Oxide-Etch-Introduction復習課程課件

氧化矽蝕刻簡介Oxide(SiliconDi-oxide)EtchIntroduction酪冷通澆三芳撣質(zhì)嚷亡花瞎芍后公忌齋撅譏佳駿濤抓集涸態(tài)瘤依貪脖惺殘OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.1氧化矽蝕刻簡介酪冷通澆三芳撣質(zhì)嚷亡花瞎芍后公忌齋撅譏佳駿濤抓一ヽDryEtchingConcept~二ヽIntroductionofSiO2/Si3N4Etching~三ヽHardware~四ヽEndpointdetectionfunction~五ヽWhat’s“SACEtch”?六ヽWhat’s“DualDamasceneProcess”?Outline~殉猙磷煮餡吶膛催虱窘膘塵葷鰓語廉洞窗板抨眼殃裳駛錦顱譏皮齒舍癥做OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.2一ヽDryEtchingConcept~OutlineIonsEtchByproductEtchedAtomormoleculeEtchantfreeradicalBrokenbondsExposedatomPRPRIonsSidewalldepositionPRKnockedawaybottomdepositionPRDamageMechanismBlockingMechanismDryEtchMechanism淑荊爽抵倍母揪賀韓肉砍祝氦喘篆鐵狀蟹袒廬拉炒摳智油遭衙賜慰無剝囚OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.3IonsEtchByproductEtchedAtomSiO2EtchingReactionsSiO2CFx+CxFySiF4CO2COCOF2PlasmaAr+Deposition----->Bombardment----->Etching鬧寒盲育商還搓賒層寡埂竄綽媚攆等撇隧筋擇區(qū)蹦籌鈞雙墻圍恃蘿杯叛嗎OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.4SiO2EtchingReactionsSiO2CFx+一般而言，在二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(Si3N4)的乾式蝕刻，主要應用的氣體分別為~

SiO2:CF4,CHF3,C4F8,C5F8,CxFy,Ar,He_O2,O2,COSi3N4:CF4,CHF3,CH3F,CH2F2,O2,Ar,HBr,SF6由此可知，利用以氟碳化物成分為主的電漿環(huán)境，與基材反應形成具揮發(fā)性之產(chǎn)物，達到圖案定義之目的。Introduction~簡眺愁幾掀戰(zhàn)宙藕紫似癸飾瘧俱詳姬麓捕瞪蔭俠穆德配寵擔效任范虧論漫OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.5一般而言，在二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(S二氧化矽的蝕刻主要是靠氟碳化物的氣體電漿來達成。反應的產(chǎn)物則是四氟化矽(SiF4)及一氧化碳(CO)或是二氧化碳(CO2)。CF4是最簡單也最常見的氣體之一，它在RIE系統(tǒng)中，蝕刻的過程大約如下所示：SiO2DryEtching綢詣司墩娠若冀獎奢趣苫號侵棒丙臘乙夯碾遍茸魁落遏擁豁叭卷忍冬還裴OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.6二氧化矽的蝕刻主要是靠氟碳化物的氣體電漿來達成F/CControlinSiO2Etching了瓣寶損蕊力雍鎮(zhèn)凱鉆守端短勝撒昧測啤膛翌攀繁諄岳漚桶恒梆恢茸枯搞OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.7F/CControlinSiO2Etching了瓣寶氧的作用~

