區(qū)時間的原因是（）A.避免橋臂直通故障B.開關(guān)器件存在反向恢復時間C.調(diào)控交流側(cè)電壓大小D.提高直流電壓利用率答案:A.三相全橋電壓源型逆變器的最大輸出線電壓基波有效值為（）A.0.78VDB.0.866VDC.VDD.0.612VDE.

10、1.1VD答案:A.（）直流變換器需要設置磁復位電路A.BOOSTB.單端正激C.BUCKD.單端反激答案:B.采用晶閘管和二極管構(gòu)成的半控整流電路，（）工作在有源逆變狀態(tài)A.某些條件下不可以B.條件具備時可以C.無條件可以D.完全不可以答案:D22.P-MOSFET易于（）使用，因為其導通電阻具有（）溫度系數(shù)特性A.串聯(lián)；正B.并聯(lián)；負C.并聯(lián)；正D.串聯(lián)；負答案:C.三相橋式相控整流電路，其輸出直流電壓在一個交流電源周期內(nèi)的脈波數(shù)目為（）A.12B.3C.9D.6答案:D.采用（）技術(shù)，可以真正減小而不是轉(zhuǎn)移開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率A.軟開關(guān)B.硬開關(guān)C.快開關(guān)D.慢開關(guān)答案:A.晶閘管三相

11、全控整流電路的平均直流輸出電壓（）交流輸入線電壓的峰值A.等于B.不確定，與具體控制角有關(guān)C.不小于D.不大于答案:D.在DCM模式下，BOOST型變換器的輸入電流是（）的A.交流B.斷續(xù)C.連續(xù)D.不變答案:B.高頻PWM整流能減少輸入電流諧波，顯著提高交流側(cè)（）A.功率因數(shù)B.畸變因數(shù)C.基波因數(shù)D.位移因數(shù)答案:A.單相交流電壓控制器，阻感性負載，負載阻抗角為，當a在（）時，輸出最大功率A.nB.0C.不確定，與導電角有關(guān)D.0n答案:B29.根據(jù)熱歐姆定律，不同介質(zhì)之間的溫差是耗散功率與（）的乘積A.電阻B.熱阻C.水阻D.風阻答案:B30.STATCOM直流側(cè)為電容器，可以實現(xiàn)（）無

12、功的（）補償A.容性和感性；連續(xù)B.容性；斷續(xù)C.容性和感性；斷續(xù)D.容性；連續(xù)答案:A.HVDC采用（），交流側(cè)諧波豐富，功率因數(shù)低A.全控器件B.輕型器件C.不控器件D.半控器件答案:D.緩沖電路可以改變開關(guān)軌跡，減少開關(guān)功耗，（）改善安全工作區(qū)A.未必能夠B.未必不能夠C. 一定能夠D.一定不能夠答案:C.額定電流為200A的電力二極管，允許長時間通過電流的有效值為（）A.200AB.282AC.314AD.300A答案:C.電力半導體器件的過載能力，比相同容量的接觸器、斷路器等機械式開關(guān)要（）A.強B.相當C溺D.不確定答案:C.單相全橋電壓源型逆變器的最大輸出電壓基波有效值為（）A.

13、VDB.0.9VDC.1.27VDD.0.45VD答案:B.電流源型逆變器直流側(cè)的主要元器件是（）A.蓄電池B.電阻器C.電抗器D.電容器答案:C.既可以減小開關(guān)損耗，又可以顯著提高裝置效率的技術(shù)措施是（）A.緩沖器B.軟開關(guān)C.強寬脈沖驅(qū)動口.雙窄脈沖驅(qū)動答案:B.不能衡量逆變器輸出波形的性能指標是（）A.畸變系數(shù)B.總諧波畸變率C.諧波系數(shù)D.最高次諧波答案:D.在相控整流和相控交流調(diào)壓電路中，晶閘管是依靠（）進行換流A.外加強迫關(guān)斷電路B.交流電源電壓周期性反向C.負載反電勢D.負載諧振電路答案:B.晶閘管投切電容器TSC可以實現(xiàn)（）的無功補償，不會產(chǎn)生電流諧波A.滯后、無級B.超前、無

14、級C.滯后、分級D.超前、分級答案:C試題分類:專升本電力電子學_08024250題型:多選分數(shù)：21.衡量整流器的基本性能指標有（）A.輸出電壓脈動次數(shù)B.輸出電壓脈動系數(shù)C.輸出電壓紋波系數(shù)D.輸出電壓變化區(qū)間.輸入功率因數(shù)尸.輸入電流總畸變率答案:B, C, E, F.在DCM模式下，DC/DC變換器的變壓比不僅與占空比有關(guān)，還與（）有關(guān)A.電容B.負載電壓C.電感D.負載電流E.負載電阻F.開關(guān)頻率答案:B, C, D, E, F.衡量逆變器輸出波形性能指標有（）A.諧波系數(shù)B.總諧波畸變率C.畸變系數(shù)D.特征諧波E.最高次諧波F.最低次諧波答案:A, B, C, F.提高變換器的開關(guān)

15、頻率至20kHz以上，可以（）A.減小磁性元器件尺寸B.減小控制延時C.減小音頻噪聲D.提高響應速度E.增加變換器控制難度F.減小變換器體積重量答案:A, B, C, D, F.全控型器件有（）A.門極可關(guān)斷晶閘管GTO.晶閘管SCRC.絕緣門極雙極型晶體管IGBTD.電力二極管DE.電力場效應晶體管P-MOSFETF.電力三極管BJT答案:A, C, E, F試題分類:專升本電力電子學_08024250題型:多選分數(shù)：21.在DCM模式下，DC/DC變換器的變壓比不僅與占空比有關(guān)，還與（）有關(guān)A.開關(guān)頻率B.電感C.電容D.負載電阻E.負載電流F.負載電壓答案:A, B, D, E, F2.

16、SPWM技術(shù)的主要優(yōu)勢是（）A.消除高次諧波B.提高直流電壓利用率C.消除低次諧波D.提高開關(guān)頻率E.消除指定諧波F.消除直流分量答案:C, D3.相控整流電路能夠?qū)崿F(xiàn)有源逆變的條件必須是（）A.交流側(cè)存在交流電源B.直流電源極性合適，處于放電狀態(tài)C.觸發(fā)控制角小于n/2D.直流側(cè)存在直流電源E.交流側(cè)存在電路電感F.觸發(fā)控制角大于n/2答案:A, B, D, F4.可以實現(xiàn)升壓-降壓功能的DC/DC變換器有（）A.BOOST變換器B.BUCK-BOOST 變換器C.CUK變換器D.BUCK變換器E.單端反激變換器F.單端正激變換器答案:B, C, E.在高壓、大功率應用場合，可以采用（）以提高裝置容量A.級聯(lián)型多電平技術(shù)B.多相多重多脈波技術(shù)C.開關(guān)器件直接串并聯(lián)技術(shù)D.二極管鉗位型多電平技術(shù).飛跨電容型多電平技術(shù)F.模塊化多電平技術(shù)答案:A, B, C, D, E, F.電流控制型器件有（）A.電力二極管D.電力場效應晶體管P-MOSFETC.絕緣門極雙極型晶體管IGBTD.門極可關(guān)斷晶閘管GTOE.電力三極管BJTF.晶閘管SCR答案:D, E, F.全控型器件有（）A.電力三極管BJT.電力場效應晶體管P-MOSFETC.電力二極管DD.晶閘管SCRE.絕緣門極雙極型晶體管IGBTF.門極可關(guān)斷晶閘管GTO答