專升本《CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計》-試卷-答案

專升本《CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計》一、（共75題,共150分）GordonMoore1965年預(yù)言:每個芯片上晶體管的數(shù)目將每（）分）A.12 B.18 C.20 D.24.標(biāo)準(zhǔn)答案：BMOS管的小信號輸出電阻是由MOS管的（）效應(yīng)產(chǎn)生的。（2分）體 B.襯偏 C.溝長調(diào)制 D.亞閾值導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案：CCMOSMOS管工作在（）（2分）亞閾值區(qū) B.深三極管區(qū)C.三極管區(qū) D.飽和區(qū).標(biāo)準(zhǔn)答案：DMOS管一旦出現(xiàn)（）MOS（2分）夾斷 B.反型 C.導(dǎo)電 D.耗盡.標(biāo)準(zhǔn)答案：A（）MOS（2分）A.B.C.D..標(biāo)準(zhǔn)答案：CCascodeNMOS管具有不相同的（）（2分）A.B.C.D..標(biāo)準(zhǔn)答案：B基本差分對電路中對共模增益影響最顯著的因素是（）（2分）B.負(fù)載不匹配C.輸入MOS不匹配D.電路制造中的誤差.標(biāo)準(zhǔn)答案：C第1頁共7頁

下列電路不能能使用半邊電路法計算差模增益（）（2分）B.電流源負(fù)載差分放大器C.有源電流鏡差分放大器D.Cascode負(fù)載Casocde差分放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：C鏡像電流源一般要求相同的（）（2分）制造工藝 B.器件寬長比C.器件寬度W D.器件長度L.標(biāo)準(zhǔn)答案：D某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略M3的體效應(yīng)。要嚴(yán)格相等，應(yīng)取為（）。（2分）A.B.C.D..標(biāo)準(zhǔn)答案：A選擇題:下列結(jié)構(gòu)中密勒效應(yīng)最大的是（）（2分）A.共源級放大器 B.源級跟隨器C.共柵級放大器 D.共源共柵級放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：A下圖中，其中電壓放大器的增益為-A電路的等效輸入電阻為（）。（2分）A.B.C.D..標(biāo)準(zhǔn)答案：AHspice命令是（）（2分）A.DC B.AC C.OP D.IC.標(biāo)準(zhǔn)答案：C模擬集成電路設(shè)計中的第一步是（）（2分）A.電路設(shè)計 B.版圖設(shè)計C.規(guī)格定義 D.電路結(jié)構(gòu)選擇.標(biāo)準(zhǔn)答案：C（）可提高圖中放大器的增益。（2分）小，減小增大，增大大，減小小，增大.標(biāo)準(zhǔn)答案：A模擬集成電路設(shè)計中可使用大信號分析方法的是（）（2分）A.增益 B.輸出電阻 C.輸出擺幅 D.輸入電阻.標(biāo)準(zhǔn)答案：C模擬集成電路設(shè)計中可使用小信號分析方法的是（）（2分）A.增益 B.電壓凈空 C.輸出擺幅 D.輸入偏置.標(biāo)準(zhǔn)答案：A第2頁共7頁

在NMOS中，會使閾值電壓（）（2分）A.增大 B.不變 C.減小 D.可大可小.標(biāo)準(zhǔn)答案：ANMOSVB變得更負(fù)，則耗盡層（）（2分）A.不變 B.變得更窄 C.變得更寬 D.幾乎不變.標(biāo)準(zhǔn)答案：C隨著微電子工藝水平提高,特征尺寸不斷減小,這時電路的工作電壓會（）分）A.不斷提高 B.不變 C.可大可小 D.不斷降低.標(biāo)準(zhǔn)答案：DMOS管漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量是（）（2分）A.電導(dǎo) B.電阻 C.跨導(dǎo) D.跨阻.標(biāo)準(zhǔn)答案：CMOS管，可以被看作是一個（）（2分）A.恒壓源 B.電壓控制電流源C.恒流源 D.電流控制電壓源.標(biāo)準(zhǔn)答案：B密勒效應(yīng)最明顯的放大器是（）（2分）A.共源極放大器 B.源極跟隨器C.共柵極放大器 D.共基極放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：A不能直接工作的共源極放大器是（）（2分）A.電阻負(fù)載 B.二極管連接負(fù)載C.電流源負(fù)載 D.二極管和電流源并聯(lián)負(fù)載.標(biāo)準(zhǔn)答案：C模擬集成電路設(shè)計中的最后一步是（）（2分）A.電路設(shè)計 B.版圖設(shè)計C.規(guī)格定義 D.電路結(jié)構(gòu)選擇.標(biāo)準(zhǔn)答案：B在當(dāng)今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的IC（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS.標(biāo)準(zhǔn)答案：BMOSgmbMOS管的（）（2分）A.二級 B.襯偏 C.溝長調(diào)制 D.亞閾值導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案：BPMOS管的導(dǎo)電溝道中依靠（）導(dǎo)電。（2分A.電子 B.空穴 C.正電荷 D.負(fù)電荷.標(biāo)準(zhǔn)答案：BMOS管的寬長比是定值時，其跨導(dǎo)與漏源電流的關(guān)系曲線是（）。ABCD（2分）A.見圖 B.見圖 C.見圖 D.見圖.標(biāo)準(zhǔn)答案：DMOS管的柵源過驅(qū)動電壓給定，L越（），（2分）A.大 B.小 C.近似于W D.精確.標(biāo)準(zhǔn)答案：AMOS電容中對電容值貢獻(xiàn)最大的是（）（2分）A.C