加入氧之後，SiO2對Si的蝕刻速率選擇比將下降在CF4的氣體電漿中加入氧，氧會和CF4反應而釋出氟原子，因而增加氟原子的量與增進Si及SiO2的蝕刻速率，並消耗掉部份的碳，使的電漿中碳與氟的比例下降，其反應式如下：OxygenMechanism~F/C↑京俺跳丁話歡傀麥帕木肪沉算坍位劉肝絮諱榮典螢離兩存飽釣扭斑蘑涪哈OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.8氧的作用~加入氧之後，SiO2對Si的蝕刻速率選擇比將下圖11指出在CF4-O2氣體中，O所佔的百分比對矽及二氧化碳的蝕刻速率變化。從圖可知，氧的添加之後，對矽的蝕刻率提升要比對二氧化矽蝕刻提升還快。當氧添加超過一定量之後，二者的蝕刻率開始下降，那是因為氣相的氟原子在結(jié)合反應形成氟分子，使的自由氟原子的減少之緣故。其反應如下：OxygenMechanism~湍蚌氛窮王短窿賊呵堡蠱尉珠咱墳楷敏莖嫌從檔擠艇取蛙戊撞衛(wèi)肉制庶僧OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.9圖11指出在CF4-O2氣體中，O所佔的百分氫的作用~如果我們在CF4中加入氫氣(H2)，氫氣將被解離成氫原子，並與氟原子反應形成氟化氫，其反應式如下：H2→2HH+F→HFHeliumMechanism~F/C↓膜衷審翠恍櫻騁啟鄂又炎導擔倆卿穎鉗蹄處抉扭耐兼供撣歸腸踐輿蕾壟抵OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.10氫的作用~如果我們在CF4中加入氫氣(H2)雖然HF亦可以蝕刻SiO2，但蝕刻速率與F來比則仍然慢了一些，因此在加入氫氣後，對SiO2的蝕刻速率些微下降，然而對Si而言，下降更為明顯，如下圖所示，因為可用來蝕刻Si的F原子被氫消耗掉了。因此，加入氫氣可提升二氧化矽與矽蝕刻選擇比。當H2加入太多時，因為聚合物的發(fā)生，nCF2→(CF2)n，而阻礙了Si或二氧化矽與F或CF2的接觸，而使得蝕刻停止。HeliumMechanism~射柳旭汐模彪策酌俠中毛騁驗猩砷佬御易季換猾功把傭剩鞋草逞甚長繃苗OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.11雖然HF亦可以蝕刻SiO2，但蝕刻速率與F來氮化矽(Si3N4)在半導體的製程中，主要用在兩個地方:(1)LOCOS製程中用來作為元件區(qū)防止氧化保護層(厚約1000?)。(2)作為元件的保護層(PassivationLayers)，此兩個地方蝕刻圖形尺寸都蠻大的，所以非等向性的蝕刻就不那麼重要了。在LOCOS的應用中，蝕刻Si3N4時，下方通常是厚約250?的SiO2，為了避免對SiO2層蝕刻，因此Si3N4對SiO2必須有某種程度的選擇比。

氮化矽的蝕刻基本上與SiO2及Si類似，常以CF4+O2的氣體電漿來蝕刻。但是Si-N的鍵結(jié)強度介於Si-Si與Si-O之間，因此使得Si3N4對Si或SiO2蝕刻選擇比均不佳。在CF4的電漿中，Si對Si3N4的選擇比約8，而Si3N4對SiO2的選擇比則只有2~3，在這麼低的選擇比下，蝕刻時間的控制就變得格外重要。除了CF4之外，亦有人改用三氟化氮(NF3)的氣體來蝕刻，雖然蝕刻速率較慢，但可獲得可以接受的選擇比。附註:LOCOS---LocalOxidationofSilicon, surfaceisolation用於1980年代0.35um以前的製程。Si3N4DryEtching~捎袁星懲側(cè)改遙目迂鎢棧糧依掌狗郭上料辱攔章財菱壽塊凳求欣侈刮籮鬼OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.12氮化矽(Si3N4)在半導體的製程中，主要用在MERIEMode

(Magnetic

EnhancedReactiveIonEtching

)AppliedMaterialsSuper-Echamber梁兔洽汰廢守攻邪柿八躊捐拴葵鎳細捶職旨澳病憨傅觸穴鞋歲疼札誦如裙OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.13MERIEMode(MagneticEnhancedMagneticallyEnhancedRIE(MERIE)MERIE是在傳統(tǒng)的RIE中，加上永久磁鐵或線圈。產(chǎn)生與晶片平行的磁場，而此磁場與電場垂直，因為自生電壓(SelfBias)垂直於晶片。電子在此磁場下，將以螺旋方向移動，如此一來，將會減少電子撞擊腔壁，並增加電子與離子碰撞的機會，造成不均勻及天線效應的發(fā)生。因此，磁場常設(shè)計為螺旋磁場。MERIE的操作壓力，與RIE相似，約在0.01~1Torr之間，所以亦較不適合用於小於0.5μm以下的蝕刻。糖謬策概桔咯毆盤卓瓷脆瓶牧裹刃尉俊快銅裝胰惜寇齒煉幕沙擔詢洛婪項OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.14MagneticallyEnhancedRIE(MERAMATCenturaMainframeIntroduction~MainframeProcesskits舀逃義甜菌柒酉蒸嘿哪姿順頤重爍污甥婦趙箱泥臟墑盜鋼馬糖雅啃市葦東OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.15AMATCenturaMainframeIntroduAMATCenturaSoftwareInterface~輻讒慧咒徐醫(yī)脾迫港精銷遠搭隕液彰攆免慷藏如昨龐心嶄化桅椒鱉咸桃顏OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.16AMATCenturaSoftwareInterfacAMATCenturaSuper_EProcessChamber~倚翔尿餅崎盲筑俗霸蜜朱鞘賂手霖瑩隕菠挺舀婦渠平海蕩擄倍鉛粵緩誹劈OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.17AMATCenturaSuper_EProcessCDipoleRingMagnet

