簡明教程-第5章

1、半導(dǎo)體器件原理簡明教程第5章 金屬半導(dǎo)體接觸和異質(zhì)結(jié)作者：傅興華 陳軍寧等單位：貴州大學(xué)、安徽大學(xué)制作時間：2010年10月科學(xué)出版社高等教育出版中心理想金屬半導(dǎo)體接觸理想金屬-半導(dǎo)體接觸的基本假定 金屬半導(dǎo)體直接接觸，沒有任何中間介質(zhì)層； 沒有界面態(tài)。2022/10/102科學(xué)出版社高等教育出版中心理想金屬半導(dǎo)體接觸理想金屬-n硅半導(dǎo)體接觸前的能帶圖(m s)2022/10/103科學(xué)出版社高等教育出版中心理想金屬半導(dǎo)體接觸理想金屬-n硅半導(dǎo)體接觸平衡態(tài)能帶圖(m s)2022/10/104科學(xué)出版社高等教育出版中心理想金屬半導(dǎo)體接觸理想金屬-n硅半導(dǎo)體接觸正偏能帶圖(m s)2022/10

2、/105科學(xué)出版社高等教育出版中心理想金屬半導(dǎo)體接觸理想金屬-n硅半導(dǎo)體接觸反偏能帶圖(m s)2022/10/106科學(xué)出版社高等教育出版中心理想金屬半導(dǎo)體接觸理想金屬-p硅半導(dǎo)體接觸平衡態(tài)能帶圖(m s)2022/10/107科學(xué)出版社高等教育出版中心理想金屬半導(dǎo)體接觸理想金屬-p硅半導(dǎo)體接觸正偏和反偏能帶圖(m s)半導(dǎo)體表面形成空穴積累層2022/10/109科學(xué)出版社高等教育出版中心理想金屬半導(dǎo)體接觸理想金屬-p硅半導(dǎo)體接觸正偏和反偏能帶圖(m s)2022/10/1010科學(xué)出版社高等教育出版中心理想金屬半導(dǎo)體接觸理想金屬-n硅半導(dǎo)體接觸平衡態(tài)能帶圖(m s)半導(dǎo)體表面形成電子積累

3、層2022/10/1011科學(xué)出版社高等教育出版中心理想金屬半導(dǎo)體接觸理想金屬-n硅半導(dǎo)體接觸正偏和反偏能帶圖(m s)2022/10/1012科學(xué)出版社高等教育出版中心理想金屬半導(dǎo)體接觸理想金屬-半導(dǎo)體接觸小結(jié)2022/10/1013科學(xué)出版社高等教育出版中心金屬半導(dǎo)體接觸的非理想效應(yīng)鏡像電荷和鏡像電場2022/10/1014科學(xué)出版社高等教育出版中心金屬半導(dǎo)體接觸的非理想效應(yīng)肖特基勢壘降低效應(yīng)2022/10/1015科學(xué)出版社高等教育出版中心金屬半導(dǎo)體接觸的非理想效應(yīng)非理想金屬半導(dǎo)體接觸能帶圖2022/10/1016科學(xué)出版社高等教育出版中心金屬半導(dǎo)體接觸的非理想效應(yīng)界面態(tài)產(chǎn)生的原因晶格周

4、期性在半導(dǎo)體表面中斷；半導(dǎo)體表面缺陷；半導(dǎo)體表面吸附其它原子。2022/10/1017科學(xué)出版社高等教育出版中心金屬半導(dǎo)體接觸的非理想效應(yīng)界面態(tài)和釘扎效應(yīng)2022/10/1018科學(xué)出版社高等教育出版中心肖特基接觸的電流電壓關(guān)系金屬-n型半導(dǎo)體肖特基接觸能帶圖2022/10/1019科學(xué)出版社高等教育出版中心肖特基接觸的電流電壓關(guān)系電流電壓關(guān)系分析2022/10/1020科學(xué)出版社高等教育出版中心肖特基接觸的電流電壓關(guān)系電流電壓關(guān)系分析2022/10/1021科學(xué)出版社高等教育出版中心肖特基結(jié)與pn結(jié)主要特性比較都具有整流特性；肖特基結(jié)的反向電流比pn結(jié)大得多，具有明顯的非飽和特性；肖特基結(jié)是

