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1、PAGE7第二單元離子鍵離子晶體1具有下列電子層排布的原子最容易變成陰離子的是A1s22s22ol離子鍵所需的能量叫該離子晶體的晶格能3某離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示:則該離子晶體的化學(xué)式為AabcBabc3Cab2c3Dab3c4下列敘述正確的是A離子鍵只有飽和性沒有方向性B離子晶體中只含有離子鍵C離子鍵的強(qiáng)弱可用晶格能來(lái)衡量D構(gòu)成NaOH離子晶體的作用力既有離子鍵又有共價(jià)鍵5下列三種離子晶體:NaF核間距1010mNaCl核間距1010mCaO核間距1010m晶格能大小順序正確的排列是ABCD元素的1個(gè)原子失去2個(gè)電子,該2個(gè)電子轉(zhuǎn)移到Y(jié)元素的2個(gè)原子中去,形成離子化合物Z,下列說(shuō)法中正確
2、的是AZ具有較高的熔點(diǎn)BZ的化學(xué)式可表示為M2YCZ一定能溶于水DZ的電子式為7如下圖,在氯化鈉晶體中,與每個(gè)Na等距離且最近的幾個(gè)Cl所圍成的空間幾何構(gòu)型為A十二面體B正八面體C正六面體D正四面體氣態(tài)鈉離子和1mol氣態(tài)氯離子結(jié)合生成1mol氯化鈉晶體釋放出的熱能為氯化鈉晶體的晶格能。下列熱化學(xué)方程中,能直接表示出氯化鈉晶體的晶體格能是ANagClg=NaCls;HBNaseqf1,2Cl2g=NaCls;HCNasNag;HDNage=Nag;H中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層,它與N3形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是AX元素的原子序數(shù)是19B該晶體中陽(yáng)離子與陰離子個(gè)數(shù)比為3
3、1CXn離子中n1D晶體中每個(gè)Xn周圍有2個(gè)等距離最近的N310已知:硅酸鹽和石英的晶格能如下表:硅酸鹽礦物和石英橄欖石輝石角閃石云母長(zhǎng)石石英晶格能J/mol440041003800380024002600回答下列問題:1橄欖石和云母晶出的順序是_。2石英總是在各種硅酸鹽析出后才晶出的原因是_。3推測(cè)云母和橄欖石的熔點(diǎn)順序?yàn)開,硬度大小為_。11瑞士?jī)晌豢茖W(xué)家發(fā)現(xiàn)一種性能良好的金屬氧化物超導(dǎo)體,使超導(dǎo)工作取得突破性進(jìn)展,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖。1根據(jù)圖示晶胞結(jié)構(gòu),推算晶體中Y、Cu、Ba和O原子個(gè)數(shù)比,確定其化學(xué)式。2根據(jù)1所推出的化合物的組成,計(jì)算其中Cu原子的平均化合價(jià)該化合物中各元素的化合價(jià)為e
4、qoY,su3,求A和E組成的離子化合物的密度,請(qǐng)列式并計(jì)算結(jié)果保留一位小數(shù):_。參考答案1解析:選A。A、D最外層電子數(shù)都是7,易得電子,其中A的電子層數(shù)比D少,所以最易得電子而變成陰離子;B是稀有氣體Ne,很穩(wěn)定;C是Na,最外層1個(gè)電子,易失電子變成陽(yáng)離子。2解析:選D。離子晶體的晶格能是指1mol的離子化合物中的陰、陽(yáng)離子,由相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)結(jié)合成離子晶體時(shí)所釋放出的能量。一般說(shuō)來(lái),陰、陽(yáng)離子的半徑越小、電荷越大,該陰、陽(yáng)離子組成的離子化合物的晶格能越大,離子晶體的晶格能越大離子鍵越強(qiáng);離子化合物中陽(yáng)離子的半徑越大,陽(yáng)離子半徑與陰離子半徑比越大,陽(yáng)離子表面就有可能接觸到更多陰離子,即吸引
5、的陰離子越多。因此,D選項(xiàng)不正確。3解析:選D。根據(jù)所給離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)可以看出,位于晶胞的體心位置有一個(gè)a離子;晶胞的每個(gè)棱上都有一個(gè)b離子,因此,一個(gè)晶胞中有123個(gè)b離子;晶胞的每個(gè)頂點(diǎn)位置都有一個(gè)c離子,因此,一個(gè)晶胞中有81個(gè)c離子。因此,該離子晶體的化學(xué)式為ab3c。4解析:選C。離子鍵既沒有方向性也沒有飽和性,故A項(xiàng)錯(cuò)誤;離子晶體中一定含有離子鍵,離子鍵是使離子構(gòu)成晶體的作用力。如果陰離子或陽(yáng)離子中有原子團(tuán)離子存在,則原子團(tuán)內(nèi)各原子是靠共價(jià)鍵結(jié)合的,但此時(shí)共價(jià)鍵并不是“構(gòu)成晶體”的作用力。所以B、D項(xiàng)都不對(duì)。晶格能是破壞1mol離子晶體使之成為氣態(tài)離子時(shí)所需吸收的能量,晶格能大
6、意味著晶體難破壞,即離子鍵強(qiáng)。所以C項(xiàng)是正確的。5解析:選D。離子電荷和核間距是影響晶格能的兩個(gè)重要因素。在離子電荷相等的情況下,核間距小的晶格能大,所以晶格能NaFNaCl;在核間距相差不大時(shí),離子電荷多的晶格能大,所以晶格能CaONaF。6解析:選A。M和Y間的電子轉(zhuǎn)移既然是“得、失”,則形成的一定是離子化合物,所以D項(xiàng)電子式不對(duì),A項(xiàng)性質(zhì)符合。離子化合物不一定能溶于水,故C不對(duì)。根據(jù)題意,Z的化學(xué)式應(yīng)該是MY2,故B錯(cuò)誤。7解析:選B。在氯化鈉晶體中,與每個(gè)Na等距離且最近的Cl有6個(gè),正好位于Na的上下左右前后,構(gòu)成正八面體。8解析:選A。根據(jù)定義可以得出答案,要注意“1mol”、“氣態(tài)”的關(guān)鍵詞。9解析:選A。充滿三個(gè)電子層,應(yīng)為1s22s22RT,ol1,設(shè)NaCl化學(xué)式為NaCln,有117,n2。即NaCl氣體的化學(xué)式為Na2Cl2。答案:1611213Na2Cl213解析:原子序數(shù)增大,且E的電子排布為4s2,則應(yīng)為Ca。從所給出的表可知,A為F,B為Na,C為Al,D為Cl。Na與
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