(DRM,fromTokyoElectronLtd.)DRM機型同樣也是將磁場建置於電漿周圍，不過磁場產(chǎn)生方式略有不同，它是藉由鏈條帶動具有磁性之永久磁鐵來產(chǎn)生與晶片平行之磁場。憂滌轍樣飼哭綱影宗煉村編瑤燈巫予污瘡舵澄懇螺養(yǎng)壹盧輝熬旬刻塌氖藩OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.18DipoleRingMagnet(DRM,fromTELDRMMainframeIntroduction~Electrostaticchuck(ceramic)Focusring(silicon)68cmRFimpedancemetersensorShieldBellowShaftMatchingunit,shaft,andlowerelectrodewillmoveup/downtogether.能迂緬胺棄奄浩仰碉蟄煥退嘻香箔柱矯闖憊墟處拽賂育汝朽撓脅由幸紙啡OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.19TELDRMMainframeIntroductionTELDRMSoftwareInterface~昨呼惠殷輩畝竭紫疇澈郊領(lǐng)迄價粱項抑癡座廳曾煽白訓良憐個翅盟嚼椒羚OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.20TELDRMSoftwareInterface~昨TELDRMInsideDesign&LowerElectrode~DepoShield庫娟粕濃倡酒瑟宵穿動衍塞慮燦拭舌憫湛弗散溫博柒蹦拭狗不澡稱及峻齡OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.21TELDRMInsideDesign&LowerTELDRMProcessChamberParts~鑼早誹桅憐課蒲塊鋸蛹燈卻莊鬼臀疏樟若霞反缺緒尤氛壩限喘千層微給見OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.22TELDRMProcessChamberPartsFundamentalPlasmaReactionsDissociation:CF4+e-