5、多數(shù)載流子器件，而pn結(jié)是少數(shù)載流子器件；肖特基結(jié)兩側(cè)載流子的看到的勢壘是不相同的，而pn結(jié)界面兩側(cè)電子和空穴看到的勢壘是相同的。2022/10/1022科學(xué)出版社高等教育出版中心歐姆接觸的實現(xiàn)方法選擇合適的金屬，使之與半導(dǎo)體形成歐姆接觸；半導(dǎo)體表面電極接觸處重?fù)诫s。2022/10/1023科學(xué)出版社高等教育出版中心歐姆接觸的實現(xiàn)方法重?fù)诫s半導(dǎo)體表面的能帶圖2022/10/1024科學(xué)出版社高等教育出版中心異質(zhì)結(jié)能帶圖異質(zhì)結(jié)能帶圖的三種對應(yīng)關(guān)系2022/10/1025科學(xué)出版社高等教育出版中心異質(zhì)結(jié)能帶圖異質(zhì)結(jié)能帶圖的畫法第一步：計算導(dǎo)帶和價帶能量差2022/10/1026科學(xué)出版社高等教育出

6、版中心異質(zhì)結(jié)能帶圖異質(zhì)結(jié)能帶圖的畫法第二步：對齊費(fèi)米能級，預(yù)留過渡區(qū)，判斷接觸后能帶彎曲方向在一條直線上標(biāo)記EC、EV 、Eg1和Eg2。 2022/10/1027科學(xué)出版社高等教育出版中心異質(zhì)結(jié)能帶圖異質(zhì)結(jié)能帶圖的畫法第三步：將標(biāo)記有EC、EV 、Eg1和Eg2 的直線放入過渡區(qū)的適當(dāng)位置。2022/10/1028科學(xué)出版社高等教育出版中心異質(zhì)結(jié)能帶圖異質(zhì)結(jié)能帶圖的畫法第四步：用平滑曲線將半導(dǎo)體帶邊與標(biāo)記直線上相應(yīng)的帶邊點(diǎn)連接2022/10/1029科學(xué)出版社高等教育出版中心異質(zhì)結(jié)的基本特性pn異質(zhì)結(jié)的接觸電勢差2022/10/1030科學(xué)出版社高等教育出版中心異質(zhì)結(jié)的基本特性pn異質(zhì)結(jié)的電

7、場分布2022/10/1031科學(xué)出版社高等教育出版中心異質(zhì)結(jié)的基本特性pn異質(zhì)結(jié)的電勢分布2022/10/1032科學(xué)出版社高等教育出版中心異質(zhì)結(jié)的基本特性pn異質(zhì)結(jié)的耗盡區(qū)和電容2022/10/1033科學(xué)出版社高等教育出版中心異質(zhì)結(jié)的基本特性pn異質(zhì)結(jié)的注入效率2022/10/1034科學(xué)出版社高等教育出版中心同型異質(zhì)結(jié)平衡態(tài)能帶圖2022/10/1035科學(xué)出版社高等教育出版中心同型異質(zhì)結(jié)加偏壓能帶圖2022/10/1036科學(xué)出版社高等教育出版中心同型異質(zhì)結(jié)加偏壓能帶圖2022/10/1037科學(xué)出版社高等教育出版中心同型異質(zhì)結(jié)同型異質(zhì)結(jié)高電子遷移率多溝道并聯(lián)2022/10/1038

8、科學(xué)出版社高等教育出版中心應(yīng)變異質(zhì)結(jié)異質(zhì)外延12022/10/1039科學(xué)出版社高等教育出版中心應(yīng)變異質(zhì)結(jié)異質(zhì)外延22022/10/1040科學(xué)出版社高等教育出版中心應(yīng)變異質(zhì)結(jié)異質(zhì)外延32022/10/1041科學(xué)出版社高等教育出版中心應(yīng)變異質(zhì)結(jié)異質(zhì)外延42022/10/1042科學(xué)出版社高等教育出版中心應(yīng)變異質(zhì)結(jié)硅鍺應(yīng)變異質(zhì)結(jié)的禁帶寬度與鍺摩爾分?jǐn)?shù)關(guān)系曲線2022/10/1043科學(xué)出版社高等教育出版中心應(yīng)變異質(zhì)結(jié)硅鍺應(yīng)變基區(qū)雙極型晶體管結(jié)構(gòu)2022/10/1044科學(xué)出版社高等教育出版中心應(yīng)變異質(zhì)結(jié)硅鍺應(yīng)變基區(qū)雙極型晶體管雜質(zhì)分布2022/10/1045科學(xué)出版社高等教育出版中心應(yīng)變異質(zhì)結(jié)硅鍺應(yīng)變基區(qū)雙極型晶體管正向有源狀態(tài)能帶圖2022/10/1046科學(xué)出版社高等教育出版中心應(yīng)變異質(zhì)結(jié)硅鍺-硅應(yīng)變結(jié)溝道張應(yīng)力提高n-MOSFET電子遷移率2022/10/1047科學(xué)出版社高等教育出版中心應(yīng)變異質(zhì)結(jié)硅鍺-硅應(yīng)變結(jié)溝道壓應(yīng)力提高p-MOSFET空穴遷移率2022/10/1048科學(xué)出版社高等教育出版中心應(yīng)變異質(zhì)結(jié)壓應(yīng)力提高p-MOSFET空穴遷