模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 知識點總結(jié)

模擬電子技術(shù)復習資料總結(jié)第一章半導體二極管半導體的基礎(chǔ)知識半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)（如硅Si、錯Ge）。特性---光敏、熱敏和摻雜特性。本征半導體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導體。兩種載流子----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。雜質(zhì)半導體----在本征半導體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導體。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。*P型半導體：在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。*N型半導體：在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。雜質(zhì)半導體的特性*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。*體電阻---通常把雜質(zhì)半導體自身的電阻稱為體電阻。*轉(zhuǎn)型---通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導體。PN結(jié)PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，錯材料約為0.2~0.3V。PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導通，反偏截止。PN結(jié)的伏安特性mr/Vip/mA正向特性?f/V反向特性半導體二極管mr/Vip/mA正向特性?f/V反向特性*單向?qū)щ娦哉驅(qū)ǎ聪蚪刂埂?二極管伏安特性----同PN結(jié)。*正向?qū)▔航倒韫?.6~0.7V，錯管0.2~0.3V。*死區(qū)電壓硅管0.5V，錯管0.1V。分析方法將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若V陽＞V陰（正偏），二極管導通（短路）；若V陽＜V陰（反偏），二極管截止（開路）。1）圖解分析法[D=%D-該式與伏安特性曲線的交點叫靜態(tài)工作點Q?！?DR%(a)二極管電路Cb)圖解分析等效電路法＞直流等效電路法二極管導通(短路);二極管截止(開路)。*總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若V陽＞V陰(正偏)若V陽＜V陰(反偏二極管導通(短路);二極管截止(開路)。*三種模型—W—Unu■h%(c)折線模型(b)恒壓源模型(a)理想模型＞微變等效電路法(d)小信號模型7dq穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)—W—Unu■h%(c)折線模型(b)恒壓源模型(a)理想模型＞微變等效電路法(d)小信號模型7dq穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連穩(wěn)壓管的伏安特性特點---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較?。患妳^(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。

三極管的工作原理三極管的三種基本組態(tài)c（c）共基極組態(tài)（a）共發(fā)射極組態(tài)（b）共集電極組態(tài)三極管內(nèi)各極電流的分配1c=A:n+/cbo=/bn+^cn=/b+Ic7b=7bn-Ab0*共發(fā)射極電流放大系數(shù)（表明三極管是電流控制器件+(1+P)/CBO=^B+/CEOm/ZZb式子/CE（）=（1+/WCB（）稱為穿透電流。（c）共基極組態(tài)共射電路的特性曲線*輸入特性曲線---同二極管。0）測試電路（b）輸入特性曲線*輸出特性曲線（飽和管壓降，用uces表示放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。0）測試電路截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動。溫度升高虹、Leo、TC以及8均增加。低頻小信號等效模型（簡化）h---輸出端交流短路時的輸入電阻，ie常用,表示；h---輸出端交流短路時的正向電流傳輸比，fe常用B表示；基本放大電路組成及其原則VT、V、R、R、C、C的作用。CCbc12°?ce/V3）輸出特性曲線（c）簡化的H參數(shù)等效電路基本放大電路的習慣畫法組成原則°?ce/V3）輸出特性曲線（c）簡化的H參數(shù)等效電路基本放大電路的習慣畫法放大電路的圖解分析法直流通路與靜態(tài)分析*概念---直流電流通的回路。*畫法---電容視為開路。*作用---確定靜態(tài)工作點*直流負載線---由vcc=icrc+uce確定的直線。*電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響(a)改變心(a)改變心(b)改變〃c(c)改變晚c改變Rb:Q點將沿直流負載線上下移動。改變Rc:Q點在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。改變，普直流負載線平移，Q點發(fā)生移動。交流通路與動態(tài)分析*概念---交流電流流通的回路*畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用---分析信號被放大的過程。*交流負載線---連接Q點和Vcc，點Vcc，=Uceq+IcqRl，的直線。CC泗"<a>輸入特性圖解法靜態(tài)工作點與非線性失真<a>輸入特性圖解法<b)輸出特性圖解法(1)截止失真*產(chǎn)生原因---Q點設置過低*失真現(xiàn)象---NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法---減小日^提高Q。(2)飽和失真*產(chǎn)生原因---Q點設置過高*失真現(xiàn)象---NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。放大器的動態(tài)范圍"Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。范圍*當卬一U)>(V,一U)時，受截止失真限制，U=2U=2IR’。CEQCESCCCEQOPPOMAXCQL

