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電子電路線上培訓(xùn)考試第一期[復(fù)制]基本信息:[矩陣文本題]*姓名:________________________員工編號(hào):________________________您的部門:[單選題]*○PSU研究所○SPU研究所○HVU研究所○MFU研究所○ENU研究所○RFU研究所○PCB設(shè)計(jì)部○硬件資源部○其他電子電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)1.理想電容兩端的電壓不會(huì)突變,但實(shí)際電容兩端的電壓會(huì)突變[判斷題]*對(duì)(正確答案)錯(cuò)答案解析:分析實(shí)際電容等效模型,等效esr作用2.負(fù)載越重,實(shí)際電壓源越偏離理想電壓源的性能。[判斷題]*對(duì)(正確答案)錯(cuò)答案解析:輸出電壓U=Us(額定)-Io*r;負(fù)載越重,Io越大。3.如果現(xiàn)實(shí)世界導(dǎo)體隨意可得,而絕緣體稀少難得,會(huì)是好事。[判斷題]*對(duì)錯(cuò)(正確答案)答案解析:類比分析,如果空氣不是絕緣體而是導(dǎo)體4.用5V/2A的充電器給5V/1A的手機(jī)充電,會(huì)充壞手機(jī)。[判斷題]*對(duì)錯(cuò)(正確答案)答案解析:不會(huì)。因?yàn)槌潆娖魇呛銐涸矗?V/2A指的是最大輸出電流為2A,給5V/1A的手機(jī)充電時(shí)輸出電流只有1A。5.超導(dǎo)體連接到帶電理想電感兩端,會(huì)發(fā)生什么現(xiàn)象?[單選題]*A、電流保持不變(正確答案)B、電流越來越大發(fā)生短路C、電流逐漸衰減答案解析:KVL:L(di/dt)=0,所以電流變化率為06.電阻的計(jì)算公式[單選題]*A、R=I/UB、R=U/I(正確答案)C、R=U*I答案解析:歐姆定律7.兩個(gè)電容器,電容為3uf和6uf,他們的額定工作電壓分別為30V和20V,并聯(lián)后的等效電容和額定電壓分別是[單選題]*A、9uf,50VB、9uf,20V(正確答案)C、2uf,50VD、2uf,20V答案解析:電容并聯(lián)容值相加,電壓取最小值8.電感的單位是[單選題]*A、特斯拉B、法拉C、亨利(正確答案)D、韋伯答案解析:特斯拉是磁通密度;法拉是電容量;韋伯磁通量9.電阻是一種電路元件,在電路中[單選題]*A、儲(chǔ)存電能B、消耗電能(正確答案)C、儲(chǔ)存和釋放電能D、不消耗電能答案解析:電感和電容才儲(chǔ)存電能,電阻只消耗電能10.一個(gè)額定電壓為5V的電壓源,其內(nèi)阻為100mΩ,如果要在輸出電流為1A時(shí)保證輸出電壓為5V,那么空載時(shí)輸出電壓應(yīng)為多少?[單選題]*A、4.9VB、5VC、5.1V(正確答案)D、0V答案解析:輸出電流為1A時(shí),電壓源內(nèi)阻上的壓降為100mΩ*1A=0.1V。因此空載電壓應(yīng)為5V+0.1V=5.1V11.熱阻越小,芯片散熱能力越強(qiáng)[判斷題]*對(duì)(正確答案)錯(cuò)答案解析:熱阻越小,散熱越好12.0Ω電阻的阻值就是0Ω[判斷題]*對(duì)錯(cuò)(正確答案)答案解析:0Ω電阻的阻值只是接近0Ω,不是完全等于0Ω13.將低通濾波器中的電阻換成電感,仍構(gòu)成低通濾波器[判斷題]*對(duì)(正確答案)錯(cuò)答案解析:將電感和電容阻抗公式帶入,仍可得電容上電壓隨輸入頻率增加而減小。14.電阻、電容、電感三種原件中,阻抗值與信號(hào)頻率無關(guān)的器件是?[單選題]*A、電容B、電感C、電阻(正確答案)15.