A.亞閾值區(qū) B.深三極管區(qū)C.三極管區(qū) D.飽和區(qū).標(biāo)準(zhǔn)答案：BVBVin0逐MOS管是（）。（2分）A.M1 B.M2C.兩個同時進(jìn)入 D.都有可能.標(biāo)準(zhǔn)答案：DGSB.CB.GDC.C

下面放大器的小信號增益為（）。 （2分）A.grA.moDBD.C

gmroSBo.標(biāo)準(zhǔn)答案：A下面幾種電路中增益線性度最好的是（）。（2分）A.電阻負(fù)載共源級放大器 B.電流源負(fù)載共源級放大器C.二極管負(fù)載共源級放大器 D.源極負(fù)反饋共源級放大.標(biāo)準(zhǔn)答案：C電阻負(fù)載共源級放大器中，下列措施不能提高放大器小信號增益的是（）。（2分）A.增大器件寬長比 B.增大負(fù)載電阻C.降低輸入信號直流電平 D.增大器件的溝道長度L.標(biāo)準(zhǔn)答案：DVDD下降，NMOS管首先進(jìn)入（2分）第3頁共7頁

B. 1gRmsC.1msD.理論上無窮大.標(biāo)準(zhǔn)答案：A下列不是基本差分對電路中尾電流的作用的是（）（2分）A.為放大器管提供固定偏置 B.為放大管提供電流通C.減小放大器的共模增益 D.提高放大器的增益.標(biāo)準(zhǔn)答案：D下圖電流鏡的輸出電壓最小值為（）。 （2分）

40.（）可提高圖中放大器的增益。 （2OD thV 分）OD th

WC.2VC.ODD.D.OD GS

減小

L1,2L.標(biāo)準(zhǔn)答案：C

僅增大

1,2W39.下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該

增大

L1,2僅減小

W1,2.標(biāo)準(zhǔn)答案：C電路的等效輸出電阻為（）。 （2分）R1AR11AAAR11AD..標(biāo)準(zhǔn)答案：B第4頁共7頁

MOS管的端電壓變化時，源極和漏極（）（2分）A.能 B.不能C.不知道能不能 D.在特殊的極限情況下能.標(biāo)準(zhǔn)答案：ACMOS工藝?yán)锊蝗菀准庸さ钠骷椋ǎ?分）A.電阻 B.電容 C.電感 D.MOS管.標(biāo)準(zhǔn)答案：CMOS管的特征尺寸通常是指（）（2分）A.W B.L C.W/L D.tox.標(biāo)準(zhǔn)答案：BMOS管從不導(dǎo)通到導(dǎo)通過程中，最先出現(xiàn)的是（）（2分）A.反型 B.夾斷 C.耗盡 D.導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案：C源極跟隨器通常不能用作（）（2分）A.緩沖器 B.放大器 C.電平移動 D.驅(qū)動器.標(biāo)準(zhǔn)答案：B能較大范圍提高閾值電壓的方法是（）（2分）A.增大MOS管尺寸 B.提高過驅(qū)動電壓C.制造時向溝道區(qū)域注入雜質(zhì)D.增大襯底偏置效應(yīng).標(biāo)準(zhǔn)答案：CPMOS管導(dǎo)電，依靠的是溝道中的（）。（2分A.電子 B.空穴 C.電荷 D.電子空穴對.標(biāo)準(zhǔn)答案：BMOS管對外表現(xiàn)出受控電流源的特性，我們通常讓其工作在（）區(qū)。（2分）A.截止 B.三極管 C.線性 D.飽和.標(biāo)準(zhǔn)答案：DMOS管中最大的電容是（）（2分）A.氧化層電容B.耗盡層電容C.交疊電容 D.結(jié)電容.標(biāo)準(zhǔn)答案：AMOS器件小信號模型中的是由MOS管的（）效應(yīng)引起。（2分）A.體 B.襯偏 C.溝長調(diào)制 D.亞閾值導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案：C在當(dāng)今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的IC（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS.標(biāo)準(zhǔn)答案：B（）1965年預(yù)言:18（2分）A.比爾蓋茨 B.摩爾 C.喬布斯 D.貝爾.標(biāo)準(zhǔn)答案：B最常見的集成電路通常采用（）（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS.標(biāo)準(zhǔn)答案：B工作在（）MOS（2分）A.截止 B.三極管 C.深三極管 D.飽和.標(biāo)準(zhǔn)答案：D工作在（）MOS（2分）A.截止 B.三極管 C.深三極管 D.飽和.標(biāo)準(zhǔn)答案：D載流子溝道就在柵氧層下形成（），源和漏之間“導(dǎo)通”（2分）第5頁共7頁