<b)輸出特性圖解法危)輸入特性圖解法*當口-U)V(V’-U)時，受飽和失真限制，U=2U=2(U-U)。<b)輸出特性圖解法危)輸入特性圖解法CEQCESCCCEQOPPOMAXCEQCES*當(UCEQ-UCES)=(VCC'-UCEQ),放大器將有最大的不失真輸出電壓。放大電路的等效電路法1.靜態(tài)分析(1)靜態(tài)工作點的近似估算T_氣C-fBEQ7BQ一(a)基本共射放大電路(b)直流通路°CEQ=(a)基本共射放大電路(b)直流通路(2)Q點在放大區(qū)的條件欲使Q點不進入飽和區(qū)，應滿足RB>8Rc。2.放大電路的動態(tài)分析(b)微變等效電路■x>

++nb()T

-—-_1―>-o1(a)交流通路?he&LA=%u=^b//rbe穩(wěn)定工作點放大器*放大倍數(shù)^us*_足1A=%u=^b//rbe穩(wěn)定工作點放大器^usI§風+#i為+#irbe*輸入電阻fir*———1A療i/Rb+Wf*輸出電阻VT分壓式穩(wěn)定工作點共射放大電路的等效電路法1.靜態(tài)分析微變等效電路(a)共集電極基本放大電路￡4土也

°T-11°—1+山05。株瞑Cb)H參數(shù)等效電路】cq/b：beq,Ibq"cq/°CEQ您"CQ(&+#e)2微變等效電路(a)共集電極基本放大電路￡4土也

°T-11°—1+山05。株瞑Cb)H參數(shù)等效電路[「i『be+(E)凡在Re兩端并一電解電容Ce后/±u:UThr.=—~=^4(iE/sRi+R^輸入電阻坨=&bl//&b2//"be+(1+P)凡]在Re兩端并一電解電容Ce后7?i=i?bl〃&b2〃「be*輸出電阻共集電極基本放大電路1.靜態(tài)分析1-〔『BEQBQ"Ab+(l+/?)Ae】CQ沼MbQfCEQ*%C-【CQ^e2.動態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)]_凱_(1+/W-iT-l]:饑rbe+(l+p)Ri

*輸入電阻Ri=風附哭+Q+P）（R』/Rl）1*輸出電阻&=烏小e//『be+Rbp人1+/?電路特點*電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1,稱為射極跟隨器，簡稱射隨器。*輸入電阻高，輸出電阻低。第三章場效應管及其基本放大電路結(jié)型場效應管（JFET）結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號（a）N<FET結(jié)構(gòu)及電路符號2.輸出特性曲線（b）P-JFET結(jié)構(gòu)及電路符號（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）0被止區(qū)wus=^DS1^s/v輸出特性轉(zhuǎn)移特性ZD=IdSS（1-5^）2（（a）N<FET結(jié)構(gòu)及電路符號2.輸出特性曲線（b）P-JFET結(jié)構(gòu)及電路符號（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）0被止區(qū)wus=^DS1^s/v輸出特性絕緣柵型場效應管（MOSFET）分為增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號SiO2JsJg（a）EMOSSiO2JsJg（a）EMOS結(jié)構(gòu)及電路符號（b）DMOS結(jié)構(gòu)及電路符號特性曲線*N-EMOS的輸出特性曲線=如0（-^-1）2（〃GS＞所）N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線1T式中，Ido是Ugs=2Ut時所對應的iD值。N-DMOS的輸出特性曲線（e）耗盡型輸出特性5）耗盡型轉(zhuǎn)移特性注意：ugs可正、可零、可負。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓Up，此曲線表示式與結(jié)型場效應管一致。（e）耗盡型輸出特性5）耗盡型轉(zhuǎn)移特性場效應管的主要參數(shù)漏極飽和電流idss夾斷電壓Up開啟電壓UT

直流輸入電阻RGS低頻跨導gm(表明場效應管是電壓控制器件)g=主m3mgs"s=常數(shù)場效應管的小信號等效模型^=^mtygs+—o=」Idss(l°gsqrds如UpIUp)E-MOS的跨導g---LTT場效應管微變等效電路共源極基本放大電路自偏壓式偏置放大電路*靜態(tài)分析fGSQ=-IdQ&(a)原理電路t—場效應管微變等效電路共源極基本放大電路自偏壓式偏置放大電路*靜態(tài)分析fGSQ=-IdQ&(a)原理電路t—T'GSQx2JDQ一-J【pf；DSQ="1）D-】DQ（&d+&）動態(tài)分析1---gin#]^1]:饑1+如氏若帶有。，，則九=為仙阡gd匹O—O]+di』贏"腿[]u0[]rl」V〕」微變等效電路3)原理電路】DQ3)原理電路】DQ=】DSS（「半2）2CpcTR[=Rg分壓式偏置放大電路*靜態(tài)分析fGSQ=~fDD-【DqR處1+七fDSQ="bD"DQSd+秩）*動態(tài)分析\-Uo--^m^L