純電感電路中電感上的電流與電壓的相位關(guān)系是[單選題]*A、電流滯后電壓90°(正確答案)B、電壓滯后電流90°C、同相D、反相答案解析:電感上的電流滯后電壓,電容上的電流超前電壓16.純電感電路中電容上的電流與電壓的相位關(guān)系是[單選題]*A、電流滯后電壓90°B、電壓滯后電流90°(正確答案)C、同相D、反相答案解析:電感上的電流滯后電壓,電容上的電流超前電壓17.感抗的單位是[單選題]*A、亨利B、毫亨C、歐姆(正確答案)D、微亨答案解析:感抗單位為歐姆18.在純電容電路中,電容器的電容量為10UF,對(duì)于100HZ的交流電的容抗為[單選題]*A、1ΩB、10ΩC、159.2Ω(正確答案)D、500Ω答案解析:Xc=1/(2*Pi*f*C)19.電容器在電路中具有的特性有*A、通交流、阻直流(正確答案)B、通直流、阻交流C、通高頻、阻低頻(正確答案)D、通低頻、阻高頻20.由一個(gè)電阻和一個(gè)電容,可以構(gòu)成以下哪些種類電路?*A、低通電路(正確答案)B、帶通電路C、帶阻電路D、高通電路(正確答案)答案解析:帶通需要兩個(gè)電阻和兩個(gè)電容,帶阻需要再加入電感二極管、三極管和MOS管21.根據(jù)下列哪項(xiàng)參數(shù)來區(qū)分普通二極管和快恢復(fù)二極管()[單選題]*A、恢復(fù)時(shí)間trr(正確答案)B、正向壓降VfC、反向耐壓D、正向電流答案解析:trr越小,恢復(fù)時(shí)間越快,可以據(jù)此來區(qū)分二極管是普通整流二極管還是快恢復(fù)二極管。22.NPN三極管的工作區(qū)域是根據(jù)下列哪項(xiàng)參數(shù)來判定的()[單選題]*A、基極電流IbB、基極電壓VbC、集電極電流IcD、集電極和發(fā)射極的電壓Vce(正確答案)答案解析:三極管的工作區(qū)間是根據(jù)CE間的壓降來判斷,銅通常<0.3V認(rèn)為其飽和,等于電源電壓則為截止。23.下列哪項(xiàng)參數(shù)符號(hào)是描述MOS管的漏極源極間對(duì)的耐壓()[單選題]*A、VGSthB、IdC、Vds(正確答案)D、Rds答案解析:Vds描述MOS的漏源極電壓,VGSth是MOS的開啟電壓,Id為漏極電流,Rds為漏源極電阻。24.MOS管是用下列哪項(xiàng)參數(shù)來控制其導(dǎo)通和關(guān)斷()[單選題]*A、漏極柵極電壓VGDB、漏極源極電壓VDSC、柵極源極電壓VGS(正確答案)D、柵極源極電流IGS答案解析:MOS的通斷是由GS電壓決定。25.下列器件哪些可以用在開關(guān)電源的輸出整流()*A、肖特基二極管(正確答案)B、快恢復(fù)二極管(正確答案)C、超快恢復(fù)二極管(正確答案)D、整流橋E、普通整流二極管(正確答案)答案解析:整流橋和普通整流二極管只能工作于工頻。26.選取MOS時(shí)一般是根據(jù)下列哪些參數(shù)進(jìn)行選取()*A、最大耐壓(正確答案)B、最大電流(正確答案)C、封裝外形(正確答案)D、導(dǎo)通內(nèi)阻(正確答案)E、寄生結(jié)電容大小(正確答案)答案解析:以上選項(xiàng)均為選型MOS時(shí)需要考慮的因素。27.電壓超過MOS管的手冊(cè)標(biāo)稱耐壓后,MOS一定會(huì)被擊穿[判斷題]*對(duì)錯(cuò)(正確答案)答案解析:標(biāo)稱耐壓為其長時(shí)間安全工作允許的最大電壓,并不是擊穿電壓,每個(gè)MOS的擊穿電壓并不同,甚至不同的工作狀態(tài)擊穿電壓也可能不一樣。28.MOS的驅(qū)動(dòng)完全不需要電流,只需要電壓即可()[判斷題]*對(duì)錯(cuò)(正確答案)答案解析:由于結(jié)電容的存在,驅(qū)動(dòng)MOS時(shí)需要給MOS結(jié)電容充電,此時(shí)就需要驅(qū)動(dòng)
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