A.夾斷層 B.反型層 C.導(dǎo)電層 D.耗盡層.標(biāo)準(zhǔn)答案：B形成（）的柵源電壓叫閾值電壓（）（2分）A.夾斷層 B.反型層 C.導(dǎo)電層 D.耗盡層.標(biāo)準(zhǔn)答案：BNMOSVBS變得更小，則耗盡層（）（2分）A.不變 B.變得更窄 C.變得更寬 D.幾乎不變.標(biāo)準(zhǔn)答案：CNMOS管的導(dǎo)電溝道中依靠（）（2分）A.電子 B.空穴 C.正電荷 D.負(fù)電荷.標(biāo)準(zhǔn)答案：AMOS管的寬長比是定值時，其跨導(dǎo)與過驅(qū)動電源的關(guān)系曲線是（）。ABCD（2分）A.見圖 B.見圖 C.見圖 D.見圖.標(biāo)準(zhǔn)答案：CMOS管的漏源電流受柵源過驅(qū)動電壓控制，我們定義（）（2分）A.跨導(dǎo) B.受控電流源C.跨阻 D.小信號增益.標(biāo)準(zhǔn)答案：A長調(diào)制效應(yīng)系數(shù)，對于較長的溝道，值（）（2分）A.較大 B.較小 C.不變 D.不定.標(biāo)準(zhǔn)答案：B共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個重要特性就是輸出阻抗（）（2分）A.低 B.一般 C.高 D.很高.標(biāo)準(zhǔn)答案：DNMOS管中，對閾值電壓影響最大的是（）（2分）A.VBS B.VGS C.VDS D.W/L.標(biāo)準(zhǔn)答案：ACascodeNMOS具有相同的（）（2分）A.溝長調(diào)制 B.體 C.背柵 D.襯底偏置.標(biāo)準(zhǔn)答案：A小信號輸出電阻相對最小的放大器是（）（2分）A.共源級放大器 B.源級跟隨器C.共柵級放大器 D.共源共柵級放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：B差分放大器中，共模輸入電平的變化不會引起差動輸出的改變的因素是（）。（2分）A.尾電流源輸出阻抗為有限值B.輸入MOS管不完全對C.負(fù)載不完全對稱 D.輸入對管工作在飽和區(qū).標(biāo)準(zhǔn)答案：D下列不是基本差分對電路中尾電流的作用的是（）（2分）A.為放大器管提供固定偏置 B.為放大管提供電流通C.減小放大器的共模增益 D.提高放大器的增益.標(biāo)準(zhǔn)答案：D

A.OD thA.B.VB.OD thC.2VC.ODD.D.OD GS.標(biāo)準(zhǔn)答案：B71.下圖中，其中電壓放大器的增益為-A電路的等效輸出電阻為（）。（2分）R1AR11 AR1A R11A.標(biāo)準(zhǔn)答案：B69.下面電路的差模小信號增益為（）。 （2分）

Hspice仿真中，耗時最長的一般是（）（2分）A.直流工作點分析 B.瞬態(tài)分C.交流分析 D.直流分析A.

Rm1 D

.標(biāo)準(zhǔn)答案：BB.gB.m1C.g

ro4||g

||r

模擬電路中，精度最高的電阻是（）（2分）A.金屬電阻 B.比例電