Z±U=饑1+知氏Su=-gm'】若源極帶有?！瑒tRi=Rg+Rgi//Ag2六.共漏極基本放大電路*靜態(tài)分析板2=人）0（畢2」）2ct或fDSQ=J1）1）-JdQ&*動態(tài)分析j--gm^LU【％1+如說(a)電路組成R[=/fg+Jfgi//lfg21ro=n=&〃——】Tgm第四章多級放大電路一.級間耦合方式阻容耦合一一各級靜態(tài)工作點彼此獨立；能有效地傳輸交流信號；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。變壓器耦合---各級靜態(tài)工作點彼此獨立，可以實現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號。直接耦合----低頻特性好，便于集成。各級靜態(tài)工作點不獨立，互相有影響。存在“零點漂移”現(xiàn)象。*零點漂移----當溫度變化或電源電壓改變時，靜態(tài)工作點也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點”而作隨機變動。二.單級放大電路的頻率響應1.中頻段(fLWfWfH)4=冬=”曷^usmTyWil",D,Drbbf+rKeRi+氏或無上云擊-頑Me中頻段混合席參數(shù)等效電路波特圖---幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是@=-1800e中頻段混合席參數(shù)等效電路波特圖---幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是@=-1800。2.低頻段(fWfL)低頻段混合JT參數(shù)等效電路dS+201g|Au|□.OVlO-Vi^IOQTl一昇-I-」-20■-40■_L_^OdB/lecC3.高頻段(ff(a)高頻段混合Tt參數(shù)等效電路dB^201g|Au|0.0Vl01A^A!QA.i00fL-20--40-1-20dB/iec/?4_Aism^ush1+必完整的基本共射放大電路的頻率特性

dB+201g|A?|AismJf/fL4==^21妃（1-”1#）（1+必）（1+皿）（1+皿）sm三.分壓式穩(wěn)定工作點電路的頻率1.下限頻率的估算R荊L1折］+七+片3上限頻率的估算2.低頻段(fWfL)低頻段混合JT參數(shù)等效電路dS+201g|Au|□.OVlO-Vi^IOQTl一昇-I-」-20■-40■_L_^OdB/lecC3.高頻段(ff(a)高頻段混合Tt參數(shù)等效電路dB^201g|Au|0.0Vl01A^A!QA.i00fL-20--40-1-20dB/iec/?4_Aism^ush1+必完整的基本共射放大電路的頻率特性dB+201g|A?|AismJf/fL4==^21妃（1-”1#）（1+必）（1+皿）（1+皿）sm三.分壓式穩(wěn)定工作點電路的頻率1.下限頻率的估算R荊L1折］+七+片3上限頻率的估算分壓式共射電路低頻段混合兀參數(shù)等效電路響應分壓式共射電路高頻段混合7T參數(shù)等效電路2.波特圖A&+fii+"+fin——?1.1/h++…+fJH1/H2THn（L）JL0（l---180°--270*--360*--450*-540*-//Hz單級：:dec\-90ydec401g|C|[兩％心虹BW3dBl二-/二Jg-WdB/dec1'!單級廈,111-前,/u；[A/h[[/hi〃HzBW第五章功率放大電路功率放大電路的三種工作狀態(tài)甲類工作狀態(tài)導通角為360o,Icq大，管耗大，效率低。乙類工作狀態(tài)0Q/。，導通角為180。，效率高失真大。甲乙類工作狀態(tài)導通角為180。~360。，效率較高，失真較大。乙類功放電路的指標估算工作狀態(tài)任意狀態(tài)：盡限狀態(tài)：理想狀態(tài)：1.Uom^UimUom=V-UCCCESUom^VCComJom輸出功率直流電源提供的平均功率伉c=氣cl(AV)=VCC'—'^om2.3.管耗Pc1m=0.2Pom效率r]P*c2W、m/戒?L4IcC2^cc^omTTRl^cm=2/clm~°，4%m理想時為78.5%三.甲乙類互補對稱功率放大電路Q功放電路的工作狀態(tài)?CE問題的提出在兩管交替時出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。2.A解決辦法甲乙類雙電源互補對稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。PgEPgE-0.7