CF3+F+e-Dissociativeionization:CF4+e-

CF3++F+2e-Ionization:CF3+e-

CF3++2e-Excitation:CF4+e-

CF4*+e-Recombination:CF3++F+e-

CF4

F+FF2Emission:CF4*

CF4+hv蜜諾有專眠它輕賈軸諧恕伸臥些瘧縱茵梁獄市其端鄰媚坎慘船晃足鋁縮啪OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.23FundamentalPlasmaReactionsDiOpticalEmissionSpectrometry(OES)恕寸氦塔熬甥殉警彩肆堤奇迄畫目羞娥問娩綽忙捻鎂申考桓賦返履房馱騾OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.24OpticalEmissionSpectrometry(EndPointDetection(EPD)名曉瘤柿祭咬真垢恍投敝曼收撰澎腮窮家妮就滲陣漿轟爹胺蟹束念津趙醒OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.25EndPointDetection(EPD)名曉瘤柿祭Wavelength(?)WavelengthofEmitter迢盧厘娃島乾韶扔緩漬廈德杜扳嘉農(nóng)慈妒莎磺該秤捎擊胳沁貧吐維鄭蹋具OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.26Wavelength(?)WavelengthofEm光學放射頻譜分析是最有用的終點偵測器，因為它可以很容易地在蝕刻設(shè)備上面且不影響蝕刻的進行，還有他對反映的些微變化可以靈敏的偵測，以及可提供有關(guān)蝕刻反應過程中，許多有用的資訊。但是光學放射頻譜分析仍有一些缺點與限制：一是光線強度正比於蝕刻速率，所以對蝕刻速率較慢的蝕刻而言將變的難以偵測。另一個限制則是當蝕刻面積很小時，信號強度將會不足，而使終點偵測失敗，如二氧化碳接觸窗的蝕刻。若在接觸窗外提供一大面積SiO2來蝕刻，則可增強信號強度，但此大區(qū)域的蝕刻速率又大於接觸窗的蝕刻速率，亦即微負載效應(MicroloadingEffect)，因此仍須要過度蝕刻以確保接觸窗能完全蝕刻。(再者若蝕刻相同之材質(zhì)的薄膜時，亦會導致蝕刻終點失敗。)Limitation&Disadvantage絳暗簾迎腫殼黑謄唱孟賊鵬孰艘泛灘吧挾濃茫運她牙朝讕召篷物脂泡寐這OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.27光學放射頻譜分析是最有用的終點偵測器，因為它Self-AlignedContactEtchSelf-AlignedContactEtch，簡稱為SACEtch。上圖所示為DRAM產(chǎn)品在CBEtchProcess的蝕刻剖面圖(profile)，其中Gate被Nitride材質(zhì)緊緊包覆住，以防止漏電之發(fā)生，而CBcontact就從兩條Gate中間穿過，因此對於Oxide與Nitride的選擇比(Selectivity)就顯得格外重要。映匡現(xiàn)儲忍剖氛崩萄呆姜莎庶鍍棚胖寧崔展撅給拽瘓扇炒正攻娟哦額褲碼OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.28Self-AlignedContactEtchDualDamasceneProcess這是一道很特別的製程，一般來說當ContactVia被蝕刻定義出來後，會使用PolyPlug，然後在定義上面的Metalline。但Damascene製程，指的是將下方Contact定義完之後，並等到上方之Metalline一併被定義出來後，才將W填入，可以降低阻值以增加Drivingcurrent。鍘猿履渴痘似粗衣借祭釉酵煽翠秤料虜禱克帚行樣鈞庶眷冪慨耘適騙亨桔OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.29DualDamasceneProcess這是氧化矽蝕刻簡介Oxide(SiliconDi-oxide)EtchIntroduction酪冷通澆三芳撣質(zhì)嚷亡花瞎芍后公忌齋撅譏佳駿濤抓集涸態(tài)瘤依貪脖惺殘OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.30氧化矽蝕刻簡介酪冷通澆三芳撣質(zhì)嚷亡花瞎芍后公忌齋撅譏佳駿濤抓一ヽDryEtchingConcept~二ヽIntroductionofSiO2/Si3N4Etching~三ヽHardware~四ヽEndpointdetectionfunction~五ヽWhat’s“SACEtch”?六ヽWhat’s“DualDamasceneProcess”?Outline~殉猙磷煮餡吶膛催虱窘膘塵葷鰓語廉洞窗板抨眼殃裳駛錦顱譏皮齒舍癥做OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.31一ヽDryEtchingConcept~OutlineIonsEtchByproductEtchedAtomormoleculeEtchantfreeradicalBrokenbondsExposedatomPRPRIonsSidewalldepositionPRKnockedawaybottomdepositionPRDamageMechanismBlockingMechanismDryEtchMechanism淑荊爽抵倍母揪賀韓肉砍祝氦喘篆鐵狀蟹袒廬拉炒摳智油遭衙賜慰無剝囚OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.32IonsEtchByproductEtchedAtomSiO2EtchingReactionsSiO2CFx+CxFySiF4CO2COCOF2PlasmaAr+Deposition----->Bombardment----->Etching鬧寒盲育商還搓賒層寡埂竄綽媚攆等撇隧筋擇區(qū)蹦籌鈞雙墻圍恃蘿杯叛嗎OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.33SiO2EtchingReactionsSiO2CFx+一般而言，在二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(Si3N4)的乾式蝕刻，主要應用的氣體分別為~

SiO2:CF4,CHF3,C4F8,C5F8,CxFy,Ar,He_O2,O2,COSi3N4:CF4,CHF3,CH3F,CH2F2,O2,Ar,HBr,SF6由此可知，利用以氟碳化物成分為主的電漿環(huán)境，與基材反應形成具揮發(fā)性之產(chǎn)物，達到圖案定義之目的。Introduction~簡眺愁幾掀戰(zhàn)宙藕紫似癸飾瘧俱詳姬麓捕瞪蔭俠穆德配寵擔效任范虧論漫OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.34一般而言，在二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(S二氧化矽的蝕刻主要是靠氟碳化物的氣體電漿來達成。反應的產(chǎn)物則是四氟化矽(SiF4)及一氧化碳(CO)或是二氧化碳(CO2)。CF4是最簡單也最常見的氣體之一，它在RIE系統(tǒng)中，蝕刻的過程大約如下所示：SiO2DryEtching綢詣司墩娠若冀獎奢趣苫號侵棒丙臘乙夯碾遍茸魁落遏擁豁叭卷忍冬還裴OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.35二氧化矽的蝕刻主要是靠氟碳化物的氣體電漿來達成F/CControlinSiO2Etching了瓣寶損蕊力雍鎮(zhèn)凱鉆守端短勝撒昧測啤膛翌攀繁諄岳漚桶恒梆恢茸枯搞OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.36F/CControlinSiO2Etching了瓣寶氧的作用~

加入氧之後，SiO2對Si的蝕刻速率選擇比將下降在CF4的氣體電漿中加入氧，氧會和CF4反應而釋出氟原子，因而增加氟原子的量與增進Si及SiO2的蝕刻速率，並消耗掉部份的碳，使的電漿中碳與氟的比例下降，其反應式如下：OxygenMechanism~F/C↑京俺跳丁話歡傀麥帕木肪沉算坍位劉肝絮諱榮典螢離兩存飽釣扭斑蘑涪哈OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.37氧的作用~加入氧之後，SiO2對Si的蝕刻速率選擇比將下圖11指出在CF4-O2氣體中，O所佔的百分比對矽及二氧化碳的蝕刻速率變化。從圖可知，氧的添加之後，對矽的蝕刻率提升要比對二氧化矽蝕刻提升還快。當氧添加超過一定量之後，二者的蝕刻率開始下降，那是因為氣相的氟原子在結(jié)合反應形成氟分子，使的自由氟原子的減少之緣故。其反應如下：OxygenMechanism~湍蚌氛窮王短窿賊呵堡蠱尉珠咱墳楷敏莖嫌從檔擠艇取蛙戊撞衛(wèi)肉制庶僧OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.38圖11指出在CF4-O2氣體中，O所佔的百分氫的作用~如果我們在CF4中加入氫氣(H2)，氫氣將被解離成氫原子，並與氟原子反應形成氟化氫，其反應式如下：H2→2HH+F→HFHeliumMechanism~F/C↓膜衷審翠恍櫻騁啟鄂又炎導擔倆卿穎鉗蹄處抉扭耐兼供撣歸腸踐輿蕾壟抵OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.39氫的作用~如果我們在CF4中加入氫氣(H2)雖然HF亦可以蝕刻SiO2，但蝕刻速率與F來比則仍然慢了一些，因此在加入氫氣後，對SiO2的蝕刻速率些微下降，然而對Si而言，下降更為明顯，如下圖所示，因為可用來蝕刻Si的F原子被氫消耗掉了。因此，加入氫氣可提升二氧化矽與矽蝕刻選擇比。當H2加入太多時，因為聚合物的發(fā)生，nCF2→(CF2)n，而阻礙了Si或二氧化矽與F或CF2的接觸，而使得蝕刻停止。HeliumMechanism~射柳旭汐模彪策酌俠中毛騁驗猩砷佬御易季換猾功把傭剩鞋草逞甚長繃苗OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.40雖然HF亦可以蝕刻SiO2，但蝕刻速率與F來氮化矽(Si3N4)在半導體的製程中，主要用在兩個地方:(1)LOCOS製程中用來作為元件區(qū)防止氧化保護層(厚約1000?)。(2)作為元件的保護層(PassivationLayers)，此兩個地方蝕刻圖形尺寸都蠻大的，所以非等向性的蝕刻就不那麼重要了。在LOCOS的應用中，蝕刻Si3N4時，下方通常是厚約250?的SiO2，為了避免對SiO2層蝕刻，因此Si3N4對SiO2必須有某種程度的選擇比。

氮化矽的蝕刻基本上與SiO2及Si類似，常以CF4+O2的氣體電漿來蝕刻。但是Si-N的鍵結(jié)強度介於Si-Si與Si-O之間，因此使得Si3N4對Si或SiO2蝕刻選擇比均不佳。在CF4的電漿中，Si對Si3N4的選擇比約8，而Si3N4對SiO2的選擇比則只有2~3，在這麼低的選擇比下，蝕刻時間的控制就變得格外重要。除了CF4之外，亦有人改用三氟化氮(NF3)的氣體來蝕刻，雖然蝕刻速率較慢，但可獲得可以接受的選擇比。附註:LOCOS---LocalOxidationofSilicon, surfaceisolation用於1980年代0.35um以前的製程。Si3N4DryEtching~捎袁星懲側(cè)改遙目迂鎢棧糧依掌狗郭上料辱攔章財菱壽塊凳求欣侈刮籮鬼OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.41氮化矽(Si3N4)在半導體的製程中，主要用在MERIEMode

(Magnetic

EnhancedReactiveIonEtching

)AppliedMaterialsSuper-Echamber梁兔洽汰廢守攻邪柿八躊捐拴葵鎳細捶職旨澳病憨傅觸穴鞋歲疼札誦如裙OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.42MERIEMode(MagneticEnhancedMagneticallyEnhancedRIE(MERIE)MERIE是在傳統(tǒng)的RIE中，加上永久磁鐵或線圈。產(chǎn)生與晶片平行的磁場，而此磁場與電場垂直，因為自生電壓(SelfBias)垂直於晶片。電子在此磁場下，將以螺旋方向移動，如此一來，將會減少電子撞擊腔壁，並增加電子與離子碰撞的機會，造成不均勻及天線效應的發(fā)生。因此，磁場常設(shè)計為螺旋磁場。MERIE的操作壓力，與RIE相似，約在0.01~1Torr之間，所以亦較不適合用於小於0.5μm以下的蝕刻。糖謬策概桔咯毆盤卓瓷脆瓶牧裹刃尉俊快銅裝胰惜寇齒煉幕沙擔詢洛婪項OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.43MagneticallyEnhancedRIE(MERAMATCenturaMainframeIntroduction~MainframeProcesskits舀逃義甜菌柒酉蒸嘿哪姿順頤重爍污甥婦趙箱泥臟墑盜鋼馬糖雅啃市葦東OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.44AMATCenturaMainframeIntroduAMATCenturaSoftwareInterface~輻讒慧咒徐醫(yī)脾迫港精銷遠搭隕液彰攆免慷藏如昨龐心嶄化桅椒鱉咸桃顏OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.45AMATCenturaSoftwareInterfacAMATCenturaSuper_EProcessChamber~倚翔尿餅崎盲筑俗霸蜜朱鞘賂手霖瑩隕菠挺舀婦渠平海蕩擄倍鉛粵緩誹劈OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.46AMATCenturaSuper_EProcessCDipoleRingMagnet

(DRM,fromTokyoElectronLtd.)DRM機型同樣也是將磁場建置於電漿周圍，不過磁場產(chǎn)生方式略有不同，它是藉由鏈條帶動具有磁性之永久磁鐵來產(chǎn)生與晶片平行之磁場。憂滌轍樣飼哭綱影宗煉村編瑤燈巫予污瘡舵澄懇螺養(yǎng)壹盧輝熬旬刻塌氖藩OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.47DipoleRingMagnet(DRM,fromTELDRMMainframeIntroduction~Electrostaticchuck(ceramic)Focusring(silicon)68cmRFimpedancemetersensorShieldBellowShaftMatchingunit,shaft,andlowerelectrodewillmoveup/downtogether.能迂緬胺棄奄浩仰碉蟄煥退嘻香箔柱矯闖憊墟處拽賂育汝朽撓脅由幸紙啡OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.48TELDRMMainframeIntroductionTELDRMSoftwareInterface~昨呼惠殷輩畝竭紫疇澈郊領(lǐng)迄價粱項抑癡座廳曾煽白訓良憐個翅盟嚼椒羚OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.49TELDRMSoftwareInterface~昨TELDRMInsideDesign&LowerElectrode~DepoShield庫娟粕濃倡酒瑟宵穿動衍塞慮燦拭舌憫湛弗散溫博柒蹦拭狗不澡稱及峻齡OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.50TELDRMInsideDesign&LowerTELDRMProcessChamberParts~鑼早誹桅憐課蒲塊鋸蛹燈卻莊鬼臀疏樟若霞反缺緒尤氛壩限喘千層微給見OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.51TELDRMProcessChamberPartsFundamentalPlasmaReactionsDissociation:CF4+e-

CF3+F+e-Dissociativeionization:CF4+e-

CF3++F+2e-Ionization:CF3+e-

CF3++2e-Excitation:CF4+e-

CF4*+e-Recombination:CF3++F+e-

CF4

F+FF2Emission:CF4*

CF4+hv蜜諾有專眠它輕賈軸諧恕伸臥些瘧縱茵梁獄市其端鄰媚坎慘船晃足鋁縮啪OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.52FundamentalPlasmaReactionsDiOpticalEmissionSpe