Rn/2+2Re甲乙類單電源互補對稱功率放大器OTL----電容C2上靜態(tài)電壓為Vcc/2,并且取代了OCL功放中的負電源-vcc。動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算，只是用Vcc/2代替。四.復合管的組成及特點"前一個管子c-e極跨接在后一個管子的b-c極間。類型取決于第一只管子的類型。A予〔?B2第六章集成運算放大電路集成運放電路的基本組成輸入級一一采用差放電路，以減小零漂。中間級----多采用共射（或共源）放大電路，以提高放大倍數(shù)。輸出級----多采用互補對稱電路以提高帶負載能力。偏置電路----多采用電流源電路，為各級提供合適的靜態(tài)電流。長尾差放電路的原理與特點抑制零點漂移的過程----當Tf—i、iffi、iffuffu、u一i、i一i、i|ocic2E1E2EBE1BE2B1B2cic2Re對溫度漂移及各種共模信號有強烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。2靜態(tài)分析1）計算差放電路Ic=】C2您設UB^0,則Ue=—0.7V，得2）計算差放電路Uce?雙端輸出時.〔CE1=fCE2=Ic-〔E=Tcc-TCRc+°?7-單端輸出時（設VT1集電極接Rl）對于VT1：言以1=弘+Ici，Lei=°C1-Ue=+。?7對于VT2：=氣C"C2#c，°CE2=UC2-tZE=^CC-^C2Rc+0*7動態(tài)分析1）差模電壓放大倍數(shù)&id=禹］=N+，be+（l+伽&/2）&id=禹］=N+，be+（l+伽&/2）學邊差模交流通路?單端輸出時從VT1單端輸出：A_如_-/W%）Udl22[As+rbe+（l+^）（Ap/2）l從VT2單端輸出：Aid2=-AidiZW%)

2[位+板+(1+仞(每/2)]&d=2[&+『be+（l+仞于]2）差模輸入電阻雙端輸出:2Rq3）差模輸出電阻集成運放的電壓傳輸特性單端輸出:雙端輸出:2Rq集成運放的電壓傳輸特性集成運放的電壓傳輸特性當*在+。詢與-。詢之間，運放工作在線性區(qū)域：uo=AodH[%od（H+-也）理想集成運放的參數(shù)及分析方法理想集成運放的參數(shù)特征*開環(huán)電壓放大倍數(shù)Aod—8；*差模輸入電阻Rid—8；*輸出電阻Ro-0；*共模抑制比KCMR-8；理想集成運放的分析方法1）運放工作在線性區(qū)：*電路特征一一引入負反饋*電路特點一一“虛短”和“虛斷”：“虛短”---=0“虛斷”---2）運放工作在非線性區(qū)*電路特征一一開環(huán)或引入正反饋*電路特點一一輸出電壓的兩種飽和狀態(tài)：當u+>u時，u=+Um當u+<u時，u=-Um兩輸入端的輸入電流為零：i=i=0+-第七章放大電路中的反饋1+AF輸入I信號'+、色凈輸入信號J基棄放大器宿i牌文id或「岳1+AF輸入I信號'+、色凈輸入信號J基棄放大器宿i牌文id或「岳I開環(huán)）_lxo=ixridII!反饋信號留晦"；__2——I反饋放大器組成方框圖1輸出

倏號當AF＞。時，Af下降，這種反饋稱為負反饋。當AF=O時，表明反饋效果為零。當AFVO時，Af升高，這種反饋稱為正反饋。當AF=-1時，Aff8。放大器處于“自激振蕩”狀態(tài)。反饋的形式和判斷反饋的范圍----本級或級間。反饋的性質(zhì)----交流、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋則為交、直流反饋。反饋的取樣----電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。（輸出短路時反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。（輸出短路時反饋不消失）反饋的方式——并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。反饋信號反饋到輸入端）串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。Rs越小反饋效果越好。反饋信號反饋到非輸入端）反饋極性——瞬時極性法：（1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示），并設信號的頻率在中頻段。（2）根據(jù)該極性，逐級推斷出放大電路中各相關(guān)點的瞬時極性（升高用+表示，降低用一表示）。（3）確定反饋信號的極性。（4）根據(jù)％與Xf的極性，確定凈輸入信號的大小。Xid減小為負反饋；xidf增大為正反饋。1反饋形式的描述方法某反饋元件引入級間（本級）直流負反饋和交流電壓（電流）串聯(lián)（并聯(lián)）負反饋。

負反饋對放大電路性能的影響提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性dAf_1（L4T=擴展頻帶減小非線性失真及抑制干擾和噪聲改變放大電路的輸入、輸出電阻*串聯(lián)負反饋使輸入電阻增加1+AF倍*并聯(lián)負反饋使輸入電阻減小1+AF倍*電壓負反饋使輸出電阻減小1+AF倍*電流負反饋使輸出電阻增加1+AF倍自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件產(chǎn)生自激振蕩的原因附加相移將負反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。產(chǎn)生自激振蕩的條件AF=-1若表示為幅值和相位的條件則為：AF=1“af=9a+9f=±（2"+1）a（〃為整數(shù)）第八章分析依據(jù)“虛斷”和“虛短”一.基本運算電路反相比例運算電路R=R//R

21f角MO=~MI同相比例運算電路R=Ri//Rf"O=（1+等）及+反相求和運算電路R=R//R//R//R4123fWf（骨+晉+黑）人1K2同相求和運算電路信號的運算與處理（a）基本形式同相求和運算電路R//R//R//R=R//R1234f55.加減運算電路單運放加減運算電路I1//R2//Rf=R3//R4//R5二."。小f(魯+魯-學-咎)心4缶八2積分和微分運算電路二.C基本積分運算電路(3)基本微分電路積分運算Mo=-—\uiAtACC基本積分運算電路(3)基本微分電路微分運算"。5梏第九章信號發(fā)生電路正弦波振蕩電路的基本概念產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)AF=1自激振蕩的平衡條件：即幅值平衡條件：1」盧1=1啊AF=±2點丸(龍=°，1，2...)相位平衡條件：起振條件：幅值條件：相位條件：技=±2以正弦波振蕩器的組成、分類正弦波振蕩器的組成放大電路建立和維持振蕩。正反饋網(wǎng)絡----與放大電路共同滿足振蕩條件。選頻網(wǎng)絡以選擇某一頻率進行振蕩。穩(wěn)幅環(huán)節(jié)使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。*正弦波振蕩器的分類RC振蕩器——振蕩頻率較低,1M以下；LC振蕩器——振蕩頻率較高,1M以上；石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩(wěn)定。(a)文氏電橋振蕩器RC正弦波振蕩電路RC串并聯(lián)正弦波振蕩電路(a)文氏電橋振蕩器2.RC移相式正弦波振蕩電路R（濯相式振蕩器LC正弦波振蕩電路變壓器耦合式LC振蕩電路判斷相位的方法：斷回路、引輸入、看相位f=—^==°InJLC（C）基極調(diào)諧1虹?2V~°+Vcc（C）基極調(diào)諧1虹?2V~°+Vcc三點式LC振蕩器*相位條件的判斷“射同基反”或“三步曲法”⑴電感反饋三點式振蕩器（哈特萊電路）電感反饋三點式振蕩器電感反饋三點式振蕩器⑵電容反饋三點式振蕩器（考畢茲電路）（a）電容三點式振蕩器⑶串聯(lián)改進型電容反饋三點式振蕩器（克拉潑電路）3）床控振蕩器3）床控振蕩器⑷并聯(lián)改進型電容反饋三點式振蕩器（西勒電路）西勒電路西勒電路（5）四.石英晶體振蕩電路1.并聯(lián)型石英晶體振蕩器〔a）〔a）并聯(lián)型石英晶體振蕩器（h）等效電路串聯(lián)型石英晶體振蕩器申聯(lián)型*英晶體振蕩器申聯(lián)型*英晶體振蕩器第十章直流電源一.直流電源的組成框圖電網(wǎng)電壓?電源變壓器?整流電路>波路濾電>壓路穩(wěn)電?負載直流電源的組成框圖電源變壓器：將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓。整流電路：將正負交替的交流電壓整流成為單方向的脈動電壓。濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。穩(wěn)壓電路：自動保持負載電壓的穩(wěn)定。?二.單相半波整流電路(a)電路圖1.輸出電壓的平均值UO(AV)(a)電路圖【「O(AV)=—~-^ncotdcot=^-U2=0.45t72輸出電壓的脈動系數(shù)SS=-O1M==蘭=］弓7f7o(AV)-j2U2!n23?正向平均電流